拋光液
- 鈦鎳合金絲材電解拋光工藝的研究①
。 目前常用的拋光液體系為酸-醇體系［1-3］，如硝酸-正丁醇［4］、硫酸-甲醇［5］等，該體系拋光效率高、效果好，但腐蝕性強(qiáng)、危險(xiǎn)系數(shù)高，在基礎(chǔ)拋光液中加入如氟化銨［6］、檸檬酸［7］、乳酸［8］、三乙醇胺［9］等添加劑能進(jìn)一步優(yōu)化拋光效果。針對(duì)鈦鎳絲材粗糙表面引起的腐蝕、溶血問題，本文以酸-醇拋光液為基礎(chǔ)拋光液、有機(jī)酸和醇為添加劑，研究拋光液成分對(duì)鈦鎳合金絲材拋光效果的影響，以獲得適宜的拋光液成分，提高鈦鎳絲材的表面質(zhì)量、抗腐蝕性和生物相容性。1 實(shí)驗(yàn)
礦冶工程 2023年6期2024-01-20
- 4-羥基苯甲酸對(duì)DSTI 化學(xué)機(jī)械拋光SiO2/Si3N4 去除選擇性的影響
P 過程中要求拋光液對(duì)SiO2和Si3N4具有較高的去除選擇性，以保證將溝槽外的HDP-SiO2層徹底去除，Si3N4層則被保留下來[5-7]。如圖1 所示，傳統(tǒng)STI CMP 工藝需要通過刻蝕將大塊有源區(qū)去除，操作工序復(fù)雜，并且容易導(dǎo)致嚴(yán)重的碟形化現(xiàn)象。此外，傳統(tǒng)STI 采用SiO2基研磨液，對(duì)SiO2/Si3N4的去除速率選擇比(下文用N 表示)較低，直接淺溝槽隔離(DSTI)CMP 則采用CeO2基研磨液，具有較高的SiO2/Si3N4去除速率選擇比
電鍍與涂飾 2023年13期2023-08-05
- 指向“變化觀念”的元素化合物教學(xué)
念； 硝酸； 拋光液； 實(shí)驗(yàn)探究文章編號(hào)： 1005-6629（2023）02-0049-06? ??中圖分類號(hào)： G633.8? ??文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： B 化學(xué)乃變化之學(xué)，通過化學(xué)變化創(chuàng)造物質(zhì)是化學(xué)學(xué)科的核心及價(jià)值所在，故而“變化觀念”成為高中化學(xué)學(xué)科核心素養(yǎng)的主要內(nèi)容之一。2020年秋投入使用的蘇教版高中化學(xué)教材（以下稱“新教材”）在編排順序、內(nèi)容選擇和呈現(xiàn)方式等方面做了較大的調(diào)整，如何整合新教材內(nèi)容，合理培育“變化觀念”是我們需要面對(duì)并要解決的問題之一。
化學(xué)教學(xué) 2023年2期2023-03-08
- 工藝參數(shù)對(duì)GLSI銅互連阻擋層CMP拋光效果的影響
)銅CMP用的拋光液成分復(fù)雜，并且含有毒緩蝕劑苯并三氮唑(BTA)及其衍生物，給CMP后的清洗帶來困難，也容易造成環(huán)境污染[10]。此外，現(xiàn)有拋光液還含有易分解變質(zhì)的氧化劑H2O2等。因此開發(fā)組分簡(jiǎn)單、穩(wěn)定、對(duì)環(huán)境污染小的拋光液及配套工藝極其重要。基于上述背景，本課題組研發(fā)了無緩蝕劑、無氧化劑的弱堿性阻擋層拋光液。本文主要研究了磨料質(zhì)量分?jǐn)?shù)、拋光液體積流量、拋頭轉(zhuǎn)速和拋盤轉(zhuǎn)速對(duì)阻擋層材料和圖形片拋光效果的影響。1 實(shí)驗(yàn)1.1 設(shè)備和材料采用華海清科股份有限
電鍍與涂飾 2023年1期2023-02-06
- 基于響應(yīng)面法的單晶硅CMP拋光工藝參數(shù)優(yōu)化＊
CMP過程中，拋光液中的組分能夠與晶片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，提供主要的化學(xué)作用，而拋光工藝參數(shù)則決定了磨粒與晶片之間的機(jī)械作用，也是決定拋光效果的主要因素之一[8-9]。因此，要獲得好的拋光表面質(zhì)量和較高的材料去除率，需對(duì)拋光參數(shù)進(jìn)行綜合控制[10]。而CMP機(jī)理復(fù)雜，拋光參數(shù)彼此間具有交互作用，獲得最佳工藝參數(shù)有很大的難度。莫益棟等[11]通過正交試驗(yàn)對(duì)TFT-LCD玻璃基板精細(xì)霧化拋光的工藝進(jìn)行優(yōu)化并獲得了最佳工藝參數(shù)。季軍等[12]采用四因素三水平的正交
金剛石與磨料磨具工程 2022年6期2023-01-28
- 不銹鋼振動(dòng)輔助力流變拋光
，且所用的化學(xué)拋光液與環(huán)境親和度低。EP和ECMP需要復(fù)雜的加工裝置，且電流擾動(dòng)對(duì)加工過程影響大。為進(jìn)一步提高拋光質(zhì)量及效率，本課題組提出了剪切增稠拋光(shear-thickening polishing, STP)[7-8]。STP是一種基于非牛頓流體拋光液的剪切增稠特性的拋光方法，已在不同合金表面取得了較好應(yīng)用[9-12]。近年來，針對(duì)更加復(fù)雜的超精密拋光需求，課題組在STP的基礎(chǔ)上提出了力流變拋光(shear rheological polishi
哈爾濱工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2023年1期2023-01-11
- 基于穩(wěn)定pH值的硅襯底晶圓拋光液成分優(yōu)化
值的硅襯底晶圓拋光液成分優(yōu)化許寧徽，李薇薇，錢佳，孫運(yùn)乾（河北工業(yè)大學(xué) 電子信息工程學(xué)院，天津 300401）目的 探究不同配比方案配制pH值相同的拋光液對(duì)拋光去除速率、拋光液壽命和表面粗糙度的影響，優(yōu)化硅襯底晶圓拋光液，使其滿足半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展要求。方法 以二氧化硅水溶膠為磨料，通過設(shè)置有機(jī)堿、pH緩沖劑、pH穩(wěn)定劑的不同配比來調(diào)節(jié)和穩(wěn)定拋光液的初始pH值（11.0～12.0），在最佳工藝參數(shù)下循環(huán)使用拋光液對(duì)2英寸（1英寸≈2.54 cm）硅襯底晶圓進(jìn)
表面技術(shù) 2022年12期2023-01-09
- 銅互連CMP工藝中緩蝕劑應(yīng)用的研究進(jìn)展*
