硅片
- ASM2000機(jī)臺(tái)機(jī)械手運(yùn)行的影響因素分析
藝水平[1]。在硅片傳遞過程中，采用“正面、非接觸式”模式，較好地避免了硅片表面缺陷的產(chǎn)生。但是，在這種傳遞模式下，偶有發(fā)生硅片掉落現(xiàn)象。該現(xiàn)象通常發(fā)生在機(jī)械手傳遞腔處（圖1）。為了提高掉片故障處理的效率及成功率，提升機(jī)臺(tái)的標(biāo)準(zhǔn)化程度，保障產(chǎn)品的一致性，優(yōu)化設(shè)備參數(shù)，提升機(jī)臺(tái)的可靠性和穩(wěn)定性[2]，文章將從硅片傳遞的工作原理開始分析，總結(jié)導(dǎo)致硅片掉落的可能原因，供故障排查所用[3]。圖1 機(jī)械手傳遞腔區(qū)域2 吸盤取片工作原理介紹ASM2000外延設(shè)備通過吸
甘肅科技 2023年6期2023-08-03
- 太陽能級(jí)硅片清洗液原料配比研究
620)0 引言硅片清洗是指硅片制絨前采用物理或化學(xué)的方法去除硅片表面的污染物和其自身的氧化物，清洗硅片是太陽電池制備過程中的重要環(huán)節(jié)。這是因?yàn)?span id="syggg00" class="hl">硅片經(jīng)切割研磨加工后，表面會(huì)粘附油污、粉塵和金屬離子等污垢，通常以原子、粒子或膜的形式，以化學(xué)或物理吸附的方式存在于硅片表面，各種各樣的污垢會(huì)影響后續(xù)的制絨和擴(kuò)散效果。同時(shí)，殘留在硅片上的重金屬離子會(huì)擊穿硅片表面的薄層，使其產(chǎn)生晶格缺陷并影響太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率。因此，對(duì)于高效太陽電池而言，硅片的表面清潔處理十分
太陽能 2023年6期2023-07-03
- 硅片清洗方法及硅片清洗設(shè)備的研發(fā)討論
001 引言在對(duì)硅片的制造和使用過程中，需要對(duì)其表面進(jìn)行清洗，沒有灰塵污物才可以使后續(xù)生產(chǎn)工藝順利進(jìn)行。所以，需要在制造之前對(duì)硅片進(jìn)行清洗，在整個(gè)制造流程當(dāng)中清洗是一個(gè)循環(huán)頻次最高的過程，硅片的清洗過程比較復(fù)雜，清洗過程的重要與難點(diǎn)在于隨著硅片體積的日益減小，半導(dǎo)體集成電路對(duì)硅片的敏感性愈來愈高。例如，半導(dǎo)體收音機(jī)的生產(chǎn)與加工過程中不可避免要吸收一些粒子與塵埃等污染物，為了降低其他污染物質(zhì)對(duì)器件品質(zhì)的危害，在實(shí)際制造流程中常常要求對(duì)硅片進(jìn)行一次清洗，這一清
工程技術(shù)與管理 2023年4期2023-03-20
- 汽車硅片生產(chǎn)工藝中封裝環(huán)節(jié)顆粒污染的分析
曉東，董 敏汽車硅片生產(chǎn)工藝中封裝環(huán)節(jié)顆粒污染的分析鄭曉東1,3，董 敏*2（1.武城縣水利局，山東 德州 253000；2.武城縣第二實(shí)驗(yàn)小學(xué)，山東 德州 253000；3.山東有研艾斯半導(dǎo)體材料有限公司，山東 德州 253000）半導(dǎo)體制造過程中，封裝工藝需要對(duì)汽車硅片進(jìn)行充氮和真空處理。這一過程，對(duì)于汽車硅片的運(yùn)輸和保存相當(dāng)重要。文章主要研究封裝工藝對(duì)汽車硅片顆粒污染的程度，對(duì)工藝制程的影響以及降低這種影響的方法。封裝工藝由于穩(wěn)定性、無污染性和防氧化
汽車實(shí)用技術(shù) 2023年3期2023-02-18
- 細(xì)粒度金剛石砂輪超精密磨削硅片的表面質(zhì)量
旋轉(zhuǎn)法超精密磨削硅片的加工包含粗磨和精磨，其中，粗磨主要使用600目以下的金剛石砂輪，精磨主要使用2000目以上的金剛石砂輪。金剛石砂輪磨削硅片的材料去除是磨粒的單一機(jī)械作用，一定會(huì)在硅片的加工表面和亞表面產(chǎn)生磨痕、裂紋和位錯(cuò)等缺陷，需要通過其他的損傷去除工藝如化學(xué)機(jī)械拋光(chemical mechanical polishing，CMP)加工，才能獲得超光滑無損傷的表面，滿足后續(xù)芯片制造工藝的要求。CMP加工效率低，因此提高硅片磨削加工的表面質(zhì)量能直接
中國(guó)機(jī)械工程 2023年2期2023-02-17
- 超薄單晶硅片加工檢測(cè)技術(shù)的研究進(jìn)展
300）1 單晶硅片概述半導(dǎo)體領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的硅材料己成為集成電路（Integrated Circuit，IC）產(chǎn)業(yè)最重要的基礎(chǔ)功能材料，在民用和軍事工業(yè)中都占有重要的地位。電子信息產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展亟需提高生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)成本，為此，單晶硅片的直徑尺寸越做越大。300 mm 大直徑單晶硅片已在IC 器件中得到了廣泛的應(yīng)用，直徑＞400 mm 的單晶硅片也進(jìn)入了開發(fā)、研究的階段。單晶硅片直徑的增長(zhǎng)導(dǎo)致其重量增加、自支撐性變差而更易破碎。因此，需要單晶硅片的厚
現(xiàn)代工業(yè)經(jīng)濟(jì)和信息化 2022年9期2022-11-03
- 工件旋轉(zhuǎn)法磨削硅片的亞表面損傷深度預(yù)測(cè)
4）1 引言單晶硅片是制造集成電路、MEMS器件、智能傳感器、光子器件等半導(dǎo)體器件的重要襯底材料，在超平整超光滑低損傷表面的硅片上運(yùn)用注入、沉積、光刻等工序制成晶圓，再經(jīng)過背面減薄和封裝等工序最終制造出半導(dǎo)體芯片［1］。工件旋轉(zhuǎn)法磨削作為硅片超精密加工的關(guān)鍵技術(shù)，主要用于大尺寸硅片（主流產(chǎn)品尺寸為300 mm）平整化加工和背面減薄加工（從0.75 mm減薄到0.05 mm以下）［2-3］。目前，硅片的超精密磨削加工主要采用金剛石砂輪，利用超硬金剛石磨粒的微
光學(xué)精密工程 2022年17期2022-09-17
- 背鈍化自動(dòng)上下料機(jī)產(chǎn)能提升方法研究
