發(fā)射極
- “SE+PERC”單晶硅太陽電池發(fā)射極方阻均勻性提升工藝的研究
近年來，選擇性發(fā)射極(SE)技術(shù)與鈍化發(fā)射極背接觸(PERC)技術(shù)相結(jié)合形成的“SE+PERC”晶體硅太陽電池取代了采用傳統(tǒng)鋁背場(Al-BSF)的晶體硅太陽電池，成為晶體硅太陽電池的主流產(chǎn)品[1-3]。行業(yè)內(nèi)“SE+PERC”單晶硅太陽電池的大致制備流程為：清洗制絨→擴散→激光摻雜→去磷硅玻璃(PSG)→堿刻蝕→背鈍化→鍍正面減反射膜→絲網(wǎng)印刷→燒結(jié)等[4]。其中，擴散工序作為最關(guān)鍵的步驟之一，主要是為了制備p-n 結(jié)，該工序一般以液態(tài)三氯氧磷(POCl
太陽能 2023年10期2023-11-03
- 單節(jié)熱離子燃料元件燃料質(zhì)量遷移及其對元件性能影響
溫下燃料芯塊與發(fā)射極接觸產(chǎn)生較強的機械相互作用,使發(fā)射極產(chǎn)生蠕變,可能導(dǎo)致發(fā)射極與接收極接觸造成短路,威脅單節(jié)熱離子燃料元件的正常運行。國內(nèi)外針對單節(jié)熱離子燃料元件行為特性開展了大量研究。俄羅斯及蘇聯(lián)開展了大量電加熱和核加熱地面實驗[2-3],得到了一系列燃料芯塊高溫蠕變和熱離子轉(zhuǎn)換性能數(shù)據(jù)。在大量的試驗數(shù)據(jù)及設(shè)計工作經(jīng)驗支持下,魯奇研究所開發(fā)了單節(jié)熱離子燃料元件性能分析程序KATET[4],該程序考慮了單節(jié)熱離子燃料元件的傳熱、變形和熱電轉(zhuǎn)換行為,主要關(guān)
原子能科學(xué)技術(shù) 2023年8期2023-08-29
- n型IBC太陽電池選擇性發(fā)射極工藝研究
太陽電池的p型發(fā)射極通常采用高溫硼擴散的方式制備[12]，雖然其制備工藝成熟，但是整個發(fā)射極區(qū)域具有相同的表面摻雜濃度和方塊電阻，較低的表面摻雜濃度能夠獲得提升電池的短路電流，但是會影響電池的開路電壓；反之會改善電池的歐姆接觸，降低電池的串聯(lián)電阻，提高電池的填充因子，但限制了電池開路電壓的提升。因此，發(fā)射極的摻雜濃度對IBC電池短路電流和開路電壓的影響是對立矛盾的。為了最大化提升IBC電池的光電轉(zhuǎn)換效率，本文提出了一種應(yīng)用選擇性發(fā)射極的IBC太陽電池結(jié)構(gòu)，
人工晶體學(xué)報 2022年11期2022-12-10
- 國際熱核實驗反應(yīng)堆裝置電子回旋輻射診斷強度絕對標(biāo)定系統(tǒng)的熱源設(shè)計與仿真
SiC材料作為發(fā)射極的材料。Ouroua[5]在最初熱源設(shè)計的基礎(chǔ)上，對ITER ECE診斷的強度絕對標(biāo)定系統(tǒng)進行分析和測試，解決了校準(zhǔn)源的要求及其約束條件。楊永[7]介紹了電子回旋共振發(fā)熱的加熱方法以及內(nèi)部核心部件回旋管存在的問題，提出了異常診斷在電子回旋共振加熱控制系統(tǒng)中存在的問題，主要闡述了ECRH系統(tǒng)中央控制器異常診斷的邏輯設(shè)計。潘曉明[8]介紹了托卡馬克上電子回旋輻射測量診斷的發(fā)展和相關(guān)實驗，并對其進行了實驗分析，經(jīng)等離子體環(huán)境運行與物理實驗檢測
科學(xué)技術(shù)與工程 2022年16期2022-07-11
- 基于電暈放電的離子風(fēng)推進裝置推力性能
電壓，當(dāng)施加在發(fā)射極的電壓超過臨界值時，在電極之間會產(chǎn)生電暈放電，隨后放電產(chǎn)生的等離子體在電場作用下向收集極運動并與空氣中的中性粒子相互碰撞，在空氣介質(zhì)中形成宏觀流動和推力。由于裝置中的氣體流動主要由電離過程產(chǎn)生的離子驅(qū)動形成，所以通常被稱為“離子風(fēng)”，在有的文獻中也稱之為“電流體效應(yīng)”。離子風(fēng)推進裝置的優(yōu)勢在于電極結(jié)構(gòu)簡單、無運動部件、不需要攜帶推進劑。因此，這種裝置在航空推進領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。對離子風(fēng)和電流體效應(yīng)的研究已有很長時間的歷史[4-5]
南昌大學(xué)學(xué)報（理科版） 2022年2期2022-07-04
- 計及熱阻與發(fā)射極電感匹配的并聯(lián)IGBT芯片穩(wěn)態(tài)結(jié)溫均衡方法
翔計及熱阻與發(fā)射極電感匹配的并聯(lián)IGBT芯片穩(wěn)態(tài)結(jié)溫均衡方法范迦羽1鄭飛麟1王耀華2李學(xué)寶1崔 翔1（1. 新能源電力系統(tǒng)國家重點實驗室（華北電力大學(xué)）北京 102206 2. 先進輸電技術(shù)國家重點實驗室（全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司）北京 102209）在大量芯片并聯(lián)的IGBT器件內(nèi)部，熱阻和發(fā)射極寄生電感是決定芯片穩(wěn)態(tài)結(jié)溫分布的關(guān)鍵參數(shù)。因此，合理設(shè)計芯片并聯(lián)支路的熱阻和發(fā)射極寄生電感，對均衡并聯(lián)芯片的穩(wěn)態(tài)結(jié)溫非常重要。為此，該文首先建立兩IGBT并
電工技術(shù)學(xué)報 2022年12期2022-06-25
- 民用航空氣象設(shè)備執(zhí)照問題解析
B.不一定是發(fā)射極 C.集電極D.發(fā)射極(C)晶體管有三種工作狀態(tài)：放大、飽和和截止。以NPN型三極管為例，截止?fàn)顟B(tài)為當(dāng)加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓VBE小于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，這時基極電流等于零，集電極電流、發(fā)射極電流均為零，三極管失去了對電流的放大作用，集電極和發(fā)射極之間處于斷開狀態(tài)，稱三極管處于截止?fàn)顟B(tài)。放大狀態(tài)為當(dāng)加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓VBE大于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，并處于某一合適的值時，三極管的發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，基極電流控制集電極電流，使三極管產(chǎn)生電
黑龍江科學(xué) 2022年8期2022-04-28