CMP過程中，拋光液起著至關(guān)重要的作用，其各個(gè)組分發(fā)揮的作用不同，各化學(xué)添加劑的選擇以及含量的變化都會(huì)極大地影響拋光效果。而拋光液中的緩蝕劑可以通過螯合成鍵、沉積保護(hù)、物理或化學(xué)等吸附方式，降低銅表面凹處的化學(xué)腐蝕與溶解，在凹凸區(qū)域形成去除速率差，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)銅互連的納米級(jí)平坦化[8]。為了滿足集成電路技術(shù)節(jié)點(diǎn)不斷降低對(duì)拋后表面質(zhì)量越來越高的要求，國內(nèi)外科研人員對(duì)緩蝕劑的選擇及其機(jī)制進(jìn)行了大量的研究。本文作者首先介紹了銅互連CMP中緩蝕劑的作用機(jī)制，并闡述和歸
潤滑與密封 2022年12期2022-12-28
- 關(guān)于銅及銅合金化學(xué)拋光工藝的改進(jìn)和提高探討
目前銅合金化學(xué)拋光液主要分為以下幾類：2.1 硝酸及硝酸鹽系列該系列拋光液是將硝酸與銅進(jìn)行氧化、還原，以達(dá)到光亮、腐蝕的目的。其基本原理是：硝酸首先將銅氧化，然后讓一氧化銅與酸發(fā)生中和反應(yīng)。拋光液中的硝酸可作為緩蝕劑，硝酸可以在銅及銅合金的表面生成一層液膜，使銅和銅合金表面的凹陷部分快速溶解，使其達(dá)到光滑平整的效果。其它酸性物質(zhì)在拋光溶液中的作用是在加速溶解的同時(shí)增加表面亮度。為了解決“三酸”在拋光中所產(chǎn)生的“黃煙”，采用了一種新型的硝酸鹽化學(xué)拋光溶液。在
科海故事博覽 2022年32期2022-12-18
- 不同表面活性劑對(duì)銅互連阻擋層CMP 一致性的影響
大小、拋光墊、拋光液成分以及拋光工藝等因素都會(huì)影響晶圓表面的一致性及去除速率,可以通過調(diào)整拋光液成分和拋光工藝進(jìn)行控制[8-9]。作為拋光液必要組分之一的表面活性劑,在拋光液的分散性、顆粒的吸附、拋光后清洗及金屬離子污染等方面具有積極影響,因此合理利用表面活性劑可以提高晶圓表面的平坦化性能,提高傳遞速率[10-11]。李若津等[12]研究發(fā)現(xiàn),在堿性拋光液條件下,表面活性劑在控制材料去除速率和蝶形坑修正等方面起到積極作用。Xu 等[13]研究發(fā)現(xiàn)適當(dāng)濃度的
電子元件與材料 2022年10期2022-12-03
- 聚乙二醇對(duì)淺溝槽隔離中SiO2和Si3N4化學(xué)機(jī)械拋光速率選擇性的影響
采用CeO2基拋光液，相對(duì)于SiO2拋光液而言，其具有較高的SiO2拋光速率，以及較高的SiO2和Si3N4去除速率選擇比，但依舊難以滿足SiO2和Si3N4去除速率選擇比大于30∶1的要求[9-11]。所以需要在CeO2基拋光液中添加合適的添加劑，通過降低Si3N4的去除速率來實(shí)現(xiàn)高的選擇比[12]。Cho等人[13]研究了陰離子表面活性劑聚丙烯酸(PAA)對(duì)STI CMP過程中SiO2和Si3N4去除速率選擇比的影響，發(fā)現(xiàn)pH為6.5時(shí)隨著PAA分子量
電鍍與涂飾 2022年21期2022-11-25
- 鍺化學(xué)機(jī)械拋光工藝中綠色環(huán)保氧化劑的研究
光是在不斷噴淋拋光液下，對(duì)鍺晶片進(jìn)行機(jī)械拋光。拋光過程中，鍺晶片的表面與拋光液中的氧化劑發(fā)生氧化反應(yīng)，生成可溶解的氧化物；同時(shí)，在機(jī)械研磨的作用下，通過拋光墊、晶片和磨料的相對(duì)運(yùn)動(dòng)，把鍺表面軟的腐蝕層去除掉，使表面的鍺材料在機(jī)械研磨作用下從基材上脫落，從而實(shí)現(xiàn)表面拋光的效果。當(dāng)化學(xué)腐蝕作用和機(jī)械研磨作用達(dá)到平衡時(shí)，鍺晶片表面呈現(xiàn)出表面粗糙度極低的光亮的鏡面。由于化合物電池需要在鍺單晶襯底上進(jìn)行異質(zhì)結(jié)外延GaAs等材料，所以對(duì)鍺單晶拋光片的表面質(zhì)量和幾何精度
云南化工 2022年10期2022-11-05
- 精細(xì)霧化拋光TC4鈦合金拋光液優(yōu)化研究*
O2組成的簡(jiǎn)單拋光液。ZHANG等[9]研發(fā)了由氧化硅、去離子水、過氧化氫和檸檬酸組成的環(huán)保型拋光液，探究了過氧化氫含量和pH值對(duì)TC4鈦合金CMP的影響，并利用電化學(xué)和X射線光電子能譜(XPS)研究了拋光機(jī)制。LIANG等[10]研究了TC4鈦合金CMP中材料去除率隨拋光壓力、轉(zhuǎn)盤轉(zhuǎn)速和過氧化氫含量變化規(guī)律，并建立了等效電路來解釋鈦合金表面的動(dòng)態(tài)氧化特性。拋光液是影響CMP質(zhì)量的關(guān)鍵因素之一，其一般由磨料、氧化劑、絡(luò)合劑、pH調(diào)節(jié)劑和表面活性劑等組成，各
潤滑與密封 2022年10期2022-11-03
- 拋光工藝對(duì)晶片表面粗糙度的影響
光工藝參數(shù)，如拋光液粒度、拋光壓力、拋光液流量和工作臺(tái)轉(zhuǎn)速等，最終達(dá)到降低拋光后晶圓的表面粗糙度。1 硅片表面粗糙度的評(píng)定晶片表面粗糙度是指晶片表面具有的較小間距和微小峰谷不平度。它屬于微觀幾何形狀誤差，表面粗糙度越小，則表面越光滑；反之，則表面越粗糙。粗糙度輪廓的算術(shù)平均偏差Ra——在一個(gè)取樣長(zhǎng)度內(nèi)縱坐標(biāo)Z(x)值絕對(duì)值的算術(shù)平均值，如圖1所示。圖1 輪廓的算術(shù)平均偏差其計(jì)算公式為：式(1)中：Z(x)為取樣長(zhǎng)度內(nèi)的硅片基體表面結(jié)構(gòu)的輪廓曲線函數(shù)；Lr為
電子工業(yè)專用設(shè)備 2022年3期2022-09-09
- 5083鋁合金綠色化學(xué)機(jī)械拋光液對(duì)表面粗糙度的影響及機(jī)理分析
金綠色化學(xué)機(jī)械拋光液對(duì)表面粗糙度的影響及機(jī)理分析宋曉明1，張振宇1,2，劉杰2，李玉彪2，趙仕程1，徐光宏2（1.齊魯工業(yè)大學(xué) 機(jī)械工程學(xué)院，濟(jì)南 250353；2. 大連理工大學(xué)，遼寧 大連 116024）為提高5083鋁合金的表面質(zhì)量，研制一種環(huán)境友好型化學(xué)機(jī)械拋光液，并分析5083鋁合金化學(xué)機(jī)械拋光液對(duì)表面粗糙度的影響及作用機(jī)理。使用綠色環(huán)保的化學(xué)機(jī)械拋光液對(duì)5083鋁合金進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光。采用單因素控制變量法，分析不同的pH調(diào)節(jié)劑類型、pH值以及過
表面技術(shù) 2022年5期2022-05-28
- 磁流變拋光液制備過程中的氣泡動(dòng)力學(xué)模型