30024）引言硅片從原料到電池片需經(jīng)過制絨- 擴(kuò)散- 刻蝕-退火- 背鈍化-PECVD 鍍膜- 絲網(wǎng)印刷等工序[1]。隨著光伏行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)越來越激烈，各個(gè)廠家對(duì)各道工序的產(chǎn)能要求也越來越高[2]。背鈍化工藝是給電池硅片表層鍍一層氧化鋁的工藝，以增加硅片的導(dǎo)電性能，是電池硅片生產(chǎn)的重要一環(huán)。主流背鈍化工藝生產(chǎn)設(shè)備產(chǎn)能也在逐步提高。以國(guó)內(nèi)某廠家背鈍化設(shè)備為例，2017 年該廠家背鈍化工藝設(shè)備單機(jī)產(chǎn)能為3 600 片/h，至2019 年，該設(shè)備三代機(jī)產(chǎn)能達(dá)到7
機(jī)械管理開發(fā) 2022年7期2022-08-08
- 大尺寸PERC晶體硅太陽電池低壓擴(kuò)散 工藝的研究
之一，其主要是在硅片表面摻雜磷原子或硼原子，從而在硅片表面形成p-n結(jié)。目前，光伏行業(yè)內(nèi)的擴(kuò)散爐均采用低壓擴(kuò)散工藝，工藝壓力一般為50～120 mbar。在低壓擴(kuò)散工藝中，工藝壓力、工藝溫度、工藝氣體比例等都會(huì)直接影響到擴(kuò)散效果。郭進(jìn)等[1]研究了工藝溫度、氣體流量、工藝壓力對(duì)低壓擴(kuò)散工藝的影響；張寶鋒等[2]從擴(kuò)散分子自由程、摻雜原子分壓比和氣場(chǎng)均勻性等方面詳細(xì)分析了低壓擴(kuò)散工藝對(duì)高方阻均勻性的影響；李吉等[3]研究了源流量、擴(kuò)散時(shí)間、源瓶壓力、真空泵壓
太陽能 2022年7期2022-07-30
- 立昂微、滬硅、中環(huán)爭(zhēng)奪硅片本土第一
顧天嬌部分半導(dǎo)體硅片廠未來5年產(chǎn)能已經(jīng)售罄。2月初，日本半導(dǎo)體硅片巨頭SUMCO（勝高）曾透露，公司產(chǎn)能包括新工廠的增產(chǎn)，至2026年財(cái)年之前產(chǎn)能已全部被長(zhǎng)期合同覆蓋。即使新建投資的增加起到了作用，供需緊張的局面仍將繼續(xù)。沒過多久，國(guó)內(nèi)多家半導(dǎo)體公司發(fā)布2022年1-2月經(jīng)營(yíng)數(shù)據(jù)，其中立昂微、滬硅產(chǎn)業(yè)兩家半導(dǎo)體硅片公司的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)排名靠前。立昂微1-2月凈利潤(rùn)增速高達(dá)253%，同時(shí)擬通過收購國(guó)晶半導(dǎo)體部分股權(quán)補(bǔ)齊輕摻領(lǐng)域短板;滬硅產(chǎn)業(yè)則減虧74%，即將步入正
英才 2022年3期2022-05-19
- PSG上料自動(dòng)化產(chǎn)能分析與設(shè)計(jì)優(yōu)化
工序，PSG是指硅片表面的磷硅玻璃，PSG的上一道工序是擴(kuò)散工藝，在擴(kuò)散過程中會(huì)通入氧氣，在硅片表面形成一層氧化硅，在高溫下POCl3與O2形成P2O5，部分磷原子進(jìn)入后，取代部分晶格上的硅原子形成N型半導(dǎo)體，部分則留在氧化硅中形成PSG。磷硅玻璃的存在使得硅片在空氣中表面容易受潮，導(dǎo)致電流的降低和功率的衰減，降低電池的轉(zhuǎn)換效率。氧化后的硅片被裝在100片的料盒中，通過智能AGV小車運(yùn)送到PSG工藝段，并與料盒循環(huán)組件對(duì)接后將滿料盒的硅片傳入PSG上料機(jī)，
電子工業(yè)專用設(shè)備 2022年6期2022-02-17
- 10億牽手應(yīng)用材料 晶盛機(jī)電頗具野心
布由于公司210硅片規(guī)模提升加速、生產(chǎn)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型順利，預(yù)計(jì)上半年收入同比增長(zhǎng)97%-108%，歸母凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)160%-188%?？梢钥吹?，相比166、182硅片，210硅片的發(fā)展可謂勢(shì)如破竹。而身處上游的晶盛機(jī)電，作為中環(huán)股份的主要設(shè)備供應(yīng)商，則是在210硅片發(fā)展過程中率先受益的公司。晶盛機(jī)電上半年預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)5.53億-6.36億元，同比增長(zhǎng)100%-130%，與下游光伏和半導(dǎo)體材料廠商的產(chǎn)能增長(zhǎng)保持了較高的一致性。210硅片替代帶來的機(jī)會(huì)單
英才 2021年6期2021-11-25
- 滬硅產(chǎn)業(yè) 拐點(diǎn)已至
、多做，現(xiàn)在全球硅片產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)者更集中了，這對(duì)國(guó)內(nèi)的新進(jìn)者不是好消息，代表競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手更強(qiáng)大了。不過，作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的硅片公司，在下游制造廠、IDM廠紛紛擴(kuò)產(chǎn)的背景下，行業(yè)高景氣加上充沛的產(chǎn)能，滬硅產(chǎn)業(yè)真正意義上的扭虧近在眼前了。保持半導(dǎo)體硅片龍頭地位滬硅產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品類型涵蓋12英寸拋光片及外延片、8英寸及以下拋光片、外延片及SOI硅片。根據(jù)制造工藝分類，半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過切割、研磨和拋光處
英才 2021年6期2021-11-25
- 傳送結(jié)構(gòu)對(duì)晶硅電池性能影響的研究
備之間進(jìn)行轉(zhuǎn)運(yùn)，硅片從載體花籃到工藝設(shè)備中主要依靠傳送結(jié)構(gòu)進(jìn)行傳輸，如載體花籃至石墨舟、石英舟，載體花籃至鏈?zhǔn)角逑礄C(jī)臺(tái)等[1]。在這些傳輸過程中，主要通過吸盤、皮帶、滾輪等傳送結(jié)構(gòu)直接抓取和傳送硅片，因此，這些傳送結(jié)構(gòu)會(huì)對(duì)硅片造成擠壓，摩擦。抓取時(shí)的壓力調(diào)整錯(cuò)誤時(shí)，可能會(huì)對(duì)電池片造成磨損甚至碎片，而摩擦傳送時(shí)，可能會(huì)造成雜質(zhì)附著硅片表面，導(dǎo)致電池片性能異常[2]。調(diào)整這些傳送結(jié)構(gòu)的設(shè)置方式，改善優(yōu)化傳送方式，更換傳送材料材質(zhì)等，都可以有效解決各類異常，從而
