表明,螺旋布置擾流片對于浮式立柱的渦激振動有一定的抑制作用,但目前大部分研究中通過改變平臺結(jié)構(gòu)抑制其渦激運(yùn)動,卻沒考慮改變結(jié)構(gòu)后對平臺的運(yùn)動學(xué)與動力學(xué)性能的影響。因此,根據(jù)傳統(tǒng)海工平臺研究經(jīng)驗(yàn),提出將螺旋布置的擾流片附加于Spar平臺漂浮式風(fēng)力機(jī)底部。相比于螺旋側(cè)板,該結(jié)構(gòu)在抑制渦激振動的同時(shí),具有便于安裝、維修等優(yōu)點(diǎn),有助于解決目前漂浮式風(fēng)力機(jī)如何進(jìn)行重大部件維修更換的潛在風(fēng)險(xiǎn)和難題。通過對附加螺旋擾流片的漂浮式風(fēng)力機(jī)進(jìn)行水動力分析,為漂浮式風(fēng)力機(jī)的發(fā)展

燃?xì)舛?、?cè)噴和擾流片［3］等。擾流片是具有一定形狀、結(jié)構(gòu)簡單的平板狀裝置，兼具質(zhì)量輕、體積小、信號反應(yīng)快等特點(diǎn)。擾流片安裝在發(fā)動機(jī)噴管出口外側(cè)，工作狀態(tài)下擾流片發(fā)生偏轉(zhuǎn)并延伸至噴管出口截面內(nèi)，誘發(fā)壁面流動分離，激波發(fā)生偏斜，改變擴(kuò)張段原有的對稱壓力分布，從而提供用于控制飛行器俯仰、偏航的側(cè)向力［4］。擾流片的形狀主要有圓弧凸凹形、矩形等，擾流片的安裝間距和面積堵塞比也能決定噴管產(chǎn)生側(cè)向推力及誘發(fā)推力損失。擾流片式推力矢量控制系統(tǒng)最早用于俄羅斯R-73 導(dǎo)彈

構(gòu)：擾流彈簧、擾流片以及擾流彈簧+擾流片組合。為分析不同擾流結(jié)構(gòu)在擾流過程中的作用以及彼此的差異，針對不同擾流方案進(jìn)行數(shù)值模擬，擾流結(jié)構(gòu)具體如圖2所示。圖2 擾流片模型為模擬換熱過程，構(gòu)建計(jì)算域如圖3 所示，其中邊界條件按照32 kW 丁烷，水溫升40 ℃進(jìn)行計(jì)算，翅片數(shù)量72 片。圖3 計(jì)算域氣流量Qa——0.004 69 kg/s；煙氣溫度Ta——1 846.04 K；水流量Qw——0.175 kg/s。2.1.2 換熱情況分析提取換熱管壁面溫度云圖（

制程的不斷提高，流片光罩成本可能高達(dá)數(shù)千萬元，而一個(gè)產(chǎn)品的最終成型往往需要進(jìn)行多次流片試驗(yàn)。實(shí)務(wù)中，F(xiàn)abless集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)采購的光罩大概有三種會計(jì)核算方法：計(jì)入固定資產(chǎn)、計(jì)入長期待攤費(fèi)用、一次性計(jì)入研發(fā)費(fèi)用。不同的會計(jì)核算方法導(dǎo)致在對比分析各集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)時(shí)會存在一些偏差。本文旨在、分析Fabless集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)光罩的會計(jì)核算及審計(jì)關(guān)注點(diǎn)，以期為對比分析、理解Fabless集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)提供幫助，并為集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)的審

向修正[1]。擾流片作為一種新型彈道修正執(zhí)行機(jī)構(gòu)具有體積小、結(jié)構(gòu)簡單、成本低等優(yōu)點(diǎn),受到國內(nèi)外相關(guān)研究機(jī)構(gòu)和學(xué)者的關(guān)注。目前,國內(nèi)外對帶擾流片旋轉(zhuǎn)穩(wěn)定彈的研究涉及氣動特性[2-3]、動力學(xué)建模[4]、擾流片結(jié)構(gòu)優(yōu)化[5-6]等多個(gè)方面,但針對該類修正彈擾流片氣動參數(shù)辨識的研究卻較為缺乏。文獻(xiàn)[7]提出一種將最速下降法、擬牛頓法、蟻群算法、差分進(jìn)化算法等9種優(yōu)化算法相結(jié)合的“元優(yōu)化”智能算法,對炮彈擾流片相關(guān)參數(shù)進(jìn)行辨識,但研究對象為尾翼穩(wěn)定彈,其動力學(xué)特性

收集兩種類型設(shè)備流片產(chǎn)品的TFTIoff數(shù)據(jù)。然后收集異常設(shè)備和正常設(shè)備的剝離液，測試剝離液中金屬離子種類和濃度，確認(rèn)異常設(shè)備和正常設(shè)備中剝離液中金屬離子的差異。準(zhǔn)備TFT樣品（編號A1～A3），公共電極光刻膠剝離前制程保持一致，僅在公共電極光刻膠剝離制程于不同金屬離子濃度下進(jìn)行光刻膠剝離，然后測試TFT性能，確認(rèn)金屬離子濃度與Ioff的關(guān)系。前制程保持一致，將需要進(jìn)行公共電極光刻膠剝離的樣品（編號A4～A6）在異常設(shè)備上進(jìn)行不同次數(shù)流片，然后測試TFT性