024)磁流變拋光液是一種力學(xué)性能受磁場(chǎng)調(diào)控的固-液混合智能材料，具有綠色、環(huán)保和智能可控等優(yōu)點(diǎn)，成為磁流變拋光、磁射流拋光以及多物理場(chǎng)輔助液體助噴射拋光的關(guān)鍵介質(zhì)材料[1-2]。然而，磁流變拋光液制備時(shí)容易產(chǎn)生固相顆粒凝聚、結(jié)塊及沉降等現(xiàn)象[3]，必須輔助以顆粒分散工藝進(jìn)行均質(zhì)。如何提升現(xiàn)有磁流變拋光液的制備理論及工藝已成為限制其發(fā)展的瓶頸問題。傳統(tǒng)的物理分散方法如機(jī)械葉片攪拌和球磨攪拌等，耗時(shí)長(zhǎng)、精度低、可控制差，很難將固相顆粒均勻地分散于基液中[4]
太原理工大學(xué)學(xué)報(bào) 2022年3期2022-05-24
- 新型抑制劑對(duì)銅膜CMP 后碟形坑與蝕坑的影響
MP 過程中,拋光液的組分是獲得高質(zhì)量晶圓表面的決定性因素[5-8]。銅互連布線本身存在的凹凸結(jié)構(gòu)會(huì)導(dǎo)致CMP 后圖形片表面產(chǎn)生碟形坑、腐蝕坑等缺陷,如圖1 所示。這些缺陷會(huì)對(duì)產(chǎn)品良率造成極大的影響,因此如何解決這些缺陷至關(guān)重要,目前國際上通常采用在拋光液中加入抑制劑來解決這一難題[9-11]。苯并三氮唑(BTA) 是目前應(yīng)用最廣泛的抑制劑,在CMP 過程中,BTA 能夠與Cu 結(jié)合形成一種吸附膜附著在Cu 表面,使Cu 表面的腐蝕效果大幅減弱[12]。但
電子元件與材料 2022年12期2022-02-08
- 超聲波精細(xì)霧化拋光石英玻璃的拋光液研制*
不同工藝參數(shù)和拋光液組分對(duì)石英玻璃拋光的影響并分析了拋光過程中的材料去除機(jī)制。WAKAMATSU等[10]研究了拋光壓力和拋光液濃度對(duì)石英玻璃基片去除率和表面狀況的影響，并最終獲得了高表面質(zhì)量和高材料去除率的玻璃基片。但是這些傳統(tǒng)的拋光方式存在一定的弊端，其拋光液用量大，廢液處理成本高，回收后拋光液的拋光能力下降以及對(duì)環(huán)境污染嚴(yán)重等。超聲波精細(xì)霧化拋光已在國內(nèi)發(fā)展十余年，期間完成了陶瓷、硅片和藍(lán)寶石等材料的超精密加工[11-13]，其可在低拋光液用量下實(shí)現(xiàn)
潤滑與密封 2021年11期2022-01-17
- C面藍(lán)寶石拋光液組分優(yōu)化
，如何通過改變拋光液成分等參數(shù)來提升這兩個(gè)指標(biāo)，是研究者們共同關(guān)注的問題。近年來，國內(nèi)外學(xué)者對(duì)藍(lán)寶石拋光液進(jìn)行了諸多研究。陳國美等[4]研究了兩性離子表面活性劑月桂酰胺基烷基甘氨酸(N-Lauroylsarcosine，NL)(上海國藥產(chǎn))在拋光液pH值為6～12時(shí)對(duì)A面藍(lán)寶石晶片CMP拋光效果的影響，當(dāng)拋光液pH值為12時(shí)，材料去除率達(dá)最大值2 202 nm/h，拋光表面的表面粗糙度為0.807 nm。崔雅琪等[5]研究了在拋光液中分別添加非離子表面活性
人工晶體學(xué)報(bào) 2021年12期2022-01-14
- 新型高硬度硅溶膠的制備及其在化學(xué)機(jī)械拋光中的應(yīng)用
械平坦化工藝中拋光液起重要作用[4-6]。拋光液中普遍采用納米SiO2水溶膠（簡(jiǎn)稱硅溶膠）作為研磨料。張雷等[7]通過化學(xué)沉淀法對(duì)硅溶膠進(jìn)行了鈰鋯改性，研究了不同鈰鋯摻雜量的CeO2/ZrO2硅溶膠復(fù)合磨料對(duì)藍(lán)寶石的拋光效果。王丹、Sideq Salleh 等[8-9]研究了球形和非球形硅溶膠的尺寸和形狀及其對(duì)藍(lán)寶石和鋁合金鍍鎳（Al-NiP）硬盤基板的拋光效果，發(fā)現(xiàn)非球形硅溶膠顯示出明顯更高的材料去除率。魏震等[10]介紹了硅烷偶聯(lián)劑KH550 在酸性條
表面技術(shù) 2021年11期2021-12-09
- 化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)
，對(duì)拋光設(shè)備、拋光液、拋光墊的構(gòu)成及主要作用和研究現(xiàn)狀進(jìn)行了綜述，對(duì)CMP技術(shù)未來的重點(diǎn)發(fā)展方向進(jìn)行了展望．1 CMP系統(tǒng)組成和工作原理與傳統(tǒng)的純機(jī)械拋光和純化學(xué)拋光的工藝相比，CMP有效的結(jié)合了兩者的優(yōu)點(diǎn)，避免了由單純機(jī)械拋光造成的表面損傷及單純化學(xué)拋光造成的拋光速率低、表面平整度低和一致性差的缺點(diǎn)．CMP系統(tǒng)主要由拋光設(shè)備、拋光液和拋光墊三個(gè)部分組成，其工作原理如圖1所示．圖1 CMP工作原理示意圖Fig.1 The operating princip
材料研究與應(yīng)用 2021年4期2021-12-09
- AEO表面活性劑EO加成數(shù)對(duì)銅互連阻擋層拋光液的影響
活性劑用來降低拋光液的表面張力[11]。Zhang等[12]研究FA/O I型活性劑抑制Cu表面的化學(xué)反應(yīng)。Xu等[13-14]研究ADS和AEO可降低銅CMP中的WIWNU和表面粗糙度。Stoebe研究表面活性劑的親水性和鋪展性能會(huì)隨著EO基團(tuán)的增加而變差[15]。本文研究了AEO不同EO數(shù)對(duì)拋光液潤濕性和分散性影響。1 實(shí)驗(yàn)部分1.1 材料與儀器硅溶膠(納米SiO2，pH值約9，平均粒徑約為 61.3 nm)，湖北金偉新材料科技有限公司；AEO表面活性
應(yīng)用化工 2021年9期2021-10-18
- 檸檬酸鉀對(duì)銅、鈷和TEOS去除速率及選擇性的影響
.2 拋光實(shí)驗(yàn)拋光液以5%的膠態(tài)二氧化硅作磨料，5 mL/L的過氧化氫，檸檬酸鉀作絡(luò)合劑，TT-LYK作抑制劑，拋光液的pH值調(diào)節(jié)劑選用了HNO3和KOH。采用E460拋光機(jī)進(jìn)行拋光實(shí)驗(yàn)；拋光機(jī)配備了Politex拋光墊。拋光工藝參數(shù)見表1。每次拋光前后，使用硬毛刷和去離子水對(duì)墊沖刷清洗300 s，每種材料的拋光時(shí)間均為1 min，拋光后用氮?dú)獯蹈?。利用拋光前后晶圓片膜厚的差值計(jì)算其去除速率。表1 拋光工藝參數(shù)(1)其中，V為去除速率，h1指材料拋光前的厚
應(yīng)用化工 2021年9期2021-10-18
