◎王月芳 張連昆 魯輝虎 杜 鵑
(1.運城職業(yè)技術(shù)學院 機電工程系,山西 運城 044000;2.聊城大學 材料科學與工程學院,山東 聊城 252059)
技術(shù)與應(yīng)用
Na0.5Bi0.5TiO3摻雜BaTiO3陶瓷的制備與壓電性能研究
◎王月芳1張連昆1魯輝虎1杜 鵑2
(1.運城職業(yè)技術(shù)學院 機電工程系,山西 運城 044000;2.聊城大學 材料科學與工程學院,山東 聊城 252059)
壓電陶瓷是一種可以實現(xiàn)機械能和電能相互轉(zhuǎn)換的功能材料,由于鈦酸鉍鈉(BNT)具有很強的鐵電性,是一種很有希望的無鉛壓電材料。筆者利用傳統(tǒng)固相燒結(jié)工藝制備了(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xBaTiO3無鉛壓電陶瓷。研究了不同的BaTiO3含量下,BaTiO3對陶瓷的熱學性質(zhì)、結(jié)構(gòu)及鐵電性能的影響。實驗結(jié)果表明,陶瓷粉料在700℃左右合成反應(yīng)基本完成,得到了較優(yōu)的燒結(jié)溫度;所制備的陶瓷均為單一的鈣鈦礦結(jié)構(gòu);通過樣品的壓電性能分析,可以看出樣品在BaTiO3含量為0.06時,壓電常數(shù)d33和機電耦合系數(shù)kp都取得最大值,分別為181pC/N,28%。
無鉛壓電陶瓷;熱學性能;鐵電性能
壓電材料在信息傳感設(shè)備和能量轉(zhuǎn)換等多方面具有廣泛的應(yīng)用前景,是因為特殊的機械能和電能之間的轉(zhuǎn)化特性。因此壓電材料是一種具有重要戰(zhàn)略意義的高技術(shù)功能材料,但目前占壓電材料主導地位的仍然是鉛基壓電陶瓷比如鋯鈦酸鉛(簡稱PZT,鉛含量高達63%以上),眾所周知,鉛元素的揮發(fā)對人體和環(huán)境都有著非常嚴重的危害,另外為抑制鉛元素的揮發(fā)而采用的多步驟的鍍膜工藝使壓電陶瓷的能耗大大地提高了,因此,尋找新型無鉛壓電材料成為急待解決的問題[1-3]。鈦酸鉍鈉Bi0.5Na0.5TiO3(簡寫為BNT)是A位由Bi3+和Na+兩種離子復合取代的一種ABO3型鈣鈦礦鐵電體,室溫下為三方結(jié)構(gòu),居里溫度為Tc=320℃,室溫下的矯頑場Ec=73kV/cm,剩余極化Pr=38μC/cm,鐵電性很強,被廣泛認為是最有希望的無鉛壓電材料之一[4]。BaTiO3(簡稱BT)在室溫下為四方結(jié)構(gòu),居里溫度120℃[5]。
目前研究的熱點之一是通過引入二組元化合物改善BNT基無鉛壓電陶瓷的壓電性能。許多學者對BNT-BT形成的固溶體進行了研究[6-8],結(jié)果表明在其準同型相界附近,樣品的各項性能最優(yōu)。筆者利用傳統(tǒng)的固相燒結(jié)方法制備了(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xBaTiO3無鉛壓電陶瓷,討論在本實驗室條件下BNBT達到最佳性能時,摻入BaTiO3的最佳含量。
實驗過程中所使用的化學試劑為分析純的Na2CO3(99.8%)、Bi2O3(98.64%)、BaCO3(99.9%)、TiO2(98%),嚴格按照化學計量比(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xBaTiO3(x=0.05,0.06,0.07,0.08)進行配料,將配置好的原料放入聚四氟乙烯罐中,用行星球磨機球磨12h,用到的球磨介質(zhì)是無水乙醇和ZrO2。球磨完成,料漿經(jīng)烘箱烘干后取出少許用作DSC熱分析(德國耐馳STA449C),剩余料壓制成大片,在850℃預燒4h。將預燒大片進行粉碎研磨,再使用上述球磨方法進行12h球磨,料漿烘干后,加入黏結(jié)劑造粒,在160MPa的壓力下壓成直徑15mm厚1.5mm的圓片,700℃下排膠后,再在1160℃進行燒結(jié)3h。采用掃描電鏡(SEM,JSM-5900)對樣品的表面形貌進行觀察,并通過X射線粉末衍射(XRD,D8 Advance)實驗(Cu Kα靶,λ=1.54178)分析樣品的相結(jié)構(gòu)。為了測試電學性質(zhì),燒結(jié)后的樣品在600℃燒制銀電極,常溫下在硅油中施加3kV/mm的直流電場20min對樣品進行極化,測量其壓電性能。
2.1 粉體的熱學性質(zhì)
