賀 鵬,魯 進(jìn),2,張興紅,張?zhí)旌?,謝述祥
(1.重慶理工大學(xué),機(jī)械檢測(cè)技術(shù)與裝備教育部工程研究中心,時(shí)柵傳感及先進(jìn)檢測(cè)技術(shù)重慶市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,重慶 400054;2.重慶理工大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院,重慶 400054)
直線位移傳感器對(duì)工業(yè)、農(nóng)業(yè)、國(guó)防等各領(lǐng)域有著重要的意義,關(guān)系到科技的進(jìn)步與發(fā)展,所以直線位移傳感器越來(lái)越多地受到各國(guó)家的重視[1]。而目前大多數(shù)直線位移測(cè)量很難滿足在實(shí)現(xiàn)高分辨力測(cè)量的同時(shí)也能實(shí)現(xiàn)高精度、大量程范圍的測(cè)量,少數(shù)的直線位移測(cè)量實(shí)現(xiàn)了大量程高分辨力的測(cè)量,但價(jià)格昂貴且對(duì)環(huán)境要求十分嚴(yán)格。
現(xiàn)在,直線位移傳感器精度最高的是激光干涉儀,在幾m的范圍可以實(shí)現(xiàn)1 μm的測(cè)量精度,但對(duì)光學(xué)介質(zhì)敏感、體積大[2];光柵能夠在500 mm內(nèi)實(shí)現(xiàn)1 nm的分辨率,但是采用光學(xué)測(cè)量方法的儀器價(jià)格昂貴[3-6];文獻(xiàn)[7]中采用電學(xué)測(cè)量方法,壓阻傳感器可在1~500 μm實(shí)現(xiàn)的測(cè)量精度為0.49 nm,但絕對(duì)精度受溫度的影響較大。文獻(xiàn)[8]采用標(biāo)準(zhǔn)滾針變磁阻,對(duì)傳感器的有效半徑和磁路氣隙長(zhǎng)度進(jìn)行優(yōu)化,但滾針的設(shè)計(jì)難以保證繞線的均勻性和一致性,從而影響位移測(cè)量精度。文獻(xiàn)[9]提出了一種基于PCB技術(shù)與時(shí)柵測(cè)量技術(shù)相結(jié)合的位移傳感器,然而空間的分辨力還是受限于激勵(lì)線圈和感應(yīng)線圈的極距,當(dāng)極距到達(dá)一定極限后,想進(jìn)一步提高其空間分辨力將變得非常困難。
針對(duì)上述問(wèn)題,本文提出一種基于PCB技術(shù)的新型直線時(shí)柵位移傳感器,通過(guò)在PCB基板上布置陣列的激勵(lì)線圈和特定形狀的感應(yīng)線圈,形成2個(gè)完全相同的空間正交的傳感單元,在不改變勵(lì)磁線圈和感應(yīng)線圈空間極距的情況下,能實(shí)現(xiàn)在信號(hào)源頭將分辨力提高1倍的測(cè)量,不依賴于超精密刻線技術(shù),結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,極易實(shí)現(xiàn)。
兩參數(shù)協(xié)同調(diào)制的傳感器整體結(jié)構(gòu)如圖1所示,傳感器基體分為2個(gè)單元,上下單元完全一樣,各單元均由下導(dǎo)磁基體、勵(lì)磁線圈、感應(yīng)線圈和運(yùn)動(dòng)導(dǎo)磁體組成?;匦尉€圈嵌于下導(dǎo)磁基體的上表面,且回形線圈按照正繞和反繞的形式等間距交錯(cuò)排列,形成整體的定子測(cè)頭。感應(yīng)線圈設(shè)計(jì)成正弦形狀,通過(guò)改變感應(yīng)線圈所包圍面積的有效磁通來(lái)對(duì)時(shí)間周期信號(hào)進(jìn)行有效的調(diào)制,上導(dǎo)磁基體為動(dòng)測(cè)頭。上下2個(gè)單元在沿X軸方向相互錯(cuò)開W/8,或者將動(dòng)尺錯(cuò)開W/8(W為空間極距),從而達(dá)到2個(gè)單元的空間正交。
利用畢奧-薩伐爾定律[10-11]構(gòu)造基波磁場(chǎng)分布單匝方形線圈磁感應(yīng)強(qiáng)度分布函數(shù),從而得到通過(guò)不同尺寸的單匝數(shù)線圈疊加而成的多匝數(shù)方形線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度,一段載流直導(dǎo)線AB在P點(diǎn)產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度計(jì)算如式(1)所示:
