楊 晶，李 哲

（中國科學技術發(fā)展戰(zhàn)略研究院，北京 100038）

隨著全球向數(shù)字化轉型，芯片的應用場景更加豐富，全球半導體產(chǎn)業(yè)持續(xù)高速發(fā)展，各國對先進半導體供應鏈和制造能力的競爭更為激烈。芯片之爭的實質不僅僅是技術，還包括涵蓋整個技術生態(tài)系統(tǒng)的半導體行業(yè)人才。半導體產(chǎn)業(yè)分為集成電路和分立元器件兩大類，其中集成電路占比超過80%，半導體產(chǎn)業(yè)鏈主要包括設計、制造和封裝環(huán)節(jié)。因此本文研究的半導體人才主要指半導體設計業(yè)、制造業(yè)和封裝測試業(yè)的從業(yè)人員。

自美國拜登上任以來，中美戰(zhàn)略競爭和全球半導體行業(yè)的復雜性日趨深化，“人才缺口大”成為全球半導體行業(yè)最為關注的話題，世界主要國家和地區(qū)在全球范圍內展開半導體人才競爭。通過科學謀劃應對當前和長期半導體人才短缺的挑戰(zhàn)、打贏半導體行業(yè)的核心技術攻堅戰(zhàn)，是中國亟須解決的問題。

1 美國加快培育和吸引半導體人才以鞏固其領導地位

美國長期占據(jù)全球半導體產(chǎn)業(yè)領導地位[1]，但在過去幾十年里，美國半導體和硬件方面的教育停滯不前。美國半導體行業(yè)協(xié)會（Semiconductor Industry Association，SIA）與牛津經(jīng)濟研究院（Oxford Economics）合作的一項研究表明，美國半導體行業(yè)到2030年將面臨嚴重的勞動力短缺，缺口將達6.7萬人[2]。為了解決人才短缺問題，美國政府、智庫和企業(yè)3 個主體分別謀劃相關政策并付諸實踐，加強半導體人才的全過程培養(yǎng)與精準引進，力圖進一步鞏固其半導體產(chǎn)業(yè)的壟斷地位。例如，美國政府制定《2022 年芯片和科學法案》《美國國家半導體經(jīng)濟路線圖》《先進制造業(yè)國家戰(zhàn)略》等法案和戰(zhàn)略；美國智庫建議探索精準引進國外熟練勞動力，積極投資國內教育和再培訓；美國企業(yè)則致力于與大學、社區(qū)學院等合作培養(yǎng)半導體行業(yè)所需人才。

1.1 政府通過制定法案和戰(zhàn)略加強半導體人才培育

2022 年8 月9 日，美國簽署《2022 年芯片和科學法案》，明確為建立科學、技術、工程和數(shù)學（STEM）勞動力共投入130 億美元，為“美國芯片勞動力和教育基金”投入共2 億美元，啟動美國國內半導體勞動力發(fā)展計劃，解決近期勞動力短缺問題。在人才培養(yǎng)方面，計劃向美國小學、中學、高中、本科和研究生普及微電子學及相關領域知識，設立美國下一代以工作為基礎的學習項目。在引進外國人才方面，探索立法以確保獲得熟練的外國勞動力，構筑面向未來的美國半導體勞動力基礎。從整體上實現(xiàn)人才保護和回流目標，加強美國對中小企業(yè)和先進芯片背后的知識產(chǎn)權以及實體晶圓廠的控制[3]。根據(jù)半導體行業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)，自《2022 年芯片和科學法案》出臺以來，美國各地宣布了50 余個新的半導體項目，全國各地企業(yè)創(chuàng)造超過44 000 個新工作崗位。半導體行業(yè)協(xié)會建議通過實參與踐培訓、臨時工作等途徑為在美留學的畢業(yè)生提供靈活的工作機會。

為推進《2022 年芯片和科學法案》落實，2022 年12 月，美國亞利桑那州發(fā)布《美國國家半導體經(jīng)濟路線圖》，聚焦基礎設施、供應鏈、勞動力和創(chuàng)業(yè)精神四大維度進行施策展望，從經(jīng)濟視角提出了政府干預市場的若干建議。其中，在勞動力方面，提出美國需通過政府、產(chǎn)業(yè)、學術和研究等領域的通力合作，減少并最終消除半導體行業(yè)的勞動力短缺問題[4]。具體包括：一是顯著增加進入半導體行業(yè)的學生數(shù)量；二是改善急需人才移民美國并過渡到勞動力的流程，建議相關部門加快移民和非移民簽證流程，并對半導體人才的就業(yè)簽證等的上限進行豁免；三是扭轉可解決的減員因素維系人才庫；四是強化勞動力技能培訓。