- a-Si:H（p）/c-Si（n）異質(zhì)結(jié)太陽電池的模擬優(yōu)化
晶硅薄膜厚度、發(fā)射極材料特性以及透明導(dǎo)電氧化物（Transparent Conductive Oxide，TCO）薄膜功函數(shù)對電池輸出性能的影響，為后續(xù)硅異質(zhì)結(jié)電池的研發(fā)和生產(chǎn)提供科學(xué)依據(jù)。1 電池結(jié)構(gòu)及參數(shù)設(shè)置本文模擬所用材料參數(shù)的初始值見表1。表1 模擬中所用材料主要參數(shù)的初始值Table 1 Initial value key parameters for simulated structure模擬的光照條件為AM1.5，100 mW/cm2。模擬的
可再生能源 2022年3期2022-03-21
- 晶體硅太陽能電池的前電極結(jié)構(gòu)設(shè)計及應(yīng)用
極自身電阻及與發(fā)射極之間的接觸電阻會導(dǎo)致在收集電流和傳導(dǎo)電流時造成電池發(fā)電功率損失[7～9]。目前，主流的前電極結(jié)構(gòu)是類“H型”電極，即由副柵電極(finger)和與之垂直的主柵電極(busbar)構(gòu)成[10～13]。在設(shè)計前電極結(jié)構(gòu)時主要考慮兩方面因素，一是前電極的面積；二是電極的導(dǎo)電能力。在實際應(yīng)用中，提高前電極的總面積有利于提高對光生電流的收集并減小電流損失，但另一方面卻會帶來較高的遮光損失；反之亦然。正因遮光損失與電阻損失相互制約，在設(shè)計太陽能電池
河北科技師范學(xué)院學(xué)報 2021年3期2022-01-14
- TOPCon-n-PERT太陽電池結(jié)構(gòu)關(guān)鍵參數(shù) 對其電性能影響的研究
主流的采用鈍化發(fā)射極背接觸(PERC)技術(shù)的p型太陽電池而言，采用發(fā)射極鈍化全背場擴散(PERT)、 隧穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)、異質(zhì)結(jié)(HIT)或叉指狀背接觸(IBC)等技術(shù)的n型太陽電池提升光電轉(zhuǎn)換效率的空間更大[1]。TOPCon技術(shù)作為前沿的太陽電池技術(shù)之一，不但能實現(xiàn)與HIT結(jié)構(gòu)相當(dāng)?shù)谋砻驸g化效果，而且還可以與高溫工藝相兼容，同時也避免了電極接觸處引起的高復(fù)合問題[2]，目前針對TOPCon技術(shù)的研究主要是基于n型PERT太陽電池[3]。
太陽能 2021年10期2021-11-03
- 硅異質(zhì)結(jié)太陽電池中鈍化層和發(fā)射層的優(yōu)化設(shè)計*
p 型雙層復(fù)合發(fā)射極.實驗結(jié)果表明,雙層鈍化層具有更加穩(wěn)定與優(yōu)異的鈍化效果,鈍化樣品的少子壽命達到4.197 ms,隱含開路電壓(implied-VOC,iVOC)達到726 mV.同時雙層復(fù)合發(fā)射層中,輕摻雜的摻雜層可以減弱摻雜劑向本征鈍化層的擴散,保證良好的鈍化效果,而重摻雜的摻雜層不僅能夠提供足夠的內(nèi)建電場,而且可以改善摻雜層與氧化銦錫薄膜的接觸特性,進而提升電池的輸出特性.并且高氫稀釋比的前摻雜層還可以對鈍化層起到氫處理的作用,減少鈍化層表面的懸掛
物理學(xué)報 2021年18期2021-10-08
- 車載轉(zhuǎn)向燈模組三極管燒毀分析
三極管Q1A的發(fā)射極E1鍵合引線斷裂，如圖3所示。圖3 失效Q1 三極管X-ray 透視照片1.3 開封觀察分析將失效Q1三極管用化學(xué)腐蝕方法打開樹脂封裝，露出里面的硅芯片?？梢妰蓚€三極管的發(fā)射極焊盤都發(fā)生了燒毀，其中Q1A三極管的發(fā)射極焊盤熔融形成一個凹坑，鍵合線材料四濺飛射；Q1B三極管發(fā)射極燒毀輕微，鍵合線材料熔融后向旁邊流散。失效Q1兩個三極管的發(fā)射極呈現(xiàn)嚴(yán)重的過流燒毀形貌，但其基極鍵合未發(fā)現(xiàn)異常，如圖4所示。圖4 失效Q1 三極管開封后的形貌2
電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗 2021年4期2021-09-10
- 離子液體推力器性能影響因素仿真研究
仿真軟件研究了發(fā)射極陣列密度、電極間距、發(fā)射極內(nèi)徑對離子發(fā)射所需閾值電壓的影響[7]；Kim 將有限元法（FEM）與有限差分法（FDM）結(jié)合到MD 仿真中，分析了引出極孔徑、發(fā)射電壓、發(fā)射極溫度和潤濕性等因素對發(fā)射電流大小、電流密度和離子速度的影響[8]。但截至目前關(guān)于離子液體推力器的研究并未涉及推力器結(jié)構(gòu)對整體性能影響的多工況粒子網(wǎng)格（particle in cell, PIC）仿真分析。本文著重研究離子液體推力器發(fā)射陣列幾何結(jié)構(gòu)參數(shù)對推力器性能的影響：
航天器環(huán)境工程 2021年4期2021-09-08
- 變壓器反饋式晶體管L C振蕩器的阻值選擇及形式演變*
1的起振條件，發(fā)射極電阻Re也要相應(yīng)減小。實驗結(jié)果表明，降低集電極電阻Rc的阻值，并相應(yīng)降低發(fā)射極電阻Re的阻值后，振蕩器可以產(chǎn)生正弦波。圖3 減小集電極電阻能降低輸出電阻對電壓耦合的影響實驗表明，在發(fā)射極電阻Re=1Ω的條件下，選擇合適的較小的Rc阻值，振蕩器會產(chǎn)生以0 V為中點的正弦輸出電壓V(out)。改變Rc的阻值，所產(chǎn)生的V(out)如下：Rc=10，失敗R c=20，振蕩幅度[-2.5 V，+2.5 V]R c=25，振蕩幅度[-6.7 V，+
廣西民族大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版) 2021年2期2021-08-18
- 電噴霧推力器結(jié)構(gòu)參數(shù)與束流引出效率分析
不同結(jié)構(gòu)參數(shù)(發(fā)射極棱條高度、發(fā)射極引出柵極間距等)情況下的電噴霧推力器實驗研究，但測試數(shù)據(jù)有限，其未對結(jié)果進行有效的分析.在前期實驗研究中也發(fā)現(xiàn)，結(jié)構(gòu)參數(shù)會明顯影響電噴霧推力器的工作性能.本文采用COMSOL軟件分析不同結(jié)構(gòu)下的電場強度分布和粒子運動軌跡，以期為電噴霧推力器的優(yōu)化設(shè)計提供參考.1 研究問題與研究方法1.1 問題提出被動供液式電噴霧推力器主要由發(fā)射極、引出柵極、殼體、推進劑工質(zhì)等組成，如圖1所示.圖1 電噴霧推力器結(jié)構(gòu)示意圖及實物圖Fig.