山西化工 2021年5期2021-11-12
- 太陽能硅片加工中重金屬雜質(zhì)沾污過程的研究
行提高。在太陽能硅片的加工過程，特別是切割環(huán)節(jié)中[7]，會(huì)不可避免地產(chǎn)生銅、鐵、鎳等重金屬沾污，特別是擴(kuò)散速度極快的銅更易沾染硅片表面，且不易清除，從而影響硅電池器件的性能及壽命[8-9]。以往對(duì)硅中銅、鐵等重金屬雜質(zhì)的擴(kuò)散研究較多，但對(duì)這些雜質(zhì)在硅片上的外沾污研究較少。本文以重金屬銅雜質(zhì)為主，鐵、鎳、鋅、鉻為輔，重點(diǎn)研究硅片加工過程(切割環(huán)節(jié))中這些重金屬雜質(zhì)的沾污的產(chǎn)生過程及銅對(duì)少子壽命的檢測(cè)，為后續(xù)控制太陽能硅片重金屬雜質(zhì)(銅)的沾污及清除提供必要的
兵器裝備工程學(xué)報(bào) 2021年10期2021-11-08
- 硅片厚度對(duì)SE-PERC單晶硅太陽電池制備過程的影響分析
換效率，p型單晶硅片普遍采用選擇性發(fā)射極－鈍化發(fā)射極及背接觸(SE-PERC)的技術(shù)路線；而硅片薄片化是晶體硅太陽電池降低成本的一種必然趨勢(shì)，為了不影響電池的光電轉(zhuǎn)換效率，目前電池產(chǎn)業(yè)化時(shí)的硅片厚度一般大于等于180 μm，硅片厚度減薄會(huì)對(duì)工藝配方、工裝器具等提出新的要求。目前，光伏行業(yè)針對(duì)硅片厚度減薄對(duì)電池光電轉(zhuǎn)換效率方面的影響的研究較為成熟[1]，但硅片薄片化對(duì)電池制備過程的影響也不容忽視?；诖耍疚尼槍?duì)硅片厚度減薄對(duì)SE-PERC單晶硅太陽電池制備
太陽能 2021年7期2021-07-30
- 激光加熱下不同形貌硅片的熱力學(xué)性能分析*
能化方向發(fā)展,使硅片等半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用[1-3]。硅片一般用作電子器件的襯底材料,直接影響器件的性能、壽命、成品率[4-5]。硅片受到機(jī)械和環(huán)境作用,會(huì)出現(xiàn)表面磨損、翹曲變形等,直接影響微機(jī)電系統(tǒng)的可靠運(yùn)行[6-7]。硅片在磨削加工時(shí)會(huì)造成表面磨損,強(qiáng)度因此受到影響。對(duì)集成電路和硅器件進(jìn)行研究發(fā)現(xiàn),硅片在高溫工藝下出現(xiàn)彎曲、翹曲也是常見的現(xiàn)象[8-10]。如何提高硅片的機(jī)械強(qiáng)度和熱應(yīng)力,是一個(gè)重要課題。筆者在研究中采用激光加熱,分析不同表面形貌硅片的強(qiáng)
裝備機(jī)械 2021年2期2021-07-02
- 背鈍化自動(dòng)上下料機(jī)兼容不同尺寸硅片方法研究
背鈍化工藝托盤上硅片的自動(dòng)裝卸，并與工藝機(jī)臺(tái)對(duì)接完成托盤循環(huán)傳輸。光伏硅片源于半導(dǎo)體材料，早期尺寸規(guī)格對(duì)標(biāo)半導(dǎo)體硅片，現(xiàn)階段大尺寸硅片已經(jīng)成為光伏行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)。在制造端，大尺寸硅片可以提升硅片、電池、組件的產(chǎn)量，從而降低單瓦成本。在產(chǎn)品端，大尺寸電池可以有效提高電池功率，從而提高組件效率[2]。硅片尺寸的加大，會(huì)促使相應(yīng)設(shè)備的改造升級(jí)，現(xiàn)行市場(chǎng)主流還是生產(chǎn)158mm和166mm的硅片，主要是因?yàn)檫@兩種尺寸硅片均可通過技術(shù)改造進(jìn)行升級(jí)適配，且技改成本較低。不
山西電子技術(shù) 2021年3期2021-06-28
- 刻蝕上料機(jī)產(chǎn)能提升方法研究
影響因素，主要從硅片的橫向排定時(shí)間，硅片從橫向傳送機(jī)構(gòu)位傳至與刻蝕機(jī)對(duì)接位的時(shí)間兩方面入手，使硅片快速傳送至刻蝕機(jī)的滾輪上，從而提升刻蝕上料機(jī)的產(chǎn)能。1 刻蝕上料機(jī)的結(jié)構(gòu)和工作原理刻蝕上料機(jī)主要包括縱向傳送機(jī)構(gòu)、橫向傳送機(jī)構(gòu)、側(cè)傳送機(jī)構(gòu)、伸縮手傳送機(jī)構(gòu)，緩存機(jī)構(gòu)、花籃升降機(jī)構(gòu)和花籃傳送機(jī)構(gòu)?？涛g上料機(jī)的工作原理如下：1)把裝滿硅片的花籃置于下層花籃傳送機(jī)構(gòu)的入口，由電機(jī)驅(qū)動(dòng)同步帶將滿花籃傳送至花籃升降機(jī)構(gòu)；2)花籃升降機(jī)構(gòu)將滿花籃提升至首片位；3)伸縮手傳
山西電子技術(shù) 2021年3期2021-06-28
- 半導(dǎo)體硅片制備技術(shù)及產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
業(yè)的不斷發(fā)展，對(duì)硅片的需求量大幅度增加，硅片的工藝技術(shù)逐漸成熟，生產(chǎn)規(guī)模以及產(chǎn)品質(zhì)量等不斷提升。國(guó)際上直徑為300 mm的硅片早已經(jīng)成為市場(chǎng)主流，直徑為450 mm的硅片正處于試驗(yàn)開發(fā)階段，而我國(guó)目前面對(duì)“缺芯”的制約，從國(guó)家到地方政策頻出，力求從材料、設(shè)計(jì)、制造、封裝等多方面突破。面對(duì)新環(huán)境、新競(jìng)爭(zhēng)，《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》[5]的出臺(tái)成為我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新起點(diǎn)，未來十年將會(huì)是國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的黃金期，作為基底材料的硅片必須抓住機(jī)遇，從
金剛石與磨料磨具工程 2020年4期2020-09-23
