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乙烷橋鍵類四環(huán)液晶單體的介晶性研究

2014-11-09 09:08安忠維陳新兵
液晶與顯示 2014年5期
關(guān)鍵詞:晶相四環(huán)乙烷

陳 然,安忠維,2*,陳新兵,陳 沛

(1.陜西師范大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院 應(yīng)用表面與膠體化學(xué)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,陜西 西安 7101192.西安近代化學(xué)研究所,陜西 西安 710065)

1 引 言

自從20世紀(jì)70年代液晶材料應(yīng)用于光電顯示以來(lái),液晶作為顯示材料已經(jīng)取得了舉世矚目的成就[1]。至今單一的液晶材料還是無(wú)法滿足顯示用材料的諸多要求,如低黏度、低閾值(大介電各向異性)、大雙折射率、寬向列相區(qū)間、高清亮點(diǎn)等,液晶研究者仍在努力尋找性能優(yōu)異、指標(biāo)平衡的新型液晶材料。4,4’-雙烷基環(huán)己基苯環(huán)類四環(huán)液晶是一類雙折射率適中、相變溫度很寬、黏度較低的高溫液晶材料[2]。隨著人們對(duì)該類液晶的深入研究,通過(guò)引入乙烷橋鍵、側(cè)氟取代基、酯鍵和乙炔橋鍵等,已經(jīng)研發(fā)了許多性能優(yōu)異的四環(huán)液晶材料。

為了獲得高性能的四環(huán)液晶,本研究組在乙烷類液晶優(yōu)異性能的基礎(chǔ)上,參考文獻(xiàn)[3-5]方法合成了大雙折射率和低黏度[6]的雙乙烷橋鍵二苯乙炔類四環(huán)液晶單體(EA3E),參考文獻(xiàn)[7]方法合成了側(cè)向二氟取代的雙乙烷橋鍵類四環(huán)液晶單體(EA5E),液相色譜純度均大于99%。本文利用DSC和POM對(duì)液晶單體的相變溫度及其液晶態(tài)織構(gòu)進(jìn)行了研究。并與已有的這類四環(huán)液晶進(jìn)行了性能比較,從中探討了它們結(jié)構(gòu)與性能之間的關(guān)系,重點(diǎn)闡述了乙烷橋鍵對(duì)雙環(huán)己基苯環(huán)類四環(huán)液晶熱性能的影響規(guī)律,以期為設(shè)計(jì)綜合性能優(yōu)異的液晶材料提供一定的參考依據(jù)。

2 實(shí) 驗(yàn)

2.1 材料合成

EA3E和EA5E的合成路線及結(jié)構(gòu)式如圖1所示。

圖1 合成路線及結(jié)構(gòu)式Fig.1 Synthesis route and chemical structure

2.2 儀 器

島津DSC-60差示掃描量熱儀(測(cè)試條件為高純氮?dú)鈿夥?,升、降溫速率?0℃/min);帶Linkam THMSE600冷熱臺(tái)的 Leika DM2500P偏光顯微鏡(POM)。

2.3 織構(gòu)觀察

將液晶盒置于顯微熱分析儀熱臺(tái)中,設(shè)置升溫速率,控制溫度,然后把熱臺(tái)安放在偏光顯微鏡下,利用正交偏光進(jìn)行觀察。

3 結(jié)果與討論

通過(guò)DSC對(duì)化合物EA3E和EA5E進(jìn)行了熱性能測(cè)試,結(jié)合POM觀察,并與標(biāo)準(zhǔn)液晶織構(gòu)圖對(duì)照,確定了其相態(tài)和相變溫度。將已有的四環(huán)液晶分為B、C、D、E 4類,其結(jié)構(gòu)與熱性能數(shù)據(jù)分別列于表1、表2、表3和表4。

表1 B類四環(huán)液晶的結(jié)構(gòu)與性能Tab.1 Structure and properties of B four ring liquid crystals

表2 C類四環(huán)液晶的結(jié)構(gòu)與熱性能Tab.2 Structure and properties of C four ring liquid crystals

續(xù)表

表3 D類四環(huán)液晶的結(jié)構(gòu)與熱性能Tab.3 Structure and properties of D four ring liquid crystals

表4 E類四環(huán)液晶的結(jié)構(gòu)與性能Tab.4 Structure and properties of E four ring liquid crystals