空間控制技術(shù)與應(yīng)用 2021年4期2021-08-02
- 基于IGBT 的寬范圍線性功率放大技術(shù)
當(dāng)T2的柵極-發(fā)射極電壓UGE大于開啟電壓UGE（th）時，IGBT 處于線性工作區(qū)而線性導(dǎo)通。使用該復(fù)合管構(gòu)成單電源功率放大器的電路如圖1（b）所示，由于前級三極管T1的存在，電路的輸出與直流電壓輸入部分構(gòu)成2 個電流回路，輸出電壓與直流電壓之間始終存在如下關(guān)系式中：vo為輸出電壓；Vcc為直流供電壓；vce2為IGBT的集電極-發(fā)射極電壓；vec1為三極管的集電極-發(fā)射極電壓；vGE2為T2管的柵極-發(fā)射極電壓。由式（1）可知，vo不僅與vce2有關(guān)，
電源學(xué)報 2021年3期2021-06-05
- 多晶硅發(fā)射極晶體管放大系數(shù)穩(wěn)定性研究
1 引言多晶硅發(fā)射極晶體管（Ploysilicon Emitter Transistor,PET）因其具有諸多優(yōu)點，如淺結(jié)、易與CMOS 工藝兼容、超增益等，目前已成為超大規(guī)模半導(dǎo)體集成電路的主要雙極型器件。通常認為，多晶硅發(fā)射極的多晶硅與硅襯底之間需要一層薄二氧化硅介質(zhì)層，這樣載流子可以從多晶硅發(fā)射極隧穿進入硅襯底。二氧化硅層對電子和空穴構(gòu)成的勢壘高度不同，導(dǎo)致了電子和空穴的隧穿幾率存在一定的差異，因而有利于提高發(fā)射結(jié)的注入效率和晶體管的電流放大系數(shù)。但
電子與封裝 2021年4期2021-05-06
- 汽車電子電氣基礎(chǔ)知識詳解(五)
層及其接頭稱為發(fā)射極(E)、基極(B)和集電極(C)。電荷載體從發(fā)射極移動到基極(發(fā)射出去)并由集電極吸收。因此晶體管有兩個PN結(jié)，一個位于發(fā)射極與基極之間，另一個位于集電極與基極之間。圖67 晶體管的電路符號1.工作原理下面以一個NPN晶體管為例介紹工作原理。PNP晶體管的工作原理相同，但電流流動方向相反。如圖68是一個晶體管及其三個接頭(發(fā)射極、基極和集電極)的工作原理圖。圖68 發(fā)射極電路中的晶體管工作原理發(fā)射極內(nèi)有很多電子，基極內(nèi)只有少量空穴(缺陷
汽車維修與保養(yǎng) 2020年6期2020-10-24
- 交叉背接觸異質(zhì)結(jié)（IBC-SHJ）太陽能電池模型參數(shù)的仿真與優(yōu)化
，得到緩沖層、發(fā)射極和背面場對J-V特性的影響，以及FF因子的變化，結(jié)論表明緩沖層獲得最佳效率的寬度值為10nm附近，發(fā)射極寬度的效率最優(yōu)值約為3mm。關(guān)鍵詞交叉背接觸;異質(zhì)結(jié);緩沖層;發(fā)射極中圖分類號： TM914.4;O613.72 ? ? ? ?文獻標(biāo)識碼： ADOI：10.19694/j.cnki.issn2095-2457 . 2020 . 14 . 95AbstractIn this paper， the geometric dimension
科技視界 2020年14期2020-07-30
- 一“箭”鐘情半導(dǎo)體元件
——論“箭頭”在學(xué)習(xí)半導(dǎo)體元器件中的妙用
極管符號總代表發(fā)射極的那端本身就是一個箭頭。（2）電路分析時畫箭頭。我們在分析電路的時候，經(jīng)常要畫出電流的流向或者是電流繞行的方向，就是用一個“箭頭”來表示的。其實在學(xué)習(xí)的時候這些“箭頭”已經(jīng)出現(xiàn)了，學(xué)生們沒有注意，老師們沒有總結(jié)，它們是大可作為的。2 “箭頭法”適用的范圍很多老師和學(xué)生都認為箭頭的作用就是指明電流的流向，筆者認為，箭頭的作用至少還有“指明一種順序（或習(xí)慣）”、“指明電位下降（電壓的極性）”等作用，在以下場景可以充分發(fā)揮作用：（1）半導(dǎo)體二
時代農(nóng)機 2020年4期2020-07-02
- 壓接型IGBT器件單芯片子模組可靠性壽命仿真研究
組包括集電極/發(fā)射極鉬片、銀片、IGBT芯片、塑料框架和柵極探針等結(jié)構(gòu)。圖3 單芯片子模組結(jié)構(gòu)Fig.3 Structure of single chip submodule2 壓接型IGBT器件單芯片子模組仿真模型2.1 單芯片子模組結(jié)構(gòu)簡化模型在單芯片子模組結(jié)構(gòu)中，塑料框架僅起到封裝作用，而柵極探針存在彈簧補償結(jié)構(gòu)，所以兩者對單芯片子模組內(nèi)部的壓力分布影響很小，在仿真過程中，為了提高模型的收斂性和運算速度，對于塑料框架、柵極探針等對單芯片子模組可靠性壽
華北電力大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版) 2020年3期2020-06-22
- 空間熱離子能量轉(zhuǎn)換技術(shù)發(fā)展綜述
