掩模
- 結(jié)合光學(xué)掩模調(diào)制的鼠眼像差精確測(cè)量
合理設(shè)置一種光學(xué)掩模結(jié)構(gòu)，直接遮攔視網(wǎng)膜非目標(biāo)層的反射光線(xiàn)，只允許目標(biāo)層的反射光線(xiàn)進(jìn)入波前測(cè)量，以提升鼠眼波前像差的測(cè)量精度。結(jié)合仿真分析結(jié)果可以得到針對(duì)小鼠視網(wǎng)膜的光學(xué)掩模孔徑尺寸參數(shù)。對(duì)在體小鼠視網(wǎng)膜像差的測(cè)量實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，該方法可以實(shí)現(xiàn)波前像差測(cè)量誤差的均方根（RMS）值下降74.9%，與理論仿真結(jié)果相近，說(shuō)明本文所提方法有效提升了鼠眼波前像差的測(cè)量精度。2 原理與方法2.1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與掩模遮攔方案本實(shí)驗(yàn)采用透射式光學(xué)元件的掃描型波前探測(cè)系統(tǒng)，采用SHW
中國(guó)光學(xué) 2023年5期2023-10-07
- 融合掩模和注意機(jī)制的CNN圖像分類(lèi)算法
,提出了一種融合掩模和注意機(jī)制的CNN圖像分類(lèi)算法:使用基于掩模的預(yù)訓(xùn)練方法突出前景目標(biāo)物體和去噪神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)提取的去噪深度特征,降低了圖像背景噪聲和深度特征噪聲的干擾,從而促使網(wǎng)絡(luò)模型總框架更加穩(wěn)定。并使用三種不同注意類(lèi)型的激活函數(shù)進(jìn)行充分實(shí)驗(yàn),進(jìn)一步提升了算法的性能。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:將其算法應(yīng)用于Corel-1000圖像庫(kù)時(shí),分類(lèi)精確度有了較大提升。2 網(wǎng)絡(luò)模型為了更好地讀取圖像內(nèi)容信息和提高圖像分類(lèi)精確度,構(gòu)建了如圖1所示的深度CNN網(wǎng)絡(luò)模型總體框架。該框
計(jì)算機(jī)仿真 2023年4期2023-05-31
- 高階次Caputo 型分?jǐn)?shù)階微分算子及其圖像增強(qiáng)應(yīng)用
法中，分?jǐn)?shù)階微分掩模算子的設(shè)計(jì)顯得尤為重要[22,26-28].然而，由于分?jǐn)?shù)階微積分圖像處理的研究相對(duì)較晚，再加上分?jǐn)?shù)階微積分目前還缺少一個(gè)統(tǒng)一的定義形式，而不同定義形式的分?jǐn)?shù)階微分掩模算子研究進(jìn)展不平衡且表現(xiàn)出一定的差異性，比如目前相對(duì)于G-L 型和R-L 型定義形式，基于Caputo型定義形式的微分掩模算子相對(duì)較少，而G-L 型和RL 型形式的分?jǐn)?shù)階微分盡管對(duì)圖像紋理細(xì)節(jié)具有較好的增強(qiáng)效果，但對(duì)圖像對(duì)比度的提升較少[29].這樣對(duì)適應(yīng)不同定義形式分?jǐn)?shù)
計(jì)算機(jī)研究與發(fā)展 2023年2期2023-03-02
- 改進(jìn)灰狼算法提高數(shù)字光刻圖像質(zhì)量的研究
]原理是通過(guò)改變掩模的結(jié)構(gòu)，比如在原始掩模中添加襯線(xiàn)、散射條等方式提高光刻分辨率，該技術(shù)缺點(diǎn)是優(yōu)化自由度較低，精度不高。數(shù)字光刻技術(shù)[3]利用各類(lèi)算法優(yōu)化光源和掩模的結(jié)構(gòu)（SMO）來(lái)提高光刻成像質(zhì)量。SHEN[4]提出了一種距離水平集正則化的SMO重?cái)M方法，該方法以更簡(jiǎn)單、更有效的數(shù)值實(shí)現(xiàn)保證，提高了計(jì)算效率。DMD具有反射效率高、分辨率高、對(duì)比度高、穩(wěn)定性好，刷新速度快等優(yōu)點(diǎn)[5]。分析DMD的結(jié)構(gòu)可知，數(shù)字掩模是通過(guò)操控DMD每個(gè)微鏡的開(kāi)關(guān)來(lái)生成的。因
長(zhǎng)春理工大學(xué)學(xué)報(bào)（自然科學(xué)版） 2022年6期2022-12-28
- 細(xì)粒度圖像分類(lèi)的通道自適應(yīng)判別性學(xué)習(xí)方法
和零件注釋發(fā)展到掩模Mask-CNN[10]和使用卷積層響應(yīng)的無(wú)監(jiān)督方法MA-CNN[11]、SCDA[12]。此外，Mask-CNN[10]、WS-DAN[13]、TASN[14]通過(guò)增加判別區(qū)域的數(shù)量，以減少由于視角和姿態(tài)變化等問(wèn)題導(dǎo)致的小目標(biāo)對(duì)象的誤判。同時(shí)，一些致力于獲得高級(jí)編碼特征的方法BCNN[15]、CBP[16]、LRBP[17]、HBP[18]也取得了不錯(cuò)的效果。還有，基于補(bǔ)充特征信息的WS-CPM[19]、CIN[20]也被用來(lái)從有限數(shù)
計(jì)算機(jī)與現(xiàn)代化 2022年10期2022-10-18
- 基于分群和幾何約束的器官外部組織快速剝離方法
實(shí)現(xiàn)器官組織三維掩模的快速構(gòu)建，并提取相關(guān)器官組織。此外，本研究還探討了空間約束下分層次組織剝離的方法和技術(shù)。結(jié)果表明使用本研究設(shè)計(jì)的分割工具能在三維可視環(huán)境下進(jìn)行疾病的輔助診斷。1 器官分割和剝離方法1.1 幾何約束的器官組織剝離方法本研究主要采用切割和剝離的方法實(shí)現(xiàn)器官組織內(nèi)部分布呈現(xiàn)。體數(shù)據(jù)器官組織的分割流程如圖1 所示，首先通過(guò)選擇三維幾何原型和繪制平行投影面的二維圖形來(lái)產(chǎn)生組合的幾何掩模；然后在這些更小的數(shù)據(jù)集中，通過(guò)種子填充和其他分類(lèi)方法，將組
中國(guó)醫(yī)學(xué)物理學(xué)雜志 2022年5期2022-05-31
- 結(jié)合自適應(yīng)軟掩模和混合特征的語(yǔ)音增強(qiáng)
噪語(yǔ)音特征和時(shí)頻掩模間的非線(xiàn)性關(guān)系，且對(duì)理想二值掩模(Ideal Binary Mask，IBM)、理想浮值掩模(Ideal Ratio Mask，IRM)、目標(biāo)二值掩蔽等一系列基于時(shí)頻掩蔽的學(xué)習(xí)目標(biāo)進(jìn)行了對(duì)比。分析實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知，當(dāng)選用IRM作為學(xué)習(xí)目標(biāo)進(jìn)行語(yǔ)音增強(qiáng)時(shí)，增強(qiáng)語(yǔ)音的質(zhì)量和可懂度最優(yōu)。但I(xiàn)RM沒(méi)有考慮與語(yǔ)音可懂度密切相關(guān)的相位信息，且在不同信噪比條件下，都根據(jù)語(yǔ)音能量在語(yǔ)音與噪聲能量和中的比重來(lái)確定的，無(wú)法根據(jù)信噪比的不同來(lái)自動(dòng)調(diào)節(jié)，容易造成目
西安電子科技大學(xué)學(xué)報(bào) 2022年2期2022-05-28
- 無(wú)鏡頭相機(jī)結(jié)合神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，能否產(chǎn)生更清晰的圖像？
