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鈣鋁硅系微晶玻璃微觀結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能研究

2013-12-23 06:00任祥忠易先文張培新劉劍洪
關(guān)鍵詞:正電子晶相晶化

任祥忠,易先文,章 勇,劉 艷,張培新,劉劍洪

深圳大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院,深圳市新型鋰離子電池與介孔正極材料重點實驗室,深圳518060

以鈣長石為主晶相的微晶玻璃因具有低熱膨脹系數(shù)、低介電常數(shù)、良好的力學(xué)性能及優(yōu)良的耐化學(xué)腐蝕性,受到學(xué)者們的青睞[1-13]. 在微晶玻璃研究中,TiO2作為晶核劑的機理一直是研究的熱點[14-16]. Rezvani 等[14]認為TiO2不影響SiO2-Al2O3-CaO-MgO(R2O)微晶玻璃的析晶機理,但能通過降低黏度減小析晶活化能. Ebadzadeh 等[15]認為TiO2在莫來石型微晶玻璃中是非常有效的晶核劑. Sava等[16]用順磁共振方法研究ZnO-TiO2-B2O3微晶玻璃中Ti4+價態(tài)的變化,認為Ti4+可以被還原成Ti3+而產(chǎn)生順磁共振信號. 但是,所有對TiO2作為晶核劑的研究都局限于其對微晶玻璃機理及微觀形貌的影響,并沒有跟材料的力學(xué)性能相關(guān)聯(lián),以致微觀結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能之間的聯(lián)系得不到解決,不能給實際應(yīng)用提供切實可行的理論指導(dǎo). 本研究制備了以鈣長石為主晶相的TiO2添加量不同的CaO-Al2O3-SiO2系(CAS)微晶玻璃,對熱處理后的微晶玻璃進行表征,探討TiO2加入后對CaO-Al2O3-SiO2系微晶玻璃的微觀結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能的影響,為提高礦渣微晶玻璃的力學(xué)性能提供理論指導(dǎo).

1 實 驗

1.1 樣品制備

以CaO、Al2O3和SiO2為主要原料,根據(jù)CaOAl2O3-SiO2三元相圖,選定鈣長石為主晶相,設(shè)計基礎(chǔ)玻璃組分為m (CaO)∶m (Al2O3)∶m (SiO2)=28∶27∶45. 為研究TiO2對該體系的影響,分別添加質(zhì)量分數(shù)為0、2%、4%、6%、8% 和10% 的TiO2,所有試劑均為分析純. 按照設(shè)計比例配制混合料,于球磨罐中研磨7 h,混合均勻,再放入200 mL 高純氧化鋁坩堝中,置于高溫硅鉬棒電爐中以5~10 ℃/min 的速率升至1 550 ℃后保溫4 ~5 h. 待其熔融后將此玻璃液澆鑄在預(yù)先加熱到500 ℃的鋼制磨具上成型(規(guī)格大約為70 mm ×55 mm ×10 mm),隨后迅速將已經(jīng)成型的玻璃塊放入700 ℃的退火爐中保溫2 h,然后自然降溫. 將退火的玻璃切割成需要測試的規(guī)格后,放入馬弗爐中進行熱處理. 熱處理條件為核化溫度750 ℃,核化時間2 h,晶化溫度950 ℃,晶化時間2 h,制得微晶玻璃.