芯的熱量導(dǎo)出到發(fā)射極，運行溫度較低；而后者則在堆芯內(nèi)完成了熱電轉(zhuǎn)換，燃料元件兼具了釋熱元件和發(fā)電元件的功能，稱作熱離子燃料元件（Thermionic Fuel Element，TFE），燃料包殼同時作為發(fā)電元件的發(fā)射極，利于緊湊布置。這兩類發(fā)電元件各具優(yōu)點，從目前研究發(fā)展歷程看，堆內(nèi)轉(zhuǎn)換占多數(shù)，本文側(cè)重于堆內(nèi)轉(zhuǎn)換的介紹，其基本構(gòu)造如圖2所示。與一般的空間核電源相比，熱離子反應(yīng)堆電源增加了銫蒸氣發(fā)生器和氣體修補系統(tǒng)，前者用于維持熱離子發(fā)電元件動力工況的工作氣
深空探測學(xué)報 2020年1期2020-04-22
- 熱離子能量轉(zhuǎn)換器擴散工況的電流飽和特性
中，核裂變加熱發(fā)射極產(chǎn)生熱電子發(fā)射，電極間隙充入的銫蒸氣電離為等離子體，電子輸運通過等離子體區(qū)域后到達接收極形成回路，工作參數(shù)或負載的變化均可使熱離子轉(zhuǎn)換器工作在電弧工況或擴散工況[4]。對電弧工況的熱電轉(zhuǎn)換特性進行了研究[5]，對于電功率輸出較小的擴散工況，雖僅存在于熱離子發(fā)電元件電極的低溫端(溫度場邊界效應(yīng)導(dǎo)致)，但該工況下伏安曲線的極限值(飽和電流、開路電壓等)與熱電轉(zhuǎn)換過程的特征參量(發(fā)射極溫度、吸銫功函數(shù)等)有關(guān)聯(lián)而常被用作診斷分析[6]。因此，
原子能科學(xué)技術(shù) 2020年1期2020-03-30
- 熱離子能量轉(zhuǎn)換器銫電弧工況下電子勢能的分布特性
金屬作電極對，發(fā)射極被加熱到高溫(～1 500 ℃)產(chǎn)生熱電子發(fā)射，充入電極間隙的銫蒸氣在其中電離形成等離子體，電子輸運通過等離子體區(qū)域后達到接收極，經(jīng)外電路的負載做功后重新回到發(fā)射極，形成回路。熱離子轉(zhuǎn)換器可看作以電子作為介質(zhì)的熱機[3]，電極間隙的勢能分布則決定該熱機的能量來源。因此，電子在電極間隙的勢能分布是研究熱電轉(zhuǎn)換特性的關(guān)鍵。目前，對關(guān)于電極間隙的電子勢能分布已有較深入的了解，但一些基礎(chǔ)問題仍有待進一步深入研究，如熱離子轉(zhuǎn)換器運行在電弧工況不同
原子能科學(xué)技術(shù) 2019年11期2019-11-06
- 離子液體電噴推力器的關(guān)鍵技術(shù)及展望
體電噴推力器由發(fā)射極、吸極、儲箱和殼體等幾部分組成，圖1是其原理圖。儲箱中有離子液體推進劑，儲箱上游為發(fā)射極，發(fā)射極對應(yīng)的是吸極。發(fā)射極和吸極之間施加高壓形成強電場，儲箱中的離子液體在外部壓力或毛細作用下沿著發(fā)射極內(nèi)部的微小通道或發(fā)射極表面輸運到發(fā)射極尖端，發(fā)射極尖端的離子液體在強電場的作用下，帶電粒子發(fā)射并在同一電場下加速噴出，產(chǎn)生反作用推力。由于單個發(fā)射點產(chǎn)生的推力較小，實際中往往將發(fā)射極設(shè)計為陣列狀，讓多個發(fā)射點并行工作，從而獲得較大的推力調(diào)節(jié)范圍。
宇航學(xué)報 2019年9期2019-10-09
- 一種基于Buck變換器的緩沖電路
1與IGBT的發(fā)射極相連，目的是避免IGBT集電極-發(fā)射極電壓突變，實現(xiàn)IGBT的零電壓(ZVS)關(guān)斷。圖1 Buck變換器主電路拓撲在功率管VT開通過程中，電感Lr一方面使IGBT的發(fā)射極電流從0開始增大，另一方面避免續(xù)流二極管VD反向恢復(fù)電流的上升率di/dt；在功率管VT關(guān)斷過程中，直流輸入電壓Ui對電容C1進行充電，降低IGBT集射極之間的du/dt。引入緩沖電路可以降低功率管VT的開通損耗和關(guān)斷損耗，緩沖電路為無源低損電路，只有很小一部分能量消耗
宿州學(xué)院學(xué)報 2019年1期2019-04-22
- 槽式濕法堿拋光技術(shù)在PERC太陽電池中的工藝研究
1 引 言鈍化發(fā)射極背面接觸(PERC)電池與常規(guī)鋁背場電池的區(qū)別在于PERC電池采用背表面介質(zhì)膜鈍化，局域金屬接觸，有效降低背表面的電子復(fù)合速度，同時提升了背表面的光反射，降低長波的光學(xué)損失[1]。而常規(guī)鋁背場電池的背表面復(fù)合速率高達500～5000 cm/s[2-4]，Horbelt Renate等[5]利用氧化鋁/氮化硅作為疊層鈍化介質(zhì)，將背面復(fù)合速率降低至10 cm/s。背面拋光技術(shù)可以降低背表面的比面積以降低復(fù)合速率，也可提升電池背表面的光反射[
人工晶體學(xué)報 2019年1期2019-02-19
- 帶有非旁路發(fā)射極電阻調(diào)諧放大器性能的研究