3.1 乙烷橋鍵對(duì)不同體系四環(huán)液晶性能的影響

由圖2可知,乙烷橋鍵對(duì)不同體系的四環(huán)液晶的相態(tài)和相變溫度影響很大。聯(lián)苯類四環(huán)液晶中,EA在A中引入一個(gè)乙烷橋鍵,近晶相減少,近晶相區(qū)間變窄了64℃,清亮點(diǎn)降低了67℃,熔點(diǎn)增加了45℃;EAE在A中引入兩個(gè)乙烷橋鍵,近晶相增多,近晶相區(qū)間變寬,清亮點(diǎn)降低了94℃,熔點(diǎn)降低了61℃。同樣發(fā)現(xiàn)引入乙烷橋鍵對(duì)B1/B2/B3體系液晶性能的影響趨勢(shì)跟A/EA/EAE體系一致??赡苡捎谝雰蓚€(gè)乙烷橋鍵,聯(lián)苯類四環(huán)液晶的分子堆積更為有序,致使近晶相增多。同時(shí)引入乙烷橋鍵后分子長(zhǎng)徑比增大,導(dǎo)致聯(lián)苯類四環(huán)液晶熔點(diǎn)均增加。酯類和二苯乙炔類四環(huán)液晶中,引入一個(gè)乙烷橋鍵,清亮點(diǎn)和熔點(diǎn)均明顯降低;繼續(xù)引入一個(gè)乙烷橋鍵,清亮點(diǎn)和熔點(diǎn)變化幅度減小。

圖2 乙烷橋鍵對(duì)不同體系四環(huán)液晶性能的影響Fig.2 Effect of ethylene-bridge in different system on the four ring liquid crystals

結(jié)果表明,在聯(lián)苯類四環(huán)液晶中,引入一個(gè)乙烷橋鍵,近晶相減少,清亮點(diǎn)降低,熔點(diǎn)升高;繼續(xù)引入一個(gè)乙烷橋鍵,近晶相增多,清亮點(diǎn)繼續(xù)降低,熔點(diǎn)降低。而乙烷橋鍵對(duì)酯類和二苯乙炔類四環(huán)液晶性能的影響趨勢(shì)幾乎一致:依次引入乙烷橋鍵,清亮點(diǎn)和熔點(diǎn)依次降低,相態(tài)無(wú)影響。

3.2 乙烷橋鍵的引入位置對(duì)四環(huán)液晶性能的影響

由圖3可知,A1在A的聯(lián)苯中間引入一個(gè)乙烷橋鍵,近晶相消失,清亮點(diǎn)降低了103℃,熔點(diǎn)升高了48℃;EA在A的反式環(huán)己基與苯環(huán)之間引入一個(gè)乙烷橋鍵,近晶相區(qū)間變窄了64℃,清亮點(diǎn)降低了67℃,熔點(diǎn)升高了45℃?;衔顰引入側(cè)氟取代基得到A4,近晶相消失;繼續(xù)在反式環(huán)己基與苯環(huán)之間引入一個(gè)乙烷橋鍵,EA4比A4的清亮點(diǎn)降低了58℃,熔點(diǎn)降低了24.2℃。

圖3 乙烷橋鍵的引入位置對(duì)四環(huán)液晶性能的影響Fig.3 Effect of ethylene-bridge in different position on the four ring liquid crystals

結(jié)果表明,在聯(lián)苯之間、反式環(huán)己基與苯環(huán)之間引入一個(gè)乙烷橋鍵,熔點(diǎn)都升高,均不利于近晶相的產(chǎn)生,且在聯(lián)苯之間引入可以消除近晶相;同樣在反式環(huán)己基與苯環(huán)之間引入一個(gè)乙烷橋鍵,側(cè)氟類四環(huán)液晶EA4的熔點(diǎn)比A4降低24.2℃,側(cè)氟類比聯(lián)苯類四環(huán)液晶的清亮點(diǎn)降低幅度小9℃。

3.3 兩個(gè)乙烷橋鍵對(duì)氟取代四環(huán)液晶性能的影響

由圖4可知,側(cè)向二氟取代的四環(huán)液晶EA5E在A5中引入兩個(gè)乙烷橋鍵,近晶相區(qū)間變窄,清亮點(diǎn)降低87.9℃,熔點(diǎn)變化很小。聯(lián)苯類四環(huán)液晶B3在B1中引入兩個(gè)乙烷橋鍵,近晶相增多,清亮點(diǎn)降低84℃,熔點(diǎn)升高19℃。側(cè)向單氟取代的四環(huán)液晶B5和B7分別相應(yīng)在B4和B6中引入兩個(gè)乙烷橋鍵,近晶相增多,向列相區(qū)間變窄,熔點(diǎn)稍有降低。