- 拋光液添加劑協(xié)同作用對(duì)銅互連阻擋層CMP 后碟形坑及蝕坑的影響
劑的堿性阻擋層拋光液中,非離子型表面活性劑脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)能夠有效控制碟形坑和蝕坑,提高晶圓表面的平坦化效果。在前人研究的基礎(chǔ)上,本文研究了促進(jìn)劑檸檬酸鉀(CAK)和FA/O Ⅱ型絡(luò)合劑協(xié)同作用對(duì)材料去除速率、碟形坑和蝕坑修正的影響;對(duì)比四種不同濃度的磨料、絡(luò)合劑和檸檬酸鉀(CAK)拋光液的材料去除速率,提出了其協(xié)同作用的機(jī)理,對(duì)降低碟形坑和蝕坑缺陷,提高CMP 后平整度具有重要意義。1 實(shí)驗(yàn)1.1 材料實(shí)驗(yàn)所用晶圓為直徑12 英寸(30.48
電子元件與材料 2021年8期2021-08-29
- 磁流變拋光中表面彗尾狀缺陷的生成與演變行為
粒與拋光顆粒的拋光液在磁場(chǎng)的作用下在拋光輪上形成柔性拋光緞帶，拋光過程中柔性緞帶作為拋光工具隨拋光輪的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)劃過工件表面，通過拋光液緞帶中的拋光顆粒與工件的微觀剪切作用達(dá)到去除材料的目的。由于柔性接觸，拋光過程中單個(gè)拋光顆粒所受的正壓力約為10-7N，遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)拋光中所承受的正壓力［7］。微小的正壓力使磁流變加工脆性材料時(shí)的材料去除能保持在塑性域范圍內(nèi)，因而能最大限度地避免拋光過程中光學(xué)元件亞表面損傷的生成，保障表面質(zhì)量［8］。磁流變拋光是一種新興的超精
光學(xué)精密工程 2021年4期2021-07-03
- 不銹鋼表面拋光質(zhì)量的影響因素和改善措施
間存在的微米級(jí)拋光液研磨與腐蝕的共同作用，使被加工鋼板獲得光澤的表面[1-3]?；瘜W(xué)機(jī)械拋光過程中影響表面質(zhì)量的因素很多，要獲得無表面缺陷、光澤度高和粗糙度低的加工表面，就需要對(duì)拋光過程中易產(chǎn)生的表面缺陷和過程參數(shù)進(jìn)行控制[4-5]。本文通過對(duì)生產(chǎn)實(shí)踐中拋光缺陷產(chǎn)生的原因進(jìn)行分析，并通過技術(shù)改進(jìn)解決和提升了拋光后的鋼板表面質(zhì)量。1 影響不銹鋼拋光板表面質(zhì)量的因素產(chǎn)生不銹鋼冷軋BA板拋光質(zhì)量差的主要原因?yàn)槌善繁砻娲嬖谀ヮ^花和暗紋，表面光澤度不夠，表面粗糙度高
山西冶金 2021年2期2021-05-26
- 釔鋁石榴石晶體化學(xué)機(jī)械拋光液成分優(yōu)化研究 *
與硅溶膠的混合拋光液拋光YAG多晶，通過改變納米金剛石磨料與硅溶膠的配比調(diào)整機(jī)械作用與化學(xué)作用強(qiáng)弱。結(jié)果表明：使用含0.67%(質(zhì)量分?jǐn)?shù)，下同)的納米金剛石磨料和16.7%的硅溶膠混合拋光液對(duì)YAG多晶進(jìn)行拋光，可以獲得表面粗糙度為0.56 nm的光滑表面。該方法雖然同時(shí)兼顧了拋光后YAG晶體的表面質(zhì)量和加工效率，但拋光后YAG晶體表面仍會(huì)存在較多的微劃痕和較大的亞表面損傷，影響激光器性能。李軍等[9]研究出了一整套的YAG晶體的加工工藝流程，首先采用28
金剛石與磨料磨具工程 2021年2期2021-05-25
- 一種電鍍錫前處理工藝
品在電鍍前通過拋光液對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行拋光，將產(chǎn)品銅材表面的油污、以及氧化層去除，能夠使得銅材表面平滑光亮，達(dá)到鍍層光亮，與基材結(jié)合力好、可焊性好的目的。目前市場(chǎng)上通常采用兩種方式進(jìn)行拋光：①除油→拋光；②拋光（內(nèi)加除油劑）。這樣的方式增加企業(yè)的運(yùn)行成本，工藝也比較繁瑣。本工藝則采用一種新型拋光液配制方法，其中內(nèi)含：電鍍錫廢液、硫酸、冰醋酸。同時(shí)電鍍廢液再利用也降低污水排放，達(dá)到了節(jié)能降耗、工藝簡(jiǎn)化的目的。1 電鍍錫前處理工藝流程1.1 拋光液的配制工藝拋光液的配
締客世界 2020年8期2020-12-11
- 氮化硅滾子化學(xué)機(jī)械復(fù)合拋光工藝參數(shù)與表面粗糙度的關(guān)系
同溫度的磁流變拋光液，探究主軸轉(zhuǎn)速和磁流變拋光液的溫度對(duì)氮化硅陶瓷滾子表面粗糙度的影響，確定各參數(shù)對(duì)氮化硅陶瓷滾子表面粗糙度。1 實(shí)驗(yàn)裝置與原料1.1 實(shí)驗(yàn)裝置針對(duì)氮化硅陶瓷滾子性能，采用化學(xué)—機(jī)械復(fù)合拋光實(shí)驗(yàn)機(jī)對(duì)氮化硅陶瓷滾子進(jìn)行拋光處理。該復(fù)合拋光制粒機(jī)主要由超聲振動(dòng)系統(tǒng)、升降系統(tǒng)、磁流變拋光液存放系統(tǒng)及輔助拋光系統(tǒng)組成，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖如圖1 所示。(1) 超聲振動(dòng)系統(tǒng)：由超聲換能器、超聲工具頭組成，用于發(fā)射超聲波對(duì)氮化硅陶瓷滾子進(jìn)行作用。(2) 升降系統(tǒng)：
中國陶瓷工業(yè) 2020年5期2020-10-16
- 磨粒和拋光墊對(duì)鋁合金化學(xué)機(jī)械拋光性能的影響
]。CMP是將拋光液中各種添加劑的化學(xué)腐蝕與磨粒及拋光墊的機(jī)械磨削相互作用的超精密加工技術(shù)，其基本原理是旋轉(zhuǎn)的鋁合金樣品被壓在旋轉(zhuǎn)的拋光墊上，含有氧化劑、絡(luò)合劑的拋光液與樣品表面產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成一層較軟的鈍化層，磨粒與拋光墊對(duì)鈍化層進(jìn)行機(jī)械去除，樣品表面材料在拋光液的化學(xué)作用與磨粒、拋光墊機(jī)械作用下交替進(jìn)行，直到達(dá)到兩者平衡。張澤芳等[3]研究了氧化鋁單一磨粒對(duì)鋁合金化學(xué)機(jī)械拋光作用的影響，隨著氧化鋁粒徑的增大，鋁合金表面的粗糙度將會(huì)增大，同時(shí)光澤度下降
科學(xué)技術(shù)與工程 2020年16期2020-06-30
- 3D玻璃拋光液的制備及其性能研究
