柯紅陽(yáng) 葛運(yùn)濱

摘 要：本文就化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）用拋光液中CeO2磨料相關(guān)技術(shù)的全球?qū)＠暾?qǐng)及中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)進(jìn)行了分析，探討了CeO2磨料在全球及中國(guó)的申請(qǐng)量趨勢(shì)、全球及在華不同國(guó)家申請(qǐng)量比例和重點(diǎn)申請(qǐng)人的申請(qǐng)趨勢(shì)及排名等，以期為國(guó)內(nèi)研究者提供有價(jià)值的專(zhuān)利信息參考。

關(guān)鍵詞：化學(xué)機(jī)械拋光；拋光液；CeO2磨料

中圖分類(lèi)號(hào)：TG580 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1003-5168（2018）07-0140-03

Analysis of the Trend of Patent Application about CeO2

Abrasive for Chemical Mechanical Polishing

KE Hongyang GE Yunbin

（Patent Examination Cooperation Sichuan Center of the Patent Office， SIPO，Chengdu Sichuan 610213）

Abstract： The data of patent applications about CeO2 abrasive for chemical mechanical polishing had been analyzed， including the development trends in the worldwide， important technical original country， essential application target country/area， important applicants and its type. The author expect to provide valuable patent information for researchers in this field.

Keywords： chemical mechanical polishing；polishing liquid；CeO2 abrasive

化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing，簡(jiǎn)稱(chēng)CMP）是提供超大規(guī)模集成電路（VLSI）制造過(guò)程中全面平坦化的一種新技術(shù)，其概念最早由美國(guó)的Monsanto于1965年提出。目前，化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)已成為幾乎公認(rèn)唯一的納米級(jí)全局平面化技術(shù)。

本文根據(jù)專(zhuān)利數(shù)據(jù)庫(kù)（CNABS、DWPI）對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）用拋光液中CeO2磨料相關(guān)技術(shù)進(jìn)行了全面檢索，通過(guò)對(duì)全球?qū)＠暾?qǐng)及中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)進(jìn)行分析，獲得了CeO2磨料在全球及中國(guó)的申請(qǐng)量趨勢(shì)、全球及在華不同國(guó)家申請(qǐng)量比例、重點(diǎn)申請(qǐng)人的申請(qǐng)趨勢(shì)及排名等，以期為國(guó)內(nèi)研究者提供有價(jià)值的專(zhuān)利信息參考。專(zhuān)利數(shù)據(jù)截至2017年5月已被收錄的專(zhuān)利數(shù)據(jù)。

1 檢索策略

本文選擇CNABS中國(guó)專(zhuān)利數(shù)據(jù)庫(kù)和德溫特世界專(zhuān)利索引數(shù)據(jù)庫(kù)（DWPI）進(jìn)行數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)[1]，采用關(guān)鍵詞和分類(lèi)號(hào)相結(jié)合的方式進(jìn)行檢索，獲取初步專(zhuān)利數(shù)據(jù)樣本后，人工去除明顯噪聲，得到可供分析的專(zhuān)利數(shù)據(jù)樣本。專(zhuān)利數(shù)據(jù)截至2017年5月已被收錄的專(zhuān)利數(shù)據(jù)。

2 CMP拋光液中用CeO2磨料的專(zhuān)利申請(qǐng)趨勢(shì)分析

2.1 全球申請(qǐng)量趨勢(shì)分析

圖1展示了CMP拋光液中使用CeO2磨料的全球及中國(guó)申請(qǐng)量趨勢(shì)。圖2展示了該領(lǐng)域主要申請(qǐng)人的構(gòu)成及申請(qǐng)趨勢(shì)。從圖1中可以看出，在全球范圍內(nèi)，CeO2磨料用于CMP拋光液中的相關(guān)專(zhuān)利于1994年5月由因特爾公司首次在美國(guó)提出。而在中國(guó)，CeO2磨料用于CMP拋光液中的相關(guān)專(zhuān)利申請(qǐng)于1996年9月由美國(guó)卡伯特公司提出。在2000年以前，申請(qǐng)量相對(duì)較少；2000—2005年，申請(qǐng)量相對(duì)較穩(wěn)步增長(zhǎng)。從圖2可知，這期間，主要申請(qǐng)人為美國(guó)的卡伯特公司、日本的日立化成公司及韓國(guó)的三星公司。2007年，申請(qǐng)量有所跌落后；2009年，申請(qǐng)量達(dá)到峰值；2009年以后，申請(qǐng)量相對(duì)回落。雖說(shuō)在2014年申請(qǐng)量較鄰近年份有所增加，但從總體趨勢(shì)來(lái)看，申請(qǐng)總量在全球范圍內(nèi)有所下降。