- 制絨上料插片機(jī)兼容156～220 mm硅片方法研究
動(dòng)化設(shè)備將堆疊的硅片通過吹氣分離傳輸?shù)綕袷交ɑ@中，再依次將花籃送到工藝設(shè)備的上料臺(tái)。硅片尺寸的增大已經(jīng)成為光伏行業(yè)發(fā)展的必然趨勢(shì)。在制造端，硅片尺寸越大，每瓦的生產(chǎn)成本越低；在產(chǎn)品端，大尺寸硅片能有效提升電池片組件的效率。但是由于硅片尺寸加大，裝載硅片的花籃也相應(yīng)增大，現(xiàn)有的光伏設(shè)備，無論是工藝設(shè)備還是自動(dòng)化設(shè)備，稍加改造可以兼容156～166 mm尺寸的硅片，但是再大尺寸的210 mm甚至220 mm硅片就無法兼容；另一方面，現(xiàn)行市場(chǎng)主流的還是生產(chǎn)166
山西電子技術(shù) 2020年3期2020-06-18
- 單晶硅片制絨后產(chǎn)生白斑的原因分析及改善措施
首道工序，制絨后硅片的質(zhì)量是決定能否產(chǎn)出高質(zhì)量電池的基礎(chǔ)和關(guān)鍵。但在現(xiàn)有生產(chǎn)技術(shù)中，制絨后的硅片經(jīng)常產(chǎn)生白斑現(xiàn)象[1]，這個(gè)問題困擾著各電池生產(chǎn)廠家。白斑占比高直接影響了電池生產(chǎn)的節(jié)拍，既降低了產(chǎn)線的合格率，又增加了生產(chǎn)成本，因此，避免產(chǎn)生白斑已成為電池生產(chǎn)質(zhì)量管控的重點(diǎn)。本文主要針對(duì)單晶硅片在制絨后出現(xiàn)白斑及臟污的現(xiàn)象，通過對(duì)制絨后的異常硅片進(jìn)行絨面測(cè)試、厚度測(cè)試和產(chǎn)線對(duì)比實(shí)驗(yàn)來排查異?，F(xiàn)象產(chǎn)生的原因，結(jié)合顯微紅外測(cè)試和X 射線能譜分析(EDS)測(cè)試對(duì)產(chǎn)
太陽能 2020年5期2020-06-09
- 淺析銀銅雙金屬一步法制備的黑硅多晶硅太陽電池的性能
池是通過刻蝕法對(duì)硅片表面進(jìn)行再次改進(jìn)，從而形成納米級(jí)結(jié)構(gòu)。由于這種納米級(jí)結(jié)構(gòu)可以在一個(gè)相當(dāng)大的光譜范圍(250～2500 nm)內(nèi)提升光的吸收率，因此可以顯著增加光的整體吸收率[3]?，F(xiàn)今市場(chǎng)上常見的濕法黑硅技術(shù)采用的是銀單金屬多步黑硅制絨方法，該方法存在工藝步驟多、槽體多不易控制、產(chǎn)能低、空間要求高與靈活性不佳等不足之處[4]?；诖?，北京普揚(yáng)科技有限公司通過與中國(guó)科學(xué)院物理研究所合作，開創(chuàng)性地開發(fā)出了銀銅雙金屬一步法黑硅技術(shù)。該技術(shù)可以在控制縱向刻蝕的
太陽能 2020年2期2020-04-02
- 硅片切割質(zhì)量控制的研究
0050）引言：硅片是光伏電池的重要組成部分，也是電子產(chǎn)品集成電路中芯片的主要原料，其生產(chǎn)工藝與切割質(zhì)量直接影響到電池與集成芯片的最終質(zhì)量，同時(shí)也影響著光伏電池與電子芯片的總體成本。硅片的生產(chǎn)過程中其質(zhì)量的控制要求十分嚴(yán)格，需要從其切割工藝入手，對(duì)影響切割加工質(zhì)量的各種因素以及重點(diǎn)工序進(jìn)行管控，提高硅片切割質(zhì)量，降低硅片成本。本文通過分析影響硅片切割質(zhì)量的各種因素，并對(duì)生產(chǎn)過程中的質(zhì)量控制以及工藝改進(jìn)提出自己的意見，希望對(duì)硅片的加工與生產(chǎn)有所幫助。一、硅片
魅力中國(guó) 2019年3期2019-12-18
- 金剛石砂輪磨削貼膜硅片崩邊的研究*
方向發(fā)展，對(duì)單晶硅片質(zhì)量的要求也越來越高[1-2]。硅片直徑增大能有效減少硅片邊角的浪費(fèi)，增加硅片出片率和降低集成電路成本；硅片厚度減小能有效減小硅片封裝體積；硅片表面/亞表面質(zhì)量越好越能提高電子元器件性能[3-5]。工件旋轉(zhuǎn)法常用來獲得直徑最大化和厚度最薄化的單晶硅片，該方法采用樹脂結(jié)合劑金剛石砂輪磨削減薄硅片以獲得較高的磨削效率，較高的磨削精度以及較好的磨削質(zhì)量[6]。然而，硅片直徑增大以及厚度減小會(huì)導(dǎo)致其減薄后容易產(chǎn)生崩邊、翹曲和碎片等現(xiàn)象，在制造、
金剛石與磨料磨具工程 2019年4期2019-09-18
- 造孔劑含量對(duì)樹脂結(jié)合劑硅片減薄砂輪磨削性能的影響
的主要材料。單晶硅片直徑直接影響半導(dǎo)體芯片的容量和成本，而硅片減薄和最小線寬是芯片制造的關(guān)鍵。因?yàn)?span id="syggg00" class="hl">硅片減薄技術(shù)有利于改善芯片的散熱效果，最小線寬則是代表IC行業(yè)先進(jìn)水平的主要指標(biāo)，線寬越小，電流回路單元越小，單個(gè)芯片的容量增加，集成度提高。同時(shí)，3D立體封裝技術(shù)由于其空間占用小，電性能穩(wěn)定，成本低等優(yōu)點(diǎn)而用于芯片的封裝。但3D立體封裝由于芯片堆疊層數(shù)多，要求芯片厚度非常小，因而要求減薄后的硅片具有高面型精度、無表面/亞表面損傷。目前，隨著硅片直徑的增大和超
金剛石與磨料磨具工程 2019年4期2019-09-18
- 基于機(jī)器視覺的硅片隱裂檢測(cè)系統(tǒng)的研究
各道工藝都有隱裂硅片的存在，造成碎片。隨著太陽能行業(yè)的發(fā)展，太陽能電池片廠家對(duì)良品率的要求與日俱增，迫切要求降低各個(gè)工藝段的碎片率。將視覺檢測(cè)技術(shù)應(yīng)用到太陽能自動(dòng)化設(shè)備中，對(duì)降低碎片率有重要意義。隱裂硅片被剔除的越早就越可以降低碎片率，更能節(jié)省能源與人力成本。而電池片生產(chǎn)工藝流程中的第一道工藝是制絨，因此對(duì)制絨段的隱裂硅片，進(jìn)行剔除刻不容緩。本文針對(duì)制絨段的隱裂硅片，設(shè)計(jì)了一套在線視覺檢測(cè)裝置。實(shí)踐表明，本檢測(cè)裝置具有實(shí)用效果。在線視覺檢測(cè)裝置的設(shè)計(jì)難點(diǎn)在
山西電子技術(shù) 2019年3期2019-07-01
- 降低石墨舟上下料機(jī)碎片率方法分析
