侯浩大

新思科技近日宣布，其Fusion Design Platform已支持三星晶圓廠實現(xiàn)一款先進高性能多子系統(tǒng)片上系統(tǒng)（SoC）一次性成功流片，驗證了下一代3nm環(huán)繞式柵極（GAA）工藝技術(shù)在功耗、性能和面積方面的優(yōu)勢。此次流片成功是新思科技和三星之間廣泛合作的成果，旨在加快提供高度優(yōu)化的參考方法學(xué)，實現(xiàn)全新3D晶體管架構(gòu)所固有的卓越功耗和性能。

新思科技提供的參考流程全面部署了其高度集成的Fusion Design Platform，包括業(yè)界唯一高度集成的、基于金牌簽核引擎的RTL到GDSII設(shè)計流程，以及最受業(yè)界信賴的金牌簽核產(chǎn)品。采用三星最新3nm GAA工藝的客戶，可在高性能計算（HPC）、5G、移動應(yīng)用和人工智能應(yīng)用領(lǐng)域，為下一代設(shè)計實現(xiàn)理想PPA目標。

三星晶圓設(shè)計技術(shù)團隊副總裁Sangyun Kim表示：“三星晶圓是推動下一階段行業(yè)創(chuàng)新的核心，我們基于工藝技術(shù)的持續(xù)演進，來滿足專業(yè)和廣泛市場應(yīng)用日益增長的需求。全新的先進3nm GAA工藝得益于與新思科技的廣泛合作，F(xiàn)usion Design Platform讓我們加速實現(xiàn)3nm工藝的前景，這也充分彰顯了與行業(yè)領(lǐng)先者合作的重要性和優(yōu)勢?！?/p>

GAA架構(gòu)為更高的晶體管密度提供了經(jīng)過流片驗證的途徑，GAA架構(gòu)改進了靜電特性，從而提高了性能降低了功耗，并帶來了基于納米片寬度這一工藝矢量的全新優(yōu)化機會。這種額外的自由度與成熟的電壓閾值調(diào)諧相結(jié)合，擴大了優(yōu)化解決方案的空間，從而更精細化地控制總體目標設(shè)計PPA指標的實現(xiàn)。新思科技和三星開展密切合作，加速這一變革性技術(shù)的可用性并進一步提高效能，從而在新思科技的FusionCompiler和IC CompilerⅡ中實現(xiàn)了全流程、高收斂度優(yōu)化。