凸點(diǎn)
- 電子封裝金屬微凸點(diǎn)制備技術(shù)研究進(jìn)展*
ut, I/O）凸點(diǎn)的封裝形式—球柵陣列封裝（Ball Grid Array Packaging, BGA）、芯片尺度封裝（Chip Scale Packaging, CSP）、晶圓級芯片尺度封裝（Wafer Level Chip Scale Packaging,WLCSP）以及倒裝芯片封裝（Flip Chip Packaging, FCP）陸續(xù)登上歷史舞臺，它將有源區(qū)面上制有凸點(diǎn)電極的芯片朝下放置，與封裝基底/基板布線層直接鍵合實(shí)現(xiàn)冶金連接[1–2]。這
電子機(jī)械工程 2023年6期2024-01-02
- 插座銅合金凸焊工藝及結(jié)構(gòu)研究
極加壓通電時，靠凸點(diǎn)接觸來提高單位面積上的壓力與電流密度，接觸區(qū)域集中發(fā)熱，凸點(diǎn)隨之熔化并被壓潰形成熔核，冷卻后形成焊點(diǎn)，除電力外整個過程無其他消耗。凸焊比較適合兩焊接件厚度不一致或者導(dǎo)電、散熱性能存在差異導(dǎo)致溫度分布不均的情況，凸點(diǎn)一般設(shè)置在導(dǎo)電、散熱較好的焊接件上。影響凸焊焊點(diǎn)質(zhì)量的主要因素有焊接電流、焊接壓力和焊接時間等焊接參數(shù)以及凸點(diǎn)的形狀和尺寸，此外電極材料和焊接件材料的匹配度也有很大影響。2.2 插座選擇凸焊工藝的合理性插座的插套和連接銅條均采
日用電器 2023年9期2023-11-01
- 菊花鏈互連電遷移多物理場模擬仿真?
。Cu/Sn鍵合凸點(diǎn)的電遷移現(xiàn)象成為一個重要的研究問題。電遷移是指在電流的作用下，凸點(diǎn)內(nèi)的原子與電子產(chǎn)生碰撞，從而發(fā)生動量交換，使原子由陰極向陽極運(yùn)動的現(xiàn)象。當(dāng)電流強(qiáng)度大時，在陰極產(chǎn)生空洞，導(dǎo)致凸點(diǎn)陰極短路失效，而陽極因?yàn)樵永鄯e而形成小丘，出現(xiàn)短路現(xiàn)象，對凸點(diǎn)的可靠性造成威脅［6～7］。電遷移與互連凸點(diǎn)中的電流密度、溫度分布是緊密相關(guān)的。研究發(fā)現(xiàn)，當(dāng)電流密度超過1×104A/cm2時，極易引起電遷移失效［8］。張墅野等［9］建立了經(jīng)典三維Cu 互連線結(jié)構(gòu)
艦船電子工程 2023年4期2023-08-04
- 微凸點(diǎn)陣列等效熱導(dǎo)率模型及仿真驗(yàn)證
封裝中存在大量微凸點(diǎn)[7]、微銅柱[8]、TSV[9]等結(jié)構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)高集成度封裝結(jié)構(gòu)中的信號互聯(lián)，這無疑也意味著對熱[10]、熱-機(jī)械[11]等可靠性評估過程對計(jì)算成本的極高需求，散熱問題成為如今高功率密度集成電路封裝設(shè)計(jì)中亟待突破的技術(shù)壁壘之一。目前使用有限元分析(finite element，F(xiàn)E)軟件對各種封裝形式的器件進(jìn)行其模型的計(jì)算流體動力學(xué)(Computation Fluid Dynamics，CFD)仿真，以評估電子產(chǎn)品在其額定功率下工作的散
計(jì)算機(jī)仿真 2023年2期2023-03-29
- 塑封倒裝焊焊點(diǎn)開裂分析及改善研究
匹配，導(dǎo)致塑封體凸點(diǎn)易受熱應(yīng)力蠕變造成焊點(diǎn)開裂現(xiàn)象，存在較嚴(yán)重的封裝可靠性風(fēng)險。且倒裝焊的產(chǎn)品包含多個凸點(diǎn)，其中一個凸點(diǎn)失效就會導(dǎo)致整個產(chǎn)品失效，因此凸點(diǎn)的可靠性成為決定產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵因素。確定在封裝制程中最易形成凸點(diǎn)失效的工序及失效模式對提高封裝的可靠性具有非常重要的意義。本文通過ANSYS 軟件進(jìn)行1∶1 實(shí)物建模，從封裝制程的角度對易造成凸點(diǎn)失效的工序進(jìn)行應(yīng)力應(yīng)變分布的模擬，分析焊點(diǎn)開裂失效的原因并提出改善方案。2 試驗(yàn)方法倒裝焊的塑封體結(jié)構(gòu)主要包括
電子與封裝 2023年2期2023-03-22
- 基于智能設(shè)備的汽車行駛姿態(tài)感知研究與實(shí)現(xiàn)*
成本和誤差。1 凸點(diǎn)檢測算法1.1 有效凸點(diǎn)的定義條件為了識別汽車的轉(zhuǎn)向操作駕駛事件，檢測轉(zhuǎn)向過程中的有效凸點(diǎn)數(shù)量，本文通過分析大量在道路測試過程中采集的數(shù)據(jù)，為有效凸點(diǎn)定義了4 個參數(shù)，它們分別是δl，δh，TBUMP，TDELAY。δl代表一個有效凸點(diǎn)范圍內(nèi)角速度絕對值的最小值閾值限制，它決定了一個有效凸點(diǎn)發(fā)生的開始點(diǎn)和結(jié)束點(diǎn)；δh代表一個有效凸點(diǎn)過程中角速度絕對值所能達(dá)到的最大值的最低閾值限制，它通過檢測一個凸點(diǎn)過程中的角速度絕對值的最大值是否達(dá)到此
電子器件 2022年4期2022-10-22
- 基于特征區(qū)域下凸點(diǎn)提取的藻類熒光光譜波長選擇方法