(1)
圖1 傳感器結(jié)構(gòu)示意圖
勵(lì)磁線圈模型如圖2所示。
圖2 勵(lì)磁線圈模型
多匝數(shù)矩形線圈在場(chǎng)點(diǎn)P(x,y,z)所產(chǎn)生的磁場(chǎng)分布可以是多個(gè)不同尺寸的單匝數(shù)線圈在該場(chǎng)點(diǎn)P(x,y,z)所產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度的疊加,故空間內(nèi)任意一點(diǎn)磁場(chǎng)強(qiáng)度如式(2)所示:
(2)
式中:i為線圈的匝數(shù);l1i、l2i分別為各線圈的長(zhǎng)和寬;n平面線圈的總匝數(shù)。
傳感器勵(lì)磁線圈采用2個(gè)多匝平面線圈時(shí),組成所需要的磁場(chǎng)分布情況,傳感器勵(lì)磁線圈的結(jié)構(gòu)如圖3所示。
圖3 傳感器勵(lì)磁線圈結(jié)構(gòu)圖
在水平方向上,將正弦和余弦勵(lì)磁線圈等間距分布,以初始的勵(lì)磁線圈為基準(zhǔn),建立初始坐標(biāo)系X0Y0O0,坐標(biāo)原點(diǎn)定義在初始勵(lì)磁線圈的中心點(diǎn),根據(jù)坐標(biāo)轉(zhuǎn)換原理,以右邊線圈中心點(diǎn)建立對(duì)應(yīng)新的坐標(biāo)系X1Y1O1,其換算關(guān)系滿足式(3):
(3)
式中s為2個(gè)勵(lì)磁線圈中心的距離。
從圖3可以看出,勵(lì)磁線圈在X軸方向上變化,換算關(guān)系中,橫坐標(biāo)變化,縱坐標(biāo)不變。
2個(gè)勵(lì)磁線圈是多個(gè)矩形線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度的疊加,所構(gòu)造的磁感應(yīng)強(qiáng)度為
Bz=Bz0+Bz1
(4)
式中:Bz0為初始勵(lì)磁線圈的磁感應(yīng)強(qiáng)度;Bz1為右邊勵(lì)磁線圈的磁感應(yīng)強(qiáng)度。
圖4表明了傳感單元的勵(lì)磁線圈和感應(yīng)線圈的空間位置關(guān)系以及2個(gè)傳感單元的空間位置關(guān)系,2個(gè)傳感單元的激勵(lì)線圈和感應(yīng)線圈在空間上錯(cuò)開1/4的空間極距W,2個(gè)傳感單元空間位置錯(cuò)開W/8。勵(lì)磁線圈箭頭表明了電流的流向,分布于印制電路基板的不同層上,電流的流向也是箭頭的方向。
圖4 勵(lì)磁線圈和感應(yīng)線圈位置關(guān)系
當(dāng)動(dòng)尺在多匝線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度中沿X軸移動(dòng)時(shí),通過(guò)多匝線圈的磁場(chǎng)強(qiáng)度以W為節(jié)距呈現(xiàn)周期性變化,在感應(yīng)線圈所感應(yīng)的有效磁通面積也呈現(xiàn)周期性變化,當(dāng)激勵(lì)電流I1(t)=Asin(ωt)通入到傳感單元一中,產(chǎn)生的磁通應(yīng)用傅里葉級(jí)數(shù)展開如式(5)所示:
(5)
在只考慮磁通量中基波分量的情況下,磁場(chǎng)的感應(yīng)線圈的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為磁通量共同作用的結(jié)果,傳感單元一的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)如式(6)所示:
(6)
同理傳感單元二所產(chǎn)生的電信號(hào)應(yīng)為
(7)
通過(guò)三角函數(shù)誘導(dǎo)變換反推出得:
(8)
比較式(5)和式(8)可知,傳感單元二是傳感單元一沿X軸方向上相差W/8空間極距形成的,在傳感單元二中通入電流I2(t)=Acos(ωt),在兩單元共同作用下,產(chǎn)生電行波信號(hào)如式(9)所示:
(9)
