靶材
- 磨料水射流單顆磨粒侵徹的仿真研究
1]。由于磨粒與靶材接觸的時間極短，難以通過試驗的方法進行觀測研究。隨著有限元仿真技術(shù)的發(fā)展，目前國內(nèi)外學者紛紛通過仿真的方法研究磨料水射流加工。KUMAR和SHUKLA[2]采用ANSYS軟件建立了磨料水射流單顆磨粒侵徹Ti-6Al-4V靶材的仿真模型，研究了磨粒速度和入射角度對靶材表面凹坑形狀、深度的影響規(guī)律。LI等[3]研究了凹坑的形成機制，并采用ANSYS軟件建立超高速磨料侵徹靶材的仿真模型，研究了不同磨粒速度和入射角度下靶材表面凹坑體積的變化規(guī)律
機床與液壓 2023年2期2023-03-01
- 磁控濺射后的鉑靶表面形貌分析
濺射技術(shù)中，提高靶材利用率一直是研究重點。磁控濺射系統(tǒng)的靶陰極具有特殊的磁場結(jié)構(gòu)，利用磁場對帶電粒子的約束，增加離子密度和能量來提高濺射效率，但外加磁場的同時由于磁力線分布的不均勻性就使得濺射區(qū)域集中于靶面的局部區(qū)域[14]，造成平面型靶材表面非均勻性消耗，這極大地限制了靶材利用率的提高。對靶濺射后的表面形貌及結(jié)構(gòu)進行分析，明確濺射時靶材表面形貌的變化趨勢，對理解靶材濺射過程，提高靶材的利用率具有重要意義。本文通過觀察磁控濺射后的鉑靶表面不同部位的形貌及結(jié)
貴金屬 2022年4期2023-01-28
- 金鉬股份技術(shù)中心高純大尺寸鉬鈮管狀靶材順利交付
尺寸鉬鈮合金管狀靶材的交付，制備的鉬鈮合金管狀靶材直徑大于150 mm、長度達到2 100 mm，純度可達99.99%，O(氧)含量小于0.05%(質(zhì)量分數(shù))。鉬鈮靶材主要用于濺射制備LCD/OLED 高端液晶顯示屏及太陽能電池的電極和布線材料，是平板顯示及光伏行業(yè)不可或缺的重要基材。團隊經(jīng)過不懈的努力，基于前期的基礎研究，攻克了大規(guī)格鉬鈮合金靶材制粉、燒結(jié)、加工等關(guān)鍵工藝難題，掌握了大尺寸靶材的核心制備技術(shù)。經(jīng)第三方機構(gòu)檢測，制備出的鉬鈮合金靶材的各項指
中國鉬業(yè) 2022年1期2023-01-04
- 映日科技：主業(yè)借力國產(chǎn)替代毛利率逆勢走高解釋難令人信服
技”）生產(chǎn)的濺射靶材是平板面板和半導體的關(guān)鍵原材料。在下游京東方、惠科集團等平板顯示器客戶需求快速增長下，作為其關(guān)鍵原材料供應商之一的映日科技收入也水漲船高。營業(yè)收入尤其是凈利潤連年翻倍增長，需求增長帶來的飽滿訂單意味著公司后續(xù)發(fā)展仍充滿期待。不過，映日科技毛利率顯著高于同行，且在主要同行毛利率下降時，映日科技毛利率卻逆勢走高。映日科技的主業(yè)以高性能濺射靶材為主，主要應用于顯示面板和半導體等領域，尤其是以顯示面板用ITO靶材（ITO指氧化銦錫）作為公司主攻
證券市場周刊 2022年46期2023-01-02
- 磁控濺射銅靶晶粒度對濺射性能與沉積性能的影響
究[3-4]，但靶材對薄膜沉積的影響的研究尚且不足。張國君等[5]研究了Mo靶的熱處理溫度對薄膜組織和性能的影響，發(fā)現(xiàn)靶材熱處理溫度具有一個最優(yōu)值，此溫度下薄膜粗糙度最小，沉積速率最高。張麗民等[6]研究了Cu靶材軋制與退火溫度對靶材組織與取向的影響，發(fā)現(xiàn)低溫退火中較高的退火溫度有利于得到均勻細小，取向一致的靶材。穆健剛等[7]發(fā)現(xiàn)完全合金化的鈦鋁靶與完全未合金化的靶所制涂層形貌、結(jié)合力、硬度等均相似，但前者沉積速度較后者更低。Boydens等[8]發(fā)現(xiàn)不
金屬熱處理 2022年11期2022-11-29
- 從專利角度分析ITO靶材的研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢
，如高品質(zhì)ITO靶材長期依賴國外進口。由于我國在ITO靶材制備技術(shù)研究起步較晚，國外在制備技術(shù)上對我國進行封鎖，目前，我國制備的ITO靶材只能滿足低端產(chǎn)品的要求。近年來，隨著液晶顯示行業(yè)的發(fā)展，對ITO靶材的需求不斷増加，ITO靶材的研究也越來越迫切，我國新材料產(chǎn)業(yè)“十二五”重點產(chǎn)品中指出氧化銦錫（ITO靶材）作為“十二五”攻關(guān)重點項目立項研究，在多年的努力下，在ITO靶材制備技術(shù)方面取得了一定的成果。國內(nèi)生產(chǎn)ITO靶材的企業(yè)主要有華錫集團、株冶、山東藍狐
中國金屬通報 2022年7期2022-08-19
- 不同組織結(jié)構(gòu)鉬靶材的抗氧化性能研究
77)0 引 言靶材主要應用于電子及信息產(chǎn)業(yè)，如集成電路、 信息存儲、液晶顯示屏、太陽能電池、激光存儲器、 電子控制器件等，亦可應用于玻璃鍍膜領域，還可以應用于耐磨材料、高溫耐蝕、高檔裝飾用品等行業(yè)[1]。 Mo靶材濺射薄膜主要用于 CIGS( 銅銦鎵硒) 薄膜太陽電池底電極及半導體集成電路、記錄介質(zhì)、平面顯示等方面[2-3]，在LCD及OLED屏幕制造工藝中,鉬薄膜主要用于導電薄膜中Al的阻擋層,部分用于Cu的阻擋層及柵極材料。鉬薄膜是鉬靶材通過磁控濺射
中國鉬業(yè) 2022年3期2022-07-06
- 大尺寸ITO 靶材的制備及其密度影響因素的研究
