鄭若成，湯賽楠

（中國電子科技集團(tuán)公司第58研究所，江蘇 無錫 214035）

天線效應(yīng)對(duì)LPNP管輸出曲線的影響

鄭若成，湯賽楠

（中國電子科技集團(tuán)公司第58研究所，江蘇 無錫 214035）

天線結(jié)構(gòu)是監(jiān)控半導(dǎo)體工藝過程中等離子體損傷的一種典型結(jié)構(gòu)，一般主要用來監(jiān)控MOS器件柵氧的損傷。文中，該結(jié)構(gòu)用來監(jiān)控橫向PNP（LPNP）管工藝過程中的發(fā)射極結(jié)損傷。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，帶天線結(jié)構(gòu)的LPNP管的輸出曲線容易出現(xiàn)翹曲現(xiàn)象，分析認(rèn)為該異常不是由于發(fā)射極結(jié)損傷造成的，因?yàn)榘l(fā)射極結(jié)工藝過程中并沒有受到損傷。同時(shí)發(fā)現(xiàn)該翹曲現(xiàn)象在LPNP管保護(hù)環(huán)接低電位時(shí)會(huì)消失，該低電位在很大范圍內(nèi)變化時(shí)，輸出曲線基本一致，且輸出曲線電流較保護(hù)環(huán)懸空時(shí)的電流整體偏大，在集電極電壓較大時(shí)，輸出電流和保護(hù)環(huán)懸空時(shí)的電流一致。

天線結(jié)構(gòu)；輸出曲線；翹曲；發(fā)射極結(jié)；保護(hù)環(huán)

1 LPNP管天線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)目的和評(píng)估參數(shù)

天線結(jié)構(gòu)版圖和剖面結(jié)構(gòu)如圖1、圖2所示，EC隔離采用多晶，多晶長度決定LPNP管的基區(qū)寬度。LPNP管發(fā)射極面積AE=1.5μm×3.0μm，發(fā)射極和EC隔離多晶短接通過金屬引出，再在引出端設(shè)計(jì)天線結(jié)構(gòu)。由于深亞微米工藝中發(fā)射極結(jié)結(jié)深非常淺，這種天線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的目的主要是考察工藝損傷對(duì)發(fā)射極結(jié)性能的影響。

天線1、4、5、6的目的是考察金屬1腐蝕損傷的影響。

天線2的目的是考察金屬1腐蝕和通孔腐蝕損傷的影響，由于金屬2是平板，因此金屬2的天線效應(yīng)可以忽略。

天線3的目的是同時(shí)考察金屬1腐蝕、通孔腐蝕和金屬2腐蝕損傷影響。

盡管主要考察發(fā)射極結(jié)受工藝損傷的影響，但由于天線同時(shí)連接發(fā)射極結(jié)和隔離多晶，因此天線效應(yīng)影響將可能有兩方面：一是對(duì)發(fā)射極EB結(jié)產(chǎn)生損傷，二是通過多晶對(duì)基區(qū)產(chǎn)生影響。對(duì)LPNP管天線效應(yīng)的參數(shù)評(píng)估包括器件gummel曲線、EB結(jié)IV曲線、器件輸出IV曲線（保護(hù)環(huán)Ring懸空）等參數(shù)。

天線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以下幾種類型，如表1所示。

表1 兩種LPNP管和六種天線結(jié)構(gòu)

圖2 LPNP管縱向結(jié)構(gòu)圖

2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果

本實(shí)驗(yàn)采用0.5μm BiCMOS工藝流片，對(duì)器件測(cè)試了gummel曲線，EB結(jié)IV曲線。測(cè)試表明，有無天線結(jié)構(gòu)對(duì)于上述曲線沒有明顯差異。

但帶天線結(jié)構(gòu)的三極管的輸出曲線則表現(xiàn)出翹曲現(xiàn)象，如圖3所示。從圖3看，LPNP管1上翹的位置存在差異，而LPNP管2的上翹位置差異不明顯。將LPNP管1的四種結(jié)構(gòu)的輸出IV曲線分別作圖，如圖4所示。

圖3 無天線結(jié)構(gòu)和帶天線結(jié)構(gòu)的輸出曲線比較

圖4 LPNP管1的四種結(jié)構(gòu)輸出曲線比較

LPNP管1不同天線上翹位置存在差異，天線1最晚出現(xiàn)上翹，而天線3則最早出現(xiàn)上翹現(xiàn)象，翹曲位置基本上反映了損傷的嚴(yán)重程度，翹曲越早，損傷越嚴(yán)重。表2反映了天線結(jié)構(gòu)和上翹位置之間的關(guān)系。