計(jì)，以確定最后的流片參數(shù)。第四步：對仿真優(yōu)化設(shè)計(jì)的結(jié)果進(jìn)行流片驗(yàn)證，在流片過程中，要把實(shí)際流片結(jié)果和仿真結(jié)果進(jìn)行比對，并及時(shí)調(diào)整，直到生產(chǎn)出參數(shù)特性滿足要求的產(chǎn)品。第五步：整理實(shí)際流片的結(jié)果，并及時(shí)修正仿真軟件和算法，以達(dá)到仿真和實(shí)際生產(chǎn)結(jié)果很好的吻合度，最終指導(dǎo)生產(chǎn)，并建立相應(yīng)的設(shè)計(jì)文件庫。本文研制對管MOSFET產(chǎn)品的芯片在我公司自有六吋線進(jìn)行流片，產(chǎn)品的封裝、測試在我公司后部封裝生產(chǎn)線和檢測試驗(yàn)中心進(jìn)行。內(nèi)引線采用超聲鍵合工藝，密封采用平行縫焊工藝技

正式露面，但隨著流片、測試的消息不斷傳出，說明它們已經(jīng)是箭在弦上了。那么，RTX 30和R X 60 0 0這兩個(gè)新一代顯卡系列的產(chǎn)品發(fā)展應(yīng)該也就快要走到終點(diǎn)了，RTX 3090 Ti和R X6950 XT（圖1）這兩款達(dá)到了相應(yīng)架構(gòu)極限的型號，以及一些超低定位的“點(diǎn)亮卡”都是這樣的信號。既然布局已經(jīng)基本完成，我們就可以對這一代顯卡進(jìn)行全面的性能盤點(diǎn)了。對理論3D性能對比來說，當(dāng)前3DMark仍然是最權(quán)威的軟件，我們選擇了其中基于DX11和DX12的兩個(gè)測

文研究的鈹青銅扼流片就是用于電子元器件的接觸簧片，它不僅需要有較高的硬度，能夠抵抗一定的振動和沖擊，還需要有較高的彈性，以確保使用過程中不發(fā)生塑性變形。2 成形工藝分析鈹青銅扼流片的三維結(jié)構(gòu)如圖1所示，零件側(cè)面呈U形，底面有兩個(gè)直徑為2mm的通孔，兩側(cè)上端分布著多個(gè)展開的齒片。毛坯材料為QBe2，厚度為0.05mm，零件展開長度為13mm，寬度為9mm，成形后內(nèi)側(cè)尺寸為6mm，相鄰齒片的齒頂間距為1～2mm。圖1 鈹青銅扼流片的結(jié)構(gòu)鈹青銅扼流片屬于異形結(jié)構(gòu)

箭噴口處的可控?cái)_流片，利用噴氣流的偏轉(zhuǎn)來操縱火箭的運(yùn)動軌跡。但由于這種技術(shù)的復(fù)雜性和困難性，直到20世紀(jì)八九十年代，推力矢量控制技術(shù)才取得重大技術(shù)突破并在工程上得以應(yīng)用。俄羅斯R-73導(dǎo)彈是世界上最早運(yùn)用推力矢量控制技術(shù)的空空導(dǎo)彈，運(yùn)用了雙鴨式氣動布局和擾流片式推力矢量裝置，形成了推力矢量控制與氣動面控制相結(jié)合的控制技術(shù)。隨著推力矢量控制技術(shù)的日趨成熟，該技術(shù)在空空導(dǎo)彈上得到廣泛的應(yīng)用，如美國的戰(zhàn)斧巡航導(dǎo)彈、THAAD反導(dǎo)攔截彈以及南非的A-Darter巡

再由芯片生產(chǎn)廠商流片這本來就是一種常見且成熟的模式，其優(yōu)勢就是可以快速將自主IP硬化商用，從而節(jié)約時(shí)間與成本，并為后續(xù)的演進(jìn)和設(shè)計(jì)提供經(jīng)驗(yàn)。要是按很多網(wǎng)友嚴(yán)格的自研標(biāo)準(zhǔn) 來衡量，那我們熟悉的麒麟、蘋果、高通還有聯(lián)發(fā)科估計(jì)都算不得是自研，因?yàn)樗鼈儾捎玫腎P都來自于ARM而非自主開發(fā)，算來算去可能只有Intel這種才是真自研吧……話題扯遠(yuǎn)了，說回OPPO。當(dāng)馬里亞納 X正式發(fā)布的時(shí)候，其類型可能出乎很多人的意料：它是一枚專門用于AI影像處理的NPU，而非之前盛

簾式折流板，其折流片按30°布置，利用FLUENT軟件模擬不同流速下折流片換熱器殼程流動死區(qū)、熱通量q、傳熱熱量Q、總傳熱系數(shù)h的性能變化，提高換熱效率。圖1 三種弓形折流板壓降和換熱系數(shù)在不同流速下變化曲線1 簾式折流板方案設(shè)計(jì)如圖2為簾式折流板，包括折流圈1和安裝在折流圈1中的簾式折流片2。簾式折流片2兩邊有插銷2，并通過所述插銷轉(zhuǎn)動連接在折流圈1中；簾式折流片2邊緣開有半圓狀換熱管安裝槽，插銷安裝在對應(yīng)通孔內(nèi)，并焊接固定。多個(gè)簾式折流片2平行等距設(shè)置

一個(gè)圓環(huán)和兩組折流片構(gòu)成，其換熱器的整體模型如圖1所示。圖1 杈式折流柵在管殼式換熱器中的安裝示意Fig.1 Schematic installation diagram of branch baffles in shell-and-tube heat exchanger換熱器筒體內(nèi)的幾何結(jié)構(gòu)具有周期性，建立周期性全截面模型來研究其殼程性能，如圖2所示，計(jì)算模型的主要結(jié)構(gòu)參數(shù)列于表1。圖2 杈式折流柵換熱器周期性全截面簡化模型Fig.2 Periodic