TO（氧化銦錫）靶材具有良好的導電性和透光性，是液晶顯示器、電致發(fā)光顯示器、觸摸屏、異質(zhì)結(jié)太陽能電池以及其他電子儀表的透明電極最常用的薄膜材料［1-3］。隨著ITO 靶材行業(yè)的發(fā)展，靶材由6分割減少到3 分割和2 分割。傳統(tǒng)的6 分割靶材在燒結(jié)前長度為600 mm，降低分割數(shù)后單節(jié)靶材燒結(jié)前長度可達到1200—1500 mm，而靶材尺寸的增大會使得靶材的密度難以提升，同時造成開裂率和變形率增加等問題［4-6］。隨著異質(zhì)結(jié)電池的發(fā)展，ITO靶材濺射在異質(zhì)結(jié)電
材料研究與應用 2022年3期2022-07-04
- 氧化物靶材的制備及研究進展
體轟擊對應氧化物靶材進而在基片上沉積獲得［1］，因此薄膜各項性能與靶材質(zhì)量息息相關(guān)。相比于通過金屬靶材反應沉積成膜，直接使用氧化物靶材能減少靶材中毒。氧化物靶材是陶瓷靶材的其中一種，隨著光電器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展成為了一種關(guān)鍵性基材，但業(yè)界對其形狀、組分等方面有嚴格的應用要求，靶材制備難度較大。近年來我國靶材產(chǎn)業(yè)化取得了很大進展，并涌出了多家具有較強市場競爭力的靶材廠商，但在高端器件生產(chǎn)應用方面與日本、德國等國相比，我國氧化物靶材產(chǎn)業(yè)仍然是一大短板。目前，氧化物靶
材料研究與應用 2022年3期2022-07-04
- 鎖定“鉬”標 砥礪前行
——“高性能觸控顯示屏用鉬鈮合金靶材的技術(shù)研究及產(chǎn)品開發(fā)”項目簡介
濺射靶材是平板顯示、新能源及光伏行業(yè)不可或缺的重要基材，市場需求量大。為了有效拓展市場，金堆城鉬業(yè)股份有限公司(以下簡稱“金鉬股份”)成立鉬鈮合金靶材科研項目團隊。經(jīng)過兩年的不懈努力，攻克了大規(guī)格鉬鈮合金靶材制粉、燒結(jié)、加工等關(guān)鍵工藝難題，掌握了大尺寸靶材的核心制備技術(shù)。該項目小組在小規(guī)格鉬鈮靶材的基礎上展開了大規(guī)格鉬鈮合金平面靶材、管狀靶材的開發(fā)。項目組成員通過原料的純化解決了鉬鈮合金應用面板行業(yè)的第1個“卡脖子”問題——高純；通過特殊熱處理解決了作為阻
中國鉬業(yè) 2022年5期2022-03-24
- 打破技術(shù)壟斷 邁入核心供應鏈
——“G6代以上鉬整靶材的制備工藝研究”項目簡介
《G6代以上鉬整靶材的制備工藝研究項目》獲得公司科技進步一等獎。這一項目的研制成功打破了歐洲廠商在該技術(shù)上的壟斷，填補了國內(nèi)空白，使公司成為全球OLED柔性顯示鉬靶材的主要供應商。G6代高端鉬靶材是OLED顯示屏生產(chǎn)中的核心材料，具有超大、超純、超細晶粒等特點，制備難度大，精度要求高。此前全球市場由國外供應商獨家供應，作為國內(nèi)鉬金屬行業(yè)的龍頭企業(yè)，金鉬股份承擔起了關(guān)鍵材料鉬靶材國產(chǎn)化開發(fā)的重任。肩負重任的板材事業(yè)部研發(fā)團隊針對已有1 780 mm熱軋機組進
中國鉬業(yè) 2022年5期2022-03-24
- Na 摻雜MoO3 陶瓷靶材的制備及其成膜性能研究
Mo-Na 合金靶材在制備過程中難以保證鈉元素的均勻分布與高回收率的實現(xiàn),其應用受到限制。如朱琦等[15]以純鉬粉和鉬酸鈉為原料,采用霧化后脫膠處理的方法制得了Na 含量分別為摩爾分數(shù)1%,2%和3%且Na 均勻分布的鈉摻雜鉬復合球形粉末;Bergk 等[16]以鉬粉及純鈉片為原料,采用高能球磨法制得Na 含量分別為摩爾分數(shù)1%和2%的Mo-Na 復合粉末。然而當將上述混合粉體燒結(jié)、軋制制備成Mo-Na 合金靶材后,靶材中Na 含量幾乎為零。由此可以推斷,
電子元件與材料 2022年1期2022-02-14
- 大尺寸氧化銦錫(ITO)靶材制備研究進展*
量的粒子加速轟擊靶材表面，使得靶材表面的原子脫離后沉積在玻璃基板或其他材料襯底上成膜[17]。磁控濺射法具有濺射條件易于操控、沉積速率較高、能實現(xiàn)大面積均勻沉積和成膜黏附性好等綜合優(yōu)勢[18-22]，是當前研究及生產(chǎn)中應用最多的鍍膜工藝，同時也是制備ITO薄膜最常用的鍍膜方法。通過磁控濺射工藝，ITO薄膜可以由In-Sn合金靶材或ITO靶材在玻璃基板、柔性聚合物襯底上沉積得到。研究報道，濺射沉積時ITO靶材相比In-Sn合金靶材更容易使用[23-25]。因
廣西科學 2022年6期2022-02-09
- ZnO靶材的制備技術(shù)、應用與發(fā)展趨勢
摘要：靶材通常是指濺射靶材，它是制備功能薄膜的濺射源，在特定的面上形成10nm～10μm級薄膜（特種金屬或混合金屬氧化物），進而通過后續(xù)工藝形成導電層、柵極、阻擋層、絕緣層和線路等。由于ZnO薄膜材料無毒，制備溫度較其他膜材料低，工藝流程簡單，可以實現(xiàn)摻雜，原材料較其他靶材易得，有非常大的成本優(yōu)勢，所以ZnO靶材的市場前景十分廣闊。本文主要討論了ZnO靶材的制備技術(shù)、應用前景及發(fā)展趨勢。關(guān)鍵詞：靶材;制備技術(shù);應用;發(fā)展趨勢靶材通常是指濺射靶材，它是制備功
快樂學習報·教師周刊 2021年2期2021-09-10
- 燒結(jié)溫度對摻雜CZTSe靶材性能的影響