熒光區(qū)域積分結(jié)合凸點(diǎn)提取的波長選擇方法是根據(jù)整體區(qū)域熒光強(qiáng)度變化選擇出能夠表征藻類色素的熒光特性的波長變量，同時避免選擇過程的隨機(jī)性。本文以抑食金球藻、小球藻、細(xì)長聚球藻為研究對象，在對3種藻的原始光譜進(jìn)行預(yù)處理后，結(jié)合熒光區(qū)域積分和二元凸函數(shù)判定方法，進(jìn)行特征區(qū)域波長變量篩選，并將篩選后的光譜數(shù)據(jù)作為輸入建立PLS回歸模型，驗(yàn)證其有效性。1 基于凸點(diǎn)提取的波長選擇原理特征區(qū)域下的凸點(diǎn)提取是通過在主要熒光區(qū)域中提取曲面峰值點(diǎn)及峰值周圍的點(diǎn)來達(dá)到去除熒光光譜
光譜學(xué)與光譜分析 2022年10期2022-10-09
- 某汽油機(jī)油氣分離器密封圈斷裂失效分析及改進(jìn)
，斷裂點(diǎn)位于防脫凸點(diǎn)附近。圖1 進(jìn)、排氣凸輪軸負(fù)載示意圖3 故障排查及原因分析3.1 失效機(jī)理分析通過魚骨刺圖，如圖2 所示，分析可能造成密封圈斷裂的原因。在排除裝配等其他影響因素后，排查方向聚焦在密封圈結(jié)構(gòu)和油氣分離器密封槽兩個方面。圖2 油氣分離器密封圈開裂原因分析3.2 故障原因排查使用原發(fā)動機(jī)更換油氣分離器后進(jìn)行溫度場測試，結(jié)果表明油氣分離器密封圈斷裂處最高溫度為101℃，如表1 所示。油氣分離器殼體材料為PA66-GF30，密封圈材料FKM，兩種
時代汽車 2022年18期2022-09-06
- “口水”也珍貴
的口腔內(nèi)有4個小凸點(diǎn)，其中兩個分布在腮幫子內(nèi)側(cè)靠中間的位置，正對著上頜第二磨牙。另外兩個小凸點(diǎn)位于舌下的舌根處，在舌系帶的兩側(cè)，左右各一個?？蓜e小看了這4個小凸點(diǎn)，它們是唾液腺導(dǎo)管在口腔開口處形成的黏膜乳頭，我們的唾液就源于此。唾液具有潤滑口腔黏膜、溶解食物和便于吞咽的作用，其中含有淀粉酶和溶菌酶，有助于消化和殺菌。正常人每天白天平均分泌1 ～1 .5升的唾液，但夜里幾乎不會分泌唾液。由于一整夜沒有唾液沖洗，口腔里的微生物數(shù)量會在每天早起時達(dá)到峰值，所以睡
職工法律天地·上半月 2022年10期2022-07-05
- 基于光學(xué)三角法的芯片凸點(diǎn)高度測量
unding）和凸點(diǎn)鍵合（bump- bounding）。其中，凸點(diǎn)鍵合技術(shù)采用導(dǎo)電凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)芯片對芯片（die-to-die）、芯片對基板（dieto-wafer）之間的電氣互聯(lián)互通。同時，凸點(diǎn)還可以作為器件之間的支撐結(jié)構(gòu)［1］。如果凸點(diǎn)互聯(lián)結(jié)構(gòu)存在缺陷乃至失效將導(dǎo)致封裝芯片的良率下降，因此需要在凸點(diǎn)制備過程中對其進(jìn)行在線測量。凸點(diǎn)互聯(lián)失效模式主要包括錯位、缺失、橋接以及高度不一致［2］。傳統(tǒng)二維測量方法只能檢測凸點(diǎn)錯位、缺失和橋接，不能實(shí)現(xiàn)凸點(diǎn)高度一
光子學(xué)報(bào) 2022年5期2022-06-28
- 異形觸點(diǎn)鉚接級進(jìn)模設(shè)計(jì)
對某觸點(diǎn)頭部存在凸點(diǎn)的零件在級進(jìn)模內(nèi)鉚接和整形的技術(shù)進(jìn)行介紹，探討異形觸點(diǎn)鉚接和整形工藝。1 工藝分析圖1所示為某觸點(diǎn)元件，由觸橋和觸點(diǎn)組成，觸點(diǎn)為鉚釘形狀，通過鉚接的方式與觸橋連接，觸點(diǎn)頭部為異形（有小凸點(diǎn)），要求采用級進(jìn)模完成整個元件的成形，成形工序涉及沖切、刺破、去毛刺、彎曲、鉚接、觸點(diǎn)頭部整形及落料等。成形工序中沖切、刺破、去毛刺、彎曲、落料技術(shù)應(yīng)用較成熟，難點(diǎn)在于鉚接和觸點(diǎn)頭部凸點(diǎn)的成形，結(jié)合實(shí)際生產(chǎn)分析，有以下2種工藝方案成形鉚接和觸點(diǎn)頭部凸點(diǎn)
模具工業(yè) 2022年5期2022-05-27
- 基于不同鍵合參數(shù)的Cu-Sn-Cu 微凸點(diǎn)失效模式分析
裝密度的提高，微凸點(diǎn)尺寸和間距的減小，大大提高了凸點(diǎn)中的電流密度，導(dǎo)致更加容易出現(xiàn)嚴(yán)重的電遷移現(xiàn)象，從而使產(chǎn)品壽命降低或者直接失效。電遷移發(fā)生后，會在凸點(diǎn)內(nèi)部形成空洞、裂紋等缺陷，導(dǎo)致產(chǎn)品失效；同時金屬凸點(diǎn)內(nèi)部金屬間化合物（Intermetallic Compound,IMC）層也會增加凸點(diǎn)脆性斷裂的風(fēng)險[3-5]。電流密度是影響電遷移發(fā)生與否的主要因素，部分文獻(xiàn)中提到當(dāng)電流密度接近104A/cm2時，會引發(fā)凸點(diǎn)內(nèi)部電遷移行為[6-8]。除此之外，工作溫度
電子與封裝 2022年1期2022-02-17
- 雨刮電機(jī)壓蓋接地片虛焊的解決方案
地片和壓蓋時，在凸點(diǎn)（壓蓋或接地片）處發(fā)熱;當(dāng)單位面積內(nèi)的熱量達(dá)到熔融接地片和壓蓋的條件時，熔化接地片和壓蓋，形成焊點(diǎn)熔核，并在電極壓力下保持一定時間結(jié)晶，形成焊點(diǎn)。1.2接地片點(diǎn)焊過程焊接熱量及其影響因素焊接產(chǎn)生的熱量由下式?jīng)Q定：Q=I2RT （1）式中Q——焊接產(chǎn)生的熱量I——焊接電流R——接觸電阻T——焊接時間儲能點(diǎn)焊機(jī)工作時的焊接電流I是通過內(nèi)部電容放電產(chǎn)生，在接觸電阻一定的情況下，電壓越高，焊接時的放電電流越大，焊接產(chǎn)生的熱量越大，焊點(diǎn)越牢固。但