旋轉(zhuǎn)彈尾部加裝擾流片。安裝在頭部的修正執(zhí)行機(jī)構(gòu)為鴨舵，包括固定舵和可動舵，固定舵舵偏不可調(diào)，使得旋轉(zhuǎn)彈修正能力有限[3-4]，可動舵舵偏可調(diào)但使得舵機(jī)結(jié)構(gòu)復(fù)雜[5-6]。與鴨舵相比，在轉(zhuǎn)向能力和阻力損失方面，安裝在尾部的擾流片與其性能相當(dāng)，但擾流片結(jié)構(gòu)簡單，修正能力更強(qiáng)，且攻角響應(yīng)方向與擾流片提供的升力方向一致，具有顯著優(yōu)勢[7]。帶擾流片旋轉(zhuǎn)穩(wěn)定彈的結(jié)構(gòu)如圖1所示，其由前體(即彈體)和后體兩部分組成，擾流片安裝在旋轉(zhuǎn)彈后體船尾部分，前體與后體通過軸承連接

oC）一次性成功流片，驗(yàn)證了下一代3nm環(huán)繞式柵極（GAA）工藝技術(shù)在功耗、性能和面積方面的優(yōu)勢。此次流片成功是新思科技和三星之間廣泛合作的成果，旨在加快提供高度優(yōu)化的參考方法學(xué)，實(shí)現(xiàn)全新3D晶體管架構(gòu)所固有的卓越功耗和性能。新思科技提供的參考流程全面部署了其高度集成的Fusion Design Platform，包括業(yè)界唯一高度集成的、基于金牌簽核引擎的RTL到GDSII設(shè)計(jì)流程，以及最受業(yè)界信賴的金牌簽核產(chǎn)品。采用三星最新3nm GAA工藝的客戶，可在

舵、喉部針?biāo)ê蛿_流片。擾流片式主推力控制是將擾流片伸入發(fā)動機(jī)尾流，造成發(fā)動機(jī)推力損失，從而實(shí)現(xiàn)對導(dǎo)彈的制導(dǎo)與控制。擾流片式主推力控制具有耐燒蝕、響應(yīng)速度快和不工作時(shí)無主推力損失等優(yōu)點(diǎn)[1-3]。國內(nèi)外學(xué)者針對擾流片推力矢量控制技術(shù)開展了相應(yīng)數(shù)值仿真和試驗(yàn)研究。Patel等[4]和Guery等[5]開展了擾流片外形和阻塞面積對發(fā)動機(jī)矢量力影響。Parviz等[6]開展了高超聲速射流試驗(yàn)研究擾流片矢量力控制能力。Steffen等[7]開展了擾流片矢量力數(shù)值仿真

09)0 引言擾流片推力矢量控制技術(shù)具有結(jié)構(gòu)簡單、響應(yīng)快、操縱力矩小等優(yōu)點(diǎn)，廣泛用于小彈徑潛射導(dǎo)彈，如美國潛射型戰(zhàn)斧導(dǎo)彈，俄羅斯克拉布導(dǎo)彈。隨著反潛技術(shù)的發(fā)展，增加潛射導(dǎo)彈發(fā)射深度已成為提高潛射導(dǎo)彈、潛艇生存能力的有效措施之一。但大深度水下發(fā)射時(shí)，因水下環(huán)境的復(fù)雜性與隨機(jī)性，需采用主動控制方式增強(qiáng)導(dǎo)彈的穩(wěn)定性，滿足出水彈道的要求[1]。國外對擾流片推力矢量控制的研究較早，取得了一系列研究結(jié)果。文獻(xiàn)[2]詳細(xì)介紹了“戰(zhàn)斧”導(dǎo)彈助推發(fā)動機(jī)的擾流片推力矢量系統(tǒng)，

設(shè)計(jì)瓶頸，并最終流片驗(yàn)證。設(shè)計(jì)和測試結(jié)果表明最小存儲單元面積達(dá)0.053um2，操作電壓控制在1.8V以內(nèi)。以閃存為基礎(chǔ)的非易失性存儲架構(gòu)雖是目前的主流方案，但是伴隨著工藝制程地進(jìn)步，其在物理、工藝、成本等諸多方面上面臨著難以突破的瓶頸。阻變存儲器(resistor RAM,RRAM)作為一種新型存儲器，可以有效的解決如今的困境，被認(rèn)為是閃存的替代方案之一。由于RRAM與CMOS工藝優(yōu)異的兼容性，以一個(gè)晶體管（Transistor）和一個(gè)阻變器件（RRAM

了MVBCY 的流片。1 MVBCY 的技術(shù)參數(shù)MVBCY 芯片在設(shè)計(jì)上滿足IEC 61375-3-1、IEC 61375-3-2 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的要求，芯片的總體技術(shù)參數(shù)如下［1-2］：（1）MVB 數(shù)據(jù)傳輸服從曼徹斯特編碼，數(shù)據(jù)速率1.5 Mb/s；（2）基本周期（過程+監(jiān)控+消息+保護(hù)相）時(shí)間1.0 ms；（3）傳輸介質(zhì)：EMD 或ESD；（4）數(shù)據(jù)完整性：每64 位數(shù)據(jù)有8 位CRC 校驗(yàn)，漢明距離=8；（5）過程數(shù)據(jù)：可尋址端口4 095 個(gè)；（6）消