對摻雜CZTSe靶材的性能影響進行了研究，為后續(xù)實驗工作提供一定的理論指導.1 實驗材料與方法將純度為4.5N的Cu∶Zn∶Sn∶Se四種元素單質(zhì)按原子比20.1∶16.2∶12.5∶51.2進行配料，然后放入高壓爐中進行合成，經(jīng)過冷卻-破碎-球磨-篩分后得到粒徑50～200 μm的粉體.將所得粉體分別稱取約200 g放入5個洗凈的PV桶中，用精確度為0.001 g的電子天平再分別稱取約0.82 g的RbF粉體放入上述的PV桶中，然后再分別放入不同尺寸的鋯
材料研究與應用 2021年3期2021-09-02
- 貴金屬濺射靶材的研究進展
[1-5]。濺射靶材是磁控濺射制備薄膜的關(guān)鍵原材料，其質(zhì)量是決定薄膜性能的主要因素之一。近年來，隨著鍍膜技術(shù)突飛猛進的發(fā)展，濺射靶材市場規(guī)模急劇擴張。根據(jù)恒州博智電子及半導體研究中心公布的《2021-2027全球與中國濺射靶材市場現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢》統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2020年全球濺射靶材市場規(guī)模達到了248億元，預計2027年將達到416億元，年復合增長率為7.7%。濺射靶材的主要應用領域為半導體、平面顯示、記錄媒體和太陽能薄膜電池，其中半導體領域的芯片產(chǎn)業(yè)是對
機械工程材料 2021年8期2021-09-01
- 高純稀土釔靶材焊接技術(shù)
京市高純金屬濺射靶材工程技術(shù)研究中心, 北京 102200)0 前言隨著集成電路產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，中芯國際已于2019年底實現(xiàn)14 nm制程的量產(chǎn)，下一步將努力實現(xiàn)對7 nm的量產(chǎn)，英特爾將于2021年由10 nm制程升級到7 nm 極紫外光刻(EUV)工藝，臺積電5 nm制程預計2020年實現(xiàn)量產(chǎn)，三星在2021年將量產(chǎn)更先進的3 nm GAA制程。隨著制程節(jié)點的減小，MOSFET器件尺寸不斷縮小，同時性能不斷提高，作為柵介質(zhì)層的二氧化硅膜厚也隨之減薄，但
焊接 2021年3期2021-06-09
- 激光輻照下衛(wèi)星筒體部分多物理建模及毀傷效應分析
對鋁、鋼、銅和鈦靶材進行燒蝕試驗，得到不同材料在不同能量密度下的燒蝕率。郭芳等[10]采用電子束熱蒸發(fā)方法制備了SiO2薄膜，并在相同實驗條件下制備的薄膜加以不同能量的激光輻照，研究在激光輻照前后樣片的透射率、折射率、消光系數(shù)、膜厚、表面形貌及激光損傷閾值（LIDT）的變化。王剛等[11]利用熱彈性理論對CO2激光器輻照K9玻璃材料進行研究，建立激光輻照材料溫升及熱應力分布二維平面模型，通過解析計算得到由激光輻照半導體材料引起的溫度場和應力場的瞬態(tài)分布。宋
應用光學 2021年3期2021-06-08
- ITO陶瓷靶材濺射過程中結(jié)瘤行為研究
薄膜。ITO陶瓷靶材在磁控濺射過程中，靶材表面受到Ar+轟擊和被濺射原子再沉積的多重作用而發(fā)生復雜的物理化學變化，ITO靶材表面會產(chǎn)生許多小的結(jié)瘤，這個現(xiàn)象被稱為ITO靶材的毒化現(xiàn)象。靶材結(jié)瘤毒化后，靶材的濺射速率降低，弧光放電頻率增加，所制備的薄膜電阻增加，透光率降低且均一性變差，此時必須停止濺射，清理靶材表面或更換靶材，這嚴重降低濺射鍍膜效率[11]。目前對于結(jié)瘤形成機理尚未有統(tǒng)一定論，如孔偉華[12]研究了不同密度ITO陶瓷靶材磁控濺射后的表面形貌，
鄭州大學學報（工學版） 2021年2期2021-06-01
- 金堆城鉬業(yè)股份有限公司鉬鎳合金靶材喜獲批量訂單
研發(fā)的鉬鎳系合金靶材順利通過客戶三輪次的嚴格認證，并喜獲首個鉬鎳系合金靶材訂單，訂單總額超十萬元。此訂單不但屬于靶材系列新產(chǎn)品訂單，而且打破了公司以往靶材新品研發(fā)的市場跟隨策略，以客戶終端需求為目標，自主設計合金成分，積極解決客戶應用問題，這對公司從產(chǎn)品供應商向技術(shù)服務商轉(zhuǎn)變具有重要意義。鎳系合金性能獨特，在集成電路封裝、激光器件、航空航天及醫(yī)療設備等領域具有廣泛的應用前景。但其制備難度大，合金成分設計復雜，國內(nèi)外均未有可借鑒的經(jīng)驗。在公司各級領導悉心指導
中國鉬業(yè) 2021年5期2021-04-04
- 磁控濺射用W-Ti合金靶材的研究進展
將W-Ti 合金靶材制備成W-Ti 合金薄膜。W-Ti 合金應用于集成電路擴散阻擋層已有超過40年歷史，同樣應用于集成電路擴散阻擋層的還有Ta和Ti［3］。集成電路內(nèi)部導電層一般為Cu 和Al，導電層和擴散阻擋層一般根據(jù)種類搭配應用。Cu 和Ta搭配，應用于更高端、制程更小的集成電路領域。Al和Ti或W-Ti合金搭配，應用于汽車芯片等更加要求穩(wěn)定性和抗干擾性的領域［3］。但是相同的材料純度，W-Ti 合金靶材價格相較于Ta 靶材和Ti 靶材優(yōu)勢明顯。除此之
宇航材料工藝 2021年6期2021-03-19
- 濺射鍍膜技術(shù)與運用淺談
濺射;磁控濺射;靶材;濺射特性;肖特基二極管1基本概念1.1所謂“濺射”是指荷能粒子轟擊固體表面（靶材）、使固體原子（或分子）從表面射出的現(xiàn)象。1.2濺射原子：由固體表面（靶材）射職的粒子，大多呈原子狀態(tài)，常稱為濺射原子。1.3入射離子：用于轟擊靶的荷能粒子可以是電子、離子或中性粒子，因為離子在電場下易于加速并獲得所需動能，因此大多采用離子作為轟擊粒子。該粒子又稱入射離子。1.4離子濺射鍍膜：由于直接實現(xiàn)濺射的機構(gòu)是離子，所以這種鍍膜技術(shù)又稱為離子濺射鍍膜