1.2 材料表征

將退火的基礎(chǔ)玻璃磨成粉末,過200 目篩,利用同步熱分析儀(STA409PC,德國)確定玻璃的核化和晶化溫度,參比樣品為Al2O3,升溫速率為10 ℃/min. 將樣品用體積分數(shù)為10%的HF 溶液浸泡60 s 后,用清水洗凈,采用掃描電鏡(S -570,日本)觀察樣品的形貌. 采用X 射線衍射儀(D8 ADVANCE,德國)測定微晶玻璃的晶相,Cu 靶Kα 射線,測試電壓為40 kV,測試電流為40 mA,掃描速率為2° /min. 將微晶玻璃切成10 mm ×10 mm×2 mm 的小方塊,在Vickers 硬度儀 (HXD-1000,中國)上測定顯微硬度. 將微晶玻璃試樣制成5 mm ×5 mm×50 mm 的矩形條在萬能電子拉力機(CMT4304,中國)上測定抗彎強度. 將熱處理后的樣品磨成粉末,過200 目篩,在電子順磁共振譜儀(ER-200D SRC-10/12,德國)上測試電子順磁共振譜,測試微波頻率為9055.649 MHz,微波功率為0.998 mW,調(diào)制頻率為100 kHz,掃場寬度為200 mT. 將微晶玻璃切成10 mm×10 mm×1 mm 的薄片,在快-快符合型正電子壽命譜儀(美國)上測試正電子壽命譜,以Kapton 膜為襯體的正電子源為22Na,道寬K =12.641 8 ps/ch,分辨率FWHM=192 ps;源成分τs=380 ps,湮沒相對強度Is=8.0%.

2 結(jié)果與討論

圖1 為不同TiO2添加量的CAS 基礎(chǔ)玻璃的差熱分析(differential thermal analysis,DTA)圖. 從圖1 可見,隨著TiO2質(zhì)量分數(shù)的增加,樣品的析晶峰逐漸降低,析晶峰溫度從997 ℃降到922 ℃,析晶溫度的降低在熱處理過程中有利于離子的移動,從而促進析晶[14].

圖1 不同TiO2 質(zhì)量分數(shù)的CAS 基礎(chǔ)玻璃的DTA 曲線Fig.1 DTA curves of CAS base glass with different TiO2 content (a)0,(b)2%,(c)4%,(d)6%,(e)8%,(f)10%

圖2 為不同TiO2質(zhì)量分數(shù)的CAS 微晶玻璃樣品的X 射線衍射(X-ray diffraction,XRD)圖譜.從圖2 可見,所有樣品中的主晶相都為鈣長石(Ca2Si2Al2O8),且隨著TiO2質(zhì)量分數(shù)的升高,衍射峰的強度逐漸增大,表明TiO2的加入有利于玻璃的析晶. 同時,在TiO2添加質(zhì)量分數(shù)為8%和10%的衍射圖上還出現(xiàn)了鈣鈦礦(CaTiO3)的小峰,而且質(zhì)量分數(shù)10%的衍射圖上鈣鈦礦的強度要比質(zhì)量分數(shù)8%上面的強,說明在TiO2質(zhì)量分數(shù)為10%時析出的鈣鈦礦會更多. 這是因為,2 種晶體的形成對微晶玻璃的力學(xué)性能會有影響,不同晶體及晶體與殘余玻璃相間的熱膨脹系數(shù)不同,在高溫核化晶化的過程中,體積膨脹不一樣,導(dǎo)致在冷卻收縮過程中會在兩者界面間出現(xiàn)間隙而產(chǎn)生應(yīng)力,這種應(yīng)力的存在對微晶玻璃的力學(xué)性能非常不利.這說明,TiO2的摻雜存在一個最佳用量,超過最佳用量就不只是起晶核劑的作用,而會作為主要原料形成新的晶體.

圖2 不同TiO2 質(zhì)量分數(shù)的CAS 微晶玻璃樣品XRD 圖譜Fig.2 XRD curve of the CAS glass-ceramics with different TiO2 content (a)0,(b)2%,(c)4%,(d)6%,(e)8%,(f)10%

圖3 為不同TiO2添加量的CAS 微晶玻璃的掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope,SEM)圖. 從圖3 可見,TiO2的添加對析晶有明顯影響.未添加TiO2時,玻璃析晶很少,隨著TiO2的增加,晶體的數(shù)量增加,玻璃相區(qū)域減少,析出的晶體都為球狀顆粒. 當TiO2添加質(zhì)量分數(shù)為6%時,析晶非常均勻且顆粒微小,未出現(xiàn)明顯裂紋. 到TiO2添加質(zhì)量分數(shù)超過8%時,由于有2 種晶相形成,應(yīng)力增加,出現(xiàn)明顯裂紋,晶體間出現(xiàn)明顯團聚,對微晶玻璃的力學(xué)性能產(chǎn)生不利影響.

