孫春雨,李婧,王新占,郭成鎖,于威
(河北大學(xué) 物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,河北 保定 071002)
鈣鈦礦材料具有高電荷載流子遷移率[1]、小斯托克斯位移[2]、低缺陷密度[3]、發(fā)射譜線窄、高的發(fā)光量子效率、發(fā)光峰位可調(diào)[4]等特性,在各種光電器件中體現(xiàn)了獨特的應(yīng)用優(yōu)勢,特別是在發(fā)光二極管(LEDs)領(lǐng)域[5-7].在2014年,Tan等[8]首次報道了CH3NH3PbBr3和CH3NH3PbI3-x分別作為發(fā)光層可以在室溫下工作的鈣鈦礦發(fā)光二極管,外量子效率分別達到0.1%和0.76%.隨后,鈣鈦礦發(fā)光二極管吸引了越來越多的研究者,并在發(fā)光效率和穩(wěn)定性方面取得了不斷的突破.研究者研發(fā)了多種鈣鈦礦衍生物,結(jié)構(gòu)可以用ABX表示,A代表陽離子,主要包括CH3NH3+、Cs+以及CH(NH2)2+等;B代表過渡金屬元素,主要包括Pb2+和Sn2+等;X為鹵素元素,包括Cl-、Br-和I-或者其混合物.
在眾多的鈣鈦礦衍生物中,由于CsPbX3全無機鈣鈦礦不僅具有優(yōu)異的光電特性而且相對穩(wěn)定、制備簡單,得到了人們的廣泛關(guān)注,并已應(yīng)用到太陽能電池、光電探測器、發(fā)光二極管等領(lǐng)域[9-12].在過去4年中,基于CsPbX3的鈣鈦礦型太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率從5.8%(CsPbBr3)提高到17.1%(CsPbI3)[13-14].制備了基于全無機雙相CsPbBr3-CsPb2Br5的光電探測器,該探測器具有高響應(yīng)度和高探測靈敏度,分別為0.375 A W-1和 1011瓊斯[15].同時,基于CsPbX3的發(fā)光二極管(LEDs)的研究進展很快.Zeng等[16]于2015年制造了首批基于CsPbX3的LEDs,其最高外部量子效率為0.12%,近幾年全無機CsPbX3(X=Cl、Br、I)量子點在LED的應(yīng)用得到了廣泛研究與探索[17-19],在2019年實現(xiàn)了外部量子效率高于20%的鈣鈦礦LED[20].與此同時,溶劑工程在制備和改良量子點光電材料中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用[21-22].2016年,Xie等[23]通過變換不同極性的溶劑,實現(xiàn)了碳量子點的發(fā)光波長從紫外到了可見光波段.2017年,Mei等[24]將CsPbBr3溶于不同極性溶劑中,實現(xiàn)了CsPbBr3的發(fā)光峰位的移動.
本文中,制備了光學(xué)性質(zhì)良好的CsPbI3量子點(QD),并使用不同溶劑實現(xiàn)了發(fā)光光譜的可調(diào)節(jié)性,通過極性溶劑對表面的修飾作用,提高了CsPbI3QD的熒光壽命,本文研究為制備優(yōu)良的太陽能電池及LED提供了一定的參考依據(jù).
實驗藥品:碳酸銫 (Cs2CO3, 質(zhì)量分數(shù)99.9%, Aladdin), 1-十八烯 (ODE, 質(zhì)量分數(shù)90%, Aladdin), 油胺 (OAm, 質(zhì)量分數(shù)80%, Aladdin), 油酸 (OA, 分析純, Aladdin), 碘化鉛(PbI2, 質(zhì)量分數(shù)99.999%, Biolight),乙酸乙酯 (分析純, Sigma-Aldrich), 正己烷 (分析純, Kermel)等.所用化學(xué)藥品無需進一步純化.
將0.407 g Cs2CO3與20 mL ODE和1.25 mL OA混合到100 mL三頸燒瓶中,在真空下加熱至120 ℃,干燥0.5 h,然后將混合物在N2環(huán)境下加熱至150 ℃,直至所有Cs2CO3完全溶解.由于Cs-油酸鹽絡(luò)合物可在室溫下從ODE中沉淀出來,因此在注入前將混合物預(yù)熱至沉淀溶解.
0.174 g的PbI2與10 mL的ODE,1 mL的OAm和1 mL的OA混合到100 mL三頸燒瓶中,在真空下加熱至120 ℃干燥0.5 h,然后將混合物在N2環(huán)境下加熱或冷卻穩(wěn)定至180 ℃,快速注入0.8 mL Cs-油酸鹽溶液反應(yīng)5 s,立即用冰水浴冷卻反應(yīng).將冰水冷卻的粗溶液以3 000 r/min離心10 min.離心后棄去沉淀,將所剩溶液均勻分散到4個離心管加入3 mL正己烷冷凍.