裝備維修技術(shù) 2020年5期2020-11-20
- 一種新型磁控濺射貴金屬靶材設計
積效率和磁控濺射靶材的利用率[3-5]。特別是貴金屬的鍍膜使用過程中，靶材的費用昂貴，靶材的利用率至關(guān)重要。工業(yè)生產(chǎn)中，通常對貴金屬靶材使用以下方式降低成本：①貴金屬靶材與銅背板綁定，減少貴金屬的厚度，降低成本；②對于刻蝕后的靶材進行回收利用[6-8]。本文應用ANSYS有限元方法模擬分析直徑為72mm圓形平面濺射靶槍靶材的表面磁場，分析圓形平面濺射靶的靶材利用率較低的主要原因，針對原有靶材的設計進行優(yōu)化，從而降低貴金屬靶材的成本。1 圓形平面陰極結(jié)構(gòu)本文
世界有色金屬 2020年12期2020-09-03
- 高純高均勻錫靶材的制備工藝研究
重要技術(shù)之一，而靶材又是磁控濺射過程中的關(guān)鍵材料，其質(zhì)量和純度對微電子行業(yè)的金屬薄膜的質(zhì)量起著關(guān)鍵性作用。其中高純錫靶材吸熱能力強、強度高、機械性能穩(wěn)定、具有優(yōu)異的導電性，廣泛應用于微電子行業(yè)中的鍍錫和擴散摻雜工藝、半導體及制造超導合金等。本文針對錫靶材純度、內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)、致密性等技術(shù)問題，研究錫靶材的制備工藝，采用真空熔煉制備鑄錠，主要是提純原材料保證錫靶材的高純度，達到99.999%；后續(xù)的壓力加工和熱處理工藝主要是保證錫靶材的致密度、晶粒度和均勻性，
四川有色金屬 2019年3期2019-10-23
- 國內(nèi)濺射靶材行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
薄膜的過程。濺射靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料。濺射靶材的質(zhì)量對濺射薄膜的品質(zhì)具有重要影響，針對這個問題，本文主要介紹國內(nèi)磁控濺射靶材的行業(yè)發(fā)展狀況。關(guān)鍵詞：濺射；靶材；行業(yè)發(fā)展；競爭格局一、國內(nèi)靶材行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀概述受到發(fā)展歷史和技術(shù)限制的影響，濺射靶材行業(yè)在國內(nèi)起步較晚，目前仍然屬于一個較新的行業(yè)。與國際知名企業(yè)生產(chǎn)的濺射靶材相比，國內(nèi)濺射靶材研發(fā)生產(chǎn)技術(shù)還存在一定差距，市場影響力相對有限，尤其在半導體芯片、平板顯示器、太陽能電池等領域，全球高純?yōu)R射
科學與財富 2019年23期2019-10-21
- 填充層芳綸纖維及其與玄武巖纖維復合對防護性能的影響
6061鋁合金,靶材每層板的尺寸為200mm 200mm。彈丸為2A12鋁球。設計了四類填充層結(jié)構(gòu):沿碎片云撞擊方向,第一種是多層玄武巖和芳綸纖維布組成;第二種是多層玄武巖和芳綸-III混編纖維布,纖維混編示意圖如圖2;第三種采用芳綸線縫紉的多層纖維布,如圖3所示,芳綸線縫紉沿一個方向,間距約10mm;第四種是采用膠水粘貼的多層纖維布,如圖4所示。填充層結(jié)構(gòu)中的各種纖維材料參數(shù)見表1,填充層結(jié)構(gòu)見表2。超高速撞擊試驗結(jié)果表明,相同面密度的PBO和芳綸-II
空間碎片研究 2019年1期2019-09-18
- 風雨后見彩虹
國開始進行ITO靶材的研發(fā)和探索，經(jīng)過近30年的時間，國內(nèi)ITO研究取得了長足的進展，整個ITO靶材行業(yè)也發(fā)生了巨大的變化。參與企業(yè)數(shù)量逐漸減少，開發(fā)主體也從國有企業(yè)逐漸演變成為民營企業(yè)。目前掌握較高端ITO靶材生產(chǎn)技術(shù)的企業(yè)只有五六家。國內(nèi)ITO靶材企業(yè)經(jīng)過30年的大浪淘沙，很多企業(yè)已退出市場，而這其中最主要的原因來自我國企業(yè)資金和技術(shù)的不足。一方面，ITO靶材的研發(fā)需要大量的資金支持，如果沒有雄厚的資金做基礎，研發(fā)很難長久。另一方面，制備ITO粉的工藝
中國有色金屬 2019年13期2019-07-09
- X射線陽極靶材工作表面的缺陷分析
域，陽極靶(鎢鉬靶材)是組成X射線管的關(guān)鍵部件，X光管的工作機理是通過電子束轟擊靶材工作表面層，其表面層產(chǎn)生特征X射線。因此，X射線衍射裝置對陽極靶材的要求特別高。但實際生產(chǎn)中，靶材工作表面經(jīng)常出現(xiàn)的白斑等缺陷，其缺陷嚴重降低了靶材的發(fā)射功能和使用壽命，造成產(chǎn)品大量報廢，嚴重影響靶材生產(chǎn)成本和成品率。目前，靶材白斑缺陷的研究報道相對較少，白斑缺陷長期得不到解決。段小建等[1]發(fā)現(xiàn)并研究了靶材在高溫除氣后表面出現(xiàn)的白斑現(xiàn)象，鎢基鉬靶材的工作環(huán)境為1 500
中國鉬業(yè) 2019年2期2019-05-15
- 生產(chǎn)彩色濾光片用材料簡介