要完成將鍍膜后的硅片從石墨舟中卸出裝入100片花籃，同時(shí)將花籃中未鍍膜的硅片插入到石墨舟中。本文主要通過研究石墨舟上下料機(jī)中硅片和石墨舟的傳輸、定位、插取過程，分析造成硅片碎片的主要環(huán)節(jié)，探究合理的解決方法，以快速完成調(diào)試，并降低碎片率，達(dá)到石墨舟上下料片機(jī)高效、穩(wěn)定運(yùn)行。1 石墨舟上下料機(jī)結(jié)構(gòu)及原理圖1 石墨舟上下料機(jī)結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示，石墨舟上下料機(jī)主要包括花籃上料機(jī)構(gòu)、硅片上料傳輸機(jī)構(gòu)、石墨舟搬送機(jī)構(gòu)、石墨舟傳輸機(jī)構(gòu)、石墨舟定位機(jī)構(gòu)、機(jī)器人裝卸片機(jī)
山西電子技術(shù) 2019年3期2019-07-01
- 石英舟裝片機(jī)碎片率分析及結(jié)構(gòu)改進(jìn)
但大致可以歸納為硅片檢測(cè)、表面制絨及酸洗、擴(kuò)散制結(jié)、去磷硅玻璃、等離子刻蝕及酸洗、鍍減反射膜、絲網(wǎng)印刷、快速燒結(jié)等[1]。在擴(kuò)散制結(jié)段，石英舟作為其硅片的主要載體，石英舟裝片機(jī)是實(shí)現(xiàn)石英舟傳輸及硅片插取的關(guān)鍵設(shè)備，主要完成將制絨后硅片兩兩交叉重疊插入1 200片石英舟插槽中，并將擴(kuò)散制結(jié)后的硅片取出分離并插入100片籃具內(nèi)，硅片吸附機(jī)構(gòu)及硅片校正機(jī)構(gòu)作為設(shè)備的核心機(jī)構(gòu)，承擔(dān)著硅片吸附、重疊、插取等功能。本文通過對(duì)石英舟內(nèi)硅片傳輸過程及調(diào)試流程進(jìn)行分析，找出
山西電子技術(shù) 2018年4期2018-09-06
- MEMS用硅片的磨削工藝研究
展的特點(diǎn)，所使用硅片厚度變得越來越薄、尺寸也在逐漸增大。同時(shí)由于硅片厚度的減小及尺寸的增大，硅片在加工時(shí)發(fā)生破碎的幾率增大，這給加工帶來一定困難[1]。此外，為保證MEMS器件的結(jié)構(gòu)及性能，硅片內(nèi)部的損傷應(yīng)盡可能小。大尺寸薄硅片加工時(shí)易出現(xiàn)翹曲變形，在后續(xù)器件制作過程中翹曲變形容易導(dǎo)致結(jié)構(gòu)層形變[2]。故對(duì)MEMS用硅片的加工應(yīng)盡可能確保硅片的高平整度及較小的應(yīng)力。傳統(tǒng)硅片加工中一般采用游離磨料的雙面研磨工藝消除線切割引起的切痕，這種方法能夠提高硅片的平整
電子工業(yè)專用設(shè)備 2018年4期2018-08-17
- N型單晶離子注入電池反向漏電原因及對(duì)策
中束流之外的磷在硅片非注入面沉積示意圖（側(cè)視圖）1 引言現(xiàn)今P型晶體硅電池占據(jù)了絕大的光伏市場(chǎng)，但是N型單晶電池因高轉(zhuǎn)換效率、低光衰減系數(shù)等優(yōu)勢(shì)，具有更大的效率提升空間，而離子注入作為一項(xiàng)摻雜濃度可控、均勻度更好的半導(dǎo)體摻雜技術(shù)，越來越被重視，兩者結(jié)合，也必將成為高效晶體硅電池的制造方式之一。在實(shí)際規(guī)模化電池生產(chǎn)中，會(huì)出現(xiàn)各種工藝設(shè)備問題，對(duì)最終產(chǎn)品——電池片的外觀或者電性能會(huì)有一定影響。本文針對(duì)生產(chǎn)中發(fā)現(xiàn)的反向漏電流偏大的問題，分析成因并驗(yàn)證，提出解決辦
電子技術(shù)與軟件工程 2018年10期2018-07-16
- 退火自動(dòng)化上下料設(shè)備提升良品率的措施
是進(jìn)行熱氧化，在硅片表面形成較薄的鈍化層。作為退火工藝的上下料設(shè)備，作為整個(gè)工藝不可缺少的一環(huán)，盡可能的降低該步驟的硅片的不良率，是追求效益最大化的生產(chǎn)廠家的一致愿景。2 設(shè)備的功能介紹退火工藝時(shí)，硅片的承載舟具是石英舟，其前后道工藝的硅片承載花籃是容量為100片硅片的籃具，間距為4.76 mm，本文討論的設(shè)備使用的石英舟，是容量1 200片，間距2.38 mm，平舟。退火自動(dòng)化上下料設(shè)備的功能就是，將石英舟內(nèi)兩兩背靠背退火后的硅片取出，放入100片籃具，
山西電子技術(shù) 2018年3期2018-07-02
- 硅電池片傳送過程表面劃傷臟污的研究
載由傳輸皮帶傳送硅片。全自動(dòng)硅片上料、下料機(jī)是太陽能電池片生產(chǎn)過程中的重要設(shè)備之一[1]。在傳送過程中,如果皮帶對(duì)硅片的磨擦過大,硅片表面極易出現(xiàn)劃傷臟污現(xiàn)象導(dǎo)致出現(xiàn)不良片。使用Electroluminescent電發(fā)光測(cè)試儀(簡(jiǎn)稱EL測(cè)試儀)進(jìn)行檢測(cè)，不良片的圖像如圖1。圖1 EL測(cè)試儀下帶有劃傷臟污的電池片2 硅電池片傳送過程表面劃傷臟污原因分析及優(yōu)化從設(shè)備結(jié)構(gòu)可以看出，自動(dòng)上料設(shè)備是將硅片傳送入濕制程設(shè)備內(nèi)進(jìn)行工藝任務(wù)。自動(dòng)下料設(shè)備是將完成工藝任務(wù)的
山西化工 2018年2期2018-05-28
- 勻膠托盤幾何參數(shù)對(duì)硅片形變的影響研究
膠的工藝特點(diǎn)要求硅片在托盤真空吸力的作用下隨主軸一起高速旋轉(zhuǎn)，因此勻膠托盤的幾何參數(shù)將對(duì)被吸附的硅片形變產(chǎn)生一定的影響，而過大的硅片形變將影響其表面形貌和平面度，從而影響光刻膠的均勻性。文獻(xiàn)[6]通過數(shù)值解和解析解，指出隨著勻膠膜厚的變薄，其受表面形貌的影響將增大；而文獻(xiàn)[7-8]通過數(shù)學(xué)模型和計(jì)算機(jī)模擬分析了離心轉(zhuǎn)數(shù)等參數(shù)對(duì)旋涂性能的影響規(guī)律，并通過實(shí)驗(yàn)分析指出基底不平將直接導(dǎo)致涂膠均勻性變差，從而使集成電路芯片顯影后線條黑白比改變。隨著大量學(xué)者的深入研
機(jī)械設(shè)計(jì)與制造 2018年3期2018-03-21
- 化學(xué)腐蝕硅表面結(jié)構(gòu)反射率影響因素的研究*