表2 不同天線結(jié)構(gòu)和曲線上翹位置的關(guān)系

LPNP管2的不同天線結(jié)構(gòu)曲線上翹位置幾乎沒有明顯差異，并且其上翹的位置和LPNP管1天線1的位置也沒有差異，說明金屬1天線長度似乎存在飽和效應(yīng)。

3 初步機(jī)理分析

從測(cè)試結(jié)果可以看出，LPNP管EB結(jié)IV曲線以及小電流特性在有無天線結(jié)構(gòu)上沒有顯示出差異，因此發(fā)射極結(jié)工藝過程中并未受到損傷，曲線翹曲異常也并不是由于發(fā)射極結(jié)損傷造成的[1]。從圖1中LPNP管剖面結(jié)構(gòu)看，天線效應(yīng)除了將損傷引進(jìn)EB結(jié)外，還可能造成多晶下柵氧的損傷，進(jìn)而影響基區(qū)表面復(fù)合，造成LPNP管輸出IV曲線的翹曲現(xiàn)象。

4 LPNP管IV曲線進(jìn)一步分析

測(cè)試表明，對(duì)于無天線結(jié)構(gòu)的LPNP管，當(dāng)Ring接Vss（-5V）時(shí)，輸出IV曲線電流比Ring懸空整體偏大，如圖5（a）。

對(duì)于有天線結(jié)構(gòu)的LPNP管，當(dāng)Ring接Vss（-5V）時(shí)，輸出IV曲線的上翹現(xiàn)象消失，曲線平滑，但在VC較小時(shí)，電流比Ring懸空整體偏大，VC較大時(shí)，則和Ring懸空時(shí)的曲線重合，如圖5（b）、（c）、（d）。

圖5 Ring上接Vss（-5V）后輸出曲線平滑

進(jìn)一步測(cè)試發(fā)現(xiàn)，Ring上電位從-0.5V～-5V變化時(shí)的輸出曲線和VRing=-5V時(shí)輸出曲線是一致的。

5 結(jié)論

帶天線結(jié)構(gòu)的LPNP管輸出曲線翹曲異常的詳細(xì)機(jī)理還需要進(jìn)一步分析，但可以認(rèn)為和工藝過程中的損傷有關(guān)。在其他工藝過程中，我們發(fā)現(xiàn)即使無天線結(jié)構(gòu)的LPNP管也多次出現(xiàn)翹曲異常，這同樣也可以由工藝損傷解釋，但LPNP管工藝過程中發(fā)射極結(jié)未受到損傷。輸出曲線的翹曲現(xiàn)象在保護(hù)環(huán)接上低電位后會(huì)消失，電路設(shè)計(jì)中保護(hù)環(huán)一般都會(huì)接低電位，因此該翹曲異?？赡軐?duì)設(shè)計(jì)影響不大，但在工藝建模參數(shù)測(cè)試時(shí)，保護(hù)環(huán)必須接低電位。

［1］鄭若成. 雙極器件EB結(jié)擊穿測(cè)試對(duì)HFE的影響[J]. 電子與封裝，2010.

The Impact of Antenna Effect in Process to Output IV Curve of LPNP Transistor

ZHENG Ruo-cheng, TANG Sai-nan
（China Electronics Technology Group Corporation No58Research Institute,Wuxi214035,China）

Antenna structure is the typical method that monitors plasma damage during semiconductor manufacture process. Generally, this structure is used for monitoring MOS transistor gate oxide damage in plasma process. In this paper, the structure is used to monitor the process damage to LPNP transistor emitter junction. Experiment shows that the output IV curve of LPNP transistor with antenna appears kink effect.It is not considered as a result of emitter junction damage and the process does no damage to the emitter junction. The kink effect will disappear with the guard ring connected with low voltage potential. The guard ring voltage potential varies in wide range, but the output IV curve shows no difference. The current with guard ring connected with low potential is bigger than that with guard ring fl oating. With the collector voltage increasing, the current is equal to each other.

antenna structure; output IV curve; kink effect; emitter junction; guard ring

TN305

A

1681-1070（2012）01-0025-03

2011-08-24

鄭若成（1971—），男，湖北監(jiān)利人，工程師，現(xiàn)在中國電科58所從事PCM參數(shù)測(cè)試和產(chǎn)品開發(fā)工作；

湯賽楠（1983—），女，天津人，學(xué)士，現(xiàn)在中國電科58所從事工藝質(zhì)量管理方面的工作。