目前3D 玻璃拋光液的制備有3 種技術(shù)方案：第1 種是CeO2拋光粉直接加水稀釋至所需使用濃度；第2種是將拋光粉與分散劑、懸浮劑、表面活性劑、拋光助劑、pH 調(diào)節(jié)劑等配制成所需使用濃度的拋光液；第3種是將拋光粉與分散劑、懸浮劑、表面活性劑、拋光助劑、pH 調(diào)節(jié)劑等配制成濃縮液，再稀釋成所需濃度。1 原理影響CeO2拋光效果的因素有：CeO2顆粒的粒徑，形貌、硬度、晶型及顆粒在漿液中的懸浮性、分散性。帶有棱角的片狀CeO2顆粒對(duì)玻璃表面的磨削作用強(qiáng)，拋光效果
化工設(shè)計(jì)通訊 2020年4期2020-05-15
- 讓鋁合金閃閃發(fā)亮
1，將鋁件放入拋光液，并將拋光液放入水浴鍋進(jìn)行拋光。用等離子水清洗鋁件表面，出光。之后再用等離子水清洗鋁件表面后用烘箱烘干，稱量鋁塊質(zhì)量 m 2。五、實(shí)驗(yàn)結(jié)果1. 酸的選擇及酸含量比例對(duì)拋光液拋光效果的影響傳統(tǒng)化學(xué)拋光液中含有硝酸，拋光時(shí)會(huì)產(chǎn)生氮氧化物氣體，不僅影響人的健康，還會(huì)污染環(huán)境，所以我想改用雙酸（即磷酸、硫酸）。通過查閱文獻(xiàn)得知，雙酸的含量比例決定了拋光溶液的效果。硫酸能使拋光更加平整化、均勻化，但過量會(huì)產(chǎn)生白色麻點(diǎn)，拋光效果不理想。而磷酸對(duì)實(shí)驗(yàn)
發(fā)明與創(chuàng)新·中學(xué)生 2020年2期2020-04-13
- 讓鋁合金閃閃發(fā)亮
——鋁合金表面形貌與結(jié)構(gòu)調(diào)控工藝條件優(yōu)化與性能測(cè)試
1，將鋁件放入拋光液，并將拋光液放入水浴鍋進(jìn)行拋光。用等離子水清洗鋁件表面，出光。之后再用等離子水清洗鋁件表面后用烘箱烘干，稱量鋁塊質(zhì)量m2。稱量藥品五、實(shí)驗(yàn)結(jié)果1.酸的選擇及酸含量比例對(duì)拋光液拋光效果的影響傳統(tǒng)化學(xué)拋光液中含有硝酸，拋光時(shí)會(huì)產(chǎn)生氮氧化物氣體，不僅影響人的健康，還會(huì)污染環(huán)境，所以我想改用雙酸（即磷酸、硫酸）。通過查閱文獻(xiàn)得知，雙酸的含量比例決定了拋光溶液的效果。硫酸能使拋光更加平整化、均勻化，但過量會(huì)產(chǎn)生白色麻點(diǎn)，拋光效果不理想。而磷酸對(duì)實(shí)
發(fā)明與創(chuàng)新 2020年6期2020-01-09
- 單晶硅同質(zhì)互拋實(shí)驗(yàn)研究
P)技術(shù)是利用拋光液中的化學(xué)成分與拋光件表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化層，并通過拋光液中磨粒的磨削作用去除硬度較小的氧化層，通過不斷地重復(fù)上述過程，最終得到光滑的表面[6]。CMP技術(shù)幾乎是目前唯一的全局平面化技術(shù)，且已得到了廣泛的應(yīng)用。盡管CMP技術(shù)發(fā)展的速度很快，但需要解決的理論及技術(shù)問題還很多，如CMP加工材料去除機(jī)理，以及拋光液、拋光墊、工件三者之間的物理化學(xué)作用、接觸力學(xué)作用、化學(xué)腐蝕和氧化作用、潤滑作用和機(jī)械作用的平衡關(guān)系等。關(guān)于硅襯底拋光工藝面臨的
中國機(jī)械工程 2019年23期2019-12-17
- 硫系紅外玻璃的拋光工藝研究*
拋光。通過分析拋光液pH值、拋光盤轉(zhuǎn)速、拋光液磨料濃度、拋光壓力、拋光時(shí)間和拋光液流量等參數(shù)對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光的影響，得到ZnSe晶片拋光后的表面粗糙度Ra為0.578 nm，平面面形誤差小于1.8 μm。文獻(xiàn)[12]對(duì)硫化鋅晶體進(jìn)行磨削加工，采用正交實(shí)驗(yàn)法對(duì)影響加工參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化，最終得到的硫化鋅晶體表面粗糙度Ra最小值為7.6 nm，面形誤差為0.185～0.395 μm。文獻(xiàn)[13]使用化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)對(duì)硫化鋅晶體拋光，拋光墊使用聚氨酯和毛氈，拋光液使用A
西安工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2019年4期2019-08-05
- 水基拋光液的分散性改善方法和應(yīng)用研究綜述
料、水基性復(fù)合拋光液等。在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)中，納米粒子的機(jī)械研磨作用與拋光液的腐蝕作用相協(xié)同，對(duì)材料表面進(jìn)行超精密加工，可實(shí)現(xiàn)被加工器件表面的全局平面化。采用CMP技術(shù)時(shí)，拋光液的性能對(duì)拋光的表面質(zhì)量有顯著影響。目前，國內(nèi)用于CMP的拋光液以進(jìn)口為主，急需開發(fā)國產(chǎn)新型拋光液并提高拋光液的質(zhì)量。水基復(fù)合拋光液是現(xiàn)在應(yīng)用較多的環(huán)保型拋光液，主要由水、磨料和分散劑組成，有的還含有氧化劑、表面活性劑、絡(luò)合劑、潤滑劑、抑制劑等。很多光學(xué)器件、光伏材料、光學(xué)玻璃
中原工學(xué)院學(xué)報(bào) 2019年1期2019-03-15
- 霧化施液同質(zhì)硬脆晶體互拋CMP工藝研究
果表明僅僅改進(jìn)拋光液中化學(xué)物質(zhì)的組分和改變拋光參數(shù)提高機(jī)械摩擦作用對(duì)無損傷超光滑表面的形成的幫助是遠(yuǎn)不夠的[8]。事實(shí)上也證明，拋光液中磨料納米顆粒的團(tuán)聚劃傷以及在拋光過程中基片上過量的拋光液的不均勻腐蝕作用，也正是造成基片表面質(zhì)量不高的主要緣由之一，必須加以控制和改進(jìn)[9]。針對(duì)傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械拋光過程中存在的諸多問題如團(tuán)的聚納米漿料粒子易劃傷拋光表面，拋光墊表面磨粒分布不均勻，被拋光工件表面殘留漿料不易清洗，拋光成本高，漿料廢液難處理、污染環(huán)境等[10]問
人工晶體學(xué)報(bào) 2019年2期2019-03-15
- 化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）用拋光液中CeO2磨料專利申請(qǐng)趨勢(shì)分析