仿真探究放大器發(fā)射極電容旁路電阻和非旁路電阻作用及參數(shù)設(shè)置。1 交互式Multisim13.0 仿真軟件NI Multisim 電路仿真軟件是一款專門用于電子線路設(shè)計仿真的虛擬電子工作平臺。該軟件平臺將原理圖輸入、工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的SPICE仿真集成在同一環(huán)境中完成電路行為分析[3][4]。其提供的元件庫豐富全面，是高頻電子線路設(shè)計分析中強大的工具。同時虛擬儀器的使用給學(xué)生的分析工作提供了很大便利且縮短實驗時間，減少大量元件的耗費[5]。在實現(xiàn)高頻電路分析和設(shè)計方
微型電腦應(yīng)用 2019年1期2019-01-23
- 擴散輕摻雜方塊電阻的均勻性研究
過研究了選擇性發(fā)射極電池的工藝原理，不同設(shè)備制備的高方阻硅片的片內(nèi)均勻性，并且在均勻性對電性能的影響。擴散方塊電阻的均勻性對太陽電池的電性能至關(guān)重要，不僅影響到電池的轉(zhuǎn)換效率，還影響到電池效率的分布，為解決輕摻雜區(qū)方塊電阻的均勻性這個難點，需要使用低壓擴散設(shè)備，對擴散時間，氣體流量和工藝壓力進行調(diào)節(jié)，然后進行工藝制作，會得到均勻性較好電性能的電池片。引言：目前，光伏行業(yè)競爭激烈，提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率是提高行業(yè)競爭力最主要的方法之一。另外，光伏“領(lǐng)跑者”
電子世界 2018年21期2018-11-22
- 靜態(tài)工作點測量方法的分析與改進
點.（2）測量發(fā)射極電壓法.可以通過測量發(fā)射極電壓UE=1V，同樣可以確定IC大約為1mA左右，來確定靜態(tài)工作點.（3）測量集電極-發(fā)射極電壓.調(diào)節(jié)RW1，使集電極-發(fā)射極電壓，保證靜態(tài)工作點在交流負載線的中點位置.在實驗中，我們使用MF47型模擬指針式萬用表來測量靜態(tài)工作點.我們分別使用不同的直流電壓檔測量UBQ、UCQ和UEQ，同時我們通過理論計算得出計算值，如表1所示.表1 靜態(tài)工作點的測量值與理論計算值從表1中我們看出，當(dāng)選用50V的直流電壓檔測量
赤峰學(xué)院學(xué)報·自然科學(xué)版 2018年4期2018-05-02
- N型鋁背發(fā)射極太陽電池前面場摻雜分布的優(yōu)化研究
限公司N型鋁背發(fā)射極太陽電池前面場摻雜分布的優(yōu)化研究賈積凱/青海聚能電力有限公司N型硅鋁背發(fā)射極太陽電池具有高轉(zhuǎn)換效率、無光致衰減、與現(xiàn)有常規(guī)電池生產(chǎn)線兼容的有點，從而降低的N型電池的制造成本。而前面場是這一結(jié)構(gòu)太陽電池的重要組成部分。前面場的作用類似于P型常規(guī)太陽電池鋁背場的作用。前面場可以增強載流子的收集能力，提高電池的開路電壓，以及電池的轉(zhuǎn)換效率。在本文中，前面場的摻雜分布進行了細致的研究。優(yōu)化后的表面濃度在4E+20 cm-3，同時前面場的深度控制
大陸橋視野 2017年22期2017-12-23
- 硅片背面粗糙度對N型鋁背發(fā)射極太陽電池性能的影響
糙度對N型鋁背發(fā)射極太陽電池性能的影響高 峰/青海聚能電力有限公司現(xiàn)今的大規(guī)模太陽電池生產(chǎn)領(lǐng)域，P型襯底占了絕大部分的市場份額，而N型硅襯底由于其高少子壽命和無光致衰減越來越受關(guān)注。本論文以N型的鋁背發(fā)射極電池為基礎(chǔ)，分析了在絲網(wǎng)印刷前硅片背面粗糙程度對電池性能的影響。經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，當(dāng)硅片背面仍然保持絨面狀態(tài)時，即粗糙度比較大的情況下，對于鋁背結(jié)的均勻性影響非常大。對于鋁背發(fā)射極N型太陽電池而言，鋁硅合金層厚度越均勻器件性能越好。因此背面絨面狀態(tài)不利于器件
大陸橋視野 2017年22期2017-12-14
- 激光摻雜選擇性發(fā)射極單晶硅太陽電池的工藝研究
激光摻雜選擇性發(fā)射極單晶硅太陽電池的工藝研究國家電投西安太陽能電力有限公司 宋志成 倪玉鳳 王舉亮 屈小勇 吳 翔研究了激光摻雜選擇性發(fā)射極匹配的擴散工藝，通過調(diào)整不同的工藝參數(shù)，達到相同的高方阻，比較了不同方法獲得的高方阻的均勻性，得到了在105Ω/□左右的高方阻仍能保持較好均勻性的擴散工藝。通過調(diào)整激光功率形成不同的重摻雜區(qū)方塊電阻，研究了不同的重摻雜區(qū)方塊電阻對電池主要電性能參數(shù)的影響，分析了變化原因。最后比較了激光摻雜選擇性發(fā)射極太陽電池和傳統(tǒng)太陽
電子世界 2017年19期2017-11-01
- 硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的物理機制和優(yōu)化設(shè)計?