汽車與駕駛維修（維修版） 2021年10期2021-11-05
- 雨刮電機(jī)壓蓋接地片虛焊的解決方案
地片和壓蓋時，在凸點(diǎn)（壓蓋或接地片）處發(fā)熱；當(dāng)單位面積內(nèi)的熱量達(dá)到熔融接地片和壓蓋的條件時，熔化接地片和壓蓋，形成焊點(diǎn)熔核，并在電極壓力下保持一定時間結(jié)晶，形成焊點(diǎn)。圖2 儲能點(diǎn)焊機(jī)焊接示意圖1.2 接地片點(diǎn)焊過程焊接熱量及其影響因素焊接產(chǎn)生的熱量由下式?jīng)Q定[2]：式中 Q——焊接產(chǎn)生的熱量I——焊接電流R——接觸電阻T——焊接時間儲能點(diǎn)焊機(jī)工作時的焊接電流I 是通過內(nèi)部電容放電產(chǎn)生，在接觸電阻一定的情況下，電壓越高，焊接時的放電電流越大，焊接產(chǎn)生的熱量越
汽車與駕駛維修(維修版) 2021年10期2021-11-05
- 參數(shù)對均勻微滴打印多尺寸錫焊料凸點(diǎn)陣列的影響
件管腳通過均勻錫凸點(diǎn)陣列連接起來，以縮短數(shù)據(jù)傳輸路徑、提高芯片運(yùn)行速度、增強(qiáng)連接可靠性[2]。保證3D封裝質(zhì)量的關(guān)鍵工藝[3]是在多疊層芯片之間制備高度一致、定位準(zhǔn)確的錫焊料凸點(diǎn)陣列。由于航空、航天裝備使用的3D封裝模塊具有精度高、規(guī)格多、批量少等特點(diǎn)，使得其受損后的快速維修是一個技術(shù)難點(diǎn)[4]?，F(xiàn)有的蒸發(fā)沉積法、釘頭法、模板印刷法、電鍍法[2]等凸點(diǎn)陣列批量制備方法易產(chǎn)生凸點(diǎn)尺寸不均、位置不準(zhǔn)確、工序復(fù)雜等不足，而激光錫焊工藝[5]制備的焊點(diǎn)存在錫球直徑
中國機(jī)械工程 2021年19期2021-10-20
- Cu-Sn-Cu互連微凸點(diǎn)熱壓鍵合研究
和基底之間采用微凸點(diǎn)進(jìn)行互連的小型化、高集成密度的封裝技術(shù)[4]。相對于傳統(tǒng)的引線鍵合技術(shù)，倒裝鍵合互連路徑更短，綜合性能更高[5-6]。倒裝鍵合焊接面積與芯片面積大小一致，其封裝密度很高，實(shí)際生產(chǎn)中基本達(dá)到了75%以上，具有良好的電氣性能、更強(qiáng)的信號分配能力以及更低的能耗，更加適合于高頻、高速的電子產(chǎn)品應(yīng)用[7-9]。倒裝芯片的互連方式主要有3類，包括熱超聲、回流焊和熱壓。熱壓鍵合方式需要對準(zhǔn)時有良好的精度，針對不一樣的凸點(diǎn)尺寸、凸點(diǎn)材料，需要選用對應(yīng)的
電子與封裝 2021年9期2021-10-13
- 沖壓用鍍鋅鋼板白色凸點(diǎn)缺陷產(chǎn)生原因及對策
現(xiàn)沖壓成品件的凹凸點(diǎn)現(xiàn)象，這種凹凸點(diǎn)為鍍鋅鋼板表面上所帶的白色凸點(diǎn)經(jīng)過沖壓后引起的凹凸缺陷。文中對熱鍍鋅生產(chǎn)的合金化產(chǎn)品(GA)中常見的白色凸點(diǎn)缺陷進(jìn)行了分類研究，對不同種類的白色凸點(diǎn)進(jìn)行對策分析，通過對影響鋅渣、鋅灰等幾類常見白色凸點(diǎn)的對策研究，得出穩(wěn)定控制沖壓件上常見白色凸點(diǎn)缺陷的措施。汽車工業(yè)生產(chǎn)中，熱鍍鋅板材的需求量一向較大，日系汽車制造沖壓所使用的合金化鍍鋅鋼材(GA鋼板)更是需求量巨大。在合金化鍍鋅成品中，存在很多對于沖壓生產(chǎn)而言面品質(zhì)不合格的
鍛造與沖壓 2021年16期2021-08-31
- 埋置空氣隙柔性凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)隨機(jī)振動應(yīng)力應(yīng)變分析
04)當(dāng)前,柔性凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)已逐漸成為柔性晶圓級封裝CWLP(Compliant Wafer Level Package)提升電子產(chǎn)品性能和可靠性的核心技術(shù)之一[1]。芯片熱疲勞及機(jī)械振動疲勞失效是顯著影響CWLP 芯片互連結(jié)構(gòu)可靠性的關(guān)鍵。電子產(chǎn)品實(shí)際服役過程中,通常會經(jīng)受溫度循環(huán)、外界振動等環(huán)境沖擊作用,影響產(chǎn)品性能的同時對器件可靠性造成巨大威脅[2]。在航空航天及軍事等領(lǐng)域,振動已成為影響電子產(chǎn)品可靠性的重要因素。據(jù)統(tǒng)計(jì),電子設(shè)備中電路組件失效中約有20
電子元件與材料 2021年7期2021-08-06
- 7.5 μm小間距銦凸點(diǎn)陣列制備的研究
和均勻性的小型銦凸點(diǎn)陣列是必須克服的挑戰(zhàn)之一[6-8]。本文通過不同打底層(UBM)尺寸和銦柱尺寸交叉組合的系列實(shí)驗(yàn)研究,分析討論了小像元間距情況下銦凸點(diǎn)陣列的制備情況。2 實(shí) 驗(yàn)圍繞尺寸為7.5 μm的小像元間距,進(jìn)行不同UBM尺寸和銦柱尺寸的系列對比實(shí)驗(yàn)。銦凸點(diǎn)制備流程如圖1所示。硅片→光刻UBM孔→UBM沉積→Lift-off→光刻銦柱孔→銦柱沉積→Lift-off→銦柱成球,其中銦柱生長高度為3 μm,UBM孔的形狀為圓形,銦柱孔的形狀為正方形,具
激光與紅外 2021年6期2021-07-23
- 基于指紋傳感器的盲文識別算法研究?