光（CMP）用拋光液中CeO2磨料相關(guān)技術(shù)的全球?qū)＠暾?qǐng)及中國專利申請(qǐng)進(jìn)行了分析，探討了CeO2磨料在全球及中國的申請(qǐng)量趨勢(shì)、全球及在華不同國家申請(qǐng)量比例和重點(diǎn)申請(qǐng)人的申請(qǐng)趨勢(shì)及排名等，以期為國內(nèi)研究者提供有價(jià)值的專利信息參考。關(guān)鍵詞：化學(xué)機(jī)械拋光；拋光液；CeO2磨料中圖分類號(hào)：TG580 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1003-5168（2018）07-0140-03Analysis of the Trend of Patent Application a
河南科技 2018年7期2018-09-10
- 化學(xué)機(jī)械拋光304不銹鋼用拋光液成分研究
學(xué)機(jī)械拋光中，拋光液是重要組成部分，對(duì)拋光效果起關(guān)鍵作用，且其成本占總拋光成本的60%～70%。因此，研究環(huán)保高效的化學(xué)機(jī)械拋光液是化學(xué)機(jī)械拋光中研究的重點(diǎn)。目前，國內(nèi)外對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光不銹鋼方面的研究，集中在溫度、壓力、轉(zhuǎn)速、時(shí)間等拋光工藝參數(shù)，拋光液pH值，氧化劑，緩蝕劑等方面來提高拋光速率和表面質(zhì)量[14-15]。本研究采用單因素實(shí)驗(yàn)研究不同氧化劑在不同pH值下的材料去除率和表面粗糙度，找出最佳的pH值；在此pH值下，研究各氧化劑含量對(duì)拋光效果的影響，
金剛石與磨料磨具工程 2018年2期2018-05-11
- 哈氏合金基帶電化學(xué)拋光液的制備及性能
2500電化學(xué)拋光液。近年來，國內(nèi)也研制出多種電化學(xué)拋光液[10-12]，但它們對(duì)這類帶材合金的拋光效果較差，往往會(huì)出現(xiàn)弱拋或過拋現(xiàn)象，使哈氏合金基帶產(chǎn)生較多的缺陷，拋光效果不理想。針對(duì)上述問題，筆者研制了一種用于第二代高溫超導(dǎo)帶材的電化學(xué)拋光液，并已獲得專利授權(quán)[13]。本文在前期研究和查閱電化學(xué)拋光液相關(guān)文獻(xiàn)[14-15]的基礎(chǔ)上，采用自制拋光液對(duì)哈氏合金基帶進(jìn)行電化學(xué)拋光，并與EP2500拋光液的拋光效果進(jìn)行了對(duì)比。1 哈氏合金基帶的電化學(xué)拋光工藝1
電鍍與涂飾 2018年8期2018-05-09
- 精細(xì)霧化拋光氮化硅陶瓷的拋光液配制參數(shù)優(yōu)化
和水基二氧化鈰拋光液濃度對(duì)氮化硅陶瓷表面粗糙度的影響[5]；鄧朝暉等應(yīng)用化學(xué)機(jī)械拋光在數(shù)控坐標(biāo)磨床上對(duì)氮化硅陶瓷回轉(zhuǎn)曲面零件進(jìn)行了超精密加工工藝實(shí)驗(yàn)研究[6]。但是這些傳統(tǒng)的拋光也存在著一些問題：拋光液的成本較高，消耗較大，造成資源的浪費(fèi)；未經(jīng)處理的拋光液大量排放到自然界會(huì)造成環(huán)境污染；拋光液在工件表面的團(tuán)聚影響了工件表面的加工質(zhì)量[7-8]。本課題組改進(jìn)傳統(tǒng)CMP的施液方式，提出了超聲精細(xì)霧化CMP的工藝方法，其霧化拋光效果與傳統(tǒng)拋光效果接近，但拋光液用
材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào) 2018年2期2018-05-08
- 專利名稱：一種Cr-Mo鋼EBSD樣品的制備方法
同粒度的金剛石拋光液以及三氧化二鋁拋光液拋光，再采用線切割機(jī)將機(jī)械拋光后的試樣厚度減薄為3 mm，用無水乙醇清洗去除試樣上的油污，之后采用50 nm粒度的拋光液將上述試樣的待測(cè)面繼續(xù)拋光1～4 min，將拋光好的試樣放入無水乙醇中清洗，吹干，得到用于EBSD分析的試樣。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單，試樣的制備只采用機(jī)械拋光即可，不需要專用電解拋光設(shè)備，制樣成本低，樣品符合EBSD分析要求。
中國鉬業(yè) 2018年2期2018-01-30
- 不銹鋼CMP拋光液的研制
CMP過程中，拋光液中的氧化劑會(huì)與工件的表面發(fā)生化學(xué)腐蝕，形成一層較薄且容易去除的膜，拋光液中的磨料和拋光墊可以與該薄膜摩擦，使其脫離工件表面，從而實(shí)現(xiàn)表面材料的去除。由于工件表面凸起和凹陷區(qū)域的機(jī)械作用有所不同，凸起處的摩擦作用大、去除率高，而凹陷處摩擦作用小、去除率低，從而逐漸達(dá)到表面平整光滑的效果。將CMP技術(shù)用于不銹鋼的表面加工，可獲得納米甚至亞納米級(jí)的表面粗糙度[3-4]。在CMP中，最為主要的耗材就是拋光液，它占整個(gè)工藝成本的百分之四十左右，是
機(jī)械設(shè)計(jì)與制造 2018年1期2018-01-19
- 醫(yī)用鎳鈦合金的電解拋光進(jìn)展
流行的三類電解拋光液體系:酸-酸體系、酸-醇體系和醇-鹽體系以及其主要成分,分析了在不同電解拋光液體系成分下電解拋光液濃度、拋光溫度和拋光電壓等條件的改變對(duì)拋光效果(粗糙度、耐腐蝕)以及拋光效率的影響,進(jìn)一步比較了不同電解拋光液體系的優(yōu)缺點(diǎn),并綜述了電解拋光原理機(jī)制及其技術(shù)的新發(fā)展.鎳鈦合金; 電解拋光; 電解拋光液; 原理鎳鈦合金具有獨(dú)特的形狀記憶性、超彈性、良好的力學(xué)性能、耐摩擦、耐腐蝕性能以及生物相容性,使得其成為醫(yī)學(xué)上制造血管支架的理想材料,日益受
有色金屬材料與工程 2017年5期2017-11-13
- 用氟化鈉脫除失效磷酸基拋光液中鋁的研究*
脫除失效磷酸基拋光液中鋁的研究*郭昌明，吳君，崔學(xué)民，黎鉉海，韋柳團(tuán)（廣西大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院，廣西南寧530004）研究利用氟化鈉與失效磷酸基拋光液中的鋁形成難溶的氟化物，從而脫除拋光液中的鋁使其再生。在反應(yīng)溫度為60℃、反應(yīng)時(shí)間為40min、氟化鈉用量為化學(xué)計(jì)量的1.3倍、靜置時(shí)間為1.5 d條件下，失效磷酸基拋光液中鋁的脫除率可達(dá)98%以上。該脫鋁工藝操作簡(jiǎn)便，鋁脫除率高，還可副產(chǎn)工業(yè)級(jí)冰晶石，具有良好的應(yīng)用前景。失效磷酸基拋光液；氟化鈉；鋁磷酸基化學(xué)拋