用于編碼信息的薄掩模（mask簡(jiǎn)稱(chēng)掩模，是光刻工藝不可缺少的部件。掩模上承載有設(shè)計(jì)圖形，光線(xiàn)透過(guò)它，把設(shè)計(jì)圖形透射在光刻膠上），在應(yīng)用場(chǎng)景中，需要數(shù)字計(jì)算來(lái)產(chǎn)生詳細(xì)的圖像。通過(guò)了解光如何與圖像傳感器前面的薄掩模相互作用，算法可以解碼光信息并重建聚焦場(chǎng)景。然而，解碼過(guò)程極其復(fù)雜。除了需要大量時(shí)間之外，生成良好的圖像質(zhì)量還需要完美的機(jī)身物理設(shè)計(jì)。研究人員還開(kāi)發(fā)了一種依賴(lài)于深度學(xué)習(xí)的重建方法，使用卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) （CNN） 的現(xiàn)有深度學(xué)習(xí)方法。CNN 根據(jù)相鄰的“
電腦報(bào) 2022年19期2022-05-25
- 基于上下文門(mén)卷積的盲圖像修復(fù)
法均是基于輸入的掩模對(duì)圖像的退化區(qū)域進(jìn)行修復(fù)?；诖?，提出了由掩模預(yù)測(cè)網(wǎng)絡(luò)和圖像修復(fù)網(wǎng)絡(luò)組成的2階段盲圖像修復(fù)網(wǎng)絡(luò)。整個(gè)修復(fù)過(guò)程無(wú)需輸入掩模，掩模預(yù)測(cè)網(wǎng)絡(luò)可以根據(jù)輸入圖像自動(dòng)檢測(cè)圖像退化區(qū)域并生成掩模，圖像修復(fù)網(wǎng)絡(luò)根據(jù)預(yù)測(cè)掩模對(duì)輸入圖像的缺失部分進(jìn)行修復(fù)。為了更好地利用全局上下文信息，基于上下文門(mén)卷積設(shè)計(jì)了一個(gè)上下文門(mén)殘差塊(CGRB)模塊來(lái)提取特征信息。另外，還提出了空間注意力殘差塊(SARB)對(duì)遠(yuǎn)距離圖像像素的關(guān)系進(jìn)行建模，過(guò)濾了一些無(wú)關(guān)的細(xì)節(jié)信息。在
圖學(xué)學(xué)報(bào) 2022年1期2022-03-21
- 一種改進(jìn)反銳化掩模的自適應(yīng)圖像增強(qiáng)算法
進(jìn)行增強(qiáng)。反銳化掩模（Unsharp masking，UM）是常見(jiàn)的圖像增強(qiáng)方法之一，它可以有效增強(qiáng)圖像的邊緣和細(xì)節(jié)，使圖像的輪廓更清晰，它主要分為線(xiàn)性反銳化掩模（Linear unsharp masking，LUM）和非線(xiàn)性反銳化掩模（Nonlinear unsharp masking，NUM）兩大類(lèi)。1 線(xiàn)性反銳化掩模算法LUM圖像增強(qiáng)算法流程如圖1所示，主要有四個(gè)步驟。首先，對(duì)原始圖像進(jìn)行低通濾波（例如均值濾波），得到一個(gè)鈍化模糊的圖像；其次，用原始
電子世界 2021年19期2021-11-03
- 復(fù)雜城市環(huán)境多模RTK/SINS 緊組合定位性能分析
而GNSS 虛擬掩模技術(shù)使用不同模板對(duì)衛(wèi)星進(jìn)行遮擋，對(duì)實(shí)際環(huán)境的衛(wèi)星觀(guān)測(cè)進(jìn)行仿真，是對(duì)定位性能進(jìn)行評(píng)估的有效手段[13-15]。因此，本文首先以開(kāi)闊環(huán)境GNSS RTK/SINS 緊組合雙向平滑結(jié)果作為參考值，利用虛擬掩模仿真方法模擬城市各類(lèi)典型遮擋環(huán)境及其組合，并通過(guò)加入隨機(jī)粗差等方式，仿真得到城市復(fù)雜環(huán)境下GNSS 觀(guān)測(cè)值的方法，系統(tǒng)分析多星座組合GNSS RTK/SINS 緊組合在復(fù)雜城市環(huán)境下的導(dǎo)航定位性能。1 GNSS RTK/SINS 緊組合算
導(dǎo)航定位學(xué)報(bào) 2021年5期2021-10-13
- 先進(jìn)光刻中的聚焦控制預(yù)算(I)-光路部分
利用光化學(xué)原理將掩模版上的圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。在這個(gè)過(guò)程中，會(huì)涉及到光源、掩模版、投影物鏡、晶圓、光刻膠、等部件或材料。光刻曝光時(shí)，需要將晶圓送至指定的高度范圍內(nèi)，在該高度范圍內(nèi)，晶圓曝光的質(zhì)量是可以保證的，這個(gè)高度范圍稱(chēng)為聚焦深度(Depth Of Focus,DOF)。聚焦深度是衡量光刻工藝窗口質(zhì)量的參數(shù)之一。在制造納米級(jí)集成電路圖形時(shí)，工藝窗口極大地決定了光刻曝光的難易程度。當(dāng)硅片上包含多種特征圖形時(shí)，光刻聚焦深度為所有特征圖形的公共DOF范圍，稱(chēng)為可
中國(guó)光學(xué) 2021年5期2021-10-10
- 無(wú)縫光譜儀用紫外透射閃耀光柵的制作?
刻獲得光刻膠光柵掩模,離子束刻蝕進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移,可直接在基底表面獲得浮雕光柵.基底材料選用熔融石英,其透過(guò)率好、穩(wěn)定性高;全息形成的圖形無(wú)鬼線(xiàn),雜散光低.優(yōu)化計(jì)算表明,閃耀光柵結(jié)構(gòu)可滿(mǎn)足要求,但是其透射衍射效率對(duì)槽形參數(shù)變化較為敏感.2016年,中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)董圣為等[9]通過(guò)全息-離子束刻蝕技術(shù)制作了線(xiàn)密度為360 lines/mm、閃耀角為16.8°和線(xiàn)密度400 lines/mm、閃耀角分別為35°和43°的3種透射閃耀光柵,實(shí)測(cè)衍射效率可達(dá)理論值的
天文學(xué)報(bào) 2021年5期2021-10-09
- 脈沖態(tài)空化射流掩模電解加工試驗(yàn)研究
加工中，常常采用掩模電解進(jìn)行陣列加工微凹坑結(jié)構(gòu)，但掩模電解加工存在電解產(chǎn)物排出困難、金屬陽(yáng)極溶解不充分等問(wèn)題，中外學(xué)者對(duì)此進(jìn)行了大量研究。王陽(yáng)等[9]基于有限元仿真和工藝試驗(yàn)研究，建立了單個(gè)微凹坑掩模電解加工的多物理場(chǎng)模型，總結(jié)了加工電壓、脈沖頻率、掩模孔直徑等對(duì)微凹坑加工的工藝規(guī)律。Wang等[10]通過(guò)仿真分析和加工試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)帶錐形的掩模孔可改善加工區(qū)的流場(chǎng)，從而加速電解液的流動(dòng)，提高電解產(chǎn)物的排出，但錐形的角度過(guò)大容易出現(xiàn)雜散腐蝕。Wu等[11]采用電
科學(xué)技術(shù)與工程 2021年21期2021-08-20
- 動(dòng)態(tài)特征聯(lián)合新掩模優(yōu)化神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)語(yǔ)音增強(qiáng)
CC)和理想比率掩模(Ideal Ratio Mask， IRM)優(yōu)化的算法；特征考慮了聽(tīng)覺(jué)感知，掩模是軟判決，但很難處理清音，整體聽(tīng)感不連續(xù)。文獻(xiàn)[5]提出一種Gammatone域耳蝸表示(Cochleagram)的語(yǔ)音特征。Gammatone是耳蝸濾波標(biāo)準(zhǔn)模型，但不能兼顧語(yǔ)音整體和瞬變信息。文獻(xiàn)[6]提出多分辨率耳蝸表示(Multi-Resolution CochleaGram，MRCG)，其連接4個(gè)不同分辨率的對(duì)數(shù)耳蝸，同時(shí)考慮語(yǔ)音局部和全局信息，但
西安電子科技大學(xué)學(xué)報(bào) 2021年3期2021-07-01
- 動(dòng)態(tài)場(chǎng)景下基于圖像掩模技術(shù)的雙目SLAM 算法?