實驗中用一次球磨烘干的粉料做熱重差熱分析。圖1為BNBTx陶瓷粉料的DSC-TG圖,從圖中熱重曲線可以看出在95℃,380℃,500℃左右處伴隨著極大的質(zhì)量損失,分別對應(yīng)于原料中的結(jié)合水,有機物或雜質(zhì)的分解以及碳酸鹽的分解[9]。從TG曲線可以看出,680℃左右分解反應(yīng)基本完成,為了使陶瓷原料充分化合,我們基本選擇在850℃預燒。從DSC曲線可以看出陶瓷原料100℃左右對應(yīng)一個較小的吸熱峰,此溫度應(yīng)該是對應(yīng)著有少量水分蒸發(fā)吸熱。陶瓷原料在1236℃左右對應(yīng)著一個較強的吸熱峰,此溫度即為陶瓷料的熔化過程。為了使陶瓷燒結(jié)的更加緊密,又防止陶瓷料融化,因此實驗中選擇在1236℃溫度下30°~50o溫度作為此陶瓷樣品的燒結(jié)溫度。
2.2 樣品的物相結(jié)構(gòu)分析
圖2為不同預燒溫度下的BNT-BTx陶瓷樣品的XRD衍射圖譜,從圖中可以看出600℃預燒的粉料的結(jié)構(gòu)不是單一的鈣鈦礦結(jié)構(gòu),有雜相出現(xiàn),可能是鈦酸鹽未完全分解所致,而在700℃燒結(jié)時,可以看出,樣品近似成為單一的鈣鈦礦結(jié)構(gòu),雜峰相對600℃已經(jīng)少很多,但是還是有雜相出現(xiàn)。在850℃預燒時,樣品已完全成為單一的鈣鈦礦結(jié)構(gòu),沒有雜相產(chǎn)生。此結(jié)果與DSC-TG熱分析結(jié)果一致,考慮到預反應(yīng)的完全進行,我們選擇850℃作為預燒溫度。
圖1 BNBTx陶瓷粉料的DSC-TG
圖2 不同預燒溫度下的BNT-BTx陶瓷樣品的XRD衍射圖譜
圖3 不同BT含量的陶瓷樣品的XRD衍射圖譜
圖4 不同BT含量的陶瓷樣品在45°-48°的XRD衍射圖譜
圖3是BT含量分別為0.05、0.06、0.07、0.08時陶瓷樣品經(jīng)1160℃燒結(jié),保溫3h后的XRD圖譜。從圖中可以看出,所有的陶瓷樣品都呈現(xiàn)單一的鈣鈦礦型結(jié)構(gòu),無雜相產(chǎn)生。這也說明了碳酸鋇已經(jīng)全部融入鈦酸鉍鈉晶格中,形成了固溶體。圖4為不同碳酸鋇含量的BNTBT陶瓷樣品在45°~48°的XRD衍射圖譜。從圖中不難看出BT的含量為0.05時,陶瓷樣品在46°~47°之間為單峰,說明陶瓷樣品在BT的含量為0.05時,BNT-BT陶瓷樣品仍為三方相結(jié)構(gòu),在BT的含量為0.06,0.07,0.08時,陶瓷樣品在46°~47°之間的單峰僻成雙峰,說明此時陶瓷樣品中有兩個相存在(三方相和四方相),由此可見隨著陶瓷樣品中BT含量的增加,陶瓷樣品的相結(jié)構(gòu)由三方相向四方相轉(zhuǎn)變,即陶瓷出現(xiàn)準同型相界(MPB)[10,11]。
2.3 樣品的顯微結(jié)構(gòu)分析
圖5為不同BT含量陶瓷樣品在1160℃燒結(jié),保溫3h后的陶瓷樣品的SEM微觀形貌圖譜,從圖中可以觀察到不同BT含量的樣品都具有致密的結(jié)構(gòu),不同的是,BT的含量為0.05時陶瓷樣品的晶粒尺寸差別較大,均勻度不佳,BT的含量為0.06、0.07、0.08時陶瓷樣品的晶粒大小都比較均勻,規(guī)整度也比較好。由此可以看出,隨著Ba2+摻雜量的增加(即BT含量的升高),樣品的晶粒尺寸反而逐漸減小,這原因可能是Ba2+在晶界上富集,阻止了其他離子的遷移,因此Ba2+對晶粒的長大起到了抑制的作用。
2.4 BNBTx陶瓷樣品的壓電性能
圖6為不同BT含量的BNT-BTx陶瓷樣品的壓電常數(shù)d33和機電耦合系數(shù)kp的變化。從圖中不難看出隨著BT含量的增加,陶瓷樣品的壓電常數(shù)d33和機電耦合系數(shù)kp都是先增加后降低,從圖中我們可以看出在鈦酸鋇含量為0.06時壓電常數(shù)和機電耦合系數(shù)都取得最大值,d33高達181pC/N,kp高達28﹪,因此我們判斷該陶瓷樣品的最佳性能出現(xiàn)在鈦酸鋇含量為0.06時。根據(jù)上面XRD圖譜分析的結(jié)果可知,BT的含量為0.06時,樣品材料出現(xiàn)準同型相界(MPB),在MPB組成范圍內(nèi),存在三方、四方兩種結(jié)構(gòu)的共存,相結(jié)構(gòu)具有較大的活性,在外電場作用下,更多的電疇能夠順利轉(zhuǎn)向,并且轉(zhuǎn)向產(chǎn)生的應(yīng)力應(yīng)變比較小,因此陶瓷材料能夠表現(xiàn)出最好的壓電性能。另外,從上圖可以看出所有樣品的壓電常數(shù)都大于100pC/N,已比那些純的BNT燒結(jié)的樣品性能高出很多,因此可以看出通過適當?shù)膿诫sBT能提高BNT的性能。
圖5 不同BT含量的陶瓷樣品的SEM微觀形貌
圖6 不同BT含量的陶瓷樣品的壓電常數(shù)d33和機電耦合系數(shù)kp