璃、光阻、洗劑、靶材等。對各材料的主要成份進行介紹，并且針對各主材在生產(chǎn)彩色濾光片時需要管控的關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)做出了論述。關(guān)鍵詞：玻璃? 光阻? 洗劑? 靶材中圖分類號：TN141? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?文獻標識碼：A? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 文章編號：1674-098X（2019）11（a）-0094-021? 玻璃基板玻璃基板主要成份為硼鋁硅酸鹽無堿玻璃，以SiO2、Al2O3、B2O3為主要
科技創(chuàng)新導報 2019年31期2019-04-07
- 金鉬股份成為三星鉬靶材全球第二大供應商
代超大規(guī)格高端鉬靶材。近日，公司通過全球OLED最頂尖生產(chǎn)廠家——韓國三星公司的認證，正式批量供貨，成為其鉬靶材全球第二大供應商。鉬靶材廣泛應用在手機、平板電腦、電視等產(chǎn)品的OLED屏幕中，是半導體行業(yè)的核心材料之一，預計未來消費量將不斷增長。金鉬股份板材事業(yè)部繼2015年研制成功第一塊G5代鉬靶材之后，不斷向更高端市場邁進，通過自主設計、工裝改造和技術(shù)優(yōu)化，終于攻克工藝，2018年研制成功了擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的G6代鉬靶材，打破了歐洲廠商在該技術(shù)上的壟
中國鉬業(yè) 2019年1期2019-01-18
- 從銦資源情況分析ITO靶材國產(chǎn)化方向
珍【摘要】ITO靶材對面板顯示行業(yè)意義重大，銦作為ITO靶材的原材料，銦礦資源的情況影響著ITO靶材行業(yè)的發(fā)展。本文從國內(nèi)銦資源的情況進行了分析，并簡要介紹國內(nèi)ITO靶材行業(yè)發(fā)展的現(xiàn)狀，最后對ITO靶材國產(chǎn)化的發(fā)展方向進行了討論。【關(guān)鍵詞】銦 ITO 靶材 國產(chǎn)化1銦礦資源分布概況1.1銦的簡介及用途銦（Indium）是銀白色略帶淡藍色的金屬，熔點為156.60℃，沸點為2072℃，比重為7.13g/cm3，硬度低于鉛金屬，可塑性強，延展性和傳導性良好。目
中國市場 2018年34期2018-11-19
- 真空室壓力對低壓等離子噴涂成形鎢靶材顯微組織及性能的影響
著增加，要求濺射靶材朝高品質(zhì)(高純、高致密、細晶等)、大型化[3]、合金化[3]及回轉(zhuǎn)體化[4]等方向發(fā)展，因而對其制備工藝提出了更高要求。目前，旋轉(zhuǎn)濺射靶材常規(guī)制備方法主要包括粉末冶金及等離子噴涂兩類。粉末冶金(含熱等靜壓)高品質(zhì)鎢及鎢合金靶材的氧質(zhì)量分數(shù)及孔隙率指標可分別控制在0.05%及1%以下[5]，但其制品易受成形模具尺寸及形狀限制，不適用于制備管徑遠小于管長的旋轉(zhuǎn)濺射靶材;等離子噴涂具備高溫、高能、高效等特點，其最大優(yōu)勢在于制品尺寸及形狀不受限
材料工程 2018年10期2018-10-18
- 納米碳粉摻雜對激光燒蝕GAP的推進性能影響
推力器利用激光與靶材的相互作用，通過燒蝕產(chǎn)生的高壓膨脹和物質(zhì)噴射對靶面產(chǎn)生的反作用力，為微推力器提供推進動力。激光燒蝕微推力器作為新型推力器，具有結(jié)構(gòu)簡單、比沖高、最小比特小、壽命長等優(yōu)點，在航天器姿態(tài)調(diào)整和微小衛(wèi)星推進領域具有廣闊的發(fā)展前景[1-2]。目前，激光燒蝕模式可分為透射式和反射式兩種[3-4]。透射式下，激光器與靶材處于基底異側(cè)，激光穿過透明基底與另一側(cè)的靶材作用，燒蝕區(qū)吸收激光能量后由內(nèi)部向靶表面延伸，當燒蝕區(qū)形成的高溫高壓區(qū)足以突破外層靶材
宇航學報 2018年7期2018-08-10
- 半導體芯片行業(yè)用金屬濺射靶材市場分析
片行業(yè)是金屬濺射靶材的主要應用領域之一，也是對靶材的成分、組織和性能要求最高的領域。具體地，半導體芯片的制作過程可分為硅片制造、晶圓制造和芯片封裝等三大環(huán)節(jié)，其中，在晶圓制造和芯片封裝這兩個環(huán)節(jié)中都需要用到金屬濺射靶材[1]。（1）硅片制造：單晶硅片的制造過程，首先是將電子級高純多晶硅通過重熔拉成單晶硅棒，切割成厚度為0.5～1.5mm的薄圓片，常見的晶圓直徑包括：150mm、200mm、300mm和450mm等（分別對應6寸、8寸、12寸以及18寸等規(guī)格
世界有色金屬 2018年10期2018-08-05
- USP強化工藝對金屬材料表面性能影響研究
以一定的速度撞擊靶材，使靶材表面發(fā)生塑性變形，在靶材表面形成凹坑，無數(shù)凹坑重疊形成均勻的殘余壓應力層[2]。大多數(shù)的材料失效（如疲勞斷裂、微動疲勞、磨損和腐蝕）都源自工件的外層，而噴丸強化工藝可以抑制工件表面裂紋萌生及抵抗工件表面已出現(xiàn)的微裂紋延伸，它對提高工件結(jié)構(gòu)承載能力和改善結(jié)構(gòu)總體性能非常有效。由于噴丸強化工藝與受噴靶材表面壓縮殘余應力之間存在緊密聯(lián)系，影響噴丸強化效果的因素也非常多，因此，無論是在理論研究方面，還是實際工程應用方面，噴丸強化工藝都值
現(xiàn)代制造技術(shù)與裝備 2018年5期2018-06-22
- 連續(xù)/脈沖復合激光光束輻照鋁靶材的熱特性研究