以實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)計(jì)算。掩模[14]是指用選定的圖像、圖形或物體，對(duì)處理的圖像(全部或局部)進(jìn)行遮擋，來(lái)控制圖像處理的區(qū)域或處理過(guò)程。 用于覆蓋的特定圖像或物體稱(chēng)為掩模。 掩模可以用于提取感興趣區(qū)域、屏蔽某些區(qū)域或結(jié)構(gòu)特征提出等用途。基于上述分析，本文提出動(dòng)態(tài)場(chǎng)景下基于圖像掩模技術(shù)的雙目SLAM 算法，該算法可以保證實(shí)時(shí)性，其硬件成本低，便于攜帶，并方便搭載在其他設(shè)備上。 動(dòng)態(tài)區(qū)域掩模分割算法不受視覺(jué)SLAM 定位結(jié)果影響。1 雙目SLAM 算法流程本文提出的改進(jìn)
傳感技術(shù)學(xué)報(bào) 2021年12期2021-03-13
- 我國(guó)光掩模玻璃基板的發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)
劉志海1 光掩模玻璃基板的定義及種類(lèi)1.1 光學(xué)掩模板的定義及分類(lèi)1.1.1 光學(xué)掩模板的定義光學(xué)掩模板，又稱(chēng)光掩模板、掩模板、掩膜版、光掩膜、光刻掩膜版、光罩等，在薄膜、塑料或玻璃基體材料上制作各種功能圖形并精確定位，以便用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結(jié)構(gòu)，是微電子制造中光刻工藝所使用的圖形母版。光掩模板應(yīng)用十分廣泛，在涉及光刻工藝的領(lǐng)域都需要使用光掩模板，主要用于集成電路（IC）、平板顯示器（FPD）、印刷電路板（PCB）、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）等
玻璃 2021年1期2021-02-06
- 單像素復(fù)振幅成像及實(shí)驗(yàn)分析
像系統(tǒng)主要由光學(xué)掩模與光電探測(cè)器構(gòu)成。物體的光場(chǎng)信息經(jīng)過(guò)光學(xué)掩模調(diào)制，通過(guò)透鏡匯聚于無(wú)分辨率的光電探測(cè)器中，每張掩模對(duì)應(yīng)一個(gè)信號(hào)，光場(chǎng)信息經(jīng)過(guò)一系列信號(hào)調(diào)制后，可根據(jù)每張掩模與其對(duì)應(yīng)信號(hào)的相關(guān)性求解得出。單像素成像系統(tǒng)可用于寬光譜成像，只要改變光電探測(cè)器的光譜范圍，就可以很容易地改變成像的光譜范圍。這一特性對(duì)于通常需要昂貴相機(jī)的光譜范圍內(nèi)的成像非常方便，特別是紅外成像[10?12]和太赫茲成像[13?14]。單像素探測(cè)器的靈敏度高于CCD陣列面，可適用于微
光學(xué)儀器 2020年5期2020-12-08
- U型槽刻蝕工藝對(duì)GaN垂直溝槽型金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管電學(xué)特性的影響*
的射頻功率和刻蝕掩模, 研究了GaN垂直溝槽型MOSFET電學(xué)特性的工藝依賴(lài)性.研究結(jié)果表明, 適當(dāng)降低射頻功率, 在保證側(cè)壁陡直的前提下可以改善溝道電子遷移率,從35.7 cm2/(V·s)提高到48.1 cm2/(V·s), 并提高器件的工作電流.溝道處的界面態(tài)密度可以通過(guò)亞閾值擺幅提取, 射頻功率在 50 W 時(shí)界面態(tài)密度降低到 1.90 × 1012 cm–2·eV–1, 比 135 W 條件下降低了一半.采用 SiO2硬刻蝕掩模代替光刻膠掩模可以
物理學(xué)報(bào) 2020年9期2020-05-16
- 用于飛秒激光制備光纖光柵的相位掩模研制
全息曝光法、相位掩模法、逐點(diǎn)寫(xiě)入法和在線(xiàn)寫(xiě)入法等[5-6]。其中，相位掩模法不依賴(lài)于入射光波長(zhǎng)，只與相位掩模的周期有關(guān)，適合批量生產(chǎn)，同時(shí)又較容易實(shí)現(xiàn)。傳統(tǒng)上，采用紫外準(zhǔn)分子激光器作為光纖光柵的寫(xiě)入光源，但是在紫外寫(xiě)入光纖光柵過(guò)程中，光纖光柵的性能與光纖纖芯材料的光敏性有關(guān)。對(duì)于不含鍺的石英光纖，用紫外激光很難在其上刻寫(xiě)光纖光柵，而且獲得的折射率調(diào)制量很小(10-4或10-3量級(jí))[7]，并且工作溫度高于400 ℃時(shí)極易被擦除[8]。因此，紫外寫(xiě)入的光纖光
光學(xué)精密工程 2020年4期2020-05-10
- 248 nm準(zhǔn)分子激光旋轉(zhuǎn)加工錐形孔試驗(yàn)
加工主要利用圓形掩模選擇性透過(guò)一部分光斑，再通過(guò)后續(xù)的光學(xué)系統(tǒng)投影到需要加工的聚甲基丙烯酸甲酯 （polymethyl methacrylate，PMMA）薄板上，加工過(guò)程中工件靜止不動(dòng)，這種錐形微孔加工方式稱(chēng)為沖孔法[10]。沖孔法有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，但有時(shí)無(wú)法滿(mǎn)足更好的錐度同時(shí)達(dá)到更大的底邊直徑。而旋轉(zhuǎn)打孔的優(yōu)勢(shì)在于，由于掩模不是圓形而是三角形和正方形，在旋轉(zhuǎn)打孔時(shí)兩種形狀的內(nèi)切圓會(huì)獲得更多的能量，同時(shí)旋轉(zhuǎn)形成的外接圓獲得的能量較少，如此會(huì)比同樣大小的圓形
電加工與模具 2020年2期2020-04-29
- 基于雙樹(shù)復(fù)小波的移動(dòng)陰影檢測(cè)和移除
.1 雙樹(shù)復(fù)小波掩模前景區(qū)域檢測(cè)方法，將當(dāng)前幀I和背景參考幀B轉(zhuǎn)分別換到HSV 顏色空間，將轉(zhuǎn)換后的圖像做背景差分計(jì)算并取絕對(duì)值得到差分圖像D，將差分圖像的亮度分量進(jìn)行n級(jí)小波分解，每級(jí)分解將產(chǎn)生1 個(gè)低頻子帶和3 個(gè)高頻子帶，計(jì)算每個(gè)子帶的二值掩模，公式如下：圖1 雙樹(shù)復(fù)小波變換原理其中i∈｛1，2，...，n｝表示分解級(jí)數(shù)，c∈｛LL，LH，HL，HH｝表示每級(jí)分解產(chǎn)生的近似、水平、垂直、對(duì)角四個(gè)子帶。Wic（·）表示第i層小波分解第c個(gè)子帶的小波系數(shù)
網(wǎng)絡(luò)安全技術(shù)與應(yīng)用 2020年4期2020-04-13
- 基于直寫(xiě)技術(shù)的微納掩模制作技術(shù)研究進(jìn)展*