2022 年10 月，美國白宮發(fā)布了由白宮科技政策辦公室（OSTP）和國家科學技術委員會（NSTC）制定的《國家先進制造業(yè)戰(zhàn)略》，該戰(zhàn)略在擴大先進制造業(yè)的勞動力隊伍方面確定了3 個戰(zhàn)略方向及其相關技術方案建議[5]。一是擴大和多樣化先進制造業(yè)人才庫，技術方案建議包括提高學生對先進制造業(yè)職業(yè)的認識；重點關注代表性不足的群體和少數(shù)族裔服務機構；解決服務不足群體的社會和結構性障礙。二是發(fā)展、規(guī)?；痛龠M先進制造業(yè)教育和培訓，技術方案建議包括將先進制造業(yè)納入基礎STEM 教育；先進制造業(yè)的職業(yè)和技術教育現(xiàn)代化；擴大和傳播新的先進制造業(yè)學習技術和做法。三是加強雇主與教育機構的聯(lián)系，技術方案建議包括擴大基于工作的學習和學徒制度；推廣行業(yè)認證證書。

1.2 智庫建議美國制定政策精準吸納半導體人才

雖然美國政府已經(jīng)制定了半導體法案和戰(zhàn)略，但這些法案和戰(zhàn)略仍需進一步落實落地才能保持和發(fā)展其半導體優(yōu)勢。美國智庫具有一定的獨立性，智庫的研究見解與建議可為美國政府決策和公共管理提供前瞻性戰(zhàn)略導向和策略方法。美國智庫安全和新興技術中心（Center for Security and Emerging Technology，CSET）發(fā)布報告，對美國吸引半導體勞動力提出詳細建議，對防止美國半導體制造業(yè)出現(xiàn)嚴重的人才短缺問題具有重要意義。2022 年2 月，美國智庫安全和新興技術中心建議美國政府制定政策，從3 個主要渠道精準吸引半導體勞動力[6]。一是在海外人才引進方面，從臺積電或三星等公司引進至少3 500 名具有專業(yè)知識的高技能外國工人。這意味著美國需要在短期內探索為中國臺灣和韓國工人創(chuàng)建高技能工作簽證項目，以推動芯片法案的落實落地。二是在國內人才吸引方面，既要在半導體相關行業(yè)吸納大量國內工人從事某些技能較低的崗位，如檢驗員、測試員、分揀員、取樣員和稱重員等，又要吸納國內擁有相關碩士和博士學位的高技能工人。三是美國的碩士和博士學生也可以幫助提高半導體勞動力數(shù)量，但這需要高成本和較長時間的再培訓。

根據(jù)美國商務部發(fā)布關于芯片計劃的信息征詢（Request for Information，RFI）問卷調查結果，據(jù)受訪者反饋，解決半導體人才短缺問題最有效的策略包括招聘外國人才、為年輕專業(yè)人士提供實習和學徒機會，以及在當?shù)赝顿Y營銷和教育項目。部分受訪者認為，H1-B①美國H1-B 簽證是美國為引進國外專業(yè)技術人員提供的一類工作簽證，要解決的是美國公司急需但在其國內又招不到的人才。因此，其對申請人的學歷有一定要求，必須具備學士或以上學位。還不夠，應該擴大并提高效率，以推動全球頂尖人才流向美國。總之，美國智庫安全和新興技術中心建議海外移民通道的創(chuàng)建應與勞動力發(fā)展的長期投資相輔相成，短期來看，需要完善移民政策，從海外引進半導體人才；長遠來看，需要持續(xù)投入包括K-12 STEM 教育、半導體相關領域的“4+1”計劃（本科+碩士）以及在職培訓計劃。因此，探索立法以確保獲得熟練的外國勞動力，同時投資于國內教育和再培訓，這將有助于建立未來的美國半導體勞動力[7]。