在一起。同時盲文凸點(diǎn)間距約為2.4mm左右，相鄰點(diǎn)陣間的距離約為4mm。2.2 盲文信息的采集圖像采集部分為ZFMS-21系列半導(dǎo)體指紋采集模塊，模塊以高性能高速DSP處理器AS601為核心，采集圖像的尺寸192×192，采集頭的有效區(qū)域?yàn)?.6mm×9.6mm，分辨率為508DPI。這樣，每個盲文凸點(diǎn)在圖像中的相鄰距離為48個像素點(diǎn)。本文研究過程中采用的圖像采集裝置如圖1所示。圖1 半導(dǎo)體指紋傳感器當(dāng)前市面上大多數(shù)半導(dǎo)體指紋傳感器均已要求接觸表面為微導(dǎo)電
計(jì)算機(jī)與數(shù)字工程 2021年6期2021-06-29
- 側(cè)圍尾部翻邊棱線不順的原因分析及解決辦法
交匯的位置出現(xiàn)了凸點(diǎn)，如圖7 所示。對于棱線凸點(diǎn)的問題，很長時間以來，一直懷疑是OP30 與OP40 基準(zhǔn)傳遞誤差導(dǎo)致的，因此花費(fèi)了很長的時間調(diào)整OP30 的凸?；鶞?zhǔn)，但一直得不到有效的改善，此外，還對OP40 翻邊間隙進(jìn)行大小兩個方向的調(diào)整，也均無效果。后來對產(chǎn)品結(jié)構(gòu)特征進(jìn)行分析，產(chǎn)品的翻邊寬度存在落差，而且翻邊的角度也并不是垂直于此條棱線，而是存在一定的角度，如圖8 所示，而凸點(diǎn)發(fā)生的位置正好在位于翻邊寬度落差交接相應(yīng)位置。圖7 OP30 翻邊與OP4
鍛造與沖壓 2021年4期2021-05-06
- 面向窄節(jié)距倒裝互連的預(yù)成型底部填充技術(shù)*
提高，倒裝芯片上凸點(diǎn)的尺寸和節(jié)距也變得越來越小，凸點(diǎn)節(jié)距小于100 μm，甚至不大于10 μm， 傳統(tǒng)的組裝后底部填充技術(shù)由于是在凸點(diǎn)互連之后才進(jìn)行底部填充的，常常會出現(xiàn)凸點(diǎn)間填充不完全到位、產(chǎn)生孔洞等缺陷，使封裝互連的可靠性降低[3]。為了適應(yīng)倒裝芯片窄節(jié)距互連的填充需求，產(chǎn)業(yè)界提出了一種新型的預(yù)成型底部填充技術(shù)（Preassembly Underfill）[4-5]。這種方法既能簡化工藝，又能對窄節(jié)距互連（小于100 μm）進(jìn)行良好的底部填充。此外，研
電子與封裝 2021年1期2021-01-26
- 淺談白車身防錯設(shè)計(jì)方法
可以設(shè)計(jì)凸臺或者凸點(diǎn)進(jìn)行防錯，凸臺高度不小于2 mm，凸臺焊接面的直徑大于螺母/螺栓的對角寬度6 mm以上，螺栓/螺母支撐面焊接在凸臺面上，如圖2所示。圖2 凸臺面的防錯設(shè)計(jì)2.1.3 標(biāo)準(zhǔn)件種類的防錯方法同一零件在滿足功能要求的前提下盡量采用同種規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)件，如圖3所示。圖3 標(biāo)準(zhǔn)件示意若同一個件上必須焊接不同種類的標(biāo)準(zhǔn)件，可以制定公司專屬防錯規(guī)則。比如可以用凸點(diǎn)數(shù)量來防錯：1個凸點(diǎn)標(biāo)識凸焊螺母，2個凸點(diǎn)標(biāo)識凸焊螺栓，3個凸點(diǎn)標(biāo)識凸焊螺柱，如圖4所示。圖
汽車零部件 2020年11期2020-12-01
- 小間距紅外探測器讀出電路銦凸點(diǎn)制備技術(shù)
光敏芯片與帶有銦凸點(diǎn)的讀出電路通過倒裝互連制備而成的[4-6]。伴隨著技術(shù)的進(jìn)步,碲鎘汞紅外探測器面陣規(guī)模不斷提升,像元中心間距不斷縮小。小間距(例如10 μm像元中心距)紅外探測器的制備過程中,由于碲鎘汞光敏芯片表面平坦度差,為保證倒裝互連成功率需要在小間距讀出電路位點(diǎn)上制備出具有一定高度并且均勻性好的銦凸點(diǎn),這些需求對讀出電路銦凸點(diǎn)制作技術(shù)提出了巨大挑戰(zhàn)。使用常規(guī)的剝離法制備的小間距讀出電路銦凸點(diǎn)存在高度不夠且差異過大、相互粘連嚴(yán)重等問題,無法滿足應(yīng)用
激光與紅外 2020年8期2020-09-03
- 管夾自動沖模設(shè)計(jì)
分體式且?guī)в泻附?span id="syggg00" class="hl">凸點(diǎn)的典型管夾為例，其具體結(jié)構(gòu)如圖4所示。零件價值不高，屬于消耗品，要求量大、生產(chǎn)效率高、能實(shí)現(xiàn)自動化生產(chǎn)，這就需要采用級進(jìn)模進(jìn)行成形。圖4 分體式帶焊接凸點(diǎn)管夾零件精度一般，可以采用少廢料單排排樣，毛坯采用寬20 mmm、厚1.2 mm的帶鋼，材料利用率可達(dá)90%，經(jīng)過材料矯直、自動步進(jìn)送料、壓印、彎曲R17.5 mm圓弧、壓制4個焊接凸點(diǎn)、沖2個小孔，翻2個φ4.2 mm孔、沖裁落料、外加的輔助攻螺紋、焊接功能，完成零件的成形。原采用單
模具工業(yè) 2020年8期2020-08-24
- 英特爾公布下一代處理器架構(gòu)，大小核心混合設(shè)計(jì)
現(xiàn)10微米以下的凸點(diǎn)間距，提供更高的互連密度、更小更簡單的電路、更大的帶寬、更低的電容、更低的功耗等優(yōu)勢。英特爾目前所使用的3D Foveros立體封裝技術(shù)，能實(shí)現(xiàn)50微米的凸點(diǎn)間距，每平方毫米約能集成400個凸點(diǎn)。而全新的混合結(jié)合技術(shù)，使得凸點(diǎn)間距縮小到1/5，每平方毫米的凸點(diǎn)數(shù)量能超過1萬，增加足足25倍。
電腦知識與技術(shù)·經(jīng)驗(yàn)技巧 2020年9期2020-01-16
- 馬約拉納費(fèi)米子的新發(fā)現(xiàn)
帶有磁性的硫化銪凸點(diǎn)。通過掃描這些凸點(diǎn)的周圍，發(fā)現(xiàn)能夠檢測到能量為0的特征峰值，而這種峰值就是馬約拉納費(fèi)米子產(chǎn)生的重要證據(jù)之一。這是科學(xué)家第一次在一個可以擴(kuò)展的平臺上觀察到這一粒子存在的證據(jù)，也是構(gòu)造量子比特的重要一步。研究人員表示，接下來的計(jì)劃是將這些粒子構(gòu)成量子比特，這將是構(gòu)建實(shí)用量子計(jì)算機(jī)的重要措施。來源：中國科學(xué)院官網(wǎng)http：//www.cas.cn/kj/202004/t20200416_4741368.shtml下載日期：2020-04-19
科研成果與傳播 2020年2期2020-01-11
- 微系統(tǒng)集成用倒裝芯片工藝技術(shù)的發(fā)展及趨勢
的Sn-Pb焊料凸點(diǎn)中，Si芯片上的Al-Si接觸焊盤和焊料凸點(diǎn)之間沉積有Cr-Cu-Au粘附層。圖1（b）所示為IBM第一代FC封裝件，可以看到陶瓷基板上倒裝了三個芯片［1］。隨著電子器件體積的不斷減小以及I／O密度的不斷增加，1970年，IBM公司將FC技術(shù)發(fā)展為應(yīng)用在集成電路（Integrated Circuits，IC）中的可控塌陷芯片連接技術(shù)（Controlled-collapse Chip Connection）， 即 C4 技術(shù)。C4技術(shù)通過