)0 引 言微納掩模制作是進(jìn)行刻蝕、沉積和改性等微納加工工藝之前的主要工藝，是微納米加工過(guò)程中的關(guān)鍵步驟和基礎(chǔ)[1,2]。同時(shí)，隨著產(chǎn)品快速研發(fā)和制造、個(gè)性化產(chǎn)品訂制等需求和要求的迅速增加，能夠高效、柔性、低成本地根據(jù)需求實(shí)現(xiàn)各類(lèi)掩模的快速制作已成為微/納傳感器、微/納電子芯片等研制和生產(chǎn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一[3]。更為重要的是，由于掩模的作用是根據(jù)需要實(shí)現(xiàn)待加工基底的微納工藝的圖案化[4]，所以,掩模的質(zhì)量對(duì)后續(xù)的微納加工工藝有著重要的影響，甚至影響整個(gè)微納器
傳感器與微系統(tǒng) 2019年7期2019-06-25
- 菲涅耳非相干數(shù)字全息大視場(chǎng)研究*
加載在SLM上的掩模,從而調(diào)控成像系統(tǒng)光源的位置,最后獲得幾幅有一定重疊的子圖像,將子圖像拼接成為整幅大視場(chǎng)圖像,實(shí)現(xiàn)了FINCH系統(tǒng)的高分辨率大視場(chǎng)成像.2 FINCH大視場(chǎng)成像原理圖1所示為FINCH系統(tǒng)成像原理示意圖,系統(tǒng)主要由準(zhǔn)直透鏡、SLM以及CCD組成,并采用非相干光照明.由物點(diǎn)發(fā)出的球面波經(jīng)準(zhǔn)直透鏡后傳播至SLM上,SLM上加載雙透鏡模式,如圖2(d)所示掩模,透鏡光軸在SLM幅面的中心,透鏡焦距分別為fd1,fd2,將來(lái)自物點(diǎn)的光波分割成兩
物理學(xué)報(bào) 2019年10期2019-06-04
- 掩模臺(tái)水平向的二維衍射平面光柵測(cè)量模型驗(yàn)證
位置測(cè)量模型，對(duì)掩模臺(tái)的位置進(jìn)行精確定位。圖1 二維衍射平面光柵尺的掩模臺(tái)布局圖Fig.1 Plane layouts of planar grating of reticle stage一般運(yùn)動(dòng)臺(tái)的位置測(cè)量系統(tǒng)是以雙頻激光干涉儀為核心部件，建立運(yùn)動(dòng)臺(tái)的運(yùn)動(dòng)移動(dòng)引起光程變化的關(guān)系模型，測(cè)量運(yùn)動(dòng)臺(tái)的位置。文獻(xiàn)[1]研究分析的激光干涉儀測(cè)量運(yùn)動(dòng)臺(tái)的不確定度可達(dá)25nm，行程為120mm。文獻(xiàn)[2]程吉水等建立運(yùn)動(dòng)臺(tái)的位置測(cè)量模型，控制精度達(dá)到10nm。但是激光
儀器儀表用戶(hù) 2019年6期2019-05-29
- 光刻機(jī)掩模臺(tái)djerk前饋控制算法研究
機(jī)主要由工件臺(tái)、掩模臺(tái)分系統(tǒng)，掩模傳輸分系統(tǒng)、硅片傳輸分系統(tǒng)、照明分系統(tǒng)、曝光分系統(tǒng)等幾大分系統(tǒng)組成[2]，掩模臺(tái)的功能是承載掩模版實(shí)現(xiàn)高速高加速步進(jìn)掃描運(yùn)動(dòng)。因此，掩模臺(tái)系統(tǒng)在控制精度、速度、穩(wěn)定性方面面臨著巨大的挑戰(zhàn)。開(kāi)展高速高精度掩模臺(tái)運(yùn)動(dòng)控制算法的研究具有重要意義和工程實(shí)踐應(yīng)用價(jià)值。國(guó)內(nèi)外許多專(zhuān)家在光刻機(jī)運(yùn)動(dòng)臺(tái)控制算法方面做了大量的研究，現(xiàn)有的控制方法包括前饋控制、魯棒控制等，均可以獲得很好的動(dòng)態(tài)性能[3]，2006年中南大學(xué)鄧習(xí)樹(shù)博士利用直線(xiàn)電機(jī)
儀器儀表用戶(hù) 2019年5期2019-05-05
- ROI編碼技術(shù)在JPEG2000中的應(yīng)用?
2］。2 ROI掩模（mask）的生成實(shí)際中，人眼在觀(guān)察圖像時(shí)，并不是對(duì)所有的內(nèi)容都感興趣，而是往往集中在圖像的某個(gè)區(qū)域［2］。在一些圖像編碼應(yīng)用的特殊場(chǎng)合中，比如醫(yī)學(xué)圖像壓縮，醫(yī)生經(jīng)常只對(duì)圖象中一些特殊區(qū)域（病灶）感興趣，甚至是要求無(wú)損壓縮［3］，而對(duì)其他區(qū)域只要達(dá)到視覺(jué)要求就可以了。這時(shí)我們可以?xún)H對(duì)感興趣區(qū)域進(jìn)行高質(zhì)量直至無(wú)損編碼，對(duì)其他區(qū)域可以進(jìn)行大壓縮比的編碼，這樣即達(dá)到了提高壓縮效率，又滿(mǎn)足處理要求的目的［4］。圖1 JPEG2000壓縮碼流結(jié)構(gòu)
計(jì)算機(jī)與數(shù)字工程 2019年1期2019-03-01
- 《數(shù)字圖像處理數(shù)學(xué)方法》案例教學(xué)探討
間平滑濾波是使用掩模對(duì)圖像進(jìn)行二維卷積操作。用于減少噪聲的平滑濾波掩模系數(shù)一般都為正數(shù)。課前教師將線(xiàn)性空間平滑濾波的原理和掩模操作方式以PPT的方式給學(xué)生預(yù)習(xí)?？紤]到中心點(diǎn)對(duì)其濾波影響的程度和計(jì)算量的問(wèn)題，代碼中掩模給定的是3×3大小的三個(gè)掩模。學(xué)生預(yù)習(xí)要求達(dá)到理解掩模的作用、熟悉二維卷積運(yùn)算過(guò)程及思考圖像矩陣邊界怎么處理。2.1.2 掩模操作的過(guò)程創(chuàng)建掩膜，并將掩模中心與某像素重合，此時(shí)將掩模系數(shù)與模板下對(duì)應(yīng)像素相乘結(jié)果相加，此時(shí)就得到該像素平滑濾波的結(jié)
浙江水利水電學(xué)院學(xué)報(bào) 2018年6期2019-01-17
- 一種提高掩模條寬（CD）性能方法的研究
胡 超（無(wú)錫中微掩模電子有限公司，江蘇無(wú)錫 214135）1 引言近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的快速發(fā)展，器件尺寸不斷縮小，器件集成度越來(lái)越高，根據(jù)摩爾定律，晶體管的數(shù)量每18個(gè)月就要翻一番[1]，這對(duì)光刻技術(shù)提出了更高的要求。而光刻技術(shù)的提高離不開(kāi)掩模，器件尺寸的不斷縮小對(duì)應(yīng)掩模上的芯片圖形關(guān)鍵尺寸首先要縮小。這對(duì)掩模條寬要求越來(lái)越嚴(yán)格，對(duì)掩模條寬控制精度的要求也越來(lái)越高，條寬偏差（CD MTT,mean to target）為評(píng)價(jià)掩模的關(guān)鍵指標(biāo)之一。根據(jù)
電子與封裝 2018年9期2018-09-27
- 基于刪除方法構(gòu)造碼長(zhǎng)固定的多速率LDPC碼