璃基板在刻蝕設(shè)備流片，進(jìn)行ITO刻蝕。在流片過程中，少量刻蝕液殘留在基板上被帶走，致使刻蝕設(shè)備藥液罐內(nèi)的刻蝕液總量減少，CCSS便實(shí)時(shí)對刻蝕設(shè)備補(bǔ)充刻蝕液原液，確?？涛g設(shè)備中的藥液罐擁有足夠的刻蝕液。在流片過程中，酸液會與ITO反應(yīng)而逐漸被消耗，EMS裝置測試ITO刻蝕液各成分的濃度，并對濃度較低的組分進(jìn)行補(bǔ)給，確保刻蝕液各成分濃度穩(wěn)定。然而，ITO刻蝕液及其組分濃度的管控是一個(gè)動態(tài)過程，此過程中會有濃度的波動。濃度的變化帶來刻蝕程度的變化，進(jìn)而影響ITO

雙旋彈和一種帶擾流片的旋轉(zhuǎn)穩(wěn)定彈[1-3]?，F(xiàn)有研究表明,帶擾流片旋轉(zhuǎn)穩(wěn)定彈具有較好的穩(wěn)定性和較高的控制效率[4-6]。與導(dǎo)彈相比,二維彈道修正彈的控制系統(tǒng)簡單,控制能力較弱,命中精度較差,因此提高二維彈道修正彈射擊精度的一個(gè)關(guān)鍵問題是研究與其適配的制導(dǎo)律。當(dāng)前各國對二維彈道修正彈制導(dǎo)律研究的熱點(diǎn)大多是基于落點(diǎn)預(yù)測進(jìn)行制導(dǎo)控制。Park等[7]提出了一種基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)非線性函數(shù)逼近器的精確落點(diǎn)預(yù)測方法;Fresconi等[8],Hainz等[9]深入探討了不

)0 引言微型擾流片作為一種新型二維修正彈的氣動執(zhí)行機(jī)構(gòu)，具有結(jié)構(gòu)簡單、執(zhí)行動作簡捷、成本較低、可提供持續(xù)控制力等優(yōu)勢，近年來備受關(guān)注[1-5]。大量研究結(jié)果表明，擾流片控制力作用于彈箭尾端的氣動布局在旋轉(zhuǎn)穩(wěn)定彈上的控制效果，比控制力作用在彈丸前端的鴨式布局優(yōu)勢更加突出[6-10]。Fresconi等[3]利用六自由度彈道模型驗(yàn)證了用擾流片實(shí)現(xiàn)彈道修正的可行性，結(jié)果表明，采用擾流片控制力作用于彈箭尾端氣動布局的旋轉(zhuǎn)穩(wěn)定修正彈彈道，其修正范圍大于彈道散布且飛

倒角側(cè)，在產(chǎn)線的流片方向?yàn)榛?span id="syggg00" class="hl">流片末端。產(chǎn)線內(nèi)有可能在生產(chǎn)中產(chǎn)生此不良的設(shè)備包括涂布機(jī)及顯影機(jī)，對上述設(shè)備分別進(jìn)行基板旋轉(zhuǎn)測試，測試結(jié)果如下：(1)將基板進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布測試，即基板在進(jìn)入涂布機(jī)前，對其進(jìn)行180°旋轉(zhuǎn)，然后再進(jìn)行涂布。涂布完成后，在進(jìn)入曝光機(jī)前再將基板方向旋轉(zhuǎn)為正?；?span id="syggg00" class="hl">流片方向，并繼續(xù)完成后續(xù)工藝流程。當(dāng)宏觀檢查機(jī)工藝完成后，進(jìn)行宏觀檢查機(jī)觀察，干燥不良位置沒有變化，即排除干燥不良由涂布機(jī)涂布時(shí)產(chǎn)生。(2)將基板進(jìn)行旋轉(zhuǎn)顯影測試，即基板在進(jìn)入

有學(xué)者提出利用擾流片作為控制機(jī)構(gòu),并對降落傘、翼型、彈箭等多種模型進(jìn)行改進(jìn),研究了擾流片對這些模型的影響和控制能力[1-2]。國外相關(guān)研究機(jī)構(gòu)和學(xué)者針對將擾流片應(yīng)用于彈箭控制這一問題,包括尾翼穩(wěn)定彈和旋轉(zhuǎn)穩(wěn)定彈,提出了具體的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)概念,并進(jìn)一步做出實(shí)物模型,進(jìn)行了相關(guān)試驗(yàn)和仿真分析。針對尾翼彈,MASSEY等[3-5]提出利用固定擾流片作為超聲速彈箭的控制機(jī)構(gòu),通過六自由度彈道仿真,驗(yàn)證了該方案能夠有效減小攻角振蕩,并通過試驗(yàn)證實(shí)了實(shí)際應(yīng)用中的可行性。D

，并具體分析了折流片傾角對其性能的影響。1 幾何模型及其數(shù)學(xué)描述1.1 幾何模型垂直布置百葉折流板管殼式換熱器由外殼、換熱管束、管側(cè)進(jìn)出口、殼側(cè)進(jìn)出口和百葉折流板組成，百葉折流板垂直布置，對管束起到支撐和導(dǎo)流作用，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖1所示。寬度和傾角相同的4片百葉折流板等間距垂直布置在殼體內(nèi)，殼側(cè)流體由殼側(cè)入口進(jìn)入換熱器，經(jīng)百葉折流板的導(dǎo)流后，形成多股受限外流，通過換熱管束壁面與管側(cè)流體進(jìn)行熱量交換，最后由殼側(cè)出口流出。傾斜角度為折流片與換熱管軸線的夾角，換熱