界面鈍化品質(zhì)、發(fā)射極的摻雜濃度和厚度以及透明導(dǎo)電層的功函數(shù)是影響硅異質(zhì)結(jié)太陽電池性能的主要因素.針對這些影響因素已經(jīng)有大量的研究工作在全世界范圍內(nèi)展開,并且有諸多研究小組提出了器件效率限制因素背后的物理機制.洞悉物理機制可為今后優(yōu)化設(shè)計高性能的器件提供準(zhǔn)則.因此及時總結(jié)硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的物理機制和優(yōu)化設(shè)計非常必要.本文主要討論了晶硅表面鈍化、發(fā)射極摻雜層和透明導(dǎo)電層之間的功函數(shù)失配以及由此形成的肖特基勢壘;討論了屏蔽由功函數(shù)失配引起的能帶彎曲所需的特征長度
物理學(xué)報 2017年10期2017-08-09
- 大容量IGBT并聯(lián)均流檢測技術(shù)研究
GBT器件功率發(fā)射極與輔助發(fā)射極之間雜散阻感在動態(tài)過程中的電壓變化所反映出的并聯(lián)器件開關(guān)暫態(tài)的時序和時長，掌握IGBT并聯(lián)模塊動態(tài)不均流度，為后續(xù)的門極補償信號的產(chǎn)生提供有效的參考依據(jù)。1 IGBT并聯(lián)技術(shù)研究現(xiàn)狀概括來講，對IGBT器件并聯(lián)均流問題的研究主要圍繞均流影響因素和均流改善方法兩方面進行。1.1 IGBT并聯(lián)模塊均流影響因素影響靜態(tài)均流的因素主要是IGBT的飽和電壓、集電極電流、工作結(jié)溫和回路等效電阻等，其中IGBT的通態(tài)飽和壓降是導(dǎo)致靜態(tài)不均
電氣傳動 2017年6期2017-07-12
- 翻個面就能散熱或御寒的智能布料
材料中嵌入雙層發(fā)射極后，形成的織物可以在不需要電線、外來電源的情況下，具有降溫和保暖兩檔功能，且切換功能時僅需調(diào)整織物的正反面。這將拓寬人們對環(huán)境溫度的舒適范疇，增強皮膚對環(huán)境的適應(yīng)性。保持穩(wěn)定的體溫是生理功能的重要基礎(chǔ)。在冬天和夏天，人們除了通過增減衣物，改變身體與環(huán)境之間的熱交換之外，只能通過開空調(diào)等改變環(huán)境溫度的方式來讓體溫保持在正常水平。據(jù)統(tǒng)計，全球13%的能源消耗是在空調(diào)上。碳能很好地吸收中紅外輻射，是理想的高發(fā)射率材料。相反金屬會對中紅外輻射進
紡織科學(xué)研究 2017年12期2017-04-04
- UPS的使用安裝維護和運行
GBT；柵極；發(fā)射極；集電極；整流；逆變DOI：10.16640/j.cnki.37-1222/t.2017.01.1111 UPS的工作原理和主要元件的保護UPS其工作原理是在正常的情況下輸入回路向既向負載提供電源，要向UPS的電池充電，儲備能量以備停電時向負載提供電源。當(dāng)UPS內(nèi)部故障或UPS必須進行保養(yǎng)維修，測試時能轉(zhuǎn)換到旁路。輸入電源通過旁路直接向負載供電。而負載不需中斷。為了保證負載不間斷的運行，就要保護主要元件，如果發(fā)現(xiàn)輸入的電源回路斷電或故障
山東工業(yè)技術(shù) 2017年1期2017-01-24
- 基于Multisim 13.0調(diào)諧放大器靜態(tài)工作點研究
溫度掃描分析對發(fā)射極電阻值進行設(shè)置。結(jié)果直觀、精確,很好地驗證了理論, 借助仿真分析實現(xiàn)了定性分析到定量分析的跨越，表明該軟件有強大的仿真和分析功能,在實現(xiàn)高頻電路分析和設(shè)計方面不僅高效、可靠,而且具有逼近真實電路的效果。Multisims13.0; 靜態(tài)工作點; 調(diào)諧放大器0 引 言高頻調(diào)諧放大器是高頻電子線路中的基本單元電路,廣泛應(yīng)用于廣播、雷達、通信等接收設(shè)備[1-3],其主要功能是從所接收的眾多電信號中,選出有用的信號并加以放大,而對其他無用信號、
實驗室研究與探索 2016年9期2016-12-05
- 高效晶體硅太陽電池技術(shù)及其應(yīng)用進展
展，包括選擇性發(fā)射極太陽電池、異質(zhì)結(jié)太陽電池、交錯背接觸太陽電池、金屬環(huán)繞貫穿太陽電池，以及發(fā)射極環(huán)繞貫穿太陽電池。高效；晶體硅太陽電池；選擇性發(fā)射極；異質(zhì)結(jié)；背接觸0 引言目前，晶體硅太陽電池應(yīng)用最為廣泛，其中高效晶體硅太陽電池技術(shù)始終是國際光伏行業(yè)研究的熱點之一。晶體硅太陽電池是目前商業(yè)化程度最高、制備技術(shù)成熟的太陽電池，自從第一塊晶體硅p-n結(jié)太陽電池于1954年在貝爾實驗室問世以來[1]，人們對晶體硅太陽電池的研究經(jīng)久不衰，提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率、
太陽能 2016年8期2016-09-23
- 大功率IGBT短路故障分析
范圍內(nèi)。當(dāng)柵極發(fā)射極驅(qū)動電壓為+15V時，A廠家IGBT模塊的芯片會脫離飽和狀態(tài)，并限制模塊的故障電流到5 kA左右。本文進行了軟性短路故障的測試，采用的試驗方式是使用IGBT模塊通過飽和電感給電容放電。開始時由于電路電感的限制，電流的增長率較低，而當(dāng)電感飽和后不再阻礙電流增長時就會出現(xiàn)軟性短路。1 故障說明發(fā)生軟性短路時，變頻器中有一些模塊發(fā)生損壞。測量顯示故障時IGBT模塊中電流峰值超過了15 kA，而上升速率大于10 kA/μS。A廠家IGBT模塊的
船電技術(shù) 2016年6期2016-07-04
- 復(fù)旦大學(xué)制備出效率達18.97%的黑硅太陽能電池
刻蝕方法在n型發(fā)射極中形成多孔黑硅，獲得的黑硅電池具有寬譜特性，在很寬的波長范圍內(nèi)的反射率低于0.3%，且光電轉(zhuǎn)換效率也大幅提高。此外，由于硅納米晶的帶隙高于晶硅，因此，該黑硅電池的開路電壓高于相應(yīng)的平面硅電池，而且，其發(fā)射極的梯度帶隙結(jié)構(gòu)抑制了前表面電子和空穴的復(fù)合，短波長范圍內(nèi)的量子效率很高，表面復(fù)合較小，光伏響應(yīng)也較好。與其它黑硅電池相比，該黑硅電池制造方法簡單，無需增加任何設(shè)備，比傳統(tǒng)絨面加減反射膜的工藝更簡單、成本更低、效果更好。(KX.0929
