余 晨 洪 偉 翟國華 蒯振起
(東南大學信息科學與工程學院毫米波國家重點實驗室,江蘇南京210096)
寬帶無線通信系統(tǒng)的研究受到越來越多研究者的關注,而寬帶天線是其關鍵技術(shù)之一。寬帶天線普遍存在增益較低的問題。很多工程應用中,單個天線可能不滿足要求,可以通過構(gòu)造天線陣列來增加增益。
對數(shù)周期天線具有寬頻帶特性,早在20世紀60年代,人們就對自由空間中的對數(shù)偶極子陣列(LPDA)[1]天線性能進行了充分地研究和分析,并得到了廣泛的應用。隨著平面集成電路的發(fā)展,重量輕、低成本、低剖面的印刷平面對數(shù)周期陣列(PLPDA)成為新的研究和應用熱點[2-4]。最近,文獻[5]基于半?;刹▽?HMSIW)饋電成功實現(xiàn)了高頻段特別是毫米波頻段的印刷平面對數(shù)周期天線。
單個印刷平面對數(shù)周期天線波束寬度較寬,增益較低。文章在此基礎上采用E/H面混合SIW功率分配器設計和研制了2×4印刷對數(shù)周期天線陣列,以進一步提高增益。
基片集成波導(SIW)作為一種平面導波技術(shù)[6-9]得到了越來越廣泛的運用。SIW具有低成本、低剖面、重量輕、易集成、易制作的特點。很多研究結(jié)果展示了基于SIW結(jié)構(gòu)的功率分配器研究成果[10-14]。文章設計了一個基于雙層E面兩路SIW功率分配器和H面四路SIW功率分配器的混合功率分配饋電網(wǎng)絡,進而研制了2×4印刷對數(shù)周期天線陣列。
文章首先設計了一個1×4印刷對數(shù)周期天線陣列,其實測工作頻段為10.6~19.5 GHz,增益要比同尺寸的單個印刷對數(shù)周期天線高4~6 dB.在此基礎上設計的2×4印刷對數(shù)周期天線陣列的實測工作頻帶為11.2~16.7 GHz,其增益比同尺寸的單個印刷平面對數(shù)周期天線高7~9 dB.
印刷平面對數(shù)周期天線是一個由多個偶極子組成的陣列天線,每個偶極子有它自己的諧振頻率。偶極子單元對稱地印刷在介質(zhì)的上下表面。單個平面對數(shù)周期天線有三個可調(diào)節(jié)參數(shù):偶極子的個數(shù),每個偶極子的長度和相鄰偶極子的間距。偶極子長度與相鄰偶極子間距的變化規(guī)律應遵循對數(shù)規(guī)律。每個偶極子有自己的工作頻帶,多個偶極子工作頻帶疊加形成了平面對數(shù)周期天線的寬帶特性。天線單元的參數(shù)可以根據(jù)Carrel方法來確定[1],其中最長的偶極子對應的工作頻率為天線的起始工作頻率,其長度大約為起始工作頻率對應波長的1/2。
如圖1所示,文章中設計的平面對數(shù)周期天線的偶極子個數(shù)為5,其工作頻帶為10~23 GHz,天線幾何尺寸參數(shù)見表1,其中:Ln代表第n個偶極子的半長度;Sn代表第n和第n+1個偶極子之間的間距;W是偶極子的寬度。
表1 單個對數(shù)周期天線幾何尺寸
圖1 單個印刷對數(shù)周期天線結(jié)構(gòu)圖
文章中設計的H面SIW平面四路功率分配器與以前所報導的有一點不同,這里采用圓弧型拐角線代替直角拐角線。圓弧型拐角線不需要直角拐角線中的金屬反射柱,略去了對金屬反射柱的位置和尺寸的調(diào)節(jié),簡化了設計步驟。同時帶圓弧型拐角線的功率分配器進一步優(yōu)化功率分配器的阻抗帶寬,如圖2所示。圖2描述了帶圓弧型拐角線和直角拐角線的H面SIW平面四路功率分配器阻抗帶寬的最優(yōu)化仿真結(jié)果。SIW的工作頻段主要由兩排金屬化通孔的間距決定,本設計中SIW傳輸線的兩排金屬化通孔的間距SIW_W為10.5 mm.
圖2 圓弧拐角和直角拐角的SIW功率分配器仿真|S11|
文章設計了一個雙層SIW E面功率分配器為2×4印刷對數(shù)周期天線陣列饋電。將兩個厚度同為0.508 mm的介質(zhì)板緊密地壓在一起,來構(gòu)造一個雙層的E面SIW功率分配器。在E面SIW功率分配器的前端,兩層介質(zhì)間沒有金屬,兩層介質(zhì)相疊加形成了一段厚度為1.016 mm的SIW傳輸線。然后在兩層介質(zhì)間插入金屬層,把第一段SIW傳輸線中TE10模的功率垂直地分配到上下兩層介質(zhì)中,上下兩層介質(zhì)各自形成一段SIW傳輸線,這兩個SIW傳輸線的厚度與寬度都一樣。將兩層間的金屬設計成為劈尖形狀,以實現(xiàn)阻抗匹配。SIW傳輸線的工作帶寬主要由線寬決定,這里E面SIW功率分配器中三段SIW傳輸線的寬度相同,高度分別為1.016 mm 、0.508 mm 、0.508 mm,因此,它們的工作帶寬是一致的。E面SIW功率分配器結(jié)合H面SIW四路功率分配器為2×4印刷對數(shù)周期天線陣列饋電。雙層SIW E面功率分配器的結(jié)構(gòu)圖如圖3所示,基于CST進行了仿真優(yōu)化。
圖3 雙層E面SIW功率分配器的結(jié)構(gòu)圖
天線陣列采用標準的 PCB工藝制作,使用Rogers 5880介質(zhì)板材,其介電常數(shù)為2.2,厚度為0.508 mm.1×4和2×4兩個天線陣列的實物圖分別見圖4和圖5。圖4展示的是1×4印刷對數(shù)周期天線陣列的表層和底層,圖5展示的是2×4印刷對數(shù)周期天線陣列的細節(jié)結(jié)構(gòu),包括E面SIW功率分配器。圖6分別給出了1×4和2×4兩個天線陣列反射系數(shù)|S11|的仿真和測試的結(jié)果,其中1×4印刷對數(shù)周期天線陣列|S11|的測量結(jié)果和仿真結(jié)果基本相似,它在10.5 GHz到19.5 GHz頻率范圍內(nèi),反射系數(shù)|S11|小于-10d B.2×4印刷對數(shù)周期天線陣列的測量結(jié)果顯示:它在11.2 GHz到16.7 GHz頻率范圍內(nèi),反射系數(shù)|S11|小于-10 d B.