NGWei*單晶硅片在堿溶液中的腐蝕會(huì)引起表面結(jié)構(gòu)的變化,利用紫外可見分光光度計(jì)測(cè)量硅片表面反射率,發(fā)現(xiàn)堿溶液的濃度、腐蝕時(shí)間、添加劑的選擇(無水乙醇或異丙醇)以及添加劑的濃度均對(duì)硅片表面反射率有影響。比較幾個(gè)因素發(fā)現(xiàn)堿溶液的濃度和腐蝕時(shí)間對(duì)硅片表面反射率影響最大。當(dāng)腐蝕溫度為80 ℃,NaOH固體濃度為15 g/L,添加劑無水乙醇體積分?jǐn)?shù)10%時(shí),腐蝕30 min得到硅片反射率最低,達(dá)到11.15%。堿腐蝕;反射率;減反結(jié)構(gòu);腐蝕液隨著光電探測(cè)器和太陽能
電子器件 2017年2期2017-04-25
- 全球首個(gè)采用直接硅片的商業(yè)化電站完成并網(wǎng)發(fā)電
全球首個(gè)采用直接硅片的商業(yè)化電站完成并網(wǎng)發(fā)電硅片制造商1366科技與日本IHI集團(tuán)于6月29日共同宣布，全球首個(gè)采用直接硅片（Direct Wafer）的500 kW太陽能電站完成并網(wǎng)發(fā)電，進(jìn)入商業(yè)化運(yùn)營(yíng)階段。該電站由日本IHI集團(tuán)旗下全資子公司IPC建造，在其生命周期內(nèi)，電站預(yù)計(jì)可減少9 500 t二氧化碳的排放?！斑@一商業(yè)化安裝傳遞了我們對(duì)太陽能發(fā)電的全部期望。尤其是與傳統(tǒng)工藝相比，直接硅片技術(shù)僅僅使用了1/3的能源，因此電站的能源回收期可被大大縮短至
浙江電力 2017年7期2017-01-17
- 高速高精度太陽能硅片插片機(jī)的設(shè)計(jì)
高速高精度太陽能硅片插片機(jī)的設(shè)計(jì)張藝超1,2，俞建峰1,2，盛偉鋒1,2（1.江南大學(xué) 江蘇省食品先進(jìn)制造裝備技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，無錫 214122；2.江南大學(xué) 機(jī)械工程學(xué)院，無錫 214122）硅片插片機(jī)是太陽能光伏電池產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵設(shè)備，而插片機(jī)的工作速度與精度直接影響著硅片的制造成本與加工質(zhì)量。高速高精度硅片插片機(jī)是一款創(chuàng)新型插片設(shè)備，對(duì)其總體結(jié)構(gòu)、連續(xù)上料機(jī)構(gòu)、水中分離機(jī)構(gòu)、水流吸附裝置、檢測(cè)剔除裝置、糾偏對(duì)中機(jī)構(gòu)、翻轉(zhuǎn)裝籃機(jī)構(gòu)及控制系統(tǒng)等進(jìn)行了一系列創(chuàng)
制造業(yè)自動(dòng)化 2016年12期2017-01-04
- 重?fù)脚饘?duì)直拉單晶硅片上壓痕位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的影響
重?fù)脚饘?duì)直拉單晶硅片上壓痕位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的影響趙澤鋼，趙 劍，馬向陽，楊德仁（硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，浙江杭州 310027）對(duì)比研究了輕摻硼（1.5×1016cm-3）和重?fù)脚穑?.2×1020cm-3）直拉硅片上維氏壓痕周圍的殘余應(yīng)力分布及壓痕位錯(cuò)在900℃滑移的情況。研究表明：重?fù)脚鹬崩?span id="syggg00" class="hl">硅片上壓痕周圍的殘余應(yīng)力及應(yīng)力場(chǎng)區(qū)域顯著小于輕摻硼硅片的。在900℃熱處理時(shí)，輕摻硼硅片上的壓痕位錯(cuò)發(fā)生顯著的滑移，而重?fù)脚?span id="syggg00" class="hl">硅片上的壓痕位錯(cuò)幾乎不
材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào) 2016年3期2016-12-23
- 高壓硅堆反向漏電流IR1的改善
高壓硅堆的原材料硅片和擴(kuò)散源的品質(zhì)直接影響了產(chǎn)品漏電的大小。通過試驗(yàn)對(duì)比驗(yàn)證，使用國(guó)產(chǎn)質(zhì)量較好硅片（用美國(guó)ASIM I多晶材料生產(chǎn)的硅片）和高純度硼源，解決了漏電大的問題，并應(yīng)用于生產(chǎn)，提高了品質(zhì)。高壓硅堆；反向漏電；高純度；硼源；硅片一、引言由于高壓硅堆在使用中的損耗主要是反向損耗和開關(guān)損耗，因此,在高壓硅堆的設(shè)計(jì)及生產(chǎn)中力求使高壓硅堆的反向漏電流IR1盡可能小。所以，反向漏電流IR1是表征高壓硅堆性能的一個(gè)非常重要的參數(shù)。二、改進(jìn)前的狀況目前，我公司生
大陸橋視野 2016年18期2016-11-18
- 自動(dòng)硅片上料機(jī)的研制
30024）自動(dòng)硅片上料機(jī)的研制賈娟芳（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所，山西 太原 ，030024）近年來隨著光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展，自動(dòng)化設(shè)備在太陽能電池片生產(chǎn)線上得到廣泛的運(yùn)用。在工藝設(shè)備產(chǎn)能不斷增長(zhǎng)的背景下，對(duì)自動(dòng)化設(shè)備的產(chǎn)能要求也越來越高。本文主要結(jié)合太陽能電池設(shè)計(jì)制造過程中硅片的上下料工藝，與傳統(tǒng)上下料工藝的進(jìn)行了對(duì)比。重點(diǎn)分析了太陽能自動(dòng)化設(shè)備全自動(dòng)硅片裝片上下料機(jī)的結(jié)構(gòu)、特性以及工作流程等。自動(dòng)化設(shè)備；全自動(dòng)硅片上料機(jī)；控制模式；研制隨著全球能源短缺和
國(guó)防制造技術(shù) 2016年2期2016-09-27
- 紅外線用于檢測(cè)硅片隱裂的方法
司紅外線用于檢測(cè)硅片隱裂的方法王金周 楊寶玥 盧新志 保定流云精密機(jī)械制造有限公司李?yuàn)檴?逯小慶 劉子隆 英利能源（中國(guó)）有限公司隱裂是太陽能電池片的隱形殺手。前期硅片隱裂可造成后期電池碎片甚至是組件的不合格品，如不能進(jìn)行及時(shí)檢測(cè)，對(duì)加大的增加產(chǎn)成品的成本。利用某波段的紅外線不可被硅材料吸收或者直接穿透硅材料，只能在硅片表面進(jìn)行全反射的原理來檢測(cè)硅片的隱裂，控制生產(chǎn)制造成本。隱裂；紅外光硅片隱裂是太陽能電池制造過程中造成電池片碎裂的直接因素。因?yàn)橛糜谥谱魈?/div>