遲雙脈沖激光對鋁靶材作用，發(fā)現(xiàn)鋁靶材的燒蝕深度隨脈沖延時出現(xiàn)先增大后減小。Song Chao等［10］開展了共軸雙脈沖誘導等離子體膨脹動力學研究，結(jié)果表明脈沖延時對等離子體沖擊波前向膨脹速度具有顯著影響，并有效延長了等離子體沖擊作用時間。本文基于多物理場耦合Comsol multiphysics5.0軟件對連續(xù)/脈沖復合激光光束輻照鋁靶材的熱特性進行了仿真計算，分析連續(xù)/脈沖復合激光之間的時間延時對鋁靶材溫度演化影響，對達到相同溫度和熔化深度的連續(xù)激光作用
長春理工大學學報（自然科學版） 2018年2期2018-05-26
- 一周行業(yè)
受益政策驅(qū)動，靶材行業(yè)國產(chǎn)替代趨勢明確我國濺射靶材行業(yè)將深度受益于下游半導體與面板行業(yè)產(chǎn)能轉(zhuǎn)移趨勢。分下游應用領域來看，其中，①半導體靶材：未來3年本土晶圓代工產(chǎn)能陸續(xù)投產(chǎn)將大幅提升對靶材的需求，目前國內(nèi)半導體靶材仍為日美主導，本土企業(yè)替代路徑明確；②面板靶材：但目前國內(nèi)面板靶材主要以攀時、世泰科等國外企業(yè)供給為主，本土化率較低，國產(chǎn)替代空間較大；③太陽能電池靶材：目前我國太陽能電池用濺射靶材僅約占全球6.2%，隨著我國薄膜電池生產(chǎn)線的投產(chǎn)，市場有望快速
證券市場紅周刊 2018年26期2018-05-14
- 燒結(jié)溫度對Nb2O5-x靶材性能的影響*
用Nb2O5作為靶材鍍Nb2O5薄膜具有更大的優(yōu)勢.(1)沉積速率高：用Nb2O5-x作靶材能將沉積速率提高近一個數(shù)量級，所得薄膜的折射率幾乎相同.Ohsaki H等[5-6]提出有效沉積速率隨著靶材表面金屬性的增強而提高.Nb2O5-x比Nb2O5具有更強的金屬性，可達到較高的濺射速率，同時又克服了用Nb靶材時不穩(wěn)定的問題.例如 Tachibana Y[7]用Ar預轟擊TiO2靶材，使其表面失去部分氧，呈現(xiàn) TiO2-x狀態(tài)，濺射時可達到較高的濺射速率.
材料研究與應用 2018年1期2018-05-04
- 一種軋制加工鎢鈦合金靶材的制備方法
發(fā)明屬于有色金屬靶材制備技術(shù)領域,具體涉及一種軋制加工鎢鈦合金靶材的制備方法.該方法以W粉與TiH2粉末為原料,依次經(jīng)混合、壓坯、預燒、燒結(jié)、包套、軋制和熱處理步驟,最終得到所述鎢鈦合金靶材.本發(fā)明采用將W粉與TiH2粉末混合后壓制成型,壓坯經(jīng)過預燒還原和高溫真空燒結(jié),坯料帶包套進行軋制的工藝;壓坯經(jīng)過預燒還原,可有效降低坯料中的雜質(zhì)含量和氧含量,再經(jīng)高溫真空燒結(jié),可得到高純度鎢鈦合金坯料;坯料帶包套后可以在大氣氣氛加熱爐內(nèi)進行加熱,避免坯料中Ti元素的加
有色金屬材料與工程 2017年6期2017-11-30
- 石墨靶功率對BCN薄膜質(zhì)量的研究
，通過選擇合適的靶材（碳靶）和通入理想的氣體（甲烷和氮氣）進行實驗，通過XRD衍射，臺階儀以及原子力顯微鏡對薄膜進行表征分析其薄膜的質(zhì)量。【關(guān)鍵詞】磁控濺射；BCN薄膜；靶材0 引言BCN薄膜是很多研究者長期研究的課題，因為其結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)很相似，所以研究者們認為它應該具備金剛石的特點，硬度極高，抗摩擦特性很好，而且具備優(yōu)良的電學光學性能。眾多科研人員首先建立模型，通過模擬其結(jié)構(gòu)進行理論分析，發(fā)現(xiàn)其硬度可以接近金剛石的硬度，其摩擦磨損特性也極其優(yōu)良，所以
科技視界 2017年21期2017-11-21
- 熱壓燒結(jié)靶材制備氧化銦鋅薄膜晶體管
640)熱壓燒結(jié)靶材制備氧化銦鋅薄膜晶體管宋二龍 蘭林鋒＊林振國 孫 圣 宋 威 李育智高沛雄 張 鵬 彭俊彪(華南理工大學，發(fā)光材料與器件國家重點實驗室，廣州 510640)本文研究了熱壓燒結(jié)條件對氧化銦鋅(IZO)靶材和薄膜晶體管(TFT)性能的影響。以80% ∶ 20% (質(zhì)量分數(shù)比) 的ZnO和In2O3的混合粉體為原料通過熱壓燒結(jié)法制備IZO靶材，以制備的靶材通過磁控濺射制備IZO TFT。X射線衍射(XRD)圖譜以及掃描電鏡(SEM)圖像表明I
物理化學學報 2017年10期2017-11-01
- 銅銦鎵硒靶材金屬化層制備方法
利名稱：銅銦鎵硒靶材金屬化層制備方法專利申請?zhí)枺?015102328142公布號：CN106180721A申請日：2015.05.08 公開日：2016.12.07申請人：北京有色金屬研究總院本發(fā)明涉及一種銅銦鎵硒靶材金屬化層制備方法，在制備銅銦鎵硒靶材的同時制備金屬化層，屬于有色金屬加工領域.先將石墨墊板置于熱壓爐模具的下壓頭上，再將金屬片放在石墨墊板上，放入銅銦鎵硒粉料，再放入上壓頭，將模具放于熱壓爐中進行熱壓燒結(jié)，在升溫的同時加壓，進行保溫保壓，然后
有色金屬材料與工程 2017年2期2017-05-31
- 加速ITO靶材國產(chǎn)化完善銦產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展