1.3 企業(yè)與高校合作加緊培養(yǎng)半導體人才

隨著《2022 年芯片和科學法案》補貼的落實和分配，英特爾、美光、臺積電和三星等全球知名半導體制造商為獲得補貼以提升企業(yè)競爭力，紛紛加大與美國大學、社區(qū)學院等的合作力度培養(yǎng)所需合格人才，以吸引更多的學生進入半導體行業(yè)。英特爾承諾向美國俄亥俄州80 所高等教育機構提供5 000 萬美元資金，幫助大學和社區(qū)學院升級課程、培訓和聘用教職員工，并提供設備、實習和研究機會。俄亥俄州立大學將集中10 所州內院校資源，創(chuàng)建一個新的跨學科先進半導體制造研究和教育中心。SkyWater Technology 與美國普渡大學合作，該公司在美國普渡大學的研討會課程中向學生介紹多種職業(yè)選擇，幫助學生在美國普渡大學的納米技術中心和半導體公司積累經(jīng)驗。美國普渡大學為此推出了一個新的“跨學科半導體學位”項目，學生可通過選擇輔修芯片制造課程獲得碩士學位或證書。美國得克薩斯州立大學與涉及半導體和國防電子領域的企業(yè)、國家實驗室與全州13 家學術機構合作，以實現(xiàn)“將芯片制造帶回美國”的目標[8]。

臺積電與美國伊利諾伊大學合作，伊利諾伊大學香檳分校創(chuàng)建了名為“高級系統(tǒng)設計”的課程，該課程的主要內容是教授高年級本科生完成集成電路制作的各個步驟。該校還開設了一門關于設計和構建集成電路（integrated circuit，IC）的課程，學生在課程中的設計成果會送至臺積電工廠進行制造，再由學生測試芯片，根據(jù)需要重新設計電路，并為芯片制作印刷電路板。此外，美國亞利桑那州3 所社區(qū)大學與英特爾合作提供“快速入門”計劃，幫助學生在短短10 d 內成為英特爾及其供應商或其他半導體制造商的入門級技術人員。該項目由亞利桑那州商務局撥款資助，完成課程的學生無須支付任何費用。

2 其他主要國家或地區(qū)通過法案或戰(zhàn)略加強半導體人才供給

除美國外，歐盟、法國、日本和韓國等國家或地區(qū)相繼頒布法案或制定戰(zhàn)略，如歐盟的《歐洲芯片法案》、法國的《電子工業(yè)戰(zhàn)略》和《法國2030 計劃》、日本的《半導體產(chǎn)業(yè)緊急強化法案》和《半導體援助法》、韓國的《半導體超級強國戰(zhàn)略》和《K-芯片法案》等。這些法案或戰(zhàn)略高度重視半導體人才供給問題，提出了培養(yǎng)、吸引和留住人才的相關政策措施。

2.1 加強教育和培訓，打造半導體人才庫

從長遠來看，對教育和培訓持續(xù)投入是實現(xiàn)半導體人才供給可持續(xù)的關鍵。根據(jù)本國需求，各國設置專業(yè)教育和各種培訓課程，做好不同層次人才的儲備工作。歐盟委員會于2022 年2 月提出《歐洲芯片法案》，支持教育、培訓、技能和技能再培訓計劃，支持獲得微電子研究生課程、短期培訓課程、工作實習以及高級實驗室的培訓，支持遍布歐洲的能力中心網(wǎng)絡[9]。2022 年7 月法國發(fā)布《電子工業(yè)戰(zhàn)略》，計劃投入5 000 萬歐元實施“未來技能與職業(yè)”項目，加強涵蓋職業(yè)高中、大專和工程師學校各個階段的學歷教育，為電子制造行業(yè)培養(yǎng)各種學歷水平的人才。2022 年3 月，日本成立“九州半導體人才培養(yǎng)財團”，促進半導體人才培養(yǎng)并強化半導體供應鏈韌性[10]。