二元矩陣Z被稱(chēng)為掩模矩陣，經(jīng)過(guò)掩模操作后得到的矩陣陣列Hmask的零空間即可定義一個(gè)LDPC碼。3 基于刪除方法構(gòu)造MR-LDPC碼按照刪除的過(guò)程，首先構(gòu)造一個(gè)具有系統(tǒng)形式的高碼率LDPC碼，為了在碼長(zhǎng)固定的條件下降低碼率，需要在減少信息位的同時(shí)增加校驗(yàn)位。其中的難點(diǎn)在于：如何在保持已有高碼率LDPC碼校驗(yàn)矩陣結(jié)構(gòu)的前提下，實(shí)現(xiàn)信息位的減少和校驗(yàn)位的增加。針對(duì)以上難點(diǎn)，采用LDPC碼的疊加構(gòu)造來(lái)整體設(shè)計(jì)所有碼的校驗(yàn)矩陣。假設(shè)要構(gòu)造的MR-LDPC碼的碼集合
無(wú)線(xiàn)電通信技術(shù) 2018年5期2018-08-23
- 改進(jìn)高通濾波的圓柱滾子缺陷圖像非線(xiàn)性反銳化掩模
有效增強(qiáng)。反銳化掩模是圖像邊緣增強(qiáng)的常用方法，其通過(guò)加強(qiáng)圖像的高頻成分突出圖像的細(xì)節(jié)和邊緣，并將低頻分量從原始圖像中去除從而實(shí)現(xiàn)圖像增強(qiáng)。傳統(tǒng)的反銳化掩模采用了線(xiàn)性高通濾波器，由于圖像的細(xì)節(jié)和噪聲同時(shí)被增強(qiáng)，即使很小的噪聲，在圖像平坦區(qū)域內(nèi)也會(huì)非常明顯。調(diào)整疊加系數(shù)的反銳化算法[5]、立方反銳化掩模技術(shù)[6]、自適應(yīng)反銳化掩模技術(shù)[7]等方法的處理效果相對(duì)于線(xiàn)性反銳化掩模技術(shù)有所提高，但仍然會(huì)在平滑區(qū)引入人為噪聲。文獻(xiàn)[8-9]在自適應(yīng)反銳化掩模技術(shù)的基礎(chǔ)
軸承 2018年4期2018-07-23
- 一種基于干涉的新型圖像加密算法
種使用雙隨機(jī)相位掩模將原始圖像編碼為平穩(wěn)白噪聲［4］的加密方法。研究者將該方案中提出的隨機(jī)相位編碼（Random Phase Encoding，RPE）方法廣泛地應(yīng)用到光學(xué)圖像加密系統(tǒng)當(dāng)中［5-8］。實(shí)驗(yàn)表明，僅用雙隨機(jī)相位編碼（Double Random Phase Encoding，DRPE）加密的方案在抵抗攻擊方面存在缺陷［9-10］。為了進(jìn)一步提高圖像加密系統(tǒng)的安全性，研究人員在DRPE基礎(chǔ)上提出了一系列新的加密方法，如迭代相位檢索方法［11-13
- 淺談基于SLM的非相干全息系統(tǒng)掩模設(shè)計(jì)及成像處理
：空間光調(diào)制器，掩模，成像，圖像處理一、背景1.研究目的及應(yīng)用基于空間光調(diào)制器（Spatial Light Modulator，SLM）的菲涅爾非相干相關(guān)數(shù)字全息系統(tǒng)，無(wú)需對(duì)物體在空間或時(shí)間上進(jìn)行掃描，可以快速獲取真實(shí)三維物體的全息圖，在熒光生物樣品顯微成像、彩色全息顯示、以及自適應(yīng)光學(xué)等領(lǐng)域展示了極大應(yīng)用潛力。通過(guò)本項(xiàng)目的研究，為SLM更廣泛的應(yīng)用提供實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。2.創(chuàng)新點(diǎn)利用SLM良好的相位調(diào)制特性，不需要更換硬件設(shè)施，只用合適的實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的照明圖像或?yàn)V波
科學(xué)與財(cái)富 2017年27期2017-10-17
- 基于RFID的數(shù)字化掩模制造
，胡超（無(wú)錫中微掩模電子有限公司，江蘇無(wú)錫214135）基于RFID的數(shù)字化掩模制造張鵬，丁晗，沈天翊，胡超（無(wú)錫中微掩模電子有限公司，江蘇無(wú)錫214135）介紹了中微掩模智能化生產(chǎn)系統(tǒng)，提出了利用RFID技術(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)掩模版制造流程的智能化管理。利用智能化生產(chǎn)系統(tǒng)提高了和客戶(hù)之間的交互性，利用智能貨柜系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了掩模版私有云制造。依托現(xiàn)有智能生產(chǎn)管理系統(tǒng)，提出了集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈智能制造的概念。掩模數(shù)字化生產(chǎn)；全生命周期管理1 引言掩模制造在集成電路設(shè)計(jì)制造產(chǎn)業(yè)
電子與封裝 2017年8期2017-09-03
- 掩模圖像生成時(shí)閾值取值的合理性探討
810016)掩模圖像生成時(shí)閾值取值的合理性探討韓麗蓉1,2(1.青海大學(xué)地質(zhì)系，西寧 810016； 2.青藏高原北緣新生代資源環(huán)境重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，西寧 810016)閾值取值是否合理對(duì)生成符合某種條件的二值及多值掩模圖像是否正確至關(guān)重要，而這項(xiàng)技術(shù)是去除干擾信息及提取有用信息的關(guān)鍵步驟?；诓煌拈撝担接懭绾闻袛嘣谏蓡我桓蓴_因素的二值掩模圖像時(shí)閾值是否合理的方法； 并以青海省天峻地區(qū)TM數(shù)據(jù)為例，利用閾值合理的多值掩模圖像得到無(wú)干擾信息的遙感圖像，進(jìn)
自然資源遙感 2017年2期2017-04-27
- 注塑模具型腔表面陣列微結(jié)構(gòu)的蝕刻技術(shù)
設(shè)計(jì)了一種簡(jiǎn)單的掩模，并通過(guò)控制蝕刻液的噴淋壓力進(jìn)行了平滑陣列微結(jié)構(gòu)研究。研究發(fā)現(xiàn)，蝕刻液噴淋壓力對(duì)微結(jié)構(gòu)的加工形貌有顯著影響，蝕刻深度和側(cè)蝕量隨蝕刻液噴淋壓力增大而增大。研究整合了多次加工和控制噴淋壓力的工藝，得到了理想的無(wú)棱邊棱角、結(jié)構(gòu)均勻的深度漸變型陣列微凸結(jié)構(gòu)。最終在注塑模具表面上加工出寬度為200 μm、深度約60 μm的無(wú)棱邊棱角、過(guò)渡平滑的陣列微結(jié)構(gòu)?；瘜W(xué)蝕刻；表面微陣列結(jié)構(gòu)；蝕刻深度；側(cè)蝕量；二次加工etching0 引言表面陣列微結(jié)構(gòu)[1
中國(guó)機(jī)械工程 2016年17期2016-10-10
- 基于CIELAB顏色模型的數(shù)字照片背景色替換