將冷凍液取出,融化后以9 000 r/min離心5 min,棄去上清液,將沉淀分別溶于甲苯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、正己烷中進行測試.
用高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM,F(xiàn)EI)表征所制備樣品的晶體結(jié)構(gòu)、微觀結(jié)構(gòu);使用熒光分光光度計(PL,F(xiàn)LS920)、近紅外傅里葉變換紅外(FTIR)光譜儀和紫外-近紅外光譜儀,進行光致發(fā)光(PL)光譜、激發(fā)光譜、時間分辨、吸收光譜和紅外光譜測試,結(jié)合所得數(shù)據(jù)進行光學(xué)特性分析.
圖1為在180 ℃下正己烷溶液中CsPbI3QD的高分辨透射電鏡(TEM)圖像.從圖1中可以看到,生成的CsPbI3QD形狀規(guī)則,清晰可見,具有良好的單分散性,尺寸為11~16 nm.插圖為CsPbI3QD的晶格圖案,清晰的晶格表明樣品結(jié)晶良好,晶格間距為0.62 nm,對應(yīng)于立方相的(100)面,這與先前報道一致[25].
對于CsPbI3QD的大比表面,表面懸空鍵非常重要,需要明確其進一步應(yīng)用.在180 ℃下正己烷溶液中合成的樣品的FTIR光譜如圖2所示.位于 2 854 cm-1和 2 924 cm-1處的吸收峰,為亞甲基的C-H伸縮振動峰,位于3 048 cm-1和1 631 cm-1處的吸收峰分別為烯烴中C-H和C=C伸縮振動峰.
圖1 CsPbI3 QD在正己烷溶劑中的TEM圖像Fig.1 TEM image of CsPbI3 QD in n-hexane solvent
圖2 CsPbI3 QD在正己烷溶劑中的FTIR吸收光譜Fig.2 FTIR absorption spectra of CsPbI3 QD in n-hexane solvent
圖3為正己烷溶液中CsPbI3QD的PL光譜、紫外-可見吸收(UV-VIS)光譜和激發(fā)熒光(EPL)光譜.PL光譜顯示出了一個位于615 nm左右的發(fā)射峰,帶隙約為2 eV,半高寬為61 nm;UV-VIS光譜顯示了3個明顯的吸收峰,分別位于370、470、600 nm,其中370 nm左右的吸收峰歸因于核殼結(jié)構(gòu)中殼的吸收峰[26-27],470 nm處為高能級激子吸收[28-29],600 nm處為激子吸收[30];在EPL光譜中的相同位置也有3個與吸收光譜相對應(yīng)的激發(fā)峰,說明615 nm的發(fā)射峰主要源于這3個波段光的激發(fā).通過對比PL、EPL和UV-VIS可以得到CsPbI3QD的斯托克斯位移約50 meV,小的斯托克斯位移,表明在強量子限制效應(yīng)下熒光能量損失很少.
在強量子限制效應(yīng)下,隨著激發(fā)波長增加,量子點的PL發(fā)射峰位不應(yīng)發(fā)生偏移.圖4為正己烷溶液中CsPbI3QD在不同激發(fā)波長(350~560 nm)下的PL光譜.從圖4可以看到,PL峰出現(xiàn)在約615 nm處,發(fā)光強度隨著激發(fā)波長增加出現(xiàn)先增加后減小的趨勢,PL峰位并未發(fā)生任何偏移,這表明CsPbI3QD的發(fā)光是由強的量子限制效應(yīng)產(chǎn)生的;在470 nm激發(fā)波長下,發(fā)光強度得到最大值,這對應(yīng)于EPL的高能態(tài)的激子吸收,表明615 nm的發(fā)光主要源自470 nm處的激發(fā).
圖3 CsPbI3 QD在正己烷溶劑中的 吸收、激發(fā)、發(fā)射光譜Fig.3 UV-VIS, EPL and PL spectra of CsPbI3 QD in n-hexane solvent
圖4 正己烷溶劑中CsPbI3 QD不同激發(fā)波長的發(fā)射光譜Fig.4 Emission spectra of CsPbI3 QD with different excitation wavelengths in n-hexane
為了進一步研究CsPbI3QD的光學(xué)性質(zhì),對180 ℃下正己烷溶液中合成的樣品,進行了時間分辨PL光譜研究(激發(fā)光源為470EPL),測試及擬合結(jié)果如圖5所示.擬合公式如下所示[31]:
I(t)=B1e-t/τ1+B2e-t/τ2+B3e-t/τ3,
(1)
其中B1、B2和B3是常數(shù),τ1、τ2和τ3表示不同發(fā)光機制的衰減時間.平均壽命通過如下公式計算得出[31]:
(2)
PL衰減率可以用如下公式計算[32]:
kPL=krad+knon-rad,
(3)
其中krad和knon-rad分別代表輻射復(fù)合率和非輻射復(fù)合率.非輻射復(fù)合是一個快過程,輻射復(fù)合為慢過程,多的非輻射復(fù)合會導(dǎo)致PL壽命縮短,反之則增加,經(jīng)計算CsPbI3QD的平均壽命為13 ns.
