全球領(lǐng)先的半導體、平板顯示和太陽能光伏行業(yè)精密材料工程解決方案供應(yīng)商應(yīng)用材料公司，近日推出全新的Applied Endura CirrusTMHTX 物理氣相沉積(PVD)*系統(tǒng)，采用突破性硬掩模技術(shù)，可支持10 nm 及更小的銅互連圖形生成。芯片尺寸的不斷縮小需要更先進的硬掩模技術(shù)，從而保證緊湊、微型互連結(jié)構(gòu)的完整性。隨著這一全新技術(shù)的推出，應(yīng)用材料公司成功延續(xù)氮化鈦（TiN*，半導體行業(yè)的首選硬掩膜材料）金屬硬掩模，滿足未來先進微芯片銅互連圖形生成的需求。

應(yīng)用材料公司金屬沉積產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁兼總經(jīng)理Sundar Ramamurthy 博士表示：“解決先進互連圖形生成的挑戰(zhàn)是金屬硬掩模精密工程領(lǐng)域的關(guān)鍵。應(yīng)用材料公司過去數(shù)十年來始終致力于將PVD技術(shù)應(yīng)用于TiN 膜工程領(lǐng)域，Cirrus HTX TiN 系統(tǒng)的推出是我們的又一大創(chuàng)新力作。結(jié)合我們獨特的VHF * 技術(shù)，這款新產(chǎn)品使客戶能靈活地調(diào)整TiN 硬掩模的壓縮和拉伸應(yīng)力，從而克服系統(tǒng)整合方面的具體挑戰(zhàn)?！?/p>

當今的先進微芯片技術(shù)能夠?qū)?0 000 m 長的銅線裝入100 mm2的狹小空間內(nèi)，將其堆疊成10 層，在層與層之間有多達100 億個通孔或垂直互連。金屬硬掩模的作用是保持這些軟ULK *電介質(zhì)中的銅線和通孔的圖形完整性。然而，隨著芯片尺寸的不斷縮小，傳統(tǒng)TiN 硬掩膜層的壓縮應(yīng)力可能會導致ULK 薄膜中的狹窄銅線圖案變形或倒塌。以Cirrus HTX 沉積的TiN 硬掩模則提供了獨特的應(yīng)力調(diào)節(jié)功能，這一特殊性能加上良好蝕刻選擇性，實現(xiàn)優(yōu)異的的關(guān)鍵尺寸(CD) * 線寬控制及通孔對準，從而提高產(chǎn)品良率。

TiN 硬掩模技術(shù)的突破主要歸功于硅片生產(chǎn)中的精密材料工程，使其制造出高密度、低應(yīng)力的薄膜。在久經(jīng)市場考驗的Endura 平臺上，結(jié)合了兼具膜厚度均勻性和低缺陷率，Cirrus HTX 系統(tǒng)能夠滿足多互聯(lián)層圖形生成的大規(guī)模量產(chǎn)需求帶來的嚴峻挑戰(zhàn)。