圖4 兩個(gè)乙烷橋鍵對(duì)氟取代四環(huán)液晶性能的影響Fig.4 Effect of two ethylene-bridge on the four ring liquid crystal containing fluorines

結(jié)果表明,與聯(lián)苯類四環(huán)液晶B1/B3體系相比,在氟取代的四環(huán)液晶中引入兩個(gè)乙烷橋鍵,其清亮點(diǎn)降低幅度更大,熔點(diǎn)變化情況相反,近晶相都有增多的趨勢(shì)。

3.4 連接基團(tuán)對(duì)四環(huán)液晶熔點(diǎn)和清亮點(diǎn)的影響

如圖5所示,連接基團(tuán)對(duì)清亮點(diǎn)影響不大:a體系中化合物A最高為325℃;b體系中引入乙烷基的四環(huán)液晶B2最高為274℃;c體系中二苯乙炔類四環(huán)液晶EA3E最高為240.1℃。而連接基團(tuán)對(duì)熔點(diǎn)影響較為明顯:a體系中,引入乙烷基的四環(huán)液晶B1熔點(diǎn)最低為57℃,二苯乙炔類四環(huán)液晶A3的熔點(diǎn)最高為185℃;b體系中,酯類四環(huán)液晶EA2的熔點(diǎn)最低為134℃,化合物EA熔點(diǎn)最高為172℃;c體系中,化合物A熔點(diǎn)最低為66℃,二苯乙炔類四環(huán)液晶EA3E的熔點(diǎn)最高為140.5℃。

圖5 連接基團(tuán)對(duì)四環(huán)液晶熔點(diǎn)和清亮點(diǎn)的影響Fig.5 Effect of linking group on the melting and clearing points of four ring liquid crystals

結(jié)果表明,在3種不同的體系中,連接基團(tuán)對(duì)清亮點(diǎn)影響較小,但清亮點(diǎn)最高的四環(huán)液晶各不相同,說(shuō)明乙烷橋鍵對(duì)清亮點(diǎn)的影響較大。在a和c體系中,聯(lián)苯類四環(huán)液晶的熔點(diǎn)較低;而在b體系中,聯(lián)苯類四環(huán)液晶的熔點(diǎn)較高。推測(cè)其可能的原因是:在體系a和體系c中,聯(lián)苯類四環(huán)液晶分子間作用力較弱,因而熔點(diǎn)較低;在體系b中,分子沿長(zhǎng)軸方向的長(zhǎng)度延長(zhǎng),有利于熔點(diǎn)的降低。

4 結(jié) 論

以上四環(huán)液晶均具有介晶性,大部分可作為高溫液晶使用。通過(guò)探討乙烷橋鍵對(duì)這些四環(huán)液晶單體熱性能的影響規(guī)律發(fā)現(xiàn):在聯(lián)苯類四環(huán)液晶中的反式環(huán)己基與苯環(huán)間,引入一個(gè)乙烷橋鍵,近晶相減少,清亮點(diǎn)降低,熔點(diǎn)升高;引入兩個(gè)乙烷橋鍵,近晶相增多,清亮點(diǎn)和熔點(diǎn)均降低。而在聯(lián)苯類四環(huán)液晶的聯(lián)苯中間引入一個(gè)乙烷橋鍵,近晶相消失。同樣在反式環(huán)己基與苯環(huán)之間引入一個(gè)乙烷橋鍵,側(cè)氟類比聯(lián)苯類四環(huán)液晶清亮點(diǎn)降低幅度小9℃,熔點(diǎn)變化情況相反;而引入兩個(gè)乙烷橋鍵,側(cè)氟類比聯(lián)苯類四環(huán)液晶的清亮點(diǎn)降低幅度更大,熔點(diǎn)變化情況相反,近晶相都有增多的趨勢(shì)。乙烷橋鍵對(duì)酯類和二苯乙炔類四環(huán)液晶性能的影響趨勢(shì)幾乎一致:依次引入乙烷橋鍵,清亮點(diǎn)和熔點(diǎn)依次降低,相態(tài)無(wú)影響。在3種不同的體系中,探討連接基團(tuán)對(duì)四環(huán)液晶單體清亮點(diǎn)和熔點(diǎn)的影響規(guī)律發(fā)現(xiàn):連接基團(tuán)對(duì)清亮點(diǎn)影響較小。在體系a和體系c中,聯(lián)苯類四環(huán)液晶分子間作用力較弱,因而熔點(diǎn)較低;在體系b中,分子沿長(zhǎng)軸方向的長(zhǎng)度延長(zhǎng),有利于熔點(diǎn)的降低。

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