道修正方案中,擾流片作為一種新型二維修正氣動執(zhí)行機(jī)構(gòu)具有結(jié)構(gòu)簡單、執(zhí)行動作簡捷、成本較低等優(yōu)勢,有相當(dāng)大的發(fā)展前景。作為一種新型彈箭變外形控制方式,擾流片組件采用微型電子機(jī)械裝置,可以節(jié)省能耗,減小外形尺寸,還可以提高彈箭機(jī)動性,擴(kuò)大作戰(zhàn)范圍。目前以尾翼彈為平臺開展的擾流片應(yīng)用研究較多:Dykes等[1]研究微型擾流片作用機(jī)理及其對彈丸飛行姿態(tài)的影響,該研究表明,這種控制方式能夠有效提高彈箭的氣動控制效率;Scheuermann等[2]采用計(jì)算流體力學(xué)和剛

C芯片設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)流片。這款芯片，被稱作他們的 “最硬核畢業(yè)證書”。芯片是今年5月底快遞到王華強(qiáng)家的。它大概一元硬幣大小，上面刻著 “COOSCA-01”和“一生一芯”的字樣，還有國科大的Logo。COOSCA是一個(gè)內(nèi)部代號，是國科大計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)學(xué)院的3門課程——計(jì)算機(jī)組成原理、操作系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)架構(gòu)的縮寫?！耙簧恍尽眲t是計(jì)劃的名字，意思是讓每位本科生帶著自己設(shè)計(jì)的處理器芯片畢業(yè)。受新冠肺炎疫情影響，今年國科大的本科畢業(yè)答辯在線上進(jìn)行。王華強(qiáng)代表“一生一

設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行多次流片測試驗(yàn)證，但是大量的流片測試與驗(yàn)證既耗時(shí)又費(fèi)力而且成功率不高，因此急需一種方法可簡化設(shè)計(jì)時(shí)間與流程，而通過對器件進(jìn)行模型建立，進(jìn)而通過軟件進(jìn)行相應(yīng)的仿真得到器件的性能參數(shù)，是一種簡單而有效的方法[2]。1 GGNMOS器件建模與仿真1.1 GGNMOS保護(hù)器件理論模型圖1模型建立的目標(biāo)是為了準(zhǔn)確描述GGNMOS ESD器件正常工作時(shí)的I-V特性曲線，反映器件的漏端在經(jīng)歷ESD大脈沖時(shí)，漏端電流Ids以及襯底電流Isub的變化情況。該物理

自研SoC芯片已流片成功，將用于自家的Pixel手機(jī)。谷歌此舉可謂是目標(biāo)明確，劍指智能手機(jī)市場，同時(shí)，也有越來越多的龍頭手機(jī)企業(yè)開始走上自研芯片的道路。這顆小小的芯片能否有足夠的能力助谷歌在手機(jī)行業(yè)一步登頂？目標(biāo)：以自研芯片撬動手機(jī)市場此前，谷歌曾立下“成為全球前五大手機(jī)廠商”的誓言。為了能夠?qū)崿F(xiàn)這個(gè)目標(biāo)，近年來谷歌可謂使出了渾身解數(shù)，然而成果依然不佳。IDC發(fā)布的最新數(shù)據(jù)顯示，谷歌的Pixel系列手機(jī)在2019年銷售了720萬部，對于谷歌而言是目前為止最

MOS工藝進(jìn)行了流片與驗(yàn)證，測試驗(yàn)證結(jié)果與理論分析相一致。關(guān)鍵詞： 兩級運(yùn)算放大器;多路徑零點(diǎn)消除;寄生非主極點(diǎn);簡單密勒電容補(bǔ)償;增益帶寬積（GBW）;流片中圖分類號：TP342+.1? ? 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A? ? 文章編號：2095-8412 （2020） 06-060-07工業(yè)技術(shù)創(chuàng)新 URL： http：//gyjs.cbpt.cnki.net? ? DOI： 10.14103/j.issn.2095-8412.2020.06.011引言運(yùn)算放大器是

可滿足他們緊湊的流片進(jìn)度安排。IC Validator NXT的Live DRC技術(shù)搭載了Custom Compiler，可在幾秒鐘內(nèi)提供即時(shí)DRC反饋，并建立起交互式設(shè)計(jì)驗(yàn)證流程。新思科技芯片設(shè)計(jì)事業(yè)部副總裁Dan Page表示：“隨著設(shè)計(jì)人員開始采用7 nm及更新的工藝節(jié)點(diǎn)，按進(jìn)度完成物理驗(yàn)證正成為一項(xiàng)重大挑戰(zhàn)，而流片延遲會對用戶在產(chǎn)品生命周期內(nèi)創(chuàng)造收入和確保盈利能力產(chǎn)生重大影響。我們新推出的創(chuàng)新技術(shù)IC Validator NXT具有突破性的性能可擴(kuò)

公司宣布推出經(jīng)過流片驗(yàn)證的LTENB-IoT收發(fā)器。作為下一代無線通信解決方案提供商，博碼物聯(lián)的NB-IoT收發(fā)器將廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)（IoT）通信與設(shè)備對設(shè)備（M2M）通信。本收發(fā)器的性能符合3GPP Rell4規(guī)范中針對窄帶物聯(lián)網(wǎng)NB-IoT的無線通信標(biāo)準(zhǔn)。博碼物聯(lián)科技公司的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席運(yùn)營官James E.Flowers說：“我們新完成這款芯片的測試結(jié)果顯示，此芯片在NB-IoT Rell4所有的頻段中都表現(xiàn)出色。我們將繼續(xù)為市場提供高性能的物聯(lián)網(wǎng)