圖4 為不同TiO2質(zhì)量分數(shù)的CAS 微晶玻璃顯微硬度曲線. 從圖4 可見,TiO2的加入能明顯增大其顯微硬度值. 因為微晶玻璃中的枝晶或球狀晶相可以使裂紋尖端彎曲和鈍化,增加破裂功,減緩并阻止裂紋穿過晶相和玻璃相的界面[17]. 顯微硬度值是反映物體表面對抗另一硬物體壓入的能力. 所以析出的晶相越多越致密,對提高顯微硬度越有利.

圖3 不同TiO2 質(zhì)量分數(shù)熱處理后CAS 微晶玻璃的SEM 圖Fig.3 SEM images of heat-treated glass with different TiO2 content

圖4 不同TiO2 質(zhì)量分數(shù)的CAS 微晶玻璃的顯微硬度曲線Fig.4 Microhardness curves of the CAS glass-ceramics with different TiO2 content

圖5 為不同TiO2質(zhì)量分數(shù)的CAS 微晶玻璃的順磁共振 (electron paramagnetic resonance,EPR)吸收譜. 從圖5 可見,樣品都有吸收峰,隨著TiO2質(zhì)量分數(shù)的增多,微晶玻璃的順磁信號變強,g 因子先增大后減小,在TiO2的質(zhì)量分數(shù)為4%時達到最大值. 由于鈦的最外層電子排布為4s23d2,Ti4+為3s23p6,無順磁性,所以此處吸收歸因于Ti3+(3d1)的存在. 在TiO2摻雜的體系中存在如式(1)的變化,在微晶玻璃高溫熔融及熱處理時Ti4+會被還原成Ti3+,同時產(chǎn)生氧空位. 此處的g 因子都比自由電子的g 因子(ge= 2.002 3)大,表明Ti3+與氧空位缺陷存在自旋耦合作用. 隨TiO2的增加,平衡右移,產(chǎn)生的Ti3+和氧空位增多,順磁信號變強,氧空位的出現(xiàn)必然導(dǎo)致Ti3+—O—Ti3+的自旋角關(guān)聯(lián)的變化,使得Ti3+周圍的晶體配位場發(fā)生畸變,軸對稱性被破壞. 當TiO2的質(zhì)量分數(shù)超過4%時,晶體析出量大大增加,可能導(dǎo)致部分的氧空位合并,空位對Ti3+—O—Ti3+的影響減弱,所以g 因子降低.

圖5 不同TiO2 質(zhì)量分數(shù)的CAS 微晶玻璃的EPR 吸收譜Fig.5 The ESR absorption spectrum of the CAS glass-ceramics with different TiO2 content (a)0,(b)2%,(c)4%,(d)6%,(e)8%,(f)10%

圖6 為不同TiO2質(zhì)量分數(shù)的CAS 微晶玻璃g因子與抗彎強度的關(guān)系圖. 抗彎強度是材料抵抗彎曲不斷裂的能力. 從圖6 可見,g 因子變化曲線與抗折強度有相似的變化趨勢,隨著TiO2質(zhì)量分數(shù)的增大,微晶玻璃的順磁信號變強,g 因子變大,從而影響玻璃內(nèi)析晶與晶體的生長方式及晶體含量的變化. 當TiO2的質(zhì)量分數(shù)為6%時,微晶玻璃的機械性能得到最佳值. 這是因為在TiO2的質(zhì)量分數(shù)為6%之前,隨著TiO2質(zhì)量分數(shù)的增加,析出的晶體細小均勻,當外力作用于樣品時,同樣的壓力能夠被細小晶粒分散,不至于過分集中,松弛裂紋尖端應(yīng)力;同時晶相能阻止裂紋過界擴展并松弛裂紋尖端應(yīng)力場. 當TiO2的質(zhì)量分數(shù)超過6%時,抗彎強度下降,雖然析出的晶體更多,但析出的是2種晶體,導(dǎo)致應(yīng)力的存在,使抗彎強度值迅速降低. 同時,從EPR 的分析可知,Ti3+—O—Ti3+同氧空位缺陷之間的自旋角關(guān)聯(lián)作用的強弱直接影響抗彎強度的大小.