軍民兩用技術(shù)與產(chǎn)品 2016年21期2016-01-05
- 一種低溫度系數(shù)帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計
個三級管基極－發(fā)射極串聯(lián)的帶隙基準(zhǔn)可以降低運放失調(diào)電壓的影響，但是在CMOS工藝中，三級管的正向電流放大倍數(shù)β很小，導(dǎo)致三極管基極電流的分流會對發(fā)射極電流產(chǎn)生很大影響，帶隙基準(zhǔn)輸出存在較大溫漂。為了解決這個問題，提出了一種帶基極電流補償?shù)牡蜏囟认禂?shù)帶隙基準(zhǔn)源電路。電路設(shè)計采用TSMC 0．25μm工藝，經(jīng)過spectre仿真驗證，進行－55℃－125℃的溫區(qū)掃描，基準(zhǔn)隨溫度變化范圍為1．85mV，相應(yīng)的溫漂系數(shù)為8．44ppm／℃，加入基極電流補償電路后電
微處理機 2015年4期2015-12-16
- 硅微波BJT集電極-發(fā)射極漏電的失效機理分析
BJT集電極-發(fā)射極漏電的失效機理分析胡順欣，李明月，蘇延芬，鄧建國(中國電子科技集團公司第十三研究所，河北石家莊050051)介紹了硅微波雙極晶體管中一種集電極-發(fā)射極漏電的失效模式，著重從芯片制造工藝方面研究了失效機理。建立了RIE等離子體刻蝕等效電容模型，研究了電容介質(zhì)隧穿/擊穿誘發(fā)的工藝損傷和接觸孔側(cè)壁角度對PtSi的影響。結(jié)果表明：RIE干法刻蝕在接觸孔局部誘發(fā)Si損傷，接觸孔側(cè)壁角度減小導(dǎo)致參與合金的Pt總量增加，部分Pt沿此通道穿透發(fā)射結(jié)進入
電子工業(yè)專用設(shè)備 2015年7期2015-05-16
- 磷雜質(zhì)分布優(yōu)化方法的研究
應(yīng)的峰區(qū)，需對發(fā)射極雜質(zhì)濃度分布進行優(yōu)化，提高電池藍光響應(yīng)。太陽電池理論計算表明，較淺p-n結(jié)有助于短路電流的提升，低表面濃度可提升開路電壓。然而，低表面濃度會增加電池電極和硅之間的歐姆接觸電阻，從而降低FF。為了解決這一矛盾，需取一個折中的表面摻雜濃度以兼顧開路電壓和串聯(lián)電阻。1 磷在硅中的擴散機理p-n結(jié)是太陽電池的核心，發(fā)射極質(zhì)量直接影響到電池的光電轉(zhuǎn)換效率，所以研究磷在硅中的擴散機理很有必要。熱處理過程中，磷在硅中的擴散機理已有很多研究，一般認為磷
太陽能 2014年3期2014-05-12
- 基于BJT的有源降噪電路
2的選擇應(yīng)保證發(fā)射極和集電極都有適當(dāng)?shù)闹绷麟妷?，可選 VCE＞1V,I2＞5mA。 若 VIN、V0、I2、IL給定，電阻：圖1 單個三極管的降噪電路圖2 圖1電路的直流通路當(dāng) R4＞＞R1時，I2≈IE，R4上的電流相對于集電極電流可忽略不計，電阻：圖1的交流等效電路如圖3所示。噪聲信號vi被反相放大，噪聲電流i與R2上流經(jīng)的電流構(gòu)成回路，輸出端交流電壓為0。當(dāng)R3足夠大時，其上的交流可忽略，i≈ic。當(dāng) R3＞＞(R1+R2)時，VT=26mV?？沙踹x
科技視界 2014年13期2014-04-16
- Vishay新款I(lǐng)GBT模塊為太陽能逆變器和UPS提供完整集成方案
0S的集電極到發(fā)射極的擊穿電壓為1 200 V，集電極電流達到30 A，適合三電平NPC拓撲。VS-ETF075Y60U和VS-ETF150Y65U可用于三電平逆變器級，集電極電流分別為75 A和150 A，集電極到發(fā)射極的擊穿電壓分別為600 V和650 V，可在+175℃高溫下工作。15A VS-ETL015Y120H適用于雙路升壓轉(zhuǎn)換器，集電極到發(fā)射極的擊穿電壓為1 200 V，采用高效硅啟動二極管，集成62 A旁路二極管、電池板短路全電流反向極性保
電子設(shè)計工程 2014年20期2014-03-25
- 單晶鎢高溫長期服役下的顯微組織演變行為
離子能量轉(zhuǎn)換器發(fā)射極的功能性涂層材料［1-4］?；瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)獲得的材料具有高純度、高致密度以及結(jié)晶擇優(yōu)取向等特點，經(jīng)常被采用制備單晶鎢及其他難熔金屬單晶材料［5-7］。研究表明，單晶鎢｛110｝晶面具有最高的真空電子功函數(shù)，因此采用｛110｝晶面擇優(yōu)取向的單晶鎢作為熱離子能量轉(zhuǎn)換器發(fā)射極可提高熱電轉(zhuǎn)換效率［1］。而采用化學(xué)氣相沉積法制備的單晶鎢涂層其表面｛110｝晶面所占份額較少，需對單晶鎢涂層進行電化學(xué)蝕刻，以裸露出更多的｛110｝晶面［2］。在熱離
原子能科學(xué)技術(shù) 2014年1期2014-03-20
- 差分放大電路的研究
。調(diào)零的方法有發(fā)射極調(diào)零和集電極調(diào)零兩種。圖1所示的電路是帶有集電極調(diào)零的差分放大電路。圖2所示的電路是帶有發(fā)射極調(diào)零的差分放大電路。2.集電極調(diào)零的差分放大電路的電路分析在圖1所示集電極調(diào)零差分放大電路中，設(shè)電位器RP滑動端左邊的電阻為R1，右邊的電阻為R2。即有：R1+R2=RP。當(dāng)電位器RP滑動時，流過負載電阻RL的電流I相應(yīng)變化。由于0≤R1≤RP，所以當(dāng)電位器滑動時，流過負載電阻RL的電流I的變化范圍是：負載電阻RL的電壓uO的調(diào)節(jié)范圍是：3.發(fā)
電子世界 2013年4期2013-12-10
- IGBT斬波控制器在電機車上的應(yīng)用
GBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSTET 導(dǎo)通，PNP 晶體管的集電極與基極之間的低阻狀態(tài)使得晶體管導(dǎo)通，若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOSTET 截止，切斷PNP 晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT的安全可靠性取決于以下因素：（1）IGBT 柵極與發(fā)射極之間的電壓。驅(qū)動電壓過高，IGBT 不能穩(wěn)定正常工作，驅(qū)動電壓過低，IGBT 永久損壞。（2）IGBT 集電極與發(fā)射極之間的電壓。電壓超過它們之間的耐壓，IGBT