導(dǎo)航與控制 2019年5期2019-12-12
- 賦Orlicz范數(shù)的Orlicz序列空間的k一致凸點(diǎn)
序列空間的k一致凸點(diǎn)判據(jù)也已查明［9］.本文對賦Orlicz范數(shù)Orlicz序列空間的k一致凸點(diǎn)展開研究，得到了賦Orlicz范數(shù)的Orlicz序列空間的k一致凸點(diǎn)的判別準(zhǔn)則.1 預(yù)備知識設(shè)X是Banach空間，X′是其共軛空間，S(X)表示X的單位球面.定義1［7］x(0)∈S(X)被稱為k一致凸點(diǎn)是指若則其中如果S(X)上每一點(diǎn)都是k一致凸點(diǎn)，則稱X是局部k一致凸的.定義2［4］若非負(fù)函數(shù)M是偶的連續(xù)凸函數(shù)，并且滿足則稱映射M:R→[0,∞)為N-函數(shù)
通化師范學(xué)院學(xué)報(bào) 2019年10期2019-10-28
- 基于PVDF壓電薄膜的仿生觸覺檢測系統(tǒng)研究
結(jié)構(gòu)層，設(shè)計(jì)了雙凸點(diǎn)拱形觸覺傳感器。通過傳感器對比測試實(shí)驗(yàn)，驗(yàn)證了雙凸點(diǎn)拱形觸覺傳感器滑覺信號靈敏系數(shù)最佳，傳感器上凸點(diǎn)層仿生人類皮膚乳突線層，下凸點(diǎn)層仿生人類皮膚中脊線層，單敏感元仿生邁斯納小體結(jié)構(gòu)，系統(tǒng)對傳感器的采集信號進(jìn)行放大、濾波、傅里葉變換等處理分析，通過信號幅值的均值大小判定檢測觸覺信號，信號幅值方差判定檢測滑覺信號，并由信號的幅頻值來設(shè)定頻率閾值、幅度閾值，判斷熱覺信號，實(shí)現(xiàn)觸覺傳感器的仿生皮膚功能。1 總體設(shè)計(jì)1.1 系統(tǒng)設(shè)計(jì)框圖圖1為仿生
壓電與聲光 2019年3期2019-06-25
- 賦Luxemburg范數(shù)的Orlicz序列空間的k一致凸點(diǎn)
數(shù)空間局部k一致凸點(diǎn)的判據(jù)均已獲得[10]．本文擬采用處理序列空間的特殊技巧,研究賦Luxemburg范數(shù)Orlicz序列空間的k一致凸點(diǎn),討論該空間單位球面上點(diǎn)為k一致凸點(diǎn)的判別準(zhǔn)則．1 定義及符號2 主要結(jié)果定理1設(shè)M是N-函數(shù),x(0)=(x(0)(i))∈S(lM)是k一致凸點(diǎn)的充要條件為: i)M∈Δ2;ii) 若μI≥k,則M∈2且{x0(j)|j∈NI}∩(∪i[ci,di))=φ,其中I={j∈N:|x(0)(j)|∈∪i(ai,bi]};
- “口水”也珍貴
的口腔內(nèi)有4個小凸點(diǎn)，其中兩個分布在腮幫子內(nèi)側(cè)靠中間的位置，正對著上頜第二磨牙。另外兩個小凸點(diǎn)位于舌下的舌根處，在舌系帶的兩側(cè)，左右各一個。可別小看了這4個小凸點(diǎn)，它們是唾液腺導(dǎo)管在口腔開口處形成的黏膜乳頭，我們的唾液就源于此。唾液具有潤滑口腔黏膜、溶解食物和便于吞咽的作用，其中含有淀粉酶和溶菌酶，有助于消化和殺菌。正常人每天白天平均分泌1～1.5升的唾液，但夜里幾乎不會分泌唾液。由于一整夜沒有唾液沖洗，口腔里的微生物數(shù)量會在每天早起時達(dá)到峰值，所以睡覺前
特別文摘 2019年8期2019-04-13
- 基于有限元分析的兩極旋轉(zhuǎn)插頭可靠性設(shè)計(jì)
暢的問題；采用雙凸點(diǎn)雙導(dǎo)軌結(jié)構(gòu)，使旋轉(zhuǎn)過程順滑，給消費(fèi)者最佳旋轉(zhuǎn)體驗(yàn)；由于沒有使用連接片，而接線端子上接有導(dǎo)線，即旋轉(zhuǎn)過程中接線端子與導(dǎo)線是發(fā)生相對運(yùn)動的，通過出線孔角度設(shè)計(jì)來限制導(dǎo)線的擺動幅度，從而降低導(dǎo)線在運(yùn)動過程中因?yàn)閿[動幅度大而容易與旋轉(zhuǎn)插頭內(nèi)設(shè)置的其他零件或者散絲糾纏，降低產(chǎn)品故障多發(fā)率，延長產(chǎn)品使用壽命。1 出線孔設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)旋轉(zhuǎn)前蓋旋轉(zhuǎn)軸，在旋轉(zhuǎn)軸增加出線孔通孔，電源線通過出線孔伸進(jìn)接線端子中，接線端子銅螺釘壓緊電源線。出線孔結(jié)構(gòu)簡化模型如圖2所
日用電器 2019年12期2019-02-26
- 三維X射線檢測技術(shù)在倒裝焊器件中的應(yīng)用
等方法生長I/O凸點(diǎn)，凸點(diǎn)材料一般為鉛錫、金或鎳等，然后將芯片拾取并翻轉(zhuǎn)，以倒扣方式安裝到基底上，通過柵陣凸點(diǎn)與基底上相應(yīng)電極焊盤實(shí)現(xiàn)直接機(jī)械和電氣互連，凸點(diǎn)與基底的互連技術(shù)主要有熱壓/熱聲連接法、機(jī)械接觸互連法和可控塌陷芯片連接法等。在凸點(diǎn)間會填充環(huán)氧樹脂底充膠以增強(qiáng)界面粘接強(qiáng)度。倒裝焊器件按基板材料可分為陶瓷封裝和塑料封裝。2 倒裝焊器件常見缺陷及檢測標(biāo)準(zhǔn)目前，有關(guān)電子元器件X射線檢測的國軍標(biāo)有：GJB548B-2005《微電子器件試驗(yàn)方法和程序》方法
電子測試 2018年24期2019-01-29
- 電流變液微閥門加工公差帶選擇與盲文凸點(diǎn)顯示關(guān)系*
級空間完成對盲文凸點(diǎn)顯示的控制，致使現(xiàn)有盲文輸出手段存在顯示內(nèi)容少、價格昂貴的不足，無法滿足視障群體的自學(xué)需求.電流變液(electrorheological fluids，ERF)微閥門的微流道、小體積特征[1-7]，以及極性分子型ERF更高的屈服強(qiáng)度[8]，為實(shí)現(xiàn)大容量、低成本、高密度閥門陣列的面陣盲文顯示器提供了可能性[9-10].在解決ER微閥門使用持久性問題之后[11]，并聯(lián)結(jié)構(gòu)的閥門陣列性能一致性，成為將ER微閥門陣列應(yīng)用于面陣盲文顯示器之前必
湘潭大學(xué)自然科學(xué)學(xué)報(bào) 2018年5期2019-01-24
- 珍貴的“口水”
的口腔內(nèi)有四個小凸點(diǎn)，其中兩個分布在“腮幫子”內(nèi)側(cè)靠中間的位置，正對著上頜第二磨牙。另外兩個小凸點(diǎn)位于舌下的舌根處，在舌系帶的兩側(cè)，左右各一個?？蓜e小看了這四個小凸點(diǎn)，它們是唾液腺導(dǎo)管在口腔開口處形成的黏膜乳頭，我們的唾液就源自于此。唾液具有潤滑口腔黏膜、溶解食物和便于吞咽的作用，其中含有淀粉酶和溶菌酶，有助消化和殺菌作用。正常人每天白天平均分泌1～1.5升的唾液，但夜里幾乎不會分泌唾液，由于一整夜沒有唾液沖洗，口腔里的微生物數(shù)量也會在每天早起時達(dá)到峰值，
益壽寶典 2018年15期2018-08-17
- 熱-電應(yīng)力下Cu/Ni/SnAg1.8/Cu倒裝銅柱凸點(diǎn)界面行為及失效機(jī)理?
