郝玉良
(閩南理工學院 光電與機電工程學院,福建 泉州 362700)
光子晶體(photonic crystal)是指介電常數(shù)(折射率)在空間呈周期性排列構(gòu)成的晶體結(jié)構(gòu)[1]. 光子晶體的主要特征在于具有帶隙結(jié)構(gòu),在帶隙中的光波是無法傳播的,主要是結(jié)構(gòu)中沒有任何態(tài)存在[2]. 然而,光子晶體中的光波可以在波導與諧振腔中傳播,尤其是在波導彎曲處能夠?qū)崿F(xiàn)零損耗傳播[3],基于此在制作光子器件方面得到了廣泛的應用,如光開關(guān)[4]、濾波器[5]、波分復用器[6]等方面. 因此,當下深入研究光子晶體中波導與微腔的耦合是十分必要的. 錢琛江等人通過調(diào)整幾何參數(shù)控制微腔與波導之間的耦合,構(gòu)建了二維平板光電子晶體的開關(guān)[7]. 吳立恒等人通過改變微諧振器中心缺陷柱半徑大小,增加了諧振器與波導之間耦合工作特性[8]. 高永鋒等人通過改變輸出波導和耦合區(qū)結(jié)構(gòu),設計了高透射率的分束器[9].
筆者基于時域有限差分法分析光子晶體中線缺陷和點缺陷的性質(zhì),在改變耦合腔中點缺陷介質(zhì)柱參數(shù)的條件下,通過光子晶體耦合的透過譜,基于二維光子晶體結(jié)構(gòu)的多端濾波器,分析了微腔壁厚、微腔大小、微腔位置、微腔形狀和微腔折射率對耦合效率的影響,并進行了光子晶體濾波器的設計與模擬.
時域有限差分法是由有限差分法發(fā)展出來的直接由麥克斯韋旋度方程組對電磁場進行計算機模擬的數(shù)值分析方法[10]. 麥克斯韋旋度方程為:
其中,E為電場強度,V/m;D為電通量密度,C/m2;H為磁場強度,A/m;B為磁通量密度,Wb/m2;J為電流密度,A/m2;Jm為磁流密度,V/m2. 各向同性線性介質(zhì)中本構(gòu)關(guān)系為[11]:
其中,∈表示介質(zhì)介電系數(shù),F(xiàn)/m;μ表示磁導系數(shù),H/m;σ為電導率,S/m;σm為磁導率,Ω/m.σ和σm分別表示介質(zhì)的電損耗和磁損耗. 真空中σ=0,σm=0,以及∈=∈0=8.85×1012F/m,μ=μ0=4π×10-7H/m. 在直角坐標系中,式(1)和式(2)分別寫為式(3)和式(4).
令f(x,y,z,t)代表E或H在直角坐標系中的某一分量,在時間和空間域中的離散表示為:
筆者研究的是TM波[12],光子晶體介質(zhì)為Si(相對介電常數(shù)為11.56),方形格,柱子在空氣中,半徑為0.2a,格子的周期是13×16,晶格常數(shù)為a=516.02 nm. 通過計算光子晶體介質(zhì)柱的半徑分別為1.3a、1.7a、2.0a、2.3a、2.5a、2.7a、3.0a時光子晶體相對帶寬. 利用每個透過譜的帶隙寬度除以中心頻率得到相對帶寬,比較這7組數(shù)據(jù)的相對帶寬,最終得到最大的相對帶寬,此時的半徑r即光子晶體的最佳半徑,結(jié)果如圖1所示. 由圖1可知,當r=2.3a,其帶隙最寬,故r=2.3a是最佳半徑.
圖1 相對帶寬與介質(zhì)柱半徑r關(guān)系圖
2.2.1 微腔最佳壁厚對耦合效率的影響
為了分析微腔與波導之間的距離(即改變微腔的壁厚)對耦合效率的影響,比較了微腔壁厚為2層和3層時的探測器在x方向和y方向的響應透過譜及其耦合效率(格子的周期是21×27,晶格常數(shù)仍為a=516.02 nm). 其中實線表示x方向探測器,虛線表示y方向探測器. 耦合效率是指將y方向探測器的最大透過率除以x方向探測器在該點的透過率. 由圖2可知,波導與微腔在波長為1 362 nm處發(fā)生耦合,且耦合效率為9.1%. 當壁厚增加至3層是耦合效率非常低. 所以,微腔壁厚為2層時耦合效率最大,故微腔最佳壁厚為2層.
圖2 微腔壁厚對透過譜圖的影響
2.2.2 微腔大小對耦合效率的影響
改變微腔大小,分別算出微腔兩邊寬度和高度增加0.10a、0.18a、0.30a、0.4a、0.5a時的耦合效率,見圖3.
