周海榮,吳文英,李錦嫦,李哲,王和強(qiáng)

(東莞市醫(yī)院康復(fù)醫(yī)院,東莞 523119)

精神發(fā)育遲緩(mental retardation, MR)是在發(fā)育時(shí)期內(nèi),一般智力功能明顯低于同齡水平,同時(shí)伴有適應(yīng)行為缺陷的一組疾病,是小兒時(shí)期常見的一種發(fā)育障礙,又稱智力低下[1]。MR是世界性醫(yī)學(xué)難題,它不僅嚴(yán)重危害兒童的身心健康,更給社會和家庭帶來沉重的經(jīng)濟(jì)和精神負(fù)擔(dān),盡管醫(yī)學(xué)技術(shù)不斷發(fā)展,但迄今依然沒有特效藥物和干預(yù)手段從根本上治療本病。筆者運(yùn)用靳三針頭穴留針聯(lián)合重復(fù)經(jīng)顱磁刺激對 MR患者進(jìn)行治療,并與單獨(dú)靳三針頭穴留針治療和單獨(dú)重復(fù)經(jīng)顱磁刺激相比較,現(xiàn)報(bào)道如下。

1 臨床資料

1.1 一般資料

本次研究對象為2018年2月至2019年7月期間在東莞市醫(yī)院康復(fù)醫(yī)院確診并收治入院的3～6歲輕、中度的MR患者75例,按照1:1:1的比例隨機(jī)分為對照A組(25例)、對照B組(25例)和觀察組(25例),3組一般資料比較差異無統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P＞0.05)。詳見表 1。本研究經(jīng)過東莞市醫(yī)院康復(fù)醫(yī)院倫理委員會批準(zhǔn)。

表1 3組一般資料比較

1.2 診斷標(biāo)準(zhǔn)

參照美國精神病學(xué)會出版的《精神障礙診斷與統(tǒng)計(jì)手冊》第4版(DSM-Ⅳ)[2]MR的診斷標(biāo)準(zhǔn)。

1.3 中醫(yī)辨證分型[1]

①肝腎虧虛、髓海不足型,表現(xiàn)為筋骨痿軟,懶以動(dòng)作,反應(yīng)遲鈍,舌淡紅苔少或光剝,脈細(xì)弱,尺脈尤甚;②心血不足、神失所養(yǎng)型,表現(xiàn)為神情呆滯,兼見面黃少華,或?白無華,唇舌指甲色淡,發(fā)稀黃等,舌淡紅苔少,脈緩弱;③心腎兩虛、神志失養(yǎng)型,表現(xiàn)為神情默默,舉止粗魯,學(xué)習(xí)困難,成績低劣,接受教育能力差,但生活尚能勉強(qiáng)自理,舌淡紅苔薄,脈細(xì)軟;④痰濁蒙蔽、心竅失靈型,表現(xiàn)為動(dòng)作不由自主,或肢體強(qiáng)硬,或吞咽困難,自流痰涎,喉間痰鳴,舌淡紅苔膩,脈滑。

1.4 納入標(biāo)準(zhǔn)

①符合上述診斷標(biāo)準(zhǔn);②能獨(dú)立站立;③中國修訂韋氏幼兒及兒童智力量表測試智商＞40分,能理解及配合治療;④無聽覺障礙及其他神經(jīng)系統(tǒng)病變;⑤家長簽署知情同意書,并能配合治療期滿12周者。

1.5 排除標(biāo)準(zhǔn)

①其他原因引起的不符合MR診斷標(biāo)準(zhǔn)的患者;②認(rèn)知能力差,不能聽懂簡單指令者;③伴有癲癇等嚴(yán)重并發(fā)癥者;④顱內(nèi)有金屬植入物或助聽器者;⑤不配合,不能堅(jiān)持康復(fù)訓(xùn)練者。

2 治療方法

3組患者在接受常規(guī)康復(fù)訓(xùn)練基礎(chǔ)上分別接受靳三針頭穴留針治療、重復(fù)經(jīng)顱磁刺激、靳三針聯(lián)合重復(fù)經(jīng)顱磁刺激頭穴留針治療。治療1個(gè)月為1個(gè)療程,共治療3個(gè)療程。