.然而,焊料倒裝凸點(diǎn)因其易產(chǎn)生凸點(diǎn)間橋連等問題而在100μm以下間距的高密度應(yīng)用中受限[1].因此,急需發(fā)展一種新的倒裝凸點(diǎn)突破這一應(yīng)用瓶頸.采用焊料帽加銅柱結(jié)構(gòu)的倒裝凸點(diǎn)由此發(fā)展而來并被應(yīng)用于細(xì)間距倒裝芯片封裝,該類凸點(diǎn)相比傳統(tǒng)焊料凸點(diǎn)的焊料量極少,不易橋連,且銅柱導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能優(yōu)良[2].然而,隨著銅柱凸點(diǎn)尺寸不斷縮小,凸點(diǎn)承載的電流密度急劇增長,焊料帽位置較少的焊料極易完全合金化[3,4],產(chǎn)生空洞、裂紋等缺陷,引發(fā)新的熱、電、機(jī)械等可靠性問題[5,
物理學(xué)報(bào) 2018年2期2018-03-18
- 珍貴的“口水”
的口腔內(nèi)有四個小凸點(diǎn)，其中兩個分布在“腮幫子”內(nèi)側(cè)靠中間的位置，正對著上頜第二磨牙。另外兩個小凸點(diǎn)位于舌下的舌根處，在舌系帶的兩側(cè)，左右各一個?？蓜e小看了這四個小凸點(diǎn)，它們是唾液腺導(dǎo)管在口腔開口處形成的黏膜乳頭，我們的唾液就源自于此。唾液具有潤滑口腔黏膜、溶解食物和便于吞咽的作用，其中含有淀粉酶和溶菌酶，有助消化和殺菌作用。正常人每天白天平均分泌1～1.5升的唾液，但夜里幾乎不會分泌唾液，由于一整夜沒有唾液沖洗，口腔里的微生物數(shù)量也會在每天早起時達(dá)到峰值，
祝您健康 2018年3期2018-03-15
- 運(yùn)用赤足跡多元回歸分析同質(zhì)人群身高
，分別對跟壓后緣凸點(diǎn)到五趾前緣凸點(diǎn)的距離、跟壓后緣凸點(diǎn)到前掌內(nèi)外側(cè)凸點(diǎn)的距離進(jìn)行測量，使用SPSS統(tǒng)計(jì)分析軟件對數(shù)據(jù)進(jìn)行多元回歸分析和逐步回歸分析，發(fā)現(xiàn)七個距離與身高之間存在線性相關(guān)關(guān)系，建立相應(yīng)的數(shù)學(xué)模型并得出回歸方程，比較模型之間的誤判率和準(zhǔn)確度，為利用足跡分析同質(zhì)人群身高提供更可靠有力的方法。赤足跡；同質(zhì)人群；身高分析；多元回歸傳統(tǒng)分析身高的方法基于足長[1]這一單一元素分析，該方法簡單但是也存在自身的局限性，不能涵蓋不同種族、不同地域、不同生活環(huán)境
湖南警察學(xué)院學(xué)報(bào) 2017年5期2018-01-02
- 用于2.5D封裝技術(shù)的微凸點(diǎn)和硅通孔工藝
5D封裝技術(shù)的微凸點(diǎn)和硅通孔工藝周 剛，曹中復(fù)（中國電子科技集團(tuán)公司第四十研究所，沈陽110032）過去幾十年里，微電子器件尺寸按照摩爾定律持續(xù)減小，已經(jīng)進(jìn)入到真正的納米時代。盡管集成電路的特征尺寸已經(jīng)進(jìn)入20nm之下，但是在特定領(lǐng)域，尤其是存儲器、FPGA等對資源要求極高的領(lǐng)域，僅僅依靠摩爾定律已經(jīng)不能滿足市場需求。市場永無止境地對在可控功耗范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)更多的資源以及更高的代工廠良率提出迫切要求。針對一種新的2.5D封裝技術(shù)，介紹了其中使用的微凸點(diǎn)（mic
微處理機(jī) 2017年2期2017-07-31
- 采用新型活化氫技術(shù)進(jìn)行大規(guī)模無助焊劑晶圓凸點(diǎn)回流焊
規(guī)模無助焊劑晶圓凸點(diǎn)回流焊C.Christine Dong1*，Richard E.Patrick1，Gregory K.Arslanian1，Tim Bao1，Kail Wathne2，Phillip Skeen2(1.Air Products and Chemicals，Allentown，PA 18195-1501，USA；2.Sikama International，Inc.，Santa Barbara，CA 93101-2314，USA)介紹了A
電子工業(yè)專用設(shè)備 2017年3期2017-07-31
- 一種新型減振器活塞的設(shè)計(jì)
低臺上分布有n個凸點(diǎn)(如圖1所示), 凸點(diǎn)高度與活塞凸臺端面的高度一致, 所述n的取值為1～3之間的任意整數(shù)。所述凸點(diǎn)或?yàn)橐粓A柱體，或?yàn)橐粓A錐臺體，其橫截面為圓形；或?yàn)橐环叫沃w，或?yàn)橐环叫五F臺體，其橫截面為方形。此減振器活塞不影響活塞的原有結(jié)構(gòu)功能，卻提高了閥片的使用壽命和減振器的力值性能，結(jié)構(gòu)簡單、經(jīng)濟(jì)實(shí)用。在減振器工作過程中，位于活塞兩端面的閥片受到壓力時，兩個端面的凸點(diǎn)可以與凸臺同時頂住閥片，使閥片的折彎變形減小，閥片不易產(chǎn)生疲勞，既可提高閥片的壽
汽車零部件 2017年6期2017-07-25
- 基于三針驅(qū)動器的盲文學(xué)習(xí)機(jī)
驅(qū)動觸點(diǎn)形成相應(yīng)凸點(diǎn)，從而大大減少驅(qū)動機(jī)構(gòu)的數(shù)量，提高了系統(tǒng)電磁兼容性和穩(wěn)定性.提出了一種新型凸點(diǎn)產(chǎn)生裝置：凹凸開關(guān)，包括套筒、底座及頂桿三部分，能在三針驅(qū)動器的作用下，使凹點(diǎn)和凸點(diǎn)交替切換.該裝置為純機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，掉電保持原狀態(tài)，獨(dú)特的復(fù)位層可以實(shí)現(xiàn)一鍵全復(fù)位.三針驅(qū)動器； 凹凸開關(guān)； 機(jī)械保持； 自動復(fù)位； 盲文觸點(diǎn)0 引言中國是世界上盲人最多的國家，截止到2012年10月，我國有1 350萬視力殘疾人，550多萬盲人[1].盲人獲取知識和技能的渠道比
鄭州大學(xué)學(xué)報(bào)（理學(xué)版） 2016年4期2017-01-04