機械工程師 2013年3期2013-08-15
- 多晶發(fā)射極結(jié)構(gòu)三極管抗總劑量能力研究
）1 概述多晶發(fā)射極三極管結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)三極管結(jié)構(gòu)相比，具有很多優(yōu)勢，包括極大的放大倍數(shù)、更高的響應(yīng)頻率和更小的尺寸結(jié)構(gòu)，這些優(yōu)勢使得該結(jié)構(gòu)在亞微米和深亞微米BiCMOS工藝中完全取代傳統(tǒng)三極管結(jié)構(gòu)而被廣泛采用。實際上，在和傳統(tǒng)三極管結(jié)構(gòu)比較中，我們比較容易忽略多晶發(fā)射極結(jié)構(gòu)三極管的另外一個優(yōu)勢，那就是多晶發(fā)射極結(jié)構(gòu)具有更強的抗總劑量輻照能力。2 三極管總劑量機理分析總劑量輻照效應(yīng)是由于伽馬射線入射到SiO2介質(zhì)中，產(chǎn)生能量沉積，形成電子空穴對。由于電子在Si
電子與封裝 2012年7期2012-12-05
- 天線效應(yīng)對LPNP管輸出曲線的影響
管工藝過程中的發(fā)射極結(jié)損傷。實驗發(fā)現(xiàn)，帶天線結(jié)構(gòu)的LPNP管的輸出曲線容易出現(xiàn)翹曲現(xiàn)象，分析認為該異常不是由于發(fā)射極結(jié)損傷造成的，因為發(fā)射極結(jié)工藝過程中并沒有受到損傷。同時發(fā)現(xiàn)該翹曲現(xiàn)象在LPNP管保護環(huán)接低電位時會消失，該低電位在很大范圍內(nèi)變化時，輸出曲線基本一致，且輸出曲線電流較保護環(huán)懸空時的電流整體偏大，在集電極電壓較大時，輸出電流和保護環(huán)懸空時的電流一致。天線結(jié)構(gòu)；輸出曲線；翹曲；發(fā)射極結(jié)；保護環(huán)1 LPNP管天線結(jié)構(gòu)設(shè)計目的和評估參數(shù)天線結(jié)構(gòu)版圖
電子與封裝 2012年1期2012-09-05
- IGBT動態(tài)di/dt控制電路實現(xiàn)方法
Ω和50 Ω時發(fā)射極電流進行仿真比較。通過圖3-8仿真分析的結(jié)果可以得出，取樣電阻 R1越大，發(fā)射極電流變化率越小，補償效果越好，特別是發(fā)射極電流下降率變化尤為明顯。這與理論分析相吻合。圖3 R1=200 Ω時發(fā)射極電流波形圖4 R1=50 Ω時發(fā)射極電流波形圖5 R1=200 Ω時發(fā)射極電流上升波形圖6 R1=50 Ω時發(fā)射極電流上升波形圖7 R1=200 Ω時發(fā)射極電流下降波形3 結(jié)論本文提出了一種具體的di/dt控制電路，通過該改進電路，解決了在實際
船電技術(shù) 2012年6期2012-07-04
- 對基礎(chǔ)元件三極管的簡介
JT；NPN；發(fā)射極；集電極中圖分類號TN112 文獻標(biāo)識碼A 文章編號 1674-6708（2012）67-0197-02隨著電子技術(shù)的發(fā)展，其理論已經(jīng)廣泛的運用到了各行各業(yè)，《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》成了通訊工程、自動化及其他電力工程類各專業(yè)的一門必修技術(shù)基礎(chǔ)課程。三極管卻是個完全陌生的概念，使得我們難以入門。晶體三極管也稱晶體管或者三極管，是雙極性晶體管的簡稱，具有信號放大和開關(guān)的基本特性，屬于電流控制元件，是常用半導(dǎo)體組件之一。其種類繁雜，有NP
科技傳播 2012年10期2012-06-06
- 半導(dǎo)體三極管的識別和檢測
出的電極依次為發(fā)射極（e極）、基極（b極）和集電極（c極）。發(fā)射區(qū)和基區(qū)在交界處形成發(fā)射結(jié)；基區(qū)和集電區(qū)在交界處形成集電結(jié)。根據(jù)半導(dǎo)體各區(qū)的類型不同，三極管可分為NPN型和PNP型兩大類，如圖1（a）、（b）所示。圖1 三極管的結(jié)構(gòu)符號及等效電路2.三極管的電流放大作用三極管最基本的作用是電流放大作用，它可以把微弱的電信號變成一定強度的信號。三極管有一個重要參數(shù)就是電流放大系數(shù)β，即當(dāng)三極管的基極上加一個微小的電流時，在集電極上可以得到一個是注入電流β倍的
職業(yè)技術(shù) 2011年12期2011-10-30
- 銦場致發(fā)射電推力器的研制①
、吸極內(nèi)半徑及發(fā)射極到吸極距離與發(fā)射特性的關(guān)系。1 FEEP的工作原理FEEP推力器屬于靜電式推力器。圖1為其典型針型FEEP結(jié)構(gòu)，主要包括發(fā)射極、吸極器及其他附屬裝置。FEEP工作時，首先利用加熱裝置將推進劑加熱至熔點之上，持續(xù)若干時間，以使得發(fā)射極及推進劑存儲室內(nèi)的推進劑充分熔化，發(fā)射極穿過含有液態(tài)推進兩極之間的電場強度達到1010V/m的量級。處于尖端的液體在靜電力與表面張力的共同作用下形成泰勒錐(錐頂角為98.6°)［7］。在電場和電動流體作用下，
固體火箭技術(shù) 2011年6期2011-08-31
- 快樂ＨＣ２０６１ＡＲ（ＩＩＩ）彩電黑屏故障檢修
個視放管基極和發(fā)射極電壓均為7.6V左右，反偏截止；將顯像管加速極電壓調(diào)高后，出現(xiàn)純凈的白光柵，但有回掃線，說明顯像管供給中、高電壓正常，判斷故障在解碼和亮度電路。該機為東芝TA二片機（TA7680AP和TA7698AP），微處理器為TMP47C433AN。查掃描、解碼電路TA7698AP的腳12V供給電壓正常（見附圖），亮度控制端腳電壓為4V左右，且隨亮度調(diào)整上下變化， TA7698AP內(nèi)部亮度電路輸出端23腳電壓為8V，隨亮度調(diào)整也有相應(yīng)變化，但變化幅
電子世界 2004年1期2004-03-14