常規(guī)康復(fù)治療包括①感覺統(tǒng)合訓(xùn)練,主要包括觸覺、視覺、聽覺、前庭覺、本體覺等多種感知覺訓(xùn)練,根據(jù)患者的感覺整合能力情況進(jìn)行針對性的個(gè)體化訓(xùn)練,每次30 min。②作業(yè)治療,主要涉及手部的感知覺輸入、抓握訓(xùn)練和手眼協(xié)調(diào)訓(xùn)練以及雙上肢的協(xié)調(diào)訓(xùn)練和日常生活自理訓(xùn)練,每次30 min。③語言治療,包括語言理解能力訓(xùn)練、語言表達(dá)和認(rèn)知能力訓(xùn)練,每次30 min。以上訓(xùn)練每日1次,周末休息,每周治療5次。

2.1 對照A組

給予靳三針頭穴留針治療。主穴取四神針(百會穴前后左右各旁開1.5寸)、智三針(神庭和本神)、腦三針(腦戶和腦空)、顳三針(耳尖直上2寸為第一針,其前后各1寸分別為第二、三針);肝腎虧虛、髓海不足者配太沖、太溪;心血不足、神失所養(yǎng)者配三陰交、足三里;心腎兩虛、神志失養(yǎng)者配大陵、照海;痰濁蒙蔽、心竅失靈者配豐隆、太沖、合谷?；颊呷∽?局部皮膚常規(guī)消毒,選用0.25 mm×25 mm華佗牌不銹鋼毫針,采用捻轉(zhuǎn)進(jìn)針法,頭部穴位平刺,進(jìn)針15～20 mm;四肢部穴位直刺,進(jìn)針5～20 mm,15 min捻轉(zhuǎn)行針1次,根據(jù)“補(bǔ)虛瀉實(shí)”原則行提插捻轉(zhuǎn)補(bǔ)瀉手法,15 min后全部出針。每次30 min,每日1次,周末休息,每周治療5次。

2.2 對照B組

給予重復(fù)經(jīng)顱磁刺激。重復(fù)經(jīng)顱磁刺激治療儀為英國Magstim公司Rapid2型磁刺激器,線圈為8字形迷散性刺激線圈,直徑7 cm,峰值刺激強(qiáng)度為2 T,脈沖時(shí)限為250 s?；颊呦炔扇?cè)臥位,根據(jù)國際10/20系統(tǒng)電極放置法,刺激位點(diǎn)位于大腦的主要運(yùn)動(dòng)皮質(zhì)區(qū)(M1區(qū)),先使8字形線圈與患者顱骨表面相切,尋找可引發(fā)肢體拇短展肌最大運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位波幅的位置,即“運(yùn)動(dòng)熱點(diǎn)”,同時(shí)把記錄電極放置在對側(cè)上肢拇短展肌肌腹處,通過移動(dòng)線圈誘發(fā)出肌腹收縮時(shí),記錄運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位(MEPs),10次連續(xù)刺激中,至少50%能夠引起運(yùn)動(dòng)誘發(fā)電位至少50 μV的最小刺激強(qiáng)度即為運(yùn)動(dòng)閾值。治療時(shí)患者取仰臥位,刺激位點(diǎn)選擇左側(cè)前額葉,刺激部位按照國際10/20系統(tǒng)定位為F3點(diǎn),手柄朝后,刺激線圈中心點(diǎn)與頭皮相切(磁頭與頭部呈 45°角),采用40% RMT (閾強(qiáng)度)強(qiáng)度,頻率10 Hz,50個(gè)脈沖數(shù),串?dāng)?shù)量30,刺激5 s,休息35 s,共1500個(gè)脈沖。每次30 min,每日1次,周末休息,每周治療5次。

2.3 觀察組

采用靳三針頭穴留針聯(lián)合重復(fù)經(jīng)顱磁刺激治療。方法、療程同上。

3 治療效果

3.1 觀察指標(biāo)

由兩名接受過專業(yè)培訓(xùn)并取得評估資格的評估者于治療前、治療后3個(gè)月評估。評估環(huán)境1人1室,室內(nèi)光線充足,安靜,評估時(shí)患者精神好。

3.1.1 韋氏幼兒及兒童智力量表(WISC)[3]