對(duì)輸出的行波信號(hào)通過(guò)整形成為方波信號(hào)輸入微處理器中。利用高頻時(shí)鐘脈沖實(shí)時(shí)測(cè)量與參考信號(hào)的時(shí)間差Δt,該時(shí)間差與動(dòng)尺相對(duì)于定尺的位移關(guān)系如下:
(10)
式中N為動(dòng)尺相對(duì)于定尺所走過(guò)的完整極距數(shù)。
根據(jù)傳感器原理,采用電磁場(chǎng)有限元軟件Ansoft Maxwell進(jìn)行建模與仿真分析。Maxwell中設(shè)置仿真求解器為瞬態(tài)電磁場(chǎng),在理想情況下,選擇感應(yīng)線圈的電阻較大,可以使得感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)所流過(guò)的電流盡可能減小電磁對(duì)模型仿真的干擾,網(wǎng)格劃分較精細(xì),勵(lì)磁線圈和感應(yīng)線圈的網(wǎng)格設(shè)置最大邊長(zhǎng)取1 mm,導(dǎo)磁基體網(wǎng)格最大邊長(zhǎng)為5 mm,真空網(wǎng)格為10 mm。根據(jù)實(shí)際建立的傳感器模型結(jié)構(gòu)確定仿真求解參數(shù),傳感器結(jié)構(gòu)模型具體基本參數(shù)設(shè)置如表1所示。
表1 仿真模型參數(shù)表
當(dāng)一個(gè)勵(lì)磁信號(hào)作用于一個(gè)傳感單元,傳感器感應(yīng)線圈會(huì)感應(yīng)出一個(gè)駐波信號(hào),如圖5(a)、圖5(b)所示。當(dāng)2個(gè)勵(lì)磁信號(hào)作用時(shí),2個(gè)駐波信號(hào)疊加成行波信號(hào),如圖5(c)所示。從如圖5(c)可看出,當(dāng)動(dòng)尺移動(dòng)一個(gè)極距W,該傳感器相對(duì)于原始信號(hào)進(jìn)行了2倍的細(xì)分。故可以使傳感器的分辨力在源頭提高1倍。
在t=1 μs時(shí)刻,傳感器模型的磁場(chǎng)分布云圖如圖6所示,圖中左側(cè)磁場(chǎng)強(qiáng)度的大小與理論計(jì)算數(shù)值接近,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度會(huì)隨著時(shí)間變化呈周期性變化。
感應(yīng)線圈感應(yīng)的電動(dòng)勢(shì)初相角應(yīng)與位移量成線性關(guān)系,將仿真初相角α經(jīng)過(guò)相位與位移轉(zhuǎn)換公式得到位移量δα,并且令起始位置為0,再減去理論位移值δβ,可得到位移測(cè)量誤差值δ。
(11)
δ=δα-δβ
(12)
(a)傳感單元一磁場(chǎng)感應(yīng)線圈輸出的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)
(b)傳感單元二磁場(chǎng)感應(yīng)線圈輸出的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)
(c)兩傳感單元感應(yīng)線圈串聯(lián)輸出的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)圖5 傳感單元一和傳感單元二串聯(lián)輸出的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)
圖6 模型磁場(chǎng)分布云圖
圖7為動(dòng)尺空間位置的初相角及位移測(cè)量誤差曲線。由圖7可知,仿真曲線的初始相位與理論曲線的初始相位基本重合,將所得位移測(cè)量誤差曲線進(jìn)行FFT變換。
圖8為位移測(cè)量誤差頻譜分析圖。如圖8所示,位移測(cè)量誤差諧波成分主要包含2次、4次、6次誤差。通過(guò)所得數(shù)據(jù),進(jìn)一步對(duì)直線位移傳感器電磁仿真結(jié)果分析總結(jié)如下:
圖7 動(dòng)尺空間位置的初相角及位移測(cè)量誤差曲線
圖8 位移測(cè)量誤差頻譜分析圖
(1)線圈匝數(shù)影響磁場(chǎng)均勻性和磁場(chǎng)強(qiáng)度。單匝線圈所形成的磁場(chǎng)均勻性較差,多個(gè)矩形線圈組成“回”型線圈合成的磁場(chǎng)均勻性也會(huì)有變化,從分析可知,仿真模型的線圈參數(shù)和匝數(shù)沒(méi)有達(dá)到理想的值,將會(huì)造成2次誤差。