推力矢量系統(tǒng)，擾流片式推力矢量控制噴流偏轉(zhuǎn)角大、響應(yīng)速度快，工作可靠[1]，對水下發(fā)射復(fù)雜的力學(xué)環(huán)境有較好的適應(yīng)性，同時(shí)它體積小、質(zhì)量輕，對于推力矢量裝置輕量化要求較高的潛射導(dǎo)彈，也是比較合適的。1 擾流片式推力矢量控制原理擾流片式推力矢量控制是在火箭發(fā)動機(jī)噴管出口設(shè)置擾流片，通過阻塞出口使噴管內(nèi)形成的不均勻的壓力場，實(shí)現(xiàn)變推力矢量控制的。依據(jù)氣動力學(xué)原理，火箭發(fā)動機(jī)燃?xì)庠趪姽芎聿窟_(dá)到聲速后，在擴(kuò)張段內(nèi)繼續(xù)膨脹加速，形成超聲速流動。超聲速流動中，當(dāng)流動方向

速分布3 內(nèi)插擾流片型箱式氣體混合器混合性能的數(shù)值模擬分析3.1 內(nèi)插擾流片型箱式氣體混合器結(jié)構(gòu)形式與功能介紹根據(jù)上述的研究結(jié)果可知，氣體混合性能與混合氣體的進(jìn)氣量、混合器的結(jié)構(gòu)形式密切相關(guān)，當(dāng)O2為0 mL/min時(shí)，N2會以如圖5所示的射流形式直接流出箱體，N2與其他氣體無法有效接觸，導(dǎo)致氣體混合不均勻。如圖10所示為內(nèi)插擾流片型箱式氣體混合器的結(jié)構(gòu)示意圖，通過對箱式氣體混合器進(jìn)行結(jié)構(gòu)改進(jìn)來提高混合性能，由文獻(xiàn)[20]可知，擾流片可使流體在流動過程中的

1)0 引 言擾流片式推力矢量控制技術(shù)是通過將擾流片插入發(fā)動機(jī)尾噴流，利用擾流片上游的邊界層分離以及激波邊界層干擾等復(fù)雜的流動現(xiàn)象，使噴流相對噴管軸線發(fā)生偏轉(zhuǎn)來實(shí)現(xiàn)推力矢量控制。擾流片在未工作時(shí)位于尾噴流外緣，不接觸高溫燃?xì)?，從而可以避免產(chǎn)生推力損失，減輕擾流片燒蝕。擾流片式推力矢量控制技術(shù)較為獨(dú)特，目前僅有俄羅斯的R-73導(dǎo)彈(圖1)及其衍生型號采用了這種控制方式。與目前先進(jìn)空空導(dǎo)彈普遍采用的燃?xì)舛嫦啾?，擾流片具有非作用時(shí)無附加推力損失、響應(yīng)快、控制力較

流控制方式，如擾流片、燃?xì)舛?、燃?xì)馄鳝h(huán)等；③發(fā)動機(jī)擺動噴管控制方式；④二次流體噴射控制方式。其中，擾流片推力矢量控制技術(shù)具有操縱力矩較大、不受水深變化影響、機(jī)構(gòu)結(jié)構(gòu)簡單、伺服力矩小和占用空間少等優(yōu)點(diǎn)，在水下控制中得到廣泛應(yīng)用。眾所周知，美國潛射型戰(zhàn)斧導(dǎo)彈和俄羅斯?jié)撋湫涂死紝?dǎo)彈均采用了這種控制方法[4-5]。由于導(dǎo)彈在水下運(yùn)動過程中受斜吹力矩、質(zhì)量偏心力矩、推力矢量滾轉(zhuǎn)干擾力矩等影響，彈體會出現(xiàn)難以預(yù)計(jì)的滾轉(zhuǎn)。擾流片推力矢量控制技術(shù)由于其自身技術(shù)特性，無

ASlC或SoC流片之前不再必須完全固定設(shè)計(jì)，在規(guī)范最終確定時(shí)可能產(chǎn)生的變化將由可編程硬件的方式來應(yīng)對。Achronix高度可編程的嵌入式FPGA解決方案諸如AcHornix的SpeedcoreTMeFPGA（嵌入式FPGA）這類高度可編程的嵌入式FPGA解決方案可為5G系統(tǒng)帶來更快的上市時(shí)間。例如，沒有必要把一款SoC的流片推遲到5G標(biāo)準(zhǔn)最終確立之后，后期發(fā)生的需求變化可以用軟件或者可編程硬件來解決。這是一種非常強(qiáng)大的優(yōu)勢，可以用來面對5G早期部署中持續(xù)

后，設(shè)計(jì)周期長，流片成本高，工藝水平達(dá)到90 nm以下后，單次流片周期3到6個(gè)月，單次流片成本在百萬以上級別，依靠流片后的測試檢查會導(dǎo)致項(xiàng)目時(shí)間成本和資金成本的增長，需要在整個(gè)芯片開發(fā)周期內(nèi)分階段對芯片進(jìn)行測試，控制風(fēng)險(xiǎn)。在現(xiàn)有的大型IC設(shè)計(jì)公司中，測試團(tuán)隊(duì)的比重已經(jīng)超過設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)，有些公司中測試人員數(shù)量甚至達(dá)到70%，目的是保證芯片設(shè)計(jì)符合芯片的定義，排查可能存在的缺陷，縮短芯片開發(fā)周期，降低開發(fā)成本。一般來講，芯片的驗(yàn)證工作從芯片定義階段開始，到芯片定型