，然后計(jì)算灰度值掩模，之后與純白色進(jìn)行混合得到替換結(jié)果。最后進(jìn)行縮放、填補(bǔ)、裁切，從而完成整個(gè)處理過(guò)程。實(shí)驗(yàn)表明，該方法具有很高的實(shí)用性,并且實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單。現(xiàn)階段該方法僅使用了像素點(diǎn)的顏色信息，今后將改進(jìn)加入像素點(diǎn)的空間位置信息，以提高處理成功率。關(guān)鍵詞照片背景色替換k-means算法灰度值掩模CIELAB顏色空間0引言紙質(zhì)申請(qǐng)表的右上方固定矩形區(qū)域內(nèi)粘貼有彩色照片，經(jīng)掃描儀掃描得到整張申請(qǐng)表的數(shù)字圖片。利用數(shù)字圖像處理技術(shù)對(duì)掃描得到的申請(qǐng)表數(shù)字圖片進(jìn)行處理，
計(jì)算機(jī)應(yīng)用與軟件 2016年7期2016-08-05
- 接近式光刻中基于條紋相位解析的掩模硅片面內(nèi)傾斜校正研究*
于條紋相位解析的掩模硅片面內(nèi)傾斜校正研究*佟軍民①②徐 鋒③胡 松②(①許昌職業(yè)技術(shù)學(xué)院，河南 許昌461000；②中國(guó)科學(xué)院光電技術(shù)研究所，四川 成都 610209；③西南科技大學(xué)信息工程學(xué)院，四川 綿陽(yáng) 621010)針對(duì)接近式光刻中掩模硅片面內(nèi)傾斜提出一種條紋相位解析方法。該方法通過(guò)2D傅里葉變換結(jié)合2D漢寧窗對(duì)于掩模硅片在面內(nèi)發(fā)生的傾斜而形成的傾斜條紋進(jìn)行處理，獲得掩模硅片在面內(nèi)的傾斜角度，進(jìn)而進(jìn)行傾斜校正。數(shù)值模擬與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了該方法的可行性與有效
制造技術(shù)與機(jī)床 2016年9期2016-03-21
- 應(yīng)用材料公司的創(chuàng)新硬掩模材料技術(shù)解決銅互連圖形生成的挑戰(zhàn)
統(tǒng)，采用突破性硬掩模技術(shù)，可支持10 nm 及更小的銅互連圖形生成。芯片尺寸的不斷縮小需要更先進(jìn)的硬掩模技術(shù)，從而保證緊湊、微型互連結(jié)構(gòu)的完整性。隨著這一全新技術(shù)的推出，應(yīng)用材料公司成功延續(xù)氮化鈦（TiN*，半導(dǎo)體行業(yè)的首選硬掩膜材料）金屬硬掩模，滿(mǎn)足未來(lái)先進(jìn)微芯片銅互連圖形生成的需求。應(yīng)用材料公司金屬沉積產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁兼總經(jīng)理Sundar Ramamurthy 博士表示：“解決先進(jìn)互連圖形生成的挑戰(zhàn)是金屬硬掩模精密工程領(lǐng)域的關(guān)鍵。應(yīng)用材料公司過(guò)去數(shù)十年
電子工業(yè)專(zhuān)用設(shè)備 2015年6期2015-07-04
- 硅中階梯光柵的濕法刻蝕技術(shù)
工藝過(guò)程中光刻膠掩模制備、氧化層掩膜制備以及單晶硅濕法刻蝕等環(huán)節(jié)進(jìn)行研究，介紹了一種新型中階梯光柵的制作方法。1 基片準(zhǔn)備基于光譜儀對(duì)光柵參數(shù)要求（光柵閃耀角θ＝63.4°），向 硅 片 提 供 商 訂 購(gòu) 了 電 阻 率≥2 000Ω·cm，直 徑 等 于76.4mm，厚 度 等 于1mm的單晶硅基底，其中相對(duì)于（100）晶面的切偏角精度為8.6°±0.2°，粗糙度小于1nm。通過(guò)原子力顯微鏡對(duì)硅片80μm×63.7μm范圍內(nèi)表面粗糙度進(jìn)行測(cè)量可知：在所
- 基于接近式光刻機(jī)的掩模移動(dòng)曝光對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)*＊
610209)掩模移動(dòng)曝光技術(shù)既可以制作柱狀陣列微光學(xué)元件，也可以制作旋轉(zhuǎn)陣列微光學(xué)元件［1-3］，在平行均勻曝光光線(xiàn)的作用下，如果具有周期圖形開(kāi)口函數(shù)的掩模版相對(duì)于涂有光刻膠的基片沿一個(gè)方向勻速移動(dòng)，那么曝光顯影后，光刻膠上將得到柱狀陣列微光學(xué)元件。如果掩模版先沿一個(gè)方向移動(dòng)曝光，然后將掩模版準(zhǔn)確旋轉(zhuǎn)90°后再沿與之垂直的另一方向移動(dòng)曝光，顯影后將得到旋轉(zhuǎn)陣列微光學(xué)元件。為了實(shí)現(xiàn)曝光顯影后精確的三維圖形光學(xué)元件，需要掩模版相對(duì)于基片的對(duì)準(zhǔn)誤差足夠小。掩
制造技術(shù)與機(jī)床 2015年8期2015-04-23
- ICP 深硅刻蝕工藝掩模的研究*
，分別討論了金屬掩模材料和光刻膠掩模材料對(duì)深硅刻蝕表面形貌、刻蝕選擇比和刻蝕速率的影響。1 ICP 刻蝕原理硅刻蝕是體加工中重要的一步，在硅表面光刻圖形后，通過(guò)刻蝕工藝將圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠下邊的層上。通常硅刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕，ICP 屬于干法刻蝕，其刻蝕系統(tǒng)如圖1 所示。圖1 ICP 刻蝕系統(tǒng)示意圖Fig 1 Diagram of ICP etching system硅的干法刻蝕一般有幾種方式，因?yàn)镾iF4，SiCl4，SiBr4都是易氣化的物質(zhì)，所
傳感器與微系統(tǒng) 2015年8期2015-03-30
- 基于雙掩模圖像差影的工業(yè)產(chǎn)品表面缺陷檢測(cè)*
形態(tài)學(xué)處理后得到掩模圖像，再與有輪廓偽影圖像的差分圖像進(jìn)行比對(duì)，除去輪廓偽影。但單掩模方法只能檢測(cè)紋理增加型缺陷，而無(wú)法檢測(cè)紋理減少型缺陷。為此，本文提出一種基于雙掩模的圖像差影缺陷檢測(cè)方法，能有效消除輪廓偽影，檢測(cè)多種類(lèi)型缺陷，而且執(zhí)行簡(jiǎn)單，滿(mǎn)足在線(xiàn)檢測(cè)的實(shí)時(shí)性要求。1 單掩模差影法及其分析1.1 差影法產(chǎn)品表面缺陷表現(xiàn)在圖像上，即為待檢測(cè)圖像缺陷處的灰度值與標(biāo)準(zhǔn)圖的差異，將待檢測(cè)圖像的灰度值同標(biāo)準(zhǔn)圖像進(jìn)行差分(像素值相減)，判斷其差值(2 幅圖灰度值的
傳感器與微系統(tǒng) 2015年5期2015-03-27
- PCB內(nèi)埋入空氣腔體制作工藝研究