2.2 產(chǎn)教聯(lián)合培養(yǎng)人才，著力解決人才短缺問題

技術密集型的半導體行業(yè)需要的人才，不僅要以學歷為衡量標準，還需重視對實際項目的操作能力。因此，世界主要國家和地區(qū)均注重教育界與產(chǎn)業(yè)界相互融通，共同解決半導體產(chǎn)業(yè)人才短缺問題。法國加強交替制教育，完善教育界與產(chǎn)業(yè)界的人才培養(yǎng)銜接機制，確保學生能夠同時掌握必要的理論知識和實際技能。預計到2025 年，新設10 種交替制教育課程，接受電子制造行業(yè)交替制教育的學生人數(shù)將提升至現(xiàn)有水平的2 倍[11]。根據(jù)日本共同社2022 年5 月報道，日本政府已開始討論在東北地方和近畿地方等全國5 個地區(qū)建立產(chǎn)學官合作組織，以率先在九州設立的項目為參考，由優(yōu)秀企業(yè)和大學等合作，因地制宜打造半導體人才培養(yǎng)項目[12]。2022 年7 月，韓國發(fā)布《半導體超級強國戰(zhàn)略》，將官民合作培養(yǎng)半導體人才作為重要內容，特別設立“半導體學院”，由韓國半導體協(xié)會負責設計并運營針對大學生、上班族等不同對象的培訓課程，由企業(yè)負責提供師資和設備等人力、物力支持，政府提供財政支持，力求在未來5 年內培養(yǎng)3 600 名符合產(chǎn)業(yè)界需求的半導體人才。2023 年5 月，日本在主辦G7 峰會時將其定位為全球芯片供應鏈的關鍵參與者，與美國普渡大學和美光科技公司簽署了協(xié)議，并與英國建立了半導體合作伙伴關系[13]。

2.3 大力吸引海外優(yōu)秀人才，構建開放創(chuàng)新生態(tài)

知識和人才的自由流動有利于全球半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設。韓國的《K-芯片法案》將大型芯片企業(yè)的稅收減免從目前的8%提高到15%，而中小型企業(yè)的稅收減免將從目前的16%提高到25%。該措施有望促進三星電子和SK 海力士等公司加大國內投入，吸引大量海外半導體人才到韓國就業(yè)。韓國還積極制定海外人才吸引政策，一是為海外高級工程師等優(yōu)秀人才提供個人所得稅減免優(yōu)惠政策（減免50%，并將時限從現(xiàn)行的5 年調整為10 年）。二是構建國外專家數(shù)據(jù)庫，吸引海外優(yōu)秀人才。韓國于2023 年1 月開始簽發(fā)E-7-S 簽證，以接待在先進技術公司工作的人員，并開始為全球高等教育研究機構（Quacquareli Symonds，QS）發(fā)布的《2022年世界大學排名》中世界大學前500 位大學的畢業(yè)生提供簽證批準加分。三是聘請半導體核心技術領域的退休研究人員從事專利審查工作，防止因赴海外工作導致技術外流。《歐洲芯片法案》注重加強歐盟內部協(xié)作及資源整合，營造半導體良好生態(tài)環(huán)境，加速聚集全球半導體人才。為了吸引擁有頂級知識和技術的外國人才，日本在2023 年2 月修訂了《移民法》，允許全球排名前100 位的大學的畢業(yè)生留在日本并申請高科技公司的工作。2023 年4 月起，日本政府決定實施“特別高度人才制度”，只要收入和學歷滿足特定條件，在日本居住1 年就可取得永久居住權[14]。

3 全球范圍內半導體人才競爭對中國的影響

半導體行業(yè)的競爭在很大程度上是全球頂尖科技人才的競爭[15]。各國制定戰(zhàn)略在全球范圍內引進人才，勢必會使芯片產(chǎn)業(yè)的國際人才供給出現(xiàn)波動，而美國對中國芯片產(chǎn)業(yè)的持續(xù)打壓[16]，也為半導體人才來華設置了一定的障礙。

3.1 海外人才引進方面

近年來，美國、歐洲、日本和韓國等主要國家和地區(qū)大規(guī)模興建晶圓廠，且通過制定法案或戰(zhàn)略加大對半導體人才的補貼力度；超大規(guī)模企業(yè)和專業(yè)服務公司通過提高工資待遇，將全球優(yōu)秀人才吸引到本國，并創(chuàng)造大量就業(yè)崗位。

美國發(fā)布《2022 年芯片和科學法案》，通過制造半導體“人才荒”抑制全球相關國家的半導體競爭力，從而繼續(xù)保持其半導體行業(yè)的領先地位。在該芯片法案和美國智庫的影響與推動下，美國將會調整技術移民政策，從韓國、中國臺灣等地吸引更多的技術工程師和產(chǎn)業(yè)工人發(fā)展其本地半導體生態(tài)系統(tǒng)。盡管《歐洲芯片法案》并非刻意針對中國，但多家公司已宣布將在歐洲興建半導體制造廠，這勢必導致歐洲加速集聚一批人才，甚至將吸引一批中國半導體人才轉到歐洲工作。上述案例表明，全球范圍內半導體人才競爭加劇，中國半導體人才引進難度進一步加大。