- 三維矩形布局吸引子性質(zhì)的研究
顯然，頂點(diǎn)可分為凸點(diǎn)和凹點(diǎn)。不妨令p1(x, y, z)為定位函數(shù)值最小的凹點(diǎn)，且布局可行域邊界上與P1相鄰的凸點(diǎn)為p(x+Δx,y+Δy,z+Δz )，則：下面根據(jù) A、B、C的不同取值分別討論當(dāng)G(x+Δx,y+Δy,z+Δz)≤G(x,y,z)時，凸點(diǎn)p是否存在的情況。(1)A≥0,B≥0,C≥0。此時在布局可行域邊界上一定存在凸點(diǎn)p，使Δx≤0,Δy≤0,Δz≤0成立。此時最佳布入點(diǎn)應(yīng)為左、前、下的凸點(diǎn)即圖1 中1點(diǎn)方位。(2)A≥0,B≥0,C≤
圖學(xué)學(xué)報(bào) 2016年3期2016-11-29
- 銦凸點(diǎn)對倒裝互連影響的研究
麗，俞見云?銦凸點(diǎn)對倒裝互連影響的研究楊超偉1，閆常善2，王瓊芳1，李京輝1，韓福忠1，封遠(yuǎn)慶1，楊畢春1，左大凡1，趙 麗1，俞見云1（1. 昆明物理研究所，云南 昆明 650223；2. 中國人民解放軍駐298廠軍代室，云南 昆明 650114）制作了2種形式的銦凸點(diǎn)：即直接蒸發(fā)沉積的銦柱和將銦柱回流得到的銦球。分別討論了銦柱和銦球?qū)Φ寡b互連的影響，著重討論了銦球和銦柱分別和芯片倒裝互連后的剪切強(qiáng)度，結(jié)果發(fā)現(xiàn)在互連未回流的狀態(tài)下銦球的剪切強(qiáng)度是銦柱的
紅外技術(shù) 2016年4期2016-03-15
- 基于51單片機(jī)的盲文助讀器系統(tǒng)設(shè)計(jì)?
以三行兩列的6個凸點(diǎn)為一個基本單位，6個凸點(diǎn)之間通過不同的排列組合形成不同的文字，本文基于流行最廣的現(xiàn)行盲文設(shè)計(jì)了一種8方的盲文助讀器。因微型步進(jìn)電機(jī)具有體積小、利于控制、價格低廉等優(yōu)點(diǎn)，機(jī)械部分采用步進(jìn)電機(jī)來實(shí)現(xiàn)凸點(diǎn)的起落，控制部分則采用STC89C51單片機(jī)，通過6個LB1848M步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動芯片來控制6個步進(jìn)電機(jī)，每個步進(jìn)電機(jī)控制1個凸點(diǎn)的起降，每6個步進(jìn)電機(jī)控制的凸點(diǎn)表示1個盲文單元（即盲文的1方），每個盲文單元可以顯示1個阿拉伯?dāng)?shù)字或英文字母，2
機(jī)械工程與自動化 2015年1期2015-12-31
- 硅通孔（TSV）轉(zhuǎn)接板微組裝技術(shù)研究進(jìn)展*
板正面的窄節(jié)距微凸點(diǎn)和背面的C4凸點(diǎn)，分別實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)接板與芯片和基板的直接電學(xué)連接。其中轉(zhuǎn)接板與芯片互連的高密度微凸點(diǎn)直徑在20 μm以下，節(jié)距不到50 μm，以實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)接板與芯片的高密度互連。可以說RDL結(jié)合微凸點(diǎn)，提供了TSV與堆疊芯片的電學(xué)接口。TSV技術(shù)是2.5D轉(zhuǎn)接板實(shí)現(xiàn)3D集成的核心技術(shù)，目前TSV深寬比可達(dá)到10∶1。為降低封裝尺寸和TSV制造難度，需要對轉(zhuǎn)接板晶圓襯底進(jìn)行減薄處理。目前通常將轉(zhuǎn)接板減薄到100 μm以下，遠(yuǎn)低于功能芯片的厚度。此外
電子與封裝 2015年8期2015-12-05
- Flip Chip技術(shù)在集成電路封裝中的應(yīng)用
品核心技術(shù)密間距凸點(diǎn)倒裝、環(huán)氧樹脂底部一次性填充封裝技術(shù)。其特點(diǎn)包括：取代涂布底填、無需再布線技術(shù)、低凸點(diǎn)倒裝焊接技術(shù)、窄節(jié)距凸點(diǎn)焊接技術(shù)、高密度凸點(diǎn)的倒裝貼裝技術(shù)及高可靠性等。具備以下優(yōu)點(diǎn)：賦予了封裝組件良好的電氣性能；具有較高的封裝速度；幾乎沒有封裝密度的限制，能夠增加單位面積內(nèi)的I/O數(shù)量；減小了封裝組件的尺寸和重量；提高了信號完整性，頻率特性更好；倒裝凸點(diǎn)等制備基本以圓片、芯片為單位；與單根引線為單位的引線鍵合互連比較，生產(chǎn)效率高，降低了批量封裝的
電子世界 2015年24期2015-03-15
- 電場作用下CSP的失效行為
1 電遷移的過程凸點(diǎn)的電遷移過程導(dǎo)致孔洞的形成和原子的堆積，孔洞的形成位置發(fā)生在陰極處，大量的孔洞縮小了焊點(diǎn)與引線間的互連面積，使得電子的移動受到限制，進(jìn)而增大了焊點(diǎn)的電阻。在恒定的溫度下，通過測量焊點(diǎn)兩端的電壓值可以得到焊點(diǎn)的電阻值隨時間變化的趨勢。在環(huán)境溫度為50℃電流載荷為2.6 A條件下，凸點(diǎn)中的電流密度可達(dá)到1.02×104A/cm，超過了電遷移發(fā)生的閥值，圖2所示的為凸點(diǎn)兩端電阻值與時間的關(guān)系曲線。從曲線中可以看出互連凸點(diǎn)在通電過程中電阻變化有
沈陽航空航天大學(xué)學(xué)報(bào) 2014年2期2014-01-22
- 金絲球焊制作焊接凸點(diǎn)的工藝參數(shù)分析
的引線連接。利用凸點(diǎn)同時實(shí)現(xiàn)電氣和機(jī)械連接。金絲球焊機(jī)可以制作凸點(diǎn)以起到固定連線的目的，而且凸點(diǎn)的直徑大小可以調(diào)節(jié)。利用金絲球焊機(jī)生產(chǎn)的凸點(diǎn)作為倒裝焊的凸點(diǎn)，將其制作在功率型LED的基板上，既減少了傳統(tǒng)制作凸點(diǎn)方法中復(fù)雜的技術(shù)過程，又增強(qiáng)了焊接的靈活性和精度[1]。生產(chǎn)周期縮短，而質(zhì)量不會降低，增加倒裝焊的競爭力，使這項(xiàng)技術(shù)更富有生命力。1 凸點(diǎn)制作圖1 金絲球焊機(jī)金絲球焊可以根據(jù)焊接芯片，進(jìn)行打點(diǎn)設(shè)計(jì)，完全按照已有的模型自由靈活地制作凸點(diǎn)?？梢愿鶕?jù)具體產(chǎn)