主要由言語智商(VIQ)、操作智商(PIQ)和全智商(FIQ)3個(gè)主項(xiàng),及知識、圖片詞匯、算術(shù)、圖片概括、領(lǐng)悟、動(dòng)物下蛋、圖畫填充、迷津、視覺分析、木塊圖案、幾何圖形11個(gè)分項(xiàng)組成,評分越高說明其相應(yīng)的能力越高。其中6歲以下患者采用中國韋氏幼兒智力量表,6歲以上兒童采用中國韋氏兒童智力量表,兩套智力評定的工具均具有很高的信度和效度。低智力損傷的劃界標(biāo)準(zhǔn)[4]為IQ＜70分,IQ70～80分為邊緣水平,≥80分為正常。智力低下等級[4]包括①輕度,IQ55～70分;②中度,IQ40～55分;③重度,IQ25～40分;④極重度,IQ＜25分。

3.1.2 事件相關(guān)電位聽覺P300檢測

在安靜封閉環(huán)境下采用醫(yī)用事件相關(guān)電位儀(廣州市潤杰醫(yī)療器械有限公司,型號 WJ-1A)對患者進(jìn)行P300檢測,讓患者保持全身放松、閉目、清楚的狀態(tài)下坐在軟椅上,并讓患者保持注意力集中,將記錄電極放置在中央中線點(diǎn)部位,即 Cz區(qū),將參考電極放置于患者雙耳后乳突下緣處,前額正中央與地連接,皮膚和電極之間阻抗＜5Ω,采用Oddhall聽覺刺激模式,靶刺激和非靶刺激聲音無規(guī)律交替出現(xiàn),靶刺激出現(xiàn)概率約為20%,為高頻短音;非靶刺激出現(xiàn)概率約為80%,為低頻短音,兩者總出現(xiàn)次數(shù)為200次,對靶刺激過程中P300潛伏期和波幅進(jìn)行記錄。

3.1.3 腦電圖Lemple-Ziv Complexity(LZC)值檢查

使用美國尼高力公司32導(dǎo)NicoletEEG型腦電記錄儀,對每個(gè)病例治療前及治療3個(gè)月后進(jìn)行檢查。檢查時(shí)讓患者處于安靜舒適的室內(nèi),并關(guān)閉室內(nèi)所有電設(shè)備。用乙醇棉球?qū)颊哳^皮進(jìn)行脫脂清理后,按國際10～20 s安置頭皮電極16個(gè),兩耳垂放置無關(guān)電極作為參考進(jìn)行單雙導(dǎo)記錄,采用 EEG波形觀察和采集原始腦電信號,采集時(shí)間約為10 min,選取FP1、FP2、F3、F4、F7、F8、T3、T4、T5 9 個(gè)參數(shù),在進(jìn)行電腦非線性分析時(shí)采集的原數(shù)據(jù)信號均用80 Hz高頻濾波,主要為衰減肌電。選擇10 min波段內(nèi)波形較為平穩(wěn),偽差少于60 s的信號進(jìn)行非線性分析,取每種參數(shù)各導(dǎo)聯(lián)平均值進(jìn)行分析各組之間腦電復(fù)雜度特點(diǎn)。

3.2 統(tǒng)計(jì)學(xué)方法

應(yīng)用SPSS19.0軟件包建立數(shù)據(jù)庫進(jìn)行分析。兩組計(jì)量資料符合正態(tài)分布的先作方差齊性檢測,方差齊采用t檢驗(yàn)比較,方差不齊采用t’檢驗(yàn)比較,不符合正態(tài)分布的計(jì)量資料用秩和檢驗(yàn)比較;計(jì)數(shù)資料采用卡方檢驗(yàn)。以P＜0.05為差異有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義。

3.3 治療結(jié)果

3.3.1 3組治療前后WISC評分(FIQ、VIQ、PIQ值)比較

3組治療前FIQ、VIQ、PIQ值比較差異無統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P＞0.05),具有可比性。3組治療后FIQ、VIQ、PIQ值均較治療前提高,差異具有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P＜0.05)。觀察組FIQ、VIQ、PIQ治療前后差值與對照A組、對照B組比較差異具有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P＜0.05)。詳見表2。

表2 3組治療前后wisc評分(FIQ、VIQ、PIQ值)比較 (±s,分)