1×4和2×4兩個天線陣列在12 GHz、13 GHz、15 GHz和16 GHz上的實測方向圖如圖7所示??梢钥吹?1×4和2×4印刷對數(shù)周期天線陣列在這幾個頻點上的輻射方向圖非常相似,表明了這種天線的方向圖寬帶特性。1×4和2×4印刷對數(shù)周期天線陣列的E面方向圖波束寬度相近,但是2×4印刷對數(shù)周期天線陣列H面方向圖的波束寬度窄了很多,這和理論結(jié)果相符。兩個天線陣列的3 dB波束寬度如圖8所示。
圖9給出了這兩個天線陣列的增益測試結(jié)果,在11 GHz到17 GHz的頻率范圍內(nèi),2×4印刷對數(shù)周期天線陣列的增益比1×4印刷對數(shù)周期天線陣列的增益約高1~3 d B.并且天線陣列的最大增益出現(xiàn)在θ=0°,顯示了其良好的端射天線性能。
文章中提出用E面SIW功率分配器結(jié)合H面SIW多路功率分配器為印刷對數(shù)周期天線陣列的饋電方法,進而設計研制了2×4印刷對數(shù)周期陣列天線,并給出了仿真和測量結(jié)果。結(jié)果表明:這種天線陣列同時具有阻抗帶寬和方向圖帶寬的寬帶特性。
[1] CARREL R L.The design of the log-periodic dipole antenna[C]//IRE International Conference,Rcd.,1961,9:61-75.
[2] CAMPBELL C K,TRABOULAY I,SUUTHERS M S,et al.Design of a striplinelog-periodic dipoleantenna[J].IEEE Tran.Antennas Propagat.,1977,25(5):718-721.
[3] PANTOJA P R,SAPIENZA A R,MEDEIROS F C.A microwave printed planar log-periodic dipole array antenna[J].IEEE Tran.Antennas Propagat.,1987,35(10):1176-1178.
[4] 周建華,殷建平,張光生.寬帶對數(shù)周期天線的優(yōu)化設計[J].電波科學學報,2000,15(2):157-161.
ZHOU Jianhua,YIN Jianping,ZHANG Guangsheng.Optimiazton of wide band LPDA[J].Chinese Journal of Radio Science,2000,15(2):157-161.(in Chinese)
[5] 翟國華,洪 偉,蒯振起.半?;刹▽ю侂姷膶?shù)周期偶極子天線[J].微波學報,2009,25(1):1-4.
ZHAI Guohua,HONG Wei,KUAI Zhenqi.Log-periodic dipole antenna fed by half-mode substrate integrated waveguide[J].Journal of Microwaves,2009,25(1):1-4.(in Chinese)
[6] DESLANDES D,WU K.Integrated microstrip and rectangular waveguide in planar form[J].IEEE Microwave Wireless Comp.Lett.,2001,11(2):68-70.
[7] CASSIVI Y,PERREGRINI L,ARCIONI P,et al.Dispersion characteristics of substrate integrated rectangular waveguide[J].IEEEMicrow.Wireless Compon.Lett.,2002,12(9):333-335.
[8] XU F,ZHANG Y L,HONG W,et al.Finite-difference frequency-domain algorithm for modeling guidedwave properties of substrate integrated waveguide[J].IEEE Tran.MTT.2003,51(11):2221-2227.
[9] DESLANDES D,WU K.Single-substrateintegration technique of planar circuits and waveguide filters[J].IEEE Trans.Microw.Theory.Tech.,2003,51(2):593-596.
[10] HAO Z C,HONG W,LI H,et al.Multiway broadband substrate integrated waveguide power divider[C]//IEEE Antennas Propag.Soc.Int.Symp.,2005,1:639-642.
[11] HUANG Y P,LU Y L.Design of a substrate integrated waveguide based 1-to-6 non-uniform power divider[C]//APMC 2008,2008:1-4.
[12] KHAN A A,SLOAN R.X-band substrate integrated waveguide power combiner/divider[C]//International 17th Conf.Microw.Radar Wireless Commun.,2008:1-4.
[13] 朱紅兵,洪 偉,田 玲,等.分層基片集成波導功分器及寬帶功率放大器研制[J].微波學報,2008,24(6):68-71.
ZHU Hongbin,HONG Wei,TIAN Ling,et al.Multiway power divider/combiner with multilayer substrate integrated waveguide technology for developing broadband power combining amplifiers[J].Journal of Microwaves,2008,24(6):68-71.(in Chinese)
[14] EOM D,BYUN J,LEE H Y.Multi-layer four-way out-of-phase power divider for substrate integrated waveguide applications[C]//IEEE M TT-S 2009,2009:477-480.