計(jì)并進(jìn)行了第一次流片。2017年3月，終于拿到芯片。測試的結(jié)果令他非常激動：和2017年國際國內(nèi)最新的研究成果相比，他們的研究已經(jīng)在性能上遠(yuǎn)遠(yuǎn)勝出。此前，業(yè)界做出的芯片工作帶寬大概在10-30%，而他們的芯片帶寬可以達(dá)到60%以上。于是，他和康凱教授商量，很有必要再次優(yōu)化設(shè)計(jì)并做第二次流片。芯片優(yōu)化設(shè)計(jì)的時(shí)間十分緊湊：做芯片一般要依次完成原理圖、版圖、模塊級聯(lián)，最后才是完成總版并進(jìn)行評估。但到了2017年4月，他們才剛做到模塊級聯(lián)環(huán)節(jié)，進(jìn)度比預(yù)期慢很多?？?/div>

大學(xué)生 2018年6期2018-07-30

前端削薄的交叉擾流片的翅片結(jié)構(gòu)，主要利用數(shù)值模擬的方法研究新結(jié)構(gòu)對傳熱和壓降的影響，為平直翅片的優(yōu)化設(shè)計(jì)提供參考.1　模型的建立1.1　物理模型及求解方法板翅式換熱器的換熱芯體由隔板、翅片及封條釬焊組成，由于其內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜，僅選取其中一段流道作為研究單元，如圖1和圖2所示.選取文獻(xiàn)[5]中編號為11.1的平直翅片結(jié)構(gòu)作為研究單元(翅片高度H=6.2 mm，翅間距b=2.2 mm，水力直徑Dh=3.08 mm，隔板厚度δ=0.15 mm，所選研究單元長度L=

計(jì)的AI芯片成功流片。2018年7月，格芯宣布其22FDX技術(shù)憑借優(yōu)良性能在全球范圍內(nèi)收獲了超過20億美元的收益，并在超過50項(xiàng)客戶設(shè)計(jì)中得到采用。本次兩位中國客戶的成功流片再次印證了22FDX技術(shù)在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性和靈活性。22FDX是格芯最重要的技術(shù)平臺之一。它提供了一個(gè)集合了高性能、低功耗、低成本物聯(lián)網(wǎng)、主流移動設(shè)備、無線通信互聯(lián)以及網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)秀搭配。22FDX具備的功能可滿足連接、移動、物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)和汽車等應(yīng)用領(lǐng)域下一代產(chǎn)品的需求。22

規(guī)律，結(jié)果表明折流片傾角和折流柵間距對換熱器的傳熱與流阻性能均有顯著影響。劉冰[7]對圓孔型和方孔型斜向流換熱器的流場和溫度場進(jìn)行了數(shù)值研究，對比分析了折流片形狀對換熱器傳熱和流阻性能的影響。現(xiàn)有的研究比較系統(tǒng)地分析了折流柵結(jié)構(gòu)參數(shù)對斜向流換熱器殼程流體流動和換熱的影響，但主要集中在折流片傾角、形狀及折流柵間距等方面，而未考慮折流柵排布方式的影響。常規(guī)斜向流換熱器折流柵垂直排布在殼程，傾斜的折流片雖然能夠使流體斜向流動，產(chǎn)生擾動，但是流體斜向流動的時(shí)間短，

備技術(shù)】帶微型擾流片的尾翼彈飛行彈道仿真劉 凱，常思江，張 華(南京理工大學(xué) 能源與動力工程學(xué)院，南京 210094)為了研究微型擾流片的控制機(jī)理及控制效果，以某帶微型擾流片的尾翼彈為研究對象，從動力學(xué)角度分析微型擾流片動作對尾翼彈飛行彈道的影響，建立了該類彈箭的六自由度飛行動力學(xué)模型并進(jìn)行了飛行彈道數(shù)值仿真；不同速度條件下擾流片對彈箭側(cè)偏和射程的修正結(jié)果表明：在彈箭飛行過程中某一個(gè)時(shí)刻啟動微型擾流片后，彈箭的飛行姿態(tài)可以發(fā)生較大的變化，從而改變其飛行軌跡

00090)?擾流片對駐渦燃燒室性能影響的研究魏佳加1，曾卓雄2，徐義華1(1.南昌航空大學(xué) 飛行器工程學(xué)院，南昌330063;2.上海電力學(xué)院 能源與機(jī)械工程學(xué)院，上海200090)為了研究含擾流片的駐渦燃燒室燃燒及內(nèi)部流動性能，對不同擾流片的個(gè)數(shù)和進(jìn)口速度的燃燒室的燃燒情況進(jìn)行數(shù)值模擬，分析燃燒室燃燒時(shí)的流場分布、溫度分布、總壓損失以及燃燒效率。結(jié)果表明：擾流片能夠增強(qiáng)燃?xì)獾膿交旌蜔峤粨Q，可以極大的提高燃燒室的燃燒效率(最高可達(dá)99.99%)，改善出口

設(shè)計(jì)機(jī)身棱線渦擾流片、進(jìn)氣道抽吸及射流流動控制裝置，目的在于提高飛機(jī)M∞＝1.60來流、進(jìn)／發(fā)匹配點(diǎn)條件下進(jìn)氣道總壓恢復(fù)、降低出口流場畸變；采用CFD技術(shù)對各流動控制裝置效能進(jìn)行計(jì)算，基于計(jì)算結(jié)果，對各流動控制裝置效能及典型裝置流動控制機(jī)理進(jìn)行了分析。研究表明，M∞＝1.60來流、負(fù)迎角下，擾流片作用不明顯；采用進(jìn)氣道抽吸或射流控制措施，對提高進(jìn)氣道總壓恢復(fù)有效。研究結(jié)果可為類似F－35那樣的隱身戰(zhàn)機(jī)Bump進(jìn)氣道流動控制或工程發(fā)展提供一定的技術(shù)參考。進(jìn)氣