(2)在理想情況下,勵(lì)磁線圈和感應(yīng)線圈的軌跡應(yīng)該是一條線,但實(shí)際中,由于矩形線寬的影響,不會(huì)達(dá)到完全理想的情況,這也會(huì)引入4次誤差。
(3)在使用Maxwell進(jìn)行磁場(chǎng)分析時(shí),也會(huì)引入誤差,仿真時(shí)網(wǎng)格劃分對(duì)數(shù)據(jù)計(jì)算的誤差對(duì)仿真結(jié)果產(chǎn)生影響,各次諧波分量是由磁場(chǎng)仿真引入誤差。
從位移測(cè)量誤差曲線圖可知,位移測(cè)量誤差在節(jié)距內(nèi)周期性變化,采用誤差修正可以對(duì)時(shí)柵位移傳感器進(jìn)行諧波修正[12],進(jìn)一步減小主要諧波分量。
經(jīng)過(guò)理論驗(yàn)證與仿真分析,研制傳感器樣機(jī)、搭建實(shí)驗(yàn)平臺(tái),并對(duì)傳感器進(jìn)行測(cè)試。
本文采用PCB(printed circuit board)工藝加工研制傳感器的線圈,PCB板設(shè)置為4層板,樣機(jī)參數(shù)為100 mm×60 mm,板厚為1.6 mm,設(shè)計(jì)了勵(lì)磁線圈和感應(yīng)線圈,為獲取較強(qiáng)的感應(yīng)信號(hào),同時(shí)也保證感應(yīng)線圈在感應(yīng)信號(hào)時(shí)實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)上的對(duì)稱,設(shè)計(jì)了2組感應(yīng)線圈,分別設(shè)計(jì)在Mid1 Layer和Mid2 Layer層,勵(lì)磁線圈則布置在Top Layer和Bottom Layer。
對(duì)研制的傳感器樣機(jī)進(jìn)行驗(yàn)證分析,搭建了如圖9所示的直線測(cè)量實(shí)驗(yàn)平臺(tái),整套傳感器系統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)平臺(tái)是安裝在經(jīng)過(guò)防震處理的平臺(tái)上。經(jīng)過(guò)穩(wěn)定性測(cè)試滿足實(shí)驗(yàn)要求的基礎(chǔ)上,使用RENSHAW XL-80激光干涉儀的測(cè)量值作為測(cè)量基準(zhǔn)開展實(shí)驗(yàn)。
圖9 傳感器樣機(jī)安裝與實(shí)驗(yàn)平臺(tái)圖
實(shí)驗(yàn)時(shí),通過(guò)電機(jī)控制系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電機(jī)帶動(dòng)動(dòng)尺運(yùn)動(dòng)記錄采樣數(shù)據(jù),位移測(cè)量誤差曲線如圖10所示。
圖10 位移測(cè)量的誤差曲線圖
本文提出PCB基板上布置陣列的激勵(lì)線圈和特定形狀的感應(yīng)線圈,通過(guò)調(diào)制感應(yīng)面積和線圈參數(shù)的測(cè)量方法,闡述了測(cè)量方法的原理,并進(jìn)行了仿真設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,所得的結(jié)論如下:
(1)采用平面線圈陣列構(gòu)建行波磁場(chǎng),減小了繞線的不均勻性,并且線圈的寬度(y方向)距離越大,磁場(chǎng)的邊緣效應(yīng)對(duì)精度影響越小。
(2)將PCB工藝技術(shù)與時(shí)柵測(cè)量技術(shù)相結(jié)合,簡(jiǎn)化了定尺與動(dòng)尺的加工工藝,提高了部件工藝的一致性。
(3)這種新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)雖然目前只能實(shí)現(xiàn)±68 μm的原始測(cè)量精度,但在不改變激勵(lì)線圈和感應(yīng)線圈空間極距的情況下,使得分辨力在信號(hào)源頭上得以提高,為位移測(cè)量提供新的思路。進(jìn)一步優(yōu)化線圈結(jié)構(gòu),并對(duì)誤差進(jìn)行詳細(xì)分析和應(yīng)用誤差修正技術(shù),提高測(cè)量精度將是下一步的重點(diǎn)研究?jī)?nèi)容。