近年來，美國對中國半導體出口管制升級，限制美國籍人才支持中國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展，對中國芯片產(chǎn)業(yè)造成巨大影響。2022 年10 月7 日，美國商務部工業(yè)與安全局以限制中國的軍事現(xiàn)代化能力，保護美國國家安全利益等為由，出臺針對半導體領域的大規(guī)模出口管制規(guī)則，禁止美國籍人才（特別是持有美國護照的華人高管）在中國大陸從事芯片行業(yè)。一方面，擁有美國公民身份的華裔美國人已經(jīng)在中國創(chuàng)辦了多家頂級芯片設備和材料公司，以及數(shù)百名高管和專業(yè)人士也擁有美國公民身份，一旦美國籍人才全部撤離，將會在短時間內對中國芯片產(chǎn)業(yè)造成巨大影響。另一方面，受管制規(guī)則影響，荷蘭阿斯麥公司（ASML）等多家半導體設備大廠暫停中國業(yè)務，這些公司的美國籍員工須避免直接或間接為中國客戶提供任何服務、運輸或其他支持[17]。2023 年10 月17 日，美國商務部工業(yè)與安全局再次針對半導體領域發(fā)布新規(guī)，分別是《實施額外出口管制：某些先進計算物項、超級計算機與半導體最終用途；更新和修改臨時最終規(guī)則》以及《半導體制造物項出口管制臨時最終規(guī)則》。這些新規(guī)是對2022 年發(fā)布的管制規(guī)則的延續(xù)、強化與升級，通過管控美國主體開展的活動，限制其為中國主體自主開展的先進半導體生產(chǎn)制造活動提供“支持”。這一系列限制措施不僅限制了中國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展，還減少了中美兩國研究人員之間的交流合作。

3.2 人才教育培訓方面

美國等主要國家和地區(qū)加強早期教育和各階段學歷教育與再培訓，吸引大批留學生赴西方留學深造并留在目的國。德國、美國、日本均將早期教育時間前延至小學，從幼年時期引導啟發(fā)學生對半導體領域的興趣意識，法國則加強涵蓋各個階段半導體專業(yè)的學歷教育和交替制教育。這些措施在培養(yǎng)本國人才的同時，也吸引大量留學生前往美國等主要國家和地區(qū)接受前沿的半導體科技教育。

美國等主要國家和地區(qū)通過提供高薪及濃厚科研氛圍或改變世界的品牌承諾吸引并留住留學生人才，從而使中國大量名牌高校畢業(yè)生外流。以美國知名半導體產(chǎn)業(yè)區(qū)硅谷為例，其中從事相關領域的中國留學生就超過20 萬，而且這一數(shù)字還在逐年增加。根據(jù)中國半導體協(xié)會2022 年的預測，到2025 年中國芯片專業(yè)人才缺口將擴大至30 萬人[18]，留住存量人才并減少STEM 學生流失，成為解決中國半導體事業(yè)發(fā)展滯緩問題的關鍵因素之一。

2023 年7 月，日本和歐盟同意加強在芯片領域的研究和培訓合作，雙方通過簽署備忘錄在新一代半導體研發(fā)和人才培養(yǎng)方面開展合作。備忘錄中加強人才培養(yǎng)的做法值得中國借鑒學習，中國必須積極融入全球創(chuàng)新網(wǎng)絡，與歐盟、日本和韓國等半導體強國分享經(jīng)驗和資源，形成多渠道、全方位和多層次的國際科技合作體系，加快實現(xiàn)半導體產(chǎn)業(yè)的自立自強，培養(yǎng)更多的高素質半導體人才。

4 啟示與建議

面對全球半導體行業(yè)人才競爭的激烈態(tài)勢，中國應堅持“系統(tǒng)謀劃、遠近結合、內外兼顧”原則，堅持教育、科技、人才“三位一體”理念，結合創(chuàng)新型人才教育機制轉型，在半導體人才培養(yǎng)和引進方面發(fā)揮多方協(xié)作優(yōu)勢，以時間換空間，尋找解決半導體人才短缺的突破口。