精細(xì)，后端設(shè)計(jì)、流片加工、封裝、測試都已成為專門領(lǐng)域。而集成電路設(shè)計(jì)、加工各個(gè)環(huán)節(jié)環(huán)環(huán)相扣密不可分，任何一個(gè)環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題都可能導(dǎo)致整個(gè)芯片流片的失敗。因此如何保證每一個(gè)環(huán)節(jié)的正確性，是每一個(gè)集成電路設(shè)計(jì)單位都面臨的問題，其中如何控制集成電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵外協(xié)工序也就變得尤為重要。文中對目前軍用大規(guī)模集成電路的后端設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝的流程及關(guān)鍵工序進(jìn)行了分析和論述，總結(jié)了設(shè)計(jì)方應(yīng)重點(diǎn)關(guān)注的芯片的后端設(shè)計(jì)、流片、封裝的工藝流程、關(guān)鍵工序及檢查方法，對集成電路設(shè)計(jì)

路設(shè)計(jì)直至MPW流片的芯片設(shè)計(jì)全過程，該實(shí)訓(xùn)平臺流程完整，EDA工具先進(jìn)，達(dá)到工業(yè)級要求。集成電路；實(shí)踐教學(xué)；實(shí)訓(xùn)平臺《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》中提出集成電路產(chǎn)業(yè)是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，是支撐經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性、先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)。我國的集成電路產(chǎn)業(yè)雖然在近幾年有較快速的發(fā)展，但與先進(jìn)國家相比，從制造到設(shè)計(jì)的整個(gè)產(chǎn)業(yè)水平仍然有較大的差距。而人才培養(yǎng)無疑是提高我國集成電路產(chǎn)業(yè)水平的重要保障，高校是人才培養(yǎng)的重要平臺。如何培養(yǎng)出適應(yīng)社會需求

7－8］、前緣擾流片［9］、質(zhì)量噴流［10］等方法。國內(nèi)從1996年羅柏華等［11］開始關(guān)注腔體噪聲問題，現(xiàn)階段研究主要關(guān)于噪聲機(jī)理和計(jì)算方法。司海清、王同光［12］等對空腔振蕩頻率估算方程進(jìn)行了改進(jìn)，郝宗瑞［13］、馬明生［14］和宋文萍等對空腔噪聲的計(jì)算做了研究。噪聲控制方法研究尚屬起步階段，張林［15］、羅新福［16］、楊黨國［17］、范召林等采用試驗(yàn)的方法研究了腔體振蕩影響因素以及質(zhì)量噴流和后壁傾角等控制手段對腔體振蕩的抑制效果。國外關(guān)于前緣擾流片

技術(shù)之一，噴流擾流片通過在噴管內(nèi)產(chǎn)生激波形成擾流片上游噴管內(nèi)壁的局部高壓區(qū)來提供矢量推力［1］。其特點(diǎn)是:結(jié)構(gòu)原理簡單，伺服力矩小，技術(shù)上易實(shí)現(xiàn)，操作可靠，噴流不偏轉(zhuǎn)時(shí)無持續(xù)燒蝕和推力損失;推力矢量系統(tǒng)工作時(shí)軸向推力損失較大［2］。有研究表明:相比其它類型的推力矢量控制系統(tǒng)，噴流擾流片推力矢量控制系統(tǒng)體積占用小，且其在水下的工作效率要高于在空氣中的工作效率［1］;推進(jìn)劑中添加的鋁不會帶來噴流擾流片推力矢量性能和結(jié)構(gòu)的損害［3］。近年來，關(guān)于噴流擾流片的研究

，其代表是簾式折流片換熱器，它充分利用了橫向流和縱向流換熱器的雙重優(yōu)勢，既充分利用了橫向流的強(qiáng)烈沖刷管束的作用，從而提高了傳熱性能，消弱了流動死區(qū)，又由于它在總體上還是縱向流的趨勢，所以充分利用了縱向流的優(yōu)勢，即減小了殼程壓力損失、提高了抗振性能和除垢防垢效果［4］.筆者在前人研究的基礎(chǔ)上，研究了折流板與簾式折流換熱器的傳熱與流阻性能.1 數(shù)值模擬及分析方法1.1 流體動力學(xué)控制方程流體流動受物理守恒規(guī)律的支配，包括［5－6］質(zhì)量守恒方程：動量守恒方程：能

測試芯片首次成功流片。該測試芯片基于 ARM Cortex-A9雙核處理器設(shè)計(jì)，采用了中芯國際的40nm低漏電工藝。處理器使用了一個(gè)集32K I-Cache和32K D-Cache，128TLB entries，NEONTM技術(shù)，以及包括調(diào)試和追蹤技術(shù)的CoreSightTM設(shè)計(jì)套件。除高速標(biāo)準(zhǔn)單元庫，該測試芯片還采用高速定制存儲器和單元庫以提高性能。設(shè)計(jì)規(guī)則檢測之簽核流程（sign-off）結(jié)果已達(dá)到 900MHz（WC），預(yù)計(jì)2012年第二季度流片結(jié)束

計(jì)放在同一圓片上流片[1]，流片費(fèi)用就由參加MPW的項(xiàng)目按芯片面積分擔(dān)，實(shí)驗(yàn)成本僅為原來的5%～10%，極大地降低了產(chǎn)品開發(fā)的風(fēng)險(xiǎn)，降低了中小集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)起步時(shí)的門檻，降低了單次實(shí)驗(yàn)流片造成的資源嚴(yán)重浪費(fèi)。尤其在國內(nèi)，集成電路起步較晚，要投入很多的科研成本，有大批的中小集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)正在起步，需要得到國內(nèi)foundry廠的大力支持，因而提供合理的光罩布局，降低MPW的成本，滿足各客戶的要求顯得尤為重要。2 MPW光罩的常規(guī)布局2.1 MPW流程市場部