電子制作 2016年24期2016-04-18
- 非標(biāo)硅片粘蠟技術(shù)研究
個(gè)著名定律。隨著硅片中集成器件幾何尺寸的縮小，芯片內(nèi)部連線和連線密度迅速上升，連線的橫截面積不斷縮小，刻蝕要求每層表面十分平坦，光刻的焦深必須由全局平坦化來支持。同時(shí)，硬盤技術(shù)飛速發(fā)展的今天，對(duì)表面質(zhì)量的要求也越來越高。此時(shí)，傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)已無法滿足全局平坦化的加工要求?；瘜W(xué)機(jī)械拋光(CMP)已成為公認(rèn)有效的全局平坦化技術(shù)，并得到了迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用。它不僅可以應(yīng)用到Ni-P合金為表面層的硬盤盤片、硅片，而且可以用于鍺、鎢、銅、玻璃、寶石等材料的表面高精天津科技 2015年6期2015-10-18
- 化學(xué)機(jī)械拋光對(duì)硅片表面質(zhì)量影響的研究
的IC 都要采用硅片，是信息技術(shù)的基礎(chǔ)材料，是固態(tài)電子發(fā)展的載體[3]。因此拋光硅片的表面質(zhì)量直接影響著器件的性能、集成度、可靠性以及成品率[4]。但是目前關(guān)于單晶硅化學(xué)機(jī)械拋光的研究主要集中在工藝機(jī)理方面，關(guān)于單晶硅表面粗糙度的定義及其對(duì)粒子缺陷的影響研究甚少[5-8]。而單晶硅表面粗糙度的好壞直接影響到后續(xù)表面質(zhì)量的測(cè)量，同時(shí)化學(xué)機(jī)械拋光精拋的一些重要工藝參數(shù)（壓力、相對(duì)轉(zhuǎn)速、拋光液流量等）對(duì)硅片表面微粗糙度也會(huì)產(chǎn)生很大的影響[9-10]。因此，本研究電子工業(yè)專用設(shè)備 2015年11期2015-07-04
- 單晶硅磨削加工后的表面損傷研究
品的飛速發(fā)展，在硅片趨向大直徑化的同時(shí)，對(duì)芯片的厚度也要求越來越薄，并且需要對(duì)單晶半導(dǎo)體硅片的背面進(jìn)行減薄加工。集成電路（IC）是現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)和信息社會(huì)的基礎(chǔ)。作為IC 發(fā)展的基礎(chǔ)和半導(dǎo)體芯片的理想襯底材料，硅片的表面質(zhì)量直接影響著IC 器件的性能、成品率以及壽命。隨著硅片直徑的增大和器件尺寸的減小，對(duì)硅片表面加工質(zhì)量的要求日益增高，不僅要求極高的平面度，極小的粗糙度，而且要求表面無變質(zhì)層、無劃傷。目前，固結(jié)磨料的超精密磨削技術(shù)是加工大尺寸硅片的主要方法，電子工業(yè)專用設(shè)備 2015年10期2015-07-04
- 晶圓超精密磨削加工表面層損傷的研究
面質(zhì)量的硅晶片。硅片表面層質(zhì)量直接影響著器件的性能、成品率以及壽命，隨著IC 制造技術(shù)的飛速發(fā)展，為了提高IC 的集成度，要求硅片的刻線寬度越來越細(xì)。相應(yīng)地，對(duì)硅片表面層質(zhì)量的要求也日益增高，即要求硅片表面高度平整光潔，幾何尺寸均勻，有精確的定向，表面層無任何的損傷。從硅單晶錠到單晶硅片需要一系列的機(jī)械和化學(xué)加工過程，如切、磨、拋等。在硅片切割、研磨、磨削等加工過程中會(huì)不可避免地在硅片表面產(chǎn)生微劃痕、微疵點(diǎn)、微裂紋、殘余應(yīng)力、晶格畸變等加工損傷。然而，硅片電子工業(yè)專用設(shè)備 2015年5期2015-07-04
- 論文名稱：硅片超精密磨削減薄工藝基礎(chǔ)研究
封裝厚度，需要對(duì)硅片進(jìn)行背面減薄加工。目前，采用金剛石砂輪的超精密磨削技術(shù)在硅片減薄加工中得到廣泛應(yīng)用，但是，超精密磨削減薄技術(shù)面臨著高加工質(zhì)量和高加工效率的突出矛盾。面向IC封裝技術(shù)對(duì)超薄硅片的需求，作者深入研究了金剛石砂輪磨削硅片的亞表面損傷特性、變形機(jī)理和崩邊規(guī)律以及采用軟磨料砂輪的機(jī)械化學(xué)磨削技術(shù)，提出金剛石砂輪磨削和軟磨料砂輪磨削集成的高效低損傷磨削減薄新工藝。主要研究?jī)?nèi)容和結(jié)論如下：(1)建立了工件旋轉(zhuǎn)法磨削硅片的磨粒切削深度模型，確定了磨粒切金屬加工(冷加工) 2015年12期2015-04-17
- 應(yīng)用材料公司推出先進(jìn)全自動(dòng)硅片檢測(cè)系統(tǒng)
司推出先進(jìn)全自動(dòng)硅片檢測(cè)系統(tǒng)日期在上海召開的SNEC第八屆國(guó)際太陽能產(chǎn)業(yè)及光伏工程（上海）展覽會(huì)暨論壇上，應(yīng)用材料公司宣布推出具備全新功能的Applied-VericellTM太陽能硅片檢測(cè)系統(tǒng)，以減少廠商生產(chǎn)成本并提高高效太陽能電池生產(chǎn)的總體平均良率。這些新功能包括：100%在線硅片檢測(cè)，以解決人工檢查的質(zhì)量局限；以及通過光致發(fā)光（PL）技術(shù)自動(dòng)預(yù)測(cè)硅片電池轉(zhuǎn)換效率的能力，使客戶能夠只處理符合質(zhì)量和良率規(guī)格的硅片，獲取更高的利潤(rùn)。Vericell系統(tǒng)采用電子工業(yè)專用設(shè)備 2014年5期2014-08-15
- 不同生產(chǎn)工藝對(duì)硅片表面翹曲及機(jī)械性能的影響
半導(dǎo)體器件。單晶硅片多用于制造集成電路的襯底材料，而硅片的表面質(zhì)量則直接影響著器件的性能、成品率及壽命。在把單晶硅棒加工成拋光片通常需要至少6 道機(jī)械加工、兩道化學(xué)加工和1～2 道拋光工藝。隨著硅片尺寸的增大，對(duì)于硅片的平整度及機(jī)械強(qiáng)度有著更加高的要求，但是磨削加工會(huì)不可避免地?fù)p傷硅片表面，該損傷會(huì)影響硅片強(qiáng)度，降低成品率和加工效率。因此，如何提高硅片的平整度及機(jī)械強(qiáng)度是硅片研磨的一個(gè)重要問題。集成電路和其他硅器件在高溫工藝中，硅片的翹曲和彎曲現(xiàn)象是普遍存電子工業(yè)專用設(shè)備 2014年10期2014-07-04