值得注意的是，盡管中國(guó)申請(qǐng)人提出相關(guān)專(zhuān)利申請(qǐng)較國(guó)際提出得晚，但根據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)分析可知，主要申請(qǐng)人為安集微電子（上海）有限公司。該申請(qǐng)人2004年開(kāi)始提出關(guān)于CeO2磨料用于CMP拋光液的申請(qǐng)，之后在2005—2010年申請(qǐng)量保持較快增長(zhǎng)，年申請(qǐng)量平均在15件左右。之后進(jìn)入平穩(wěn)發(fā)展期，2011—2014年，均有超過(guò)13件申請(qǐng)，其專(zhuān)利布局及在該領(lǐng)域的深耕均值得關(guān)注。而其余幾位申請(qǐng)人如卡伯特公司、日立化成、三星集團(tuán)、巴斯夫公司、氣體產(chǎn)品與化學(xué)公司的年申請(qǐng)量一般不超過(guò)10件，甚至在個(gè)別年份出現(xiàn)斷層。這可能是因?yàn)椋涸摴局饕?jīng)營(yíng)及研發(fā)范圍較廣；在CMP拋光液領(lǐng)域著眼于其他組分的改進(jìn)而不使用CeO2磨料[2]。

2.2 申請(qǐng)?jiān)趪?guó)內(nèi)外的分布情況

一個(gè)領(lǐng)域?qū)夹g(shù)研究開(kāi)發(fā)的重視程度可通過(guò)專(zhuān)利申請(qǐng)數(shù)量的多少間接反映。而從專(zhuān)利申請(qǐng)數(shù)量也可窺知企業(yè)的戰(zhàn)略布局。圖3展示了CMP拋光液中使用CeO2磨料專(zhuān)利在全球不同國(guó)家的申請(qǐng)量比例，圖4展示了在華專(zhuān)利申請(qǐng)來(lái)源國(guó)對(duì)比，圖5為全球重點(diǎn)申請(qǐng)人排名。

通過(guò)分析圖3和圖4可知，美國(guó)、中國(guó)、日本和韓國(guó)是該領(lǐng)域申請(qǐng)量比較靠前的國(guó)家。結(jié)合圖5可以看出，中國(guó)的安集微電子（上海）有限公司作為首要申請(qǐng)人，為中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)排名貢獻(xiàn)了較多基數(shù)?？梢哉f(shuō)，安集微電子（上海）有限公司不僅在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)具有絕對(duì)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，在國(guó)際專(zhuān)利布局方面，其也敢于爭(zhēng)取市場(chǎng)。通過(guò)分析可知，在300余件申請(qǐng)中，安集微電子（上海）有限公司的國(guó)際申請(qǐng)量約60件，且其中有部分首次申請(qǐng)國(guó)為美國(guó)及日本等，之后再申請(qǐng)中國(guó)局保護(hù)?？梢?jiàn)，安集微電子（上海）有限公司已經(jīng)具有國(guó)際化視野，同時(shí)也為本土企業(yè)在該領(lǐng)域國(guó)際地位的提升、打破國(guó)外企業(yè)的主導(dǎo)地位等做出了巨大貢獻(xiàn)[3]。

而美國(guó)主要由卡伯特、氣體產(chǎn)品與化學(xué)公司等作為數(shù)據(jù)來(lái)源支撐；日本的日立化成在申請(qǐng)量及授權(quán)量方面質(zhì)量均較好；韓國(guó)數(shù)據(jù)支持主要來(lái)源于三星集團(tuán)。

3 結(jié)語(yǔ)

二氧化鈰作為CMP拋光液的重要有效成分，獨(dú)特的硬度及良好的氧化性使其具有拋光質(zhì)量好、效率高、拋光時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)，已成為目前應(yīng)用于化學(xué)機(jī)械拋光最有發(fā)展前途的研磨粒子之一，被廣泛應(yīng)用于光學(xué)玻璃、液晶顯示器、電子顯像管、航空玻璃、集成電路基板及光掩膜基板等制品的拋光。本文根據(jù)專(zhuān)利數(shù)據(jù)庫(kù)（CNABS、DWPI）對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）用拋光液中CeO2磨料相關(guān)技術(shù)進(jìn)行了全面檢索，分析了CeO2磨料在全球及中國(guó)的申請(qǐng)量趨勢(shì)、全球及在華不同國(guó)家申請(qǐng)量比例和重點(diǎn)申請(qǐng)人的申請(qǐng)趨勢(shì)及排名等。分析發(fā)現(xiàn)，在CMP領(lǐng)域，美國(guó)、中國(guó)和日本等均是主要申請(qǐng)國(guó)，中國(guó)的安集微電子（上海）有限公司為中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)排名貢獻(xiàn)了較多基數(shù)，其布局較為完善，重視技術(shù)研發(fā)。

參考文獻(xiàn)：

[1]朱振峰.超細(xì)氧化鈰基復(fù)合氧化物粉體的制備及應(yīng)用綜述[J].稀土，2007（5）：92-96.

[2]董偉.化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究現(xiàn)狀及進(jìn)展[J].制造技術(shù)與機(jī)床，2012（7）：93-97.

[3]左敦穩(wěn).現(xiàn)代加工技術(shù)實(shí)驗(yàn)教程[M].北京：北京航空航天大學(xué)出版社，2014.