表2 3組治療前后wisc評分(FIQ、VIQ、PIQ值)比較 (±s,分)

注:與同組治療前比較1)P＜0.05;與觀察組比較2)P＜0.05

組別 例數(shù) 項(xiàng)目 治療前 治療后 治療前后差值對照A組 25 FIQ 53.26±11.36 58.19±13.771) 4.93±0.782)VIQ 48.35±12.04 52.45±9.131) 4.11±1.972)PIQ 60.63±15.24 64.90±15.651) 4.27±0.772)對照B組 25 FIQ 52.73±9.05 58.04±9.121) 5.31±2.122)VIQ 47.57±10.61 51.61±12.031) 4.57±1.542)PIQ 60.11±8.67 65.75±6.461) 5.64±0.312)觀察組 25 FIQ 53.14±13.05 62.50±9.521) 9.36±4.17 VIQ 48.22±13.08 55.25±8.171) 7.03±1.05 PIQ 60.21±12.17 70.06±7.111) 9.85±2.23

3.3.2 3組治療前后P300潛伏期和波幅比較

3組治療前P300潛伏期和波幅比較差異均無統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P＞0.05)。3組治療后潛伏期與同組治療前比較均有顯著下降(P＜0.05),波幅與同組治療前比較均有顯著上升(P＜0.05);觀察組治療后潛伏期低于對照A組、對照B組(P＜0.05),波幅高于對照A組、對照B組(P＜0.05),說明觀察組與對照A、對照B組相比更能改善腦細(xì)胞代謝,促進(jìn)腦認(rèn)知功能恢復(fù)。詳見表3。

表3 3組治療前后P300潛伏期和波幅比較 (±s)

表3 3組治療前后P300潛伏期和波幅比較 (±s)

注:與同組治療前比較1)P＜0.05;與觀察組比較2)P＜0.05

組別 例數(shù) 治療前 治療后潛伏期(ms) 波幅(μV) 潛伏期(ms) 波幅(μV)對照A組 25 388.35±24.52 6.1±1.68 363.31±12.171)2) 8.68±1.981)2)對照B組 25 387.12±22.83 6.21±1.70 355.46±15.281)2) 7.09±1.701)2)觀察組 25 389.06±22.83 6.06±0.93 341.15±10.261) 7.09±1.701)

3.3.3 3組治療前后不同腦區(qū)腦電圖LZC值比較

3組治療前各導(dǎo)聯(lián)LZC值比較差異無統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P＞0.05);觀察組及對照A組治療后在FP1、FP2、F3、F4、F7、F8、T3、T4、T5導(dǎo)聯(lián)LZC值較基線明顯增高,即雙側(cè)額區(qū)、雙側(cè)顳區(qū)明顯改善(P＜0.05),對照B組在FP1、FP2、F3、F4、F7、T3、T5導(dǎo)聯(lián)LZC值增高,即雙側(cè)額區(qū)、左側(cè)顳區(qū)明顯改善(P＜0.05),而觀察組雙側(cè)額區(qū)、雙側(cè)顳區(qū)LZC值均高于對照A組、對照B組(P＜0.05),說明觀察組患者腦部活動(dòng)增多,腦部神經(jīng)元較對照A組、對照B組更為活躍。詳見表4。

4 討論

精神發(fā)育遲緩(MR)是由多種先后天因素,如遺傳、代謝障礙、顱內(nèi)出血、窒息缺氧、高熱抽搐等直接或間接地影響到大腦,引起腦組織發(fā)育遲緩、功能低下而表現(xiàn)出智力低下、運(yùn)動(dòng)發(fā)育遲緩、言語障礙、社會適應(yīng)困難等癥狀。

根據(jù)中醫(yī)學(xué)辨證論治,MR可以辨證為“五遲”或“五軟”病[5],證型以“先天不足,腦竅瘀阻”為主,與心、脾、腎等臟腑的關(guān)系尤為密切。現(xiàn)代研究[6-7]表明,頭針可促進(jìn)腦細(xì)胞代謝,改善腦部血液供應(yīng),促進(jìn)受損的腦組織功能恢復(fù)。故頭針治療腦病是最常用的方法。

表4 3組治療前后不同腦區(qū)LZC值比較 (±s)

表4 3組治療前后不同腦區(qū)LZC值比較 (±s)