- 硅片在線視覺檢測(cè)的實(shí)現(xiàn)
)1 光伏行業(yè)的硅片檢測(cè)近年來，隨著廠家對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量的重視。對(duì)產(chǎn)品的分檔有了越來越高的要求，尤其是在光伏工藝的前段，如果不合格的硅片如尺寸不合格、崩邊等流入后道工序?qū)⒃斐删薮蟮睦速M(fèi)。人工檢測(cè)的話因?yàn)橘M(fèi)時(shí)費(fèi)力，所以只能抽檢。仍有大量的不合格片流入后道工序，對(duì)成品的品質(zhì)造成了影響。因此光伏行業(yè)對(duì)硅片的自動(dòng)檢測(cè)有了巨大的需求。2 硅片在線視覺檢測(cè)通過視覺系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)檢測(cè)是自動(dòng)化領(lǐng)域常用的方式，根據(jù)被檢測(cè)物在檢測(cè)時(shí)是否運(yùn)動(dòng)可以分為定位檢測(cè)和在線檢測(cè)兩種。在線檢測(cè)因?yàn)楸粶y(cè)山西電子技術(shù) 2014年2期2014-05-12
- 光伏單晶硅片成本下降速度有望快于多晶硅片
光伏單晶硅片成本下降速度有望快于多晶硅片目前，由于單晶切片采用金剛線切片已成為趨勢(shì)，中銀國(guó)際預(yù)計(jì)，未來單晶硅片的成本下降速度快于多晶硅片，從而兩者之間的價(jià)差亦進(jìn)一步縮短。金剛線的特點(diǎn)是可以將硅片切的更薄且高效，金剛線切割速度是普通剛線的兩倍，而且不需要特殊切割液，用水作為溶劑。同時(shí)金剛線直徑小，線損低，可切割更薄的硅片。另外，單晶硅棒因其晶格有序的特性，可以實(shí)現(xiàn)金剛線切片的規(guī)模應(yīng)用，促進(jìn)硅片薄片化，對(duì)應(yīng)每瓦硅片的硅料耗量將更低。隨著電池技術(shù)的改進(jìn)，更薄的硅電子工業(yè)專用設(shè)備 2014年8期2014-03-24
- 硅片不同表面鈍化工藝的穩(wěn)定性研究*
510275)硅片的體少子壽命是表征硅片質(zhì)量的一個(gè)重要參數(shù)，現(xiàn)在一般用WT-2000少子壽命測(cè)試儀以及WCT-120少子壽命測(cè)試儀測(cè)試硅片少子壽命[1]，但這兩種方法的測(cè)試少子壽命值都包含了體壽命和表面壽命，是兩者綜合作用的結(jié)果[2]。本文采用WT-2000少子壽命測(cè)試儀,其測(cè)得的測(cè)試少子壽命可由下式表示[2-4](1)(2)τbulk為體內(nèi)少子壽命值，τdiff為少子從樣品體內(nèi)擴(kuò)散到表面所需時(shí)間；τsurf為因表面復(fù)合產(chǎn)生的表面壽命；τmeans為樣品- 一種更便宜、更薄的多用途晶體硅片研制成功
更薄的多用途晶體硅片研制成功美國(guó)納米工程研究中心（CRNE）的一個(gè)研究組與巴塞羅那大學(xué)電子工程系的研究人員共同開發(fā)出一種更便捷更便宜的晶體硅制備方法。他們的研究成果刊登在最近一期的應(yīng)用物理學(xué)報(bào)上。這種很薄的硅片厚度在10 μm左右，造價(jià)昂貴但是微電子學(xué)所期望的，尤其是隨著微芯片三維集成電路發(fā)展這是必然的選擇。硅片技術(shù)的發(fā)展為光伏技術(shù)的發(fā)展提供了更為廣闊的前景，尤其是柔性電池的發(fā)展方面收益頗大。近些年來，技術(shù)的發(fā)展帶來了硅片向著更加薄的方向發(fā)展。線切割所能帶浙江電力 2013年7期2013-01-25
- 行業(yè)動(dòng)態(tài)
首現(xiàn)分化組件價(jià)跌硅片價(jià)漲隨著去年四季度以來全球光伏應(yīng)用市場(chǎng)逐漸復(fù)蘇，國(guó)內(nèi)光伏產(chǎn)業(yè)也開始欣欣向榮。但由于過去幾年產(chǎn)能擴(kuò)張嚴(yán)重，光伏下游組件價(jià)格連續(xù)下挫。相比之下，由于產(chǎn)能不足，中游的硅片價(jià)格近期卻意外上漲。根據(jù)業(yè)內(nèi)人士介紹，現(xiàn)在硅片市場(chǎng)的確很熱，要先付預(yù)付款才能拿到貨。由于硅片產(chǎn)能緊張，不少企業(yè)從去年年底到現(xiàn)在一直是滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)，甚至整個(gè)春節(jié)都沒有休息。另據(jù)市場(chǎng)調(diào)查，去年下半年，每片硅片價(jià)格只要25元不到就可以拿到貨；現(xiàn)在，每片硅片報(bào)價(jià)已接近30元了，上漲了2中國(guó)建筑金屬結(jié)構(gòu) 2010年6期2010-12-31
- 硅片減薄技術(shù)研究
封裝中使用更薄的硅片已成為必然。目前行業(yè)內(nèi)可以將硅片減薄至50 μm，相當(dāng)于普通人頭發(fā)絲的直徑。通過減薄，可以將硅片背面多余材料去除掉，不僅有效的減小了硅片封裝體積，同時(shí)，也提高了器件在散熱、機(jī)械、電氣等方面的性能。目前減薄有以下幾種方法：研磨、化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）、干式拋光（Dry Polishing）、電化學(xué)腐蝕（Electrochemical Etching）、濕法腐蝕（Wet Etching）、等離子輔助化學(xué)腐蝕（PACE）、常壓等離子腐蝕（At電子與封裝 2010年3期2010-04-20
- 硼擴(kuò)散片彎曲度的控制技術(shù)研究
，由于熱應(yīng)力以及硅片正反兩面雜質(zhì)層濃度及結(jié)深不同等原因，會(huì)造成硅片彎曲度增加，尤其在進(jìn)行單面擴(kuò)散時(shí)，硅片的彎曲會(huì)變得非常嚴(yán)重。因此彎曲度的控制顯得尤為重要，下面的討論是基于彎曲度小于15μm的要求。2.1 單面擴(kuò)散與雙面擴(kuò)散對(duì)擴(kuò)散片彎曲度的影響研制過程中分別對(duì)70片硅拋光片試驗(yàn)了單面擴(kuò)散和雙面擴(kuò)散實(shí)驗(yàn)，之后再進(jìn)行拋光，結(jié)果見圖1和圖2。結(jié)果表明，對(duì)硅片進(jìn)行單面擴(kuò)散，彎曲度符合要求的硅片僅占總數(shù)的2.9%，彎曲度大于100μm的硅片占總數(shù)的34.3%；而進(jìn)行電子工業(yè)專用設(shè)備 2010年8期2010-03-23
- 非標(biāo)硅片粘蠟技術(shù)研究