空氣腔體；流膠；掩模材料1 背景21世紀(jì)進(jìn)入了高度信息化的社會(huì)，IT產(chǎn)業(yè)成為了21世紀(jì)中具有典型代表性的產(chǎn)業(yè),發(fā)展IT 產(chǎn)業(yè)的重要技術(shù)基礎(chǔ)是高速、高頻、大容量的信號(hào)傳輸，電子產(chǎn)品與通信產(chǎn)品在高速化方面的迅速發(fā)展是顯而易見(jiàn)的。在發(fā)展高速化PCB產(chǎn)業(yè)中，從它的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，到選擇基板材料、產(chǎn)品制作、產(chǎn)品檢驗(yàn)處處都包含著新技術(shù)、新水平，它的應(yīng)用領(lǐng)域也提升到一個(gè)新的高檔次。因此，可以認(rèn)為高速化PCB產(chǎn)業(yè)，是帶有高附加值的、具有“知識(shí)經(jīng)濟(jì)”產(chǎn)業(yè)。發(fā)展高速化PCB產(chǎn)品，將
印制電路信息 2015年3期2015-02-05
- Pyrex 7740玻璃深刻蝕掩模研究
普遍研究和應(yīng)用。掩模與刻蝕劑的選擇是玻璃濕法腐蝕的關(guān)鍵，采用不同的刻蝕劑配比和掩模材料對(duì)刻蝕效果均有一定影響［5］。玻璃濕法腐蝕普遍采用含有HF的溶液，因而，掩模保護(hù)層很容易出現(xiàn)塌陷、鉆蝕甚至是脫落。常用的抗腐蝕掩模有光刻膠、硅材料、Cr/Au金屬層等，但這些掩模多少都存在一些問(wèn)題:1）光刻膠，其對(duì)于飽和氫氟酸的抗蝕能力很弱。林雁飛等人采用光刻膠做掩模，最大刻蝕深度僅2 μm［6］。目前報(bào)道過(guò)的最佳刻蝕深度不超過(guò)33 μm，而增加粘附力所需優(yōu)化的工藝非常復(fù)
傳感器與微系統(tǒng) 2014年6期2014-12-31
- 用于光刻系統(tǒng)仿真的多邊形處理算法*
產(chǎn)生嚴(yán)重下降，與掩模圖形存在較大誤差，比如出現(xiàn)拐角圓化、線(xiàn)端縮短等現(xiàn)象，將其稱(chēng)為光學(xué)鄰近效應(yīng)(optical proximity effect,OPE)。最終導(dǎo)致的后果是使芯片性能得不到保證，并影響產(chǎn)品的成品率。為此，業(yè)內(nèi)提出了若干改進(jìn)分辨率的方法，即所謂的分辨率增強(qiáng)技術(shù)[1](resolution enhancement technique,RET)，比如應(yīng)用掩模補(bǔ)償技術(shù)，其中一種為相移掩模[2,3](phase-shift mask,PSM)，即在原有
傳感器與微系統(tǒng) 2014年9期2014-09-25
- 面曝光快速成形系統(tǒng)中掩模圖形的生成方法
光快速成形系統(tǒng)中掩模圖形的生成方法王亞寧，胥光申，巨孔亮，羅生(西安工程大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院，陜西西安710048)針對(duì)STL模型生成掩模圖形的問(wèn)題，從現(xiàn)有的STL模型切層軟件中獲取輪廓數(shù)據(jù)，使用VC++6.0實(shí)現(xiàn)輪廓環(huán)內(nèi)外輪廓屬性的判斷、輪廓環(huán)填充次序的確定和輪廓環(huán)的填充，得到適用于面曝光快速成形系統(tǒng)的掩模圖形.驗(yàn)證結(jié)果表明，該掩模生成方法可對(duì)多層嵌套的輪廓環(huán)進(jìn)行合理填充，生成正確的掩模圖形.面曝光;掩模圖形;快速成形;輪廓環(huán)填充0 引言面曝光快速成形技術(shù)是
西安工程大學(xué)學(xué)報(bào) 2014年1期2014-06-23
- 三角形網(wǎng)格規(guī)則點(diǎn)的多進(jìn)制細(xì)分算法
制細(xì)分在規(guī)則點(diǎn)的掩模表達(dá)式,但未給出嚴(yán)格證明.圖1為初始網(wǎng)格與應(yīng)用三進(jìn)制Loop細(xì)分算法2次的結(jié)果及在規(guī)則點(diǎn)的三進(jìn)制細(xì)分掩模.上述方法均未給出規(guī)則點(diǎn)的多進(jìn)制細(xì)分掩模的顯式表達(dá)式,也未嚴(yán)格說(shuō)明掩模用到點(diǎn)的范圍.事實(shí)上,二進(jìn)制細(xì)分算法存在局限性,如當(dāng)初始網(wǎng)格確定后,對(duì)每次細(xì)分生成的點(diǎn)不能進(jìn)行人為控制,經(jīng)常會(huì)遇到前一步細(xì)分生成的點(diǎn)數(shù)不滿(mǎn)足實(shí)際需求,而再細(xì)分一次生成的點(diǎn)有大量冗余的情況.不僅需要大量的內(nèi)存和硬盤(pán)空間,增加了計(jì)算量,提高了對(duì)運(yùn)算和顯示設(shè)備的性能要求,
吉林大學(xué)學(xué)報(bào)（理學(xué)版） 2013年5期2013-12-03
- 基于小波變換的反銳化掩模圖像增強(qiáng)研究
使用圖像.反銳化掩模技術(shù)［1］是應(yīng)用于攝影技術(shù)中的一種方法，通過(guò)此方法可以有效地增強(qiáng)圖像的邊緣和細(xì)節(jié)信息.其在光學(xué)上的操作方法是將聚焦后的正片和散焦后的負(fù)片在底片上進(jìn)行疊加，結(jié)果是增強(qiáng)了正片高頻成分，從而增強(qiáng)了輪廓，散焦的負(fù)片相當(dāng)于“模糊”模板(掩模模型)，它與銳化的作用正好相反，因此，將該方法稱(chēng)為反銳化掩模法，是在攝影技術(shù)中最常用的邊緣細(xì)節(jié)增強(qiáng)方法之一.小波變換［2］是近年來(lái)新出現(xiàn)的時(shí)頻分析工具，由于它具有多分辨率分析能力和時(shí)頻局部化的能力，故在圖像處理
渭南師范學(xué)院學(xué)報(bào) 2013年6期2013-06-25
- 一種先進(jìn)運(yùn)動(dòng)估計(jì)算法的硬件實(shí)現(xiàn)
1所示。RW支持掩模：即在有掩模的區(qū)域不作運(yùn)算。在最大的模式（64×64 →128×128）下，運(yùn)算時(shí)間不超過(guò)5ms（工作頻率為33MHz）。輸出全部的運(yùn)算結(jié)果及其最小的三個(gè)值和相應(yīng)的坐標(biāo)。設(shè)計(jì)定義如下：PW：Peak Window（頂點(diǎn)窗，頂點(diǎn)區(qū)域）；RW：Reference Window（參考窗）；SW：Search Window（搜索窗）；PE：Processor Element（處理單元）。SW及RW中坐標(biāo)的定義如圖1。表1 工作模式圖1 RW和S
電子與封裝 2012年6期2012-09-19
- 掩模傳輸交換版機(jī)械手的設(shè)計(jì)分析