圖3 微腔大小與耦合效率的關(guān)系圖
圖3 中增加寬度表示微腔左右兩側(cè)向外擴張的距離. 隨著微腔寬度的增加,耦合效率先是增加,當微腔左右寬度增加0.4a時,此時的耦合效率最高,當增加寬度超過0.4a時,耦合效率又開始減小. 故可得:微腔寬度增加0.4a時,此時耦合效率最大為50.8%. 隨著微腔高度的增加,耦合效率出現(xiàn)兩處峰值,高度從0到0.1a時,耦合效率逐漸增大,在0.1a處耦合效率達到最大,當超過0.1a時,耦合效率又開始減小. 從0.2a到0.3a之間,耦合效率又開始增大,在0.3a處耦合效率達到最大值,當超過0.3a后耦合效率開始逐漸減小. 但0.3a處的耦合效率比0.1處耦合效率更大. 故可得:當微腔高度增加0.3a時耦合效率最高為48.8%.
2.2.3 微腔位置對耦合效率的影響
將微腔分別左移1a、2a,再分別右移1a、2a,比較微腔不同位置處的耦合效率. 由圖4可知,當改變微腔位置,使其偏離x方向波導,則耦合效率逐漸降低. 故改變微腔位置不利于提高耦合效率.
圖4 微腔位置與耦合效率關(guān)系圖
2.2.4 微腔形狀對耦合效率的影響
改變微腔形狀,將微腔形狀改為正方形,分別計算邊長為0.05a、0.06a、0.08a 的耦合效率;將微腔形狀改為橢圓形,改變橢圓微腔的半長軸與半短軸長度(長軸是短軸的2倍),長軸分別為0.05a、0.08a、0.1a、0.12a、0.14a、0.16a、0.18a;將微腔形狀改為圓形,分別計算微腔半徑為0.05a、0.08a、0.1a、0.12a、0.15a時的耦合效率,結(jié)果見圖5.
圖5 微腔形狀與耦合效率的關(guān)系圖
由圖5可看出,當微腔改為正方形時耦合效率很低,并隨著正方形微腔邊長的增加耦合效率逐漸減小. 故當微腔為正方形時不利于提高耦合效率. 隨著橢圓微腔半長軸的增加,耦合效率趨勢成鋸齒形變化,但隨著半長軸的增加,每個峰值也在相應的減小. 在橢圓微腔半長軸為0.05a時耦合效率最大為28.5%. 隨著圓形微腔半徑的增加,耦合效率逐漸增加,在0.08a處出現(xiàn)最大值,當半徑超過0.08a時耦合效率逐漸減小. 故在圓形微腔半徑為0.08a時耦合效率最大為46.7%.
2.2.5 微腔折射率對耦合效率的影響
分別計算半徑為2.3a的微腔折射率為1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7時的耦合效率,結(jié)果見圖6. 由圖6可看出,隨著折射率的增加,耦合效率成鋸齒形變化,出現(xiàn)多個峰值,但隨著折射率的增加,耦合效率的峰值逐漸減小. 在折射率為1.2時耦合效率峰值最大. 故可得,微腔折射率為1.2時的耦合效率最大,為30.7%.
圖6 微腔折射率與耦合效率的關(guān)系圖
可見光子晶體點缺陷形成的微腔存在共振頻率,在共振頻率處,微腔和附近的波導耦合最強,波導中頻率在微腔共振頻率附近的光波能量將被加載到微腔里面. 由于微腔可以實現(xiàn)單波長的選擇能力,不同微腔可以通過耦合從而加載不同波長的信號. 故以此為基礎,設計了4個端口的光子晶體濾波器,相應的共振頻率為2.015×1014、2.166×1014、2.045×1014、2.180×1014Hz. 其結(jié)構(gòu)圖與透過譜圖見圖7.
圖7 四端口光子晶體濾波器結(jié)構(gòu)圖與透過譜圖
圖7 (a)中0、1、2、3、4分別對應直波導、圓形微腔、橢圓微腔、增加微腔高度、1.2折射率微腔處的端口. 由圖7(b)可看出波導與微腔分別在頻率為2.015×1014、2.166×1014、2.045×1014、2.180×1014Hz處發(fā)生耦合,實現(xiàn)了單波長的選擇,不同微腔通過耦合從而加載不同波長的信號. 當光波頻率滿足上述共振頻率中任意一個時,光波將從相應端口通過,當光波頻率不在上述共振頻率之列,則將從端口0通過. 當然,光源不同,射出的光的強度也不相同,這與光源的強度及其頻率有關(guān),但無論其通過的光是強是弱,都實現(xiàn)了濾波的功能.
本文主要使用時域有限差分方法分析了介質(zhì)柱半徑與帶隙的關(guān)系,r=2.3a是光子晶體最佳半徑,此時晶格常數(shù)a=516.02 nm. 微腔最佳壁厚為2層,當壁厚增加至3層是耦合效率非常低;當微腔左右寬度增加0.4a時,此時的耦合效率最高,為50.8%,且可得透射光波長隨微腔寬度的增加而增加. 當微腔高度增加0.3a時耦合效率最高,為48.8%,透射光波長隨微腔高度的增加而增加. 當改變微腔位置,使其錯開x方向波導,則耦合效率逐漸降低. 當微腔改為正方形時耦合效率很低,透射光波長隨正方形邊長增加而增加. 當微腔折射率為1.2時的耦合效率最大,耦合效率為30.7%,透射光的波長隨著微腔折射率的增加而增加.