圖6 不同TiO2 質(zhì)量分數(shù)的CAS 微晶玻璃g 因子與抗彎強度的關(guān)系Fig.6 Relationship between g factor and bending strength of the CAS glass-ceramics with different TiO2 content

圖7 不同TiO2 質(zhì)量分數(shù)的CAS 微晶玻璃正電子壽命與抗彎強度的關(guān)系Fig.7 The relationship between positron annihilation life and bending strength of the CAS glass-ceramics with different TiO2 content

圖7 為不同TiO2質(zhì)量分數(shù)微晶玻璃正電子壽命與抗彎強度的關(guān)系圖. 正電子湮沒是利用正電子在凝聚物質(zhì)中的湮沒輻射帶出物質(zhì)內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)、電子動量分布及缺陷狀態(tài)等信息,是一種非破壞性的研究手段,對研究納米晶體材料中的缺陷結(jié)構(gòu)和相變有很大的幫助. τ1表示短壽命,τ2表示長壽命,其數(shù)值與湮沒附近的電子密度成反比,即與缺陷的尺寸成正比,其值越大,說明該處缺陷尺寸越大,電子密度越小;I1和I2分別表示短壽命和長壽命的強度,其值與缺陷的濃度成正比.

從表1 和圖7 可見,τ1和τ2隨TiO2質(zhì)量分數(shù)的增加,其值逐漸增大,在6%時達最大值. 這是由于TiO2的摻雜使鈣長石納米晶體中產(chǎn)生了間隙Ti4+,在它的擠壓作用下晶格發(fā)生膨脹畸形,晶格常數(shù)變大,同時產(chǎn)生大量陽離子(可能是Al 和Si)空位. τ2的增加,說明隨TiO2的增加,空位尺寸變大. 當TiO2質(zhì)量分數(shù)超過6%時,式(1)中的平衡向右移,氧空位周圍的電子密度增大,使τ1減小,同時Ti4+占據(jù)了部分陽離子空位,造成空位型缺陷減小,而且隨著析出晶體的增多,有些自由體積發(fā)生分裂,造成尺寸減小,使τ2減小. 由圖7 可知,正電子壽命及抗彎強度隨著TiO2質(zhì)量分數(shù)的增加有著相同的變化趨勢. 間隙Ti4+的形成,造成缺陷和Al、Si 空位的存在,會使材料的物理化學(xué)性能發(fā)生改變. 間隙Ti4+的存在,雖然造成缺陷和空位的存在,但Ti4+與O2-之間通過靜電作用,使得原來相互獨立的氧離子成為一體,鍵強增大,所以抗彎強度增大. 但當TiO2的質(zhì)量分數(shù)超過6%時,部分Ti4+取代Si4+,而Ti—O 鍵比Si—O 鍵鍵強小,因而導(dǎo)致抗彎強度減小,表現(xiàn)在正電子壽命的變化和強度的變化呈正相關(guān)曲線.

表1 歸一后的正電子湮沒壽命Table1 Positron annihilation lifetime after normalized

結(jié) 語

綜上研究可知:①在以鈣長石為主晶相的CaO-Al2O3-SiO2微晶玻璃體系中,TiO2能降低黏度,促進析晶,其最佳添加量 (質(zhì)量分數(shù))為6%,在核化溫度為750 ℃,核化時間為2 h,晶化溫度為950 ℃,晶化時間為2 h 時,其抗彎強度最大達314 MPa,顯微硬度為830 MPa;②在CaOAl2O3-SiO2體系中,有部分Ti4+被還原成Ti3+,產(chǎn)生順磁共振吸收,導(dǎo)致Ti3+—O—Ti3+與氧空位缺陷間自旋角關(guān)聯(lián)作用的變化,引起抗彎強度變化;TiO2的加入,因其進入晶格或取代Si4+或產(chǎn)生空位,引起內(nèi)部缺陷的變化,導(dǎo)致τ1和τ2的變化,因而引起抗彎強度的變化;③g 因子、正電子壽命及抗彎強度三者之間的變化呈正相關(guān).

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