無機(jī)鹽工業(yè) 2017年6期2017-06-24
- 碲鋅鎘晶體化學(xué)機(jī)械拋光液的研究
鎘晶體化學(xué)機(jī)械拋光液的研究敖孟寒1,2，朱麗慧1，孫士文2（1. 上海大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，上海 200072；2.中國科學(xué)院紅外成像材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，上海 200083）本文以硅溶膠為磨料顆粒、次氯酸鈉（NaClO）為氧化劑制備適用于CZT晶片的化學(xué)機(jī)械拋光液。采用XPS能譜分析CZT表面元素化學(xué)態(tài)，研究CZT化學(xué)機(jī)械拋光過程中拋光液的化學(xué)作用機(jī)理，使用激光干涉儀、原子力顯微鏡研究拋光液中NaClO含量對(duì)晶片拋光速率、晶片表面PV值及表面粗糙度Ra
紅外技術(shù) 2017年1期2017-03-26
- 拋光介質(zhì)對(duì)鎂合金化學(xué)機(jī)械拋光的影響*
涉儀研究了堿性拋光液中不同有機(jī)溶劑與無機(jī)溶劑包括乙二醇、聚乙二醇、去離子水和1%磷酸氫二鈉水溶液對(duì)鎂合金化學(xué)機(jī)械拋光效果的影響，測(cè)試了材料的去除率。結(jié)果表明，當(dāng)采用乙二醇、聚乙二醇等有機(jī)溶劑作為拋光液的拋光介質(zhì)時(shí)，能夠有效改善鎂合金在拋光過程中的點(diǎn)蝕現(xiàn)象，但材料去除率較低；采用去離子水作為拋光介質(zhì)時(shí)，雖然材料去除率較高，但拋光后鎂合金表面點(diǎn)蝕現(xiàn)象嚴(yán)重；采用去離子水作為拋光介質(zhì)并添加1%的緩蝕劑磷酸氫二鈉時(shí)，能夠在保證材料去除率的同時(shí)，有效改善鎂合金拋光后的
制造技術(shù)與機(jī)床 2016年6期2016-09-13
- 鋁柵化學(xué)機(jī)械拋光工藝
130）探討了拋光液組成和機(jī)械拋光工藝參數(shù)(包括拋光壓力、轉(zhuǎn)速、拋光液流速和拋光時(shí)間)對(duì)鋁柵化學(xué)機(jī)械拋光過程中鋁的去除速率的影響，確定拋光液的組成為：氧化劑H2O2 1.0%(體積分?jǐn)?shù)，下同)，螯合劑FA/O II 0.4%，非離子表面活性劑FA/O I 2.0%，納米硅溶膠磨料12%，pH 10。粗拋工藝參數(shù)為：拋光壓力3.0 psi，轉(zhuǎn)速50 r/min，拋光液流速250 mL/min，拋光時(shí)間240 s。精拋工藝參數(shù)為：拋光壓力2.0 psi，轉(zhuǎn)速4
電鍍與涂飾 2015年21期2015-12-29
- 鋁合金弱侵蝕鏡面化學(xué)拋光工藝研究
高拋光效果，而拋光液中鋁離子含量對(duì)溶鋁量及過腐蝕均有顯著影響，鋁離子含量高，拋光液粘度大，溶鋁量小，拋光速度慢，過腐蝕的傾向下降。鋁合金；化學(xué)拋光；工藝因鋁合金具有質(zhì)輕、易于加工、耐腐蝕性好等優(yōu)點(diǎn)，使其成為民用制品尤其是電子電器框架、外殼等部件的主要材料[1,2]。電子電器產(chǎn)品的鋁合金框架、外殼等多要求鏡面光亮，這類產(chǎn)品的加工量大，特別適宜自動(dòng)化生產(chǎn)[3,4]。機(jī)械拋光和化學(xué)拋光是提高鋁制品光亮度的主要方法[5,6]，其中，化學(xué)拋光工藝簡(jiǎn)單、快速、處理面積
武漢紡織大學(xué)學(xué)報(bào) 2014年3期2014-12-24
- 磁流變拋光液磁性顆粒體積分?jǐn)?shù)在線檢測(cè)裝置研制*
流失等，會(huì)造成拋光液中的水分損失，引起磁流變拋光液成分變化，進(jìn)而導(dǎo)致拋光的去除函數(shù)變化，影響加工精度。文獻(xiàn)[2]采用“標(biāo)準(zhǔn)”磁流變拋光液拋光3 h，水分質(zhì)量分?jǐn)?shù)降低約0.5 %，導(dǎo)致峰值去除率增加約9 %。因此，必須對(duì)磁流變拋光液的成分進(jìn)行穩(wěn)定控制，為磁流變拋光的確定性加工提供保障。水和磁性顆粒是磁流變拋光液的主要組成成分，二者體積之和占到拋光液總體積的95 %以上，其中磁性顆粒體積分?jǐn)?shù)一般在35 %～40 %之間，所以,可以通過拋光液中水分或者磁性顆粒的
傳感器與微系統(tǒng) 2014年3期2014-09-20
- 電解質(zhì)等離子拋光液中硫酸銨含量的檢測(cè)方法
中性鹽溶液作為拋光液，拋光液中鹽的質(zhì)量分?jǐn)?shù)減小后可以直接補(bǔ)充拋光鹽循環(huán)使用，能有效解決電解拋光和化學(xué)拋光中可能存在的污染以及廢液難于處理的問題［1-3］，可以取代很多傳統(tǒng)的拋光方法［4-5］.電解質(zhì)等離子拋光是將金屬工件浸入一定溫度的中性鹽溶液中，并對(duì)其施加正極性電壓(250～400 V)，拋光液首先進(jìn)入電解狀態(tài)，同時(shí)整個(gè)電路會(huì)形成瞬時(shí)短路，在極短的時(shí)間產(chǎn)生以水蒸氣為主的大量氣體，在工件周圍形成環(huán)繞工件表面的氣層.由于氣層的電阻遠(yuǎn)大于工件和拋光液，形成局部
材料科學(xué)與工藝 2014年2期2014-09-16
- 黃銅保持架的電拋光工藝
1.2 電拋光拋光液的組成：磷酸 60%～65%，硫酸 6%～10%，鈍化劑 4%～8%，光亮劑A 5%～8%，光亮劑B 8%～10%，蒸餾水余量。(1)拋光工藝配制拋光液→拋光液通電預(yù)處理→工件拋光→流動(dòng)自來水漂洗→Na2CO3溶液中和殘留的拋光液→蒸餾水漂洗→乙醇脫水→鈍化處理→成品。(2)工藝參數(shù)溫度：30 ℃以下，電流密度：4～7 A/dm2,拋光時(shí)間：5～10 min，陰極為鉛板。(3)拋光液預(yù)處理新配制的拋光液需要在低電流(1～2 A/dm2)
軸承 2014年11期2014-07-21
- 一種研磨拋光機(jī)供液系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
不斷的提供研磨拋光液，才能使工件持續(xù)、均勻地進(jìn)行研磨拋光[1-2]。而含有磨料的研拋液需要被壓緊在工件被加工表面上，通過這些磨料對(duì)加工表面的研磨達(dá)到研磨拋光的效果。因此研磨拋光液中的磨料是否均勻?qū)τ诠ぜ募庸け砻尜|(zhì)量至關(guān)重要。由于研磨拋光液中含有磨料，當(dāng)拋光液流動(dòng)一段距離或者停止流動(dòng)，這些磨料往往會(huì)沉淀到底部，這樣就會(huì)造成拋光液中的磨料太少，研磨效果不夠或者研磨拋光液磨料混合不夠均勻，在拋光時(shí)工件表面加工力度不一[3]。研磨拋光機(jī)的供液系統(tǒng)，在其工作時(shí)要求