注:與同組治療前比較1)P＜0.05;與對照A組比較2)P＜0.05;對照B組比較3)P＜0.05

時(shí)間 部位 對照A組治療前左額區(qū) 0.381±0.064右額區(qū) 0.327±0.032左顳區(qū) 0.365±0.081右顳區(qū) 0.358±0.065治療后左額區(qū) 0.462±0.0211)右額區(qū) 0.437±0.0461)左顳區(qū) 0.465±0.0321)右顳區(qū) 0.457±0.0431)對照B組 觀察組0.385±0.043 0.377±0.034 0.341±0.033 0.334±0.073 0.331±0.071 0.354±0.062 0.320±0.027 0.344±0.012 0.483±0.0121) 0.552±0.0141)2)3)0.447±0.0311) 0.507±0.0661)2)3)0.468±0.0521) 0.525±0.0151)2)3)0.395±0.0731) 0.517±0.0711)2)3)

靳三針治療兒童腦病主穴選取頭針?biāo)捻?xiàng),頭針?biāo)捻?xiàng)包括腦三針、顳三針、智三針、四神針,是靳瑞教授在研究針灸治療腦病 20余年的基礎(chǔ)上創(chuàng)立的一組特定取穴方法,主要治療腦癱、中風(fēng)、自閉、智力低下等腦源性疾病。本研究中頭穴留針主要選用靳三針穴組中的“益智頭針?biāo)捻?xiàng)”,其取穴是根據(jù)經(jīng)脈辨證或大腦皮層的功能定位在頭皮部的投影區(qū)進(jìn)行組方,其中四神針在百會之旁,位于巔頂部,膀胱經(jīng)脈和督脈在頭部的循行路線均經(jīng)過四神針?biāo)谘ㄎ?四神針可以調(diào)節(jié)腦中經(jīng)氣,填補(bǔ)髓海和益腦健智。智三針位于額部,為雙側(cè)神庭穴和本神穴,智三針?biāo)诓课坏耐队盀榍邦~與調(diào)節(jié)智力密切相關(guān),神庭穴和本神與膽經(jīng)、督脈有關(guān),刺激智三針穴位能起到調(diào)控督、膽經(jīng)脈的作用,從而改善智力。顳三針腧穴所在部位投影區(qū)為顳葉皮層并且和中央前回接近,研究表明學(xué)習(xí)記憶和顳葉相關(guān),顳三針部位的針刺刺激不僅提高智商能力,同時(shí)可以改善運(yùn)動(dòng)能力;另外“顳三針”跟頭皮針?biāo)枋龅臅灺爡^(qū)部位重合,也是足三陽經(jīng)脈所過。刺激該區(qū)可暢通耳部經(jīng)脈絡(luò)脈,減輕受損聽力障礙。腦空為督脈穴,督脈入絡(luò)腦和髓,相為表里的是腎與膀胱,所以腦三針的針刺能激發(fā)腎氣,填髓益智,疏腦通絡(luò)。并且頭皮針的平衡區(qū)和腦三針相互印合,也是小腦在頭皮上的投射區(qū)[8]。再輔以辨證配穴,充分體現(xiàn)規(guī)范化治療與個(gè)體性治療的結(jié)合,目的是將機(jī)體內(nèi)一切修復(fù)的、代償?shù)姆e極因素調(diào)動(dòng)起來,促進(jìn)腦病患者腦功能康復(fù)。且這些配方絕大部分是以 3個(gè)穴位為1組,取穴方法簡單,操作時(shí)間短,且多數(shù)集中在頭部,適宜于較長時(shí)間留針,相對容易被孩子和家長接受。