為了改善CsPbI3QD的光學(xué)性質(zhì),本實驗中進一步研究了不同極性的溶劑對無機鈣鈦礦量子點發(fā)光性質(zhì)的影響.首先將采用高溫?zé)嶙⑷敕ê铣傻腃sPbI3QD溶入到極性不同的4種溶劑(甲苯、正己烷、乙酸甲酯、乙酸乙酯)中,然后對這4種量子點溶液進行了PL、UV-VIS、時間分辨 PL等測試.
4種不同溶劑的PL如圖6所示.可以看到,在不同極性溶劑下的CsPbI3QD的發(fā)射峰位隨著溶劑極性的增強發(fā)生了從615至660 nm紅移,這是因為極性溶劑容易導(dǎo)致發(fā)光發(fā)生淬滅[33],同時在極性溶劑中分子電荷分布不均勻,會導(dǎo)致CsPbI3QD表面對有機基團-NH2的吸附,大量的表面配體-NH2會和溶劑分子通過氫鍵相互作用,從而形成新的發(fā)光中心,這與先前報道的CsPbBr3QD相似[26].從圖6中還可以看到,隨著極性增強,發(fā)光強度呈現(xiàn)出先增強后減弱趨勢.這是因為CsPbI3QD在極性溶劑中表面缺陷得到了鈍化修飾,從而使發(fā)光增強,但由于乙酸甲酯極性過強,導(dǎo)致了過快的熒光猝滅,從而降低了發(fā)光強度,所以呈現(xiàn)先增強后減弱趨勢.
圖5 CsPbI3 QD在正己烷溶劑中的時間分辨光譜Fig.5 Time resolved PL spectra ofCsPbI3 QD in n-hexane solvent
圖6 CsPbI3 QD在不同極性溶劑的光致發(fā)光光譜Fig.6 PL spectra of CsPbI3 QD in different polar solvents
圖7為4種不同溶劑中的紫外-可見吸收光譜.可以看到,隨著溶劑極性增加,2.6 eV處的高能態(tài)激子吸收峰減弱,2.0 eV處激子吸收峰發(fā)生了紅移(從2.0 eV到1.88 eV的)且略有減弱,這是因為CsPbI3QD在極性溶劑中CsPbI3QD表面缺陷得到了鈍化,減少了深能級缺陷,所以2.6 eV處的高能激子吸收峰減弱,1.88 eV處吸收峰略有減弱則是由于CsPbI3QD在極性溶液中的降解所致,這與PL譜中發(fā)光先增強后減弱趨勢相對應(yīng).
為了進一步探究極性溶劑對CsPbI3QD的表面作用,對4種溶劑中的樣品進行了時間分辨 PL測試,結(jié)果如圖8所示.可以看出,在極性溶劑中CsPbI3QD的熒光壽命發(fā)生了明顯變化,通過公式(1)(2)擬合計算得出,隨著溶劑極性的增強,CsPbI3QD的平均熒光壽命從13 ns延長至17 ns.這歸因于極性溶劑對CsPbI3QD的表面修飾作用,減少了CsPbI3QD的深能級缺陷,使非輻射復(fù)合減少,從而增加了熒光壽命.
圖7 CsPbI3 QD在不同極性溶劑的吸收光譜Fig.7 UV-VIS spectra of CsPbI3 QD in different polar solvents
圖8 CsPbI3 QD在不同極性溶劑的時間分辨光譜Fig.8 Time resolved PL spectra ofCsPbI3 QD in different polar solvents
本文對分散在正己烷溶液中CsPbI3QD的光學(xué)特性進行了研究,證明了其發(fā)光來源于強的量子限制效應(yīng);將CsPbI3QD分散到不同極性溶劑中,實現(xiàn)了發(fā)光峰位615至660 nm的可調(diào)節(jié)性;探討了不同極性的溶劑對CsPbI3QD表面修飾程度,使CsPbI3QD的熒光壽命從正己烷中的13 ns增加至乙酸甲酯中的17 ns.總而言之,CsPbI3QD有著優(yōu)異的光學(xué)特性,在實際應(yīng)用中有著巨大潛力,本文的研究為CsPbI3QD在將來的實際應(yīng)用提供了一定的參考.