電子工業(yè)專用設(shè)備 2012年12期2012-09-16
- 整平劑及電流密度對電子封裝用銅微凸點(diǎn)電鍍的影響
過芯片與基板間的凸點(diǎn)(Bump)鍵合取代傳統(tǒng)引線鍵合的一種封裝技術(shù)，該技術(shù)具有縮小芯片封裝尺寸、提高運(yùn)行頻率、減少寄生效應(yīng)以及提高封裝密度等優(yōu)勢。成本高是倒扣型封裝的主要不足，所用基板材料成本為引線鍵合的2 ～ 3倍，但與引線鍵合中所用金線相比，在金價飆升的背景下，2種技術(shù)的成本差距在縮小。另外，過去單位尺寸內(nèi)節(jié)點(diǎn)高于1 000時，2種封裝技術(shù)成本才有差異，而如今單位尺寸內(nèi)節(jié)點(diǎn)數(shù)高于 200時，倒扣型封裝的成本優(yōu)勢就已十分明顯。因此，許多電子器件開始選用倒
電鍍與涂飾 2012年12期2012-02-17
- 用于倒裝芯片的銅球凸點(diǎn)制作技術(shù)研究＊
互連通過芯片上的凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)和一般制作在基板上的焊接材料相互作用來實(shí)現(xiàn)。從圖1和圖2可以看出,這種技術(shù)避免了多余的工藝步驟,與傳統(tǒng)引線鍵合互連技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)勢。(1)尺寸小、薄,重量更輕。(2)密度更高,使用倒裝焊技術(shù)能增加單位面積內(nèi)的I/O數(shù)量。(3)性能提高,短的互連減小了電感、電阻以及電容,信號完整性、頻率特性更好。(4)散熱能力提高,倒裝芯片沒有塑封體,芯片背面可用散熱片等進(jìn)行有效的冷卻,使電路的可靠性得到提高。(5)倒裝凸點(diǎn)等制備基本以圓片、芯
濰坊學(xué)院學(xué)報(bào) 2011年4期2011-12-08
- 凸焊接頭性能的影響因素
力，利用電流通過凸點(diǎn)的接觸面及鄰近區(qū)域產(chǎn)生的電阻熱進(jìn)行焊接的方法。凸焊在我們公司中應(yīng)用也很多，接線端子、螺栓、底座、托架焊接都屬于凸焊。日常工作中，時常會發(fā)現(xiàn)有焊接強(qiáng)度不足、凸點(diǎn)移位、焊接飛濺較大等焊接缺陷，造成這些缺陷的原因是多方面的，下面就對凸焊接頭性能的影響因素作一個簡單的分析。一、凸焊的物理本質(zhì)凸焊的物理本質(zhì)是利用焊接區(qū)金屬本身的電阻熱和大量塑性變形能量，使兩個分離表面的金屬原子之間接近到晶格距離形成金屬鍵，在結(jié)合面上產(chǎn)生足夠量的共同晶粒，而得到焊
河南科技 2011年4期2011-08-15
- 倒裝芯片技術(shù)分析
分析2.1 形成凸點(diǎn)技術(shù)凸點(diǎn)形成技術(shù)可以分為淀積金屬、機(jī)械焊接、基于聚合物的膠粘劑等幾個類型。1）金屬電鍍技術(shù)一般是在電鍍槽里，把基片當(dāng)作陰極，利用靜態(tài)電流或者脈沖電流來完成焊料的電鍍。在鍍上所需厚度的焊料后，就可以把光致抗蝕劑清除掉，這時焊料凸點(diǎn)制作完成。電鍍的優(yōu)勢是可以在非常小的間距內(nèi)印刷，而且可以保證足夠的焊料以得到更高的高度。電鍍的不足之處在于它的啟動成本較高，生產(chǎn)設(shè)備的占用面積較大，電解液會造成更多的浪費(fèi)，選擇合金的靈活性少?；瘜W(xué)鍍是一種新型的金
科技傳播 2010年16期2010-08-15
- 各向異性導(dǎo)電膠粘結(jié)工藝技術(shù)研究
把制作在芯片上的凸點(diǎn)通過導(dǎo)電粒子與基板上的電極連接起來，從而實(shí)現(xiàn)電路的電性能和機(jī)械性能。圖1為ACA的整個粘結(jié)工藝過程。2.2 性能測試使用掃描電鏡QUANTA-200觀察樣品形貌；采用Dage4000P鍵合拉力計(jì)測定樣品的剪切強(qiáng)度；用34401A數(shù)字萬用表測定樣品的接觸電阻；用WE-101電熱鼓風(fēng)干燥箱進(jìn)行150℃高溫儲存， DV-ST溫度循環(huán)箱進(jìn)行-65℃～150℃溫度循環(huán)，其中高低溫保溫時間不得低于10min，負(fù)載應(yīng)在15min內(nèi)達(dá)到規(guī)定的溫度，從熱
電子與封裝 2010年1期2010-05-31
- 倒裝焊陶瓷封裝失效模式分析及失效機(jī)理研究
基板及芯片尺寸，凸點(diǎn)材料及結(jié)構(gòu)和尺寸、基板焊盤材料及其與基板黏附、底部填充料等有關(guān)。2.1 焊點(diǎn)疲勞損傷倒裝焊封裝是將芯片凸點(diǎn)直接與基板焊盤焊接，會受到熱應(yīng)力的影響而導(dǎo)致熱疲勞，甚至產(chǎn)生失效。對于有機(jī)基板，由于硅的膨脹系數(shù)比PCB基板熱膨脹系數(shù)小很多，在每個熱循環(huán)階段，PCB基板將以比硅更高的速率擴(kuò)展并收縮。在熱循環(huán)期間發(fā)生變形時，焊接材料諸如倒裝焊的焊料凸點(diǎn)將經(jīng)歷加工硬化和加工蛻化過程。通過集中應(yīng)力，極低的凸點(diǎn)高度（25μm ～100μm）加重了這一問題
電子與封裝 2010年8期2010-04-20
- 應(yīng)用于紅外焦平面銦柱互連的封裝技術(shù)
的互連。倒裝焊中凸點(diǎn)的制作方法主要包括：引線鍵合方法、電鍍方法、化鍍方法等。2 研究現(xiàn)狀2.1 銦柱的制備銦柱的工藝要求為：薄膜厚度分布的均勻性不低于95%，銦膜要有適當(dāng)?shù)暮穸龋侠淼你熤邔挶龋ㄒ话銥?.5∶1），優(yōu)選矩形截面，中心間距100μ m。以滿足做成銦柱后可倒裝互連的要求[1]。對銦柱的制備要求銦柱高度大于7μm、表面光滑、不易氧化、銦膜粘著力強(qiáng)[2]。為達(dá)到這些要求，通常會從銦原材料的選擇、制備工藝、均勻性及黏附性等方面去考量。銦柱的制作過程
電子與封裝 2010年6期2010-02-26