201203)掩模傳輸模塊是光刻設(shè)備關(guān)鍵組件之一，其性能和功能指標(biāo)直接影響光刻機(jī)的效率和產(chǎn)能以及產(chǎn)品的質(zhì)量，因此提高掩模傳輸效能和可靠性對(duì)光刻機(jī)的整體性能指標(biāo)非常關(guān)鍵。而掩模傳輸交換版機(jī)械手的結(jié)構(gòu)形狀則決定掩模版?zhèn)鬏數(shù)男屎途龋矝Q定掩模臺(tái)吸版面的結(jié)構(gòu)形狀和同軸對(duì)準(zhǔn)的時(shí)間，所以掩模傳輸交換版機(jī)械手運(yùn)動(dòng)性能和空間結(jié)構(gòu)的組成對(duì)掩模傳輸甚至整個(gè)光刻機(jī)來(lái)說(shuō)，就顯得尤為重要。本文主要從掩模傳輸交換版機(jī)械手的需求、性能、結(jié)構(gòu)和可靠性及可維修性等方面做一些探討。1
電子工業(yè)專(zhuān)用設(shè)備 2012年12期2012-09-16
- 相移掩模清洗結(jié)晶控制
陳 卓(無(wú)錫中微掩模電子有限公司，無(wú)錫214035)在集成電路設(shè)計(jì)與圓片制造之間起到橋梁的作用掩模按其類(lèi)型可分為二元掩模和相移掩模。二元掩模主要用于低階集成電路生產(chǎn)制作，相移掩模主要用于高階集成電路制作。通常，線(xiàn)寬在0.18 μm 以下的集成電路生產(chǎn)主要采用相移掩模。相移掩模的生產(chǎn)制作流程主要有曝光—顯影—金屬Cr 刻蝕—量測(cè)—去膠—相移層蝕刻—量測(cè)—涂膠—二次曝光—檢驗(yàn)—修補(bǔ)—清洗—貼膜等。在相移掩模實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，掩模制作完成之后會(huì)因?yàn)榉N種原因出現(xiàn)結(jié)晶
電子工業(yè)專(zhuān)用設(shè)備 2012年5期2012-07-04
- 孤立接觸孔掩模顯影工藝優(yōu)化
陳 卓(無(wú)錫中微掩模電子有限公司，無(wú)錫214035)掩模（Mask），又稱(chēng)光刻板，是大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)最重要的元件之一。在掩模的生產(chǎn)制作過(guò)程中，主要有曝光—顯影—量測(cè)—刻蝕—量測(cè)—去膠—量測(cè)—檢驗(yàn)—修補(bǔ)—清洗—貼膜等工序。其中，顯影、刻蝕和去膠后的量測(cè)是為了監(jiān)測(cè)掩模圖案指定區(qū)域的線(xiàn)條寬度（CD）值與設(shè)計(jì)值之間的差別，從而達(dá)到實(shí)時(shí)監(jiān)控掩模的制造工藝，保證掩模生產(chǎn)質(zhì)量。在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，掩模孤立區(qū)域的接觸孔經(jīng)過(guò)顯影之后量測(cè)值（ADI）往往會(huì)比設(shè)計(jì)值偏大。針
電子工業(yè)專(zhuān)用設(shè)備 2012年5期2012-07-04
- 半監(jiān)督系數(shù)選擇法的人臉識(shí)別
系數(shù);3)通過(guò)預(yù)掩模選擇圖像的DCT系數(shù)，選取中頻有效信息;4)根據(jù)有標(biāo)記的訓(xùn)練樣本種子集，計(jì)算初始聚類(lèi)中心，采用半監(jiān)督約束聚類(lèi)對(duì)圖像進(jìn)行聚類(lèi);5)根據(jù)獲得的分類(lèi)，計(jì)算判別系數(shù)，得到判別系數(shù)(DC)陣;6)對(duì)DC陣的列向量按照降序排列，分別選取前n(n為想要的特征數(shù))個(gè)最大值，并標(biāo)記它們相應(yīng)的位置;7)選取每個(gè)列向量前n個(gè)最大值對(duì)應(yīng)的DCT系數(shù)，得到n×P的最優(yōu)DCT系數(shù)陣，其中n?K;8)對(duì)測(cè)試集用分類(lèi)器計(jì)算識(shí)別率，文中采用的是最小歐式測(cè)度分類(lèi)器.2 離
哈爾濱工程大學(xué)學(xué)報(bào) 2012年7期2012-03-23
- 基于光束掃描寬化技術(shù)的激光掩模微加工系統(tǒng)
掃描法、點(diǎn)陣法和掩模投影法［5-6］。掃描法從最初的機(jī)械掃描發(fā)展到后來(lái)的轉(zhuǎn)鏡掃描和目前的振鏡掃描，它一直是最有效和應(yīng)用最廣的激光打標(biāo)技術(shù);點(diǎn)陣法具有控制靈活的特點(diǎn)，特別適合于生產(chǎn)線(xiàn)上的產(chǎn)品在線(xiàn)打標(biāo);而掩模投影法可利用激光一次性打出整個(gè)標(biāo)記圖案，打標(biāo)速度快，適合于批量產(chǎn)品的打標(biāo)，但此種方法的缺點(diǎn)是打標(biāo)靈活性差，能量利用率低，對(duì)激光器輸出能量和掩模能承受的激光能量要求較高，掩模的制作比較困難。本文介紹了一種基于掃描式激光寬化技術(shù)和掩模聚焦成像原理的掩模投影法微
中國(guó)光學(xué) 2011年6期2011-11-06
- 光刻機(jī)主從滑模同步控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)
中，要求光刻機(jī)的掩模臺(tái)和工件臺(tái)在對(duì)應(yīng)方向的運(yùn)動(dòng)保持同步。同步性能主要從兩個(gè)方面考察，分別是同步偏差的移動(dòng)平均差和移動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)差。當(dāng)同步偏差增加時(shí)，焦深(DOF)和能量裕度(EL)會(huì)顯著下降，將會(huì)嚴(yán)重影響硅片的曝光效果［1－2］。同步控制在機(jī)械傳動(dòng)、機(jī)床加工和機(jī)器人等很多領(lǐng)域已經(jīng)有了深入的研究，目前比較流行的同步控制方法是交叉耦合和主從控制方法。由于掩模臺(tái)的掃描速度是工件臺(tái)的4倍，而質(zhì)量卻是工件臺(tái)的幾分之一，故采用以掩模臺(tái)為從動(dòng)系統(tǒng)、工件臺(tái)為主動(dòng)系統(tǒng)的主從控制結(jié)
電光與控制 2011年11期2011-06-07
- 先進(jìn)相移掩模（PSM）工藝技術(shù)
035）先進(jìn)相移掩模（PSM）工藝技術(shù)彭 力，陳友篷，尤 春，周家萬(wàn)（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第58研究所，江蘇 無(wú)錫 214035）先進(jìn)相移掩模（PSM）制造是極大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中的關(guān)鍵工藝之一，當(dāng)設(shè)計(jì)尺寸（CD）為0.18 μm時(shí)，就必須在掩模關(guān)鍵層采用OPC（光學(xué)鄰近校正）和PSM（相移技術(shù)），一般二元掩模由于圖形邊緣散射會(huì)降低整體的對(duì)比度，無(wú)法得到所需要的圖形。通過(guò)相位移掩模（PSM）技術(shù)可以顯著改善圖形的對(duì)比度，提高圖形分辨率。相移掩模是在一般二元
電子與封裝 2010年9期2010-09-05