氧化物（ITO）靶材，用于制備透明導電膜，占全球銦消費量的70%；其他為電子半導體領域，占15%；合金和焊料領域，占10%；薄膜太陽能電池領域，占6%。而ITO靶材在高端顯示透明導電膜的用量占ITO靶材總用量的80%以上，低端顯示的ITO靶材用量占10%，如圖2所示。ITO靶材制備幾乎由日、韓壟斷，一方面我國的銦生產(chǎn)企業(yè)爭相出口銦到日韓，造成金屬銦的買方市場。據(jù)安泰科的統(tǒng)計，2015年我國共出口89.89t，2016年上半年己累計出口99.025t，我國已
新材料產(chǎn)業(yè) 2017年12期2017-04-23
- 新型顯示產(chǎn)業(yè)的ITO靶材市場探討
des，ITO）靶材技術(shù)得到了快速的發(fā)展，在平面顯示器產(chǎn)業(yè)半導體集成電路制造和信息存儲產(chǎn)業(yè)的等領域中都有廣泛應用，ITO靶材技術(shù)在各種新型電子元器件領域發(fā)揮了極為重要的作用。針對顯示面板這個新興產(chǎn)業(yè)，工業(yè)和信息化部、國家發(fā)展和改革委員會已于2014年提出了“新3年行動計劃”，即支持國內(nèi)顯示面板行業(yè)在市場、技術(shù)和產(chǎn)業(yè)3方面的發(fā)展。顯示面板已成為一個能牽動上游裝備制造和光電材料技術(shù)突破，并且引導下游電子信息產(chǎn)品發(fā)展的龐大行業(yè)。本文在平板顯示產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的背景下
新材料產(chǎn)業(yè) 2017年1期2017-04-23
- 球料比對鎢摻雜磷酸鋰靶材性能的影響
比對鎢摻雜磷酸鋰靶材性能的影響彭 偉，朱佐祥，皮陳炳，蔡雪賢，尚福亮，楊海濤（1.深圳大學 材料學院，廣東 深圳 518060；2.深圳市特種功能材料重點實驗室，廣東 深圳 518060；3.深圳陶瓷制備先進技術(shù)工程實驗室，廣東 深圳 518060）采用常壓燒結(jié)法制備W摻雜Li3PO4陶瓷靶材，通過改變WC磨球與Li3PO4粉末原料質(zhì)量比大小，確定W摻雜Li3PO4陶瓷靶材的最佳制備工藝。通過XRD測定靶材物相結(jié)構(gòu)，SEM觀察靶材的斷面形貌，萬能實驗機測量
中國鎢業(yè) 2016年2期2016-12-01
- 聚焦離子束加工單晶金剛石的亞表層損傷研究
FIB加工金剛石靶材，其亞表層損傷截面半徑不超過微米級零部件特征尺寸的2%，損傷深度不超過1%。FIB；亞表層損傷；金剛石；SRIM0 引言近年來，F(xiàn)IB加工技術(shù)被廣泛應用于微納米零部件制造、精密儀器關(guān)鍵元件加工、微刀具制造、材料檢測樣品制備和生物工程領域的研究［1?3］，它可以在納米尺度實現(xiàn)離子刻蝕、離子注入和離子減薄等功能，也能夠?qū)崿F(xiàn)對微小元器件的精細修整和整體加工。與傳統(tǒng)加工工藝相比，F(xiàn)IB具有加工尺度小、加工精度高、加工工藝簡單、加工零件幾何形狀不
燕山大學學報 2015年5期2015-12-12
- 不同燒結(jié)溫度下ITO靶材的金相組織分析
5006)ITO靶材是In2O3和SnO2按一定配比采用陶瓷工藝制成的氧化物陶瓷材料。經(jīng)國內(nèi)外研究結(jié)果發(fā)現(xiàn)，ITO濺射靶材的最佳質(zhì)量配比為In2O3∶SnO2=9∶1，該配比制備的ITO濺射靶材具有比較低的電阻率以及高的透光率的特性，目前應用于太陽能電池、導電玻璃和等離子顯示器等領域，特別在液晶顯示器(LCD)領域，應用非常廣泛。隨著LCD畫面尺寸趨向大型化，高精密化、低電阻特性、高透光率均成為ITO發(fā)展的重點。然而，ITO靶材這些重要特性的關(guān)鍵技術(shù)主要掌
湖南有色金屬 2015年3期2015-03-22
- 常壓燒結(jié)法制備ZnO陶瓷靶材
n靶或ZnO陶瓷靶材制備。但采用陶瓷靶材制備薄膜更容易控制薄化學計量比，且無需后續(xù)熱處理，因此，ZnO陶瓷靶材逐漸成為研究的熱門材料[3]。ZnO陶瓷靶材的傳統(tǒng)成型技術(shù)主要有干壓成型和等靜壓成型。干壓成型徑向和軸向壓力分布不均勻，所得生坯常出現(xiàn)分層和裂紋等缺陷，導致坯體強度低和坯體密度不均勻。此外，干壓成型對模具要求較高，不適用形狀復雜坯體的成型。而等靜壓成型雖克服了干壓成型只能徑向加壓的缺點，所得坯體的密度及均勻性都有所提高，但其成型過程中仍存在導致產(chǎn)品
中國有色金屬學報 2015年6期2015-03-18
- 不同MgO摻雜比對MgxZn1-xO靶材性能的影響
gxZn1-xO靶材性能的影響高慶慶1，張忠健2，皮陳炳1，蔡雪賢1，尚福亮1，朱德亮1，楊海濤11)深圳大學材料學院，深圳市特種功能材料重點實驗室，深圳陶瓷制備先進技術(shù)工程實驗室，深圳 518060； 2)株洲硬質(zhì)合金集團有限公司，硬質(zhì)合金國家重點實驗室，湖南株洲412000用傳統(tǒng)常壓固相燒結(jié)法，制備摻雜氧化鎂的氧化鋅陶瓷靶材，研究不同MgO含量及燒結(jié)溫度對MgxZn1-xO陶瓷靶材的微觀結(jié)構(gòu)、力學性能、致密度和導電性能的影響.通過X射線衍射儀(X-ra
深圳大學學報（理工版） 2015年1期2015-03-06
- 燒結(jié)工藝對ITO靶材致密度與電阻率的影響
燒結(jié)工藝對ITO靶材致密度與電阻率的影響張明杰，陳敬超，彭 平，于 杰(1. 昆明理工大學稀貴及有色金屬先進材料教育部重點實驗室；云南省新材料制備與加工重點實驗室，昆明 650093)以等離子電弧法制備的銦?錫氧化物(indium-tin oxide, ITO)納米粉末為原料，采用冷等靜壓?燒結(jié)工藝制備ITO靶材, 用排水法和渦流導電儀分別對ITO靶材的致密度和電阻率進行測量，研究燒結(jié)溫度、升溫速率、燒結(jié)時間以及氣氛壓力對靶材致密度和電阻率的影響。結(jié)果表明
