劉小妹,閆述濤
(中國傳媒大學理工學部,北京 100024)
電磁推進系統(tǒng)是以導軌和電樞為主要組成部分,通過對導軌兩端施加電壓,使導軌內產生電流,在電流和導軌間磁場的共同作用下,進而產生作用在電樞上的洛倫茲力,通過洛倫茲力對電樞的作用來加速拋體運動的裝置。移動過程中,導軌與電樞接觸面隨時間變化,導致電場、電流也隨之變化。求解問題模型如圖1,其中最外層是空氣層,中間為兩條導軌,導軌中間是滑動的電樞,在導軌兩端通電,由導軌與電樞構成一個閉合回路。
在求解區(qū)域中,我們將在兩個導軌上分別添加適當電壓,我們通常給予150V和-150V的電壓,利用磁矢量A和標量電位u表示的麥克斯韋方程來求解電場與磁場的分布。已知麥克斯韋方程的微分形式為
圖1 電磁軌道推進系統(tǒng)模型
(1)
又有
D=εE,B=μH,J=σE
其中,H:磁場強度;J:電流密度;D:電位移;E:電場強度;B:磁感應強度;ρ:自由電荷體密度;μ:磁導率;σ:電導率;ε:介電常數(shù),這里我們忽略電位移的影響,將問題簡化為渦流方程,那么(1)式變?yōu)椋?/p>
(2)
因此,渦流場方程可以從(2)式中導出,選擇磁矢量A和標量電位u組成的電磁位對,將含有運動電樞的麥克斯韋方程組變換為:
▽·(-(σ▽u))=0
(3)
(4)
(3)式和(4)式可以視作渦流場控制方程的統(tǒng)一形式。在圖1中,在導軌和電樞及導軌間的空氣中需要描述電場和磁場,因此(3)式和(4)都需要用到,而在最外空氣層中,只需描述磁場即可,因此我們只需要用到(3)式。
在忽略了電位移的影響下,問題中還涉及到邊界的問題,我們需要處理好在邊界上電場與磁場的條件,我們設在邊界上:
n×A=0
(5)
n·J=0
(6)
式中n為交界面的法向量。另外,為了保證磁矢量解的玩唯一性,我們還要滿足庫侖規(guī)范條件:
▽·A=0
(7)
滿足(3)、(4)式之后,我們還需考慮一個問題,電樞的運動是一個瞬時問題,電樞隨著時間變化而移動,我們需要確定電樞運動的軌跡。前面有文章采用的是主叢匹配法,這里,我們利用電導率的不同來確定電樞在導軌間的位置。在兩個導軌之間,存在著電樞和空氣,電樞和空氣的電導率是不同的,在模型中,電樞我們采用的是鋁,鋁的電導率為3.77×107(S/m),而空氣的電導率為1.0(S/m),我們通過在導軌間不同時間、不同位置電導率的不同,就可以很容易的判斷出不同時間下電樞的位置,我們取如下函數(shù)表達式作為兩導軌之間相同時間下不同位置電導率:
σ=σ_air+σ_al*e-100*(|x-x0|>(L/2))*(|x-x0|-(L/2))
(8)
其中σ_air是空氣的電導率,σ_al是鋁的電導率,L是電樞的寬度,x是導軌間位置坐標,x0是電樞的中心點坐標。隨著時間的變化,坐標產生變化,從而兩道軌之間不同位置電導率發(fā)生了變化,因此就可以確定電樞移動的位置。
為了便于計算我們只考慮在導軌、電樞以及導軌之間的空氣中的電場問題,并且只需要考慮(3)式,因此為了便用于仿真模擬軟件的執(zhí)行,需要通過變分形式,取試探函數(shù)v(x),我們將(3)式改寫成弱形式:
(-σ▽u,▽v)=0
(9)
并且在兩條導軌上,設置邊界條件為一條導軌上通入150V電壓,另一條導軌通入-150V的電壓。這樣,我們就可以對該模型進行仿真模擬分析。
利用仿真模擬軟件對電磁軌道推進系統(tǒng)進行模擬,首先是對電場的動態(tài)變化的分析,為了簡便運算的復雜程度,我們取導軌的長度為1,電樞的寬度L為0.04,電樞的中心x0=0.02,選擇讓電樞每個時間單位移動半個電樞的長度,圖2、圖3為動態(tài)模擬結果。
通過模擬結果,我們可以看出,隨著時間的推移,電壓隨著電樞變化而變化,導軌所在的位置即電壓達到的位置,并且在電樞初始未與導軌接觸時和電樞彈出時,整個導軌電壓達到頂端。同樣,電流也是隨著電樞的移動而變化,在導軌上電流總是從高電壓流向低電壓,并且電樞處的電流相對于導軌上的電流較小,也同樣,在電樞初始狀態(tài)未與導軌接觸時和電樞彈出時,電流也隨之消失。
t=10s t=20s
t=30s t=40s圖2 電場隨時間變化圖
圖3 20s時電磁軌道電流分布
本文是在將電磁推進系統(tǒng)簡化的情況下對其電場、電流進行理論分析、數(shù)值模擬。我們假設電樞在導軌間進行勻速運動,這樣不僅可以簡化計算,而且可以更加直觀的通過仿真模擬軟件觀察電樞的運動狀態(tài),更好的分析電磁推進系統(tǒng)的電流及電場的變化情況。