目前國外不少研究發(fā)現(xiàn)經(jīng)顱磁刺激作為治療 MR的一種新手段,對于認(rèn)知功能有較好的改善作用。rTMS是通過不同頻率刺激對大腦皮層產(chǎn)生興奮或抑制作用的新興電生理技術(shù)[9],由于其具有無痛無創(chuàng)、操作簡單、安全等特點(diǎn)[10-11],已在神經(jīng)精神疾病等方面得到廣泛應(yīng)用。國內(nèi)外應(yīng)用rTMS治療認(rèn)知功能障礙已多有報(bào)道。一項(xiàng)關(guān)于對認(rèn)知功能作用的 Meta分析[12]表明,rTMS改善認(rèn)知功能有確鑿的證據(jù),可以改善記憶力、學(xué)習(xí)能力、執(zhí)行功能。本研究中rTMS組采用高頻rTMS刺激左側(cè)背外側(cè)前額葉(F3),經(jīng)過 12周的治療,其智商評分、P300潛伏期和波幅、LZC的檢測值均有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義,表明rTMS可明顯改善MR患者的智力及腦電活動(dòng)。說明在基礎(chǔ)康復(fù)治療方法的基礎(chǔ)上,給予rTMS的治療方法更有利于MR腦功能恢復(fù)。這可能與以下機(jī)制有關(guān),其一,rTMS通過交變電磁直接透過顱骨達(dá)到腦內(nèi)較深層組織,產(chǎn)生的感應(yīng)磁場可增加腦組織血液循環(huán),提高血紅蛋白攜氧能力,促進(jìn)腦細(xì)胞發(fā)育及受損細(xì)胞自我修復(fù),從而改善腦組織功能[13];其二,rTMS可持久調(diào)節(jié)大腦功能腦區(qū)的活動(dòng),并通過感應(yīng)電流增強(qiáng)突觸可塑性,改善包括學(xué)習(xí)記憶在內(nèi)的認(rèn)知功能[14-15];其三,rTMS可直接刺激額、顳葉皮質(zhì),改變突觸可塑性,使大腦神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)發(fā)生變化,從而促進(jìn)患者認(rèn)知、語言功能的康復(fù)[16-17]。本研究結(jié)果顯示,觀察組患者均可完成經(jīng)顱磁刺激術(shù),整個(gè)治療過程中未出現(xiàn)明顯不良反應(yīng),腦電圖復(fù)查均未見異常,表明經(jīng)顱磁刺激術(shù)的安全性較高,但需注意治療前后腦電圖檢查,以免誘發(fā)癲癇。

腦電波檢查對判識兒童腦發(fā)育狀態(tài)有重要輔助診斷意義[18]。腦電具有非線性、非平穩(wěn)的生物學(xué)特點(diǎn),能夠較靈敏地反映出大腦的病理、生理特點(diǎn)。腦電復(fù)雜性程度可以反映出大腦接受和處理信息活動(dòng)的有序程度,成為研究大腦高級認(rèn)知活動(dòng)及評價(jià)大腦功能的新途徑。另外P300在臨床和研究中主要用于各種原因所致的存在認(rèn)知障礙的患者,它可為認(rèn)知障礙及其程度提供一項(xiàng)神經(jīng)電生理學(xué)的客觀依據(jù)[19-20]。趙向東[21]研究報(bào)道,相對正常同齡對照組兒童,MR兒童視覺的潛伏期明顯延長,兩半球彌散性高電位值,并同時(shí)與智商進(jìn)行對比研究,得出值越低的潛伏期越長,并提出潛伏期的長短是反映MR兒童智商的客觀指標(biāo)之一。因而腦電波、P300聯(lián)合靳三針頭穴留針及rTMS進(jìn)行腦部功能研究時(shí)為其重要的監(jiān)測手段,可對腦功能的變化進(jìn)行實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)監(jiān)測。本研究對象選擇3～6歲MR患者,采用靳三針頭穴留針、rTMS將其單獨(dú)或聯(lián)合作為干預(yù)措施并結(jié)合神經(jīng)電生理嚴(yán)格檢查和智力量表評測,評估其療效,探討這兩種治療方式對MR認(rèn)知功能障礙的正向作用,結(jié)果顯示,3組治療后均能提高M(jìn)R患者智力評分,縮短P300潛伏期,提高認(rèn)知腦區(qū)為主的LZC值,即均能改善患者的認(rèn)知功能和腦電活動(dòng)。觀察組治療后改善優(yōu)于對照A組、對照B組,即聯(lián)合治療效果更為顯著。

綜上所述,重復(fù)經(jīng)顱磁刺激與靳三針頭穴留針聯(lián)合治療MR具有協(xié)同作用,能調(diào)整和改善患者大腦的病理狀態(tài),進(jìn)一步改善認(rèn)知功能,且均具有較高的實(shí)用性、操作性、安全性,患者接受性好,值得臨床應(yīng)用。