粉末冶金材料科學與工程 2015年4期2015-03-04
- 霍尼韋爾推出新型半導體銅錳濺射靶材
型半導體銅錳濺射靶材霍尼韋爾宣布推出新型銅錳濺射靶材，其采用的專利技術(shù)能為半導體生產(chǎn)商帶來更高的靶材硬度、更長的使用壽命以及更卓越的性能表現(xiàn)。新型靶材采用霍尼韋爾等徑角塑型(ECAE)專利技術(shù)，它是霍尼韋爾最初為鋁和鋁合金靶所研發(fā)的先進生產(chǎn)工藝。采用ECAE工藝生產(chǎn)的靶材擁有超細晶粒尺寸，確保高度均勻的材料結(jié)構(gòu)，更高的材質(zhì)硬度，更少的雜質(zhì)顆粒。普通標準靶材的晶粒尺寸一般在50至80微米之間，而新型ECAE銅錳合金靶則屬于亞微米尺寸。采用ECAE技術(shù)生產(chǎn)的超
電子設計工程 2014年7期2014-03-25
- 熱處理溫度對鉬靶材微觀組織和性能的影響
響［4-5］。而靶材作為磁控濺射系統(tǒng)中的陰極，為制備沉積薄膜提供物質(zhì)來源，其組織結(jié)構(gòu)和性能的差異對薄膜的組織結(jié)構(gòu)和性能也應該具有密切聯(lián)系。電子顯示器行業(yè)對靶材的技術(shù)要求主要包括化學純度、致密度、晶粒尺寸及尺寸分布、晶粒取向及取向分布等指標。近來的研究表明，靶材的晶粒尺寸越細小，濺射速率越高;靶材的晶粒尺寸分布越均勻，越容易獲得厚度均勻的濺射薄膜［6-8］。由于鉬是一種高熔點(2 620 ℃)金屬，粉末冶金法是制備鉬靶材的主要方法，其流程主要包括制粉、壓制、
中國鉬業(yè) 2014年5期2014-03-10
- AZO超高致密度化工藝研究
體到超高致密度的靶材的過程。靶材的性能包括致密度、晶粒大小及均勻性、氣孔大小及分布、電阻率等,這些性能都與靶材的燒結(jié)致密化過程密切相關(guān)。本文探討空氣環(huán)境下，AZO靶材的超高致密化工藝。1 實驗部分1.1 儀器和試劑主要儀器有：行星快速研磨機(XM-4型,湘潭湘儀儀器有限公司),電動振篩機(8411型，湘潭湘儀儀器有限公司)，箱式高溫燒結(jié)爐(KSL-1800X型，合肥科晶材料技術(shù)有限公司)，單柱液壓機(合肥合德鍛壓機床有限公司)。主要藥品有：氧化鋁(分析純，
中國陶瓷工業(yè) 2013年2期2013-11-22
- ITO靶材的毒化機理研究現(xiàn)狀
3000)ITO靶材的毒化機理研究現(xiàn)狀姜 鶴1,2,王東新2,王燕昌1,孫本雙2,鐘景明2(1.寧夏大學物理電氣信息學院,寧夏銀川 750021;2.西北稀有金屬材料研究院,寧夏石嘴山 753000)為了更好的了解ITO靶材的毒化機理,分別介紹了磁控濺射技術(shù)制備薄膜的基本原理,綜述了ITO靶材在濺射過程中的毒化機理研究的現(xiàn)狀,分析了影響ITO靶材毒化現(xiàn)象可能的原因,詳細介紹了現(xiàn)階段3種解決ITO靶材毒化現(xiàn)象的方法:不同工藝制備ITO靶材的影響、最佳Sn摻雜
湖南有色金屬 2012年1期2012-09-23
- 鈦鋁合金濺射鍍膜靶材的研究進展
鈦鋁合金濺射鍍膜靶材的研究進展陳 希,黃 蓉,鄔 曄(湖南稀土金屬材料研究院,湖南長沙 410126)綜述了鈦鋁合金靶材的制備技術(shù)及存在的問題。熱等靜壓燒結(jié)法,成本較高,不適合廣泛推廣。熱壓燒結(jié)法工藝效率高,制備的靶材致密度好,成本較低,適合產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。鈦鋁合金;濺射靶材;制備方法隨著人們環(huán)保意識的增強,材料的表面鍍膜技術(shù)由傳統(tǒng)的電鍍及化學鍍技術(shù)逐漸過渡到真空濺射鍍膜技術(shù)。真空磁控濺射鍍膜技術(shù)已經(jīng)在五金裝飾鍍層、表面保護鍍層、電子產(chǎn)品鍍層、電磁屏蔽鍍膜以及
湖南有色金屬 2012年1期2012-09-23
- 常壓燒結(jié)制備氧化鎢陶瓷靶材的致密化研究
消耗大量的WO3靶材，因此，WO3靶材有著廣闊的市場需求，但是國內(nèi)外卻鮮有對WO3靶材制備的報道。國內(nèi)實驗室制備的WO3靶材，存在致密度不高、成分不純、在較高氧失位的缺點，離工業(yè)應用還有明顯的差距。目前國內(nèi)應用的WO3靶材大多數(shù)為日本進口，成本很高。如上所述，開展WO3靶材制備技術(shù)的研究具有重要的意義。本文主要是研究利用低成本的常壓燒結(jié)工藝，制備高純度和高致密度的WO3靶材，為WO3薄膜的制備及應用奠定基礎。1 實驗稱取適量的WO3粉體(郴州鉆石鎢制品有限
陶瓷學報 2012年1期2012-02-06
- 寧陜合作攻克鉬靶材新技術(shù)
尺寸光伏用高純鉬靶材關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)的鉬靶材樣品化學成分、物理性能、微觀組織等性能均達到國外同類產(chǎn)品水平，純度大于99.95%，相對密度大于99%。高純鉬靶材的研制成功，使寧夏回族自治區(qū)高純鉬靶材科研水平處于國內(nèi)領先地位，打破了國外技術(shù)和產(chǎn)品在國內(nèi)市場的壟斷，為我國鉬材料提純、冶煉加工到超高純鉬濺射靶材制造、平面顯示器和薄膜太陽能產(chǎn)品制造的完整產(chǎn)業(yè)鏈奠定了基礎。
中國鉬業(yè) 2012年2期2012-01-27