湖北開放大學(xué)學(xué)報(bào) 2013年5期2013-10-11
- 藍(lán)寶石化學(xué)機(jī)械拋光液作用機(jī)制研究
藍(lán)寶石化學(xué)機(jī)械拋光液作用機(jī)制研究邢 星1,2,3,王良詠2,3,劉衛(wèi)麗2,3,謝華清1,宋志棠2,3,蔣 莉4,邵 群4,程 繼4,熊世偉4,劉洪濤4(1.上海第二工業(yè)大學(xué)城市建設(shè)與環(huán)境工程學(xué)院,上海201209;2.中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,上海200050;3上海新安納電子科技有限公司,上海201506;4.中芯國際集成電路制造(上海)有限公司,上海201203)研究了以硅溶膠為磨料的藍(lán)寶石化學(xué)機(jī)械拋光液在拋光過程
上海第二工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2013年3期2013-08-16
- CMP拋光液供給及分布系統(tǒng)的研究
光材料的特性、拋光液、拋光墊等多種因素相關(guān)，這些因素對(duì)CMP過程的影響并不是孤立的，而是一個(gè)復(fù)雜的交互作用過程[1，2]。在CMP加工過程中，拋光液是影響加工質(zhì)量最為關(guān)鍵的因素之一，必須精準(zhǔn)控制和嚴(yán)格的分析[3]。在絕緣材料和金屬材料的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝中，拋光液的供給及分布系統(tǒng)會(huì)直接影響其流速及顆粒造成的缺陷。因此根據(jù)產(chǎn)品的技術(shù)節(jié)點(diǎn)選擇合適的拋光液供給系統(tǒng)是十分關(guān)鍵的。拋光液供給最基本的要求：(1)要求供給系統(tǒng)不能對(duì)拋光液造成額外的污染；(2)供
電子工業(yè)專用設(shè)備 2013年6期2013-08-09
- SiC（0001）面和（000-1）面 CMP拋光對(duì)比研究
i面使用堿性的拋光液、C面使用酸性的拋光液更有利于提高材料去除速率，也未能給出合理的實(shí)驗(yàn)解釋[5]。本文將著重研究SiC襯底（0001）Si面和（000-1）C面在CMP工藝過程中使用酸、堿性改性拋光液時(shí)表現(xiàn)出來的拋光去除率和表面質(zhì)量的差異，并合理分析產(chǎn)生這種差異原因。1 實(shí)驗(yàn)CMP拋光實(shí)驗(yàn)用晶片規(guī)格為：直徑75 mm，晶向On-axis，晶型6H。實(shí)驗(yàn)所用的SiC晶體材料由本單位自行研制。碳化硅晶錠經(jīng)多線切割、研磨、金剛石機(jī)械粗拋光等工序處理后得到本實(shí)驗(yàn)
電子工業(yè)專用設(shè)備 2013年4期2013-08-09
- 靜電自組裝制備復(fù)合磨粒及其對(duì)銅的拋光特性研究
種高質(zhì)、高效的拋光液。包含固、液兩相的拋光液影響CMP的化學(xué)腐蝕效應(yīng)和機(jī)械去除效應(yīng)，是晶片全局平坦化的一個(gè)關(guān)鍵因素。Yano等[1]較早地采用基于靜電吸附的無機(jī)/有機(jī)復(fù)合磨粒拋光液對(duì)Al、Nb材料進(jìn)行了CMP試驗(yàn)，彌補(bǔ)了單一磨粒拋光液材料去除率低、表面容易產(chǎn)生劃痕等不足。陳志剛等[2]則采用液相沉淀工藝制備了粒徑在150～200 nm的CeO2/PS復(fù)合磨粒，用于硅熱氧化片表面的拋光。Armini等[3]的研究表明，通過靜電作用形成的PMMA/SiO2復(fù)合
中國工程科學(xué) 2012年10期2012-08-18
- 拋光液中硝酸的測(cè)定
215211）拋光液中硝酸的測(cè)定楊斌（艾諾曼帝（蘇州）金屬包裝有限公司江蘇215211）鋁制品表面處理加工中拋光液的硝酸主要起到鈍化作用，延緩鋁制品在處理中的酸侵蝕，起到保護(hù)的作用。因而硝酸的分析方法就顯得尤為重要。本實(shí)驗(yàn)主要是用硫酸亞鐵銨標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定生產(chǎn)中使用的拋光液中硝酸，以進(jìn)一步考察確定此分析方法是否適用于拋光液中硝酸的測(cè)定。硝酸硫酸亞鐵銨標(biāo)準(zhǔn)溶液拋光液我公司拋光液中硝酸控制在2%～4%。因此，本實(shí)驗(yàn)考察范圍為2%～4%硝酸測(cè)定的可行性和重現(xiàn)性。化驗(yàn)
天津科技 2011年1期2011-10-13
- 氮化硅陶瓷回轉(zhuǎn)曲面零件化學(xué)機(jī)械拋光工藝實(shí)驗(yàn)研究*
:水基CeO2拋光液濃度為(5%～20%);拋光輪轉(zhuǎn)速為6 000～10 500 r/min;拋光液流量為0.4～1 L/min;拋光總時(shí)間為4 h，粗拋為聚氨酯拋光輪，拋光時(shí)間為3 h;精拋為無紡布拋光輪，拋光時(shí)間為1 h;拋光過程中粗拋和精拋選用相同的工藝參數(shù)。自旋工作臺(tái)轉(zhuǎn)速為100 r/min。拋光過程中拋光輪始終與氮化硅表面之間保持一定的接觸。表1 氮化硅陶瓷力學(xué)性能實(shí)驗(yàn)檢測(cè)設(shè)備如下:JB－4C精密粗糙度測(cè)試儀，測(cè)量精度達(dá)到0.001 μm，能實(shí)現(xiàn)
制造技術(shù)與機(jī)床 2011年6期2011-09-28
- 氮化鈦?zhàn)钃鯇踊瘜W(xué)機(jī)械拋光液的研究
]。1 氮化鈦拋光液的選擇拋光液是影響CMP質(zhì)量的決定性因素，它既影響CMP的化學(xué)作用過程，又影響機(jī)械作用過程。拋光液的化學(xué)成分，能控制CMP過程中的pH，影響氧化物表面的帶電類型和電荷量，決定表面水和過程等化學(xué)反應(yīng)的過程；拋光液中的磨料，在壓力的作用下與表面摩擦，影響反應(yīng)物的去除速率?？傊畳伖馑俾?，拋光后的表面質(zhì)量，平整度等關(guān)鍵參數(shù)都很大程度上依賴于拋光液成分的組成。所以拋光液的配置是CMP工藝中的重要組成部分。在國際上，按pH分類，主要采用兩類，即酸性
電子設(shè)計(jì)工程 2011年16期2011-03-28