（1）促進高等教育、職業(yè)教育與培訓更加協(xié)調發(fā)展，加強產(chǎn)學研融合，實現(xiàn)半導體人才供給“自主可控”。

當前教育機制改革需要在頂尖研發(fā)人才和技術工人培養(yǎng)兩端共同發(fā)力，通過職業(yè)教育、高等教育和繼續(xù)教育統(tǒng)籌協(xié)調發(fā)展，優(yōu)化半導體行業(yè)人才梯隊結構，使半導體教育體系和人才培育機制更為完善。一是在高等教育階段深化產(chǎn)教融合、校企合作，優(yōu)化師資隊伍和資源，鼓勵產(chǎn)業(yè)界專家兼職任教，根據(jù)技術和產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況，及時更新教材體系和內容，支持非半導體專業(yè)學生輔修半導體專業(yè)，培養(yǎng)實戰(zhàn)型碩博人才；二是發(fā)揮職業(yè)教育“中間人”角色，充分協(xié)調企業(yè)、高校雙方訴求，推動企業(yè)與高校和政府合作，實施定向培養(yǎng)，做好專業(yè)化實訓教學與管理，培育供需匹配的半導體行業(yè)人才；三是促進半導體產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)人才流動，重點強化芯片制造人才供給。針對中國芯片制造人才缺口問題，一方面需要借助行業(yè)協(xié)會和產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟等組織，形成行業(yè)內規(guī)范，制約企業(yè)之間對芯片制造領軍人才的惡性競爭，有條件的企業(yè)可為潛在人才提供更多資源，加強領軍人才培養(yǎng)；另一方面需要改變當前集成電路教學中重設計、輕制造的現(xiàn)狀，鼓勵集成電路企業(yè)向高校提供免費芯片流片的合作計劃[19]，使青年人才在校學習時期就積累了一定的工作經(jīng)驗。

（2）以國際化思維全球配置半導體人才，做到“聚天下英才而用之”。

建立更為多元化的人才流通渠道，吸引全球半導體人才來中國進行研發(fā)工作，強化半導體供應鏈。一是創(chuàng)造舒適的發(fā)展環(huán)境吸引和留住高端半導體人才。針對當前美國科研機構大批華人科學家離職情況，積極制定對策，迎接更多華人科學家回國工作，打通影響外國人才在國內工作和生活的堵點和難點，在居留權和授予國籍方面進行政策探索，幫助外國人才積極融入新的生活環(huán)境，從“重金引人”轉向“環(huán)境引人”。二是放寬針對半導體專業(yè)背景人才的移民政策，創(chuàng)建半導體行業(yè)高技能工作簽證項目，創(chuàng)造相對寬松的創(chuàng)新環(huán)境，吸引海外頂尖人才和技術工人來華長期工作，為中國尖端芯片制造帶來并傳授隱性知識。三是引導中國芯片制造公司重構全球合作理念，以開放思維獲得和培養(yǎng)適合本企業(yè)的半導體人才。盡管地緣政治風險和激烈競爭短期內無法消失，中國企業(yè)仍需通過合作伙伴關系和合資企業(yè)優(yōu)化商業(yè)環(huán)境及配套政策，加強引招人才以充實人才庫。

（3）全方位布局涵蓋半導體人才、教育、文化及產(chǎn)業(yè)需求的大融合計劃。

半導體人才短缺的問題涉及半導體人才成長發(fā)展的全生命周期，涵蓋教育發(fā)展、科技創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、財稅金融、居留移民以及社會保障等各個方面政策[20]。從國家創(chuàng)新體系視角來看，需要綜合考慮政產(chǎn)學研金用協(xié)同合作機制、開放包容的創(chuàng)新文化、便捷舒適的科研環(huán)境與生活環(huán)境等各個方面。半導體人才短缺不是一個短期問題，必須做好打“持久戰(zhàn)”的準備。未來需要從國家層面制定半導體人才培養(yǎng)與引進的整體戰(zhàn)略，調動國家戰(zhàn)略科技力量協(xié)同作戰(zhàn)，發(fā)揮政產(chǎn)學研融合優(yōu)勢[21]，加強學科交叉融合，構建覆蓋不同半導體產(chǎn)業(yè)領域的技能培訓體系，圍繞產(chǎn)業(yè)鏈構建人才鏈、教育鏈和賦能創(chuàng)新鏈，形成協(xié)同創(chuàng)新與協(xié)同育人深度融合的機制與模式，建立開放舒適包容的科研創(chuàng)新環(huán)境?！?/p>