筆者依然利用傳統(tǒng)的固相合成法制備了不同BT含量的無鉛壓電陶瓷材料(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xBaTiO3。通過熱重差熱分析,確定了陶瓷樣品的最佳預燒溫度850℃和最佳燒結(jié)溫度1160℃;通過XRD分析,確定了少量BT摻雜于BNT中,陶瓷樣品依然是單純的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。但是不同BT的含量,陶瓷樣品依然有變動,BT的摻雜量為0.05時,陶瓷樣品為三方結(jié)構(gòu),但當BT的摻雜量為0.06-0.08時,陶瓷樣品為三方相與四方相共存;通過SEM電鏡分析,可以看出隨著BT摻雜量的增加,陶瓷樣品的晶粒尺寸逐漸變小,即Ba2+抑制晶粒的長大;通過陶瓷樣品的壓電性能分析,可以看出陶瓷樣品在BT含量為0.06時,壓電常數(shù)d33和機電耦合系數(shù)kp都取得最大值,分別為181pC/N,28﹪。
[1]王從曾.材料性能學[M],北京:北京工業(yè)大學出版社,2001.
[2]肖定全,萬征.環(huán)境協(xié)調(diào)型鐵電壓電陶瓷[J].壓電與聲光,1999,21(5):363-366.
[3]陳敏,肖定全,孫勇,等.鈦酸鉍鈉基無鉛壓電陶瓷研究近期進展[J].功能材料,2007,38(8):1229-1233.
[4]李月明.(Bi0.5Na0.5)Ti0.3基無鉛壓電陶瓷的制備、結(jié)構(gòu)與電性能研究[D].武漢:武漢理工大學,2004.
[5]Yahong Xie,Shu Yin,Takatoshi,et al.Low temperature synthesis of tetragonal BaTiO by a novelcompositehydroxide-mediated approach and its dielectric properties[J].Journal of the EuropeanCeramic Society,2010,30(3):699-704.
[6]C Xu,D Lin,KW Kwok.Structure,electrical properties and depolarization temperature of(Bi0.5Na0.5)
TiO3-BaTiO3lead-free piezoelectric ceramics[J].Solid State Sciences,2008,10(7):934-940.
[7]初寶進,李國榮,江何平,等.NaBaTiO-BaTiO系陶瓷壓電性及弛豫相變研究[J].無機材料學報,2000,15(5):815-821.
[8]Chen M,XuQ,Structure and electrical properties of(Na0.5Bi0.5)1xBaxTiO3piezoelectric ceramics[J].Journal of the European Ceramic Society,2008(28):843-849.
[9]Yahong Xie,Shu Yin,Takatoshi,et al.Low temperature synthesis of tetragonal BaTiO by a novelcompositehydroxide-mediated approach and its dielectric properties[J].Journal of the EuropeanCeramic Society,2010,30(3):699-704.
[10]HaoJ.G.,XuZ.J.,ChuR.Q.,et al.Effects of composition on phase structure and electrical properties of (K0.5Na0.5)0.90Li0.06Sr0.02Nb(1-x)SbxO3ceramics[J].Physica B Condensed Matter,2009,404(20):3391-3396.
[11]Z Yang,B Liu,L Wei,et al.Structure and electrical properties of(1-x)Bi0.5Na0.5TiO3-xBi0.5K0.5TiO3ceramics near morphotropic phase boundary[J].Moterials Research Bulletin,2008,43(1):81-89.
(責任編輯 卞建寧)
TM282
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1671-9123(2017)02-0124-04
2017-03-02
國家自然科學基金(51302124);山西省教育科學“十三五”規(guī)劃課題(GH-16217)
王月芳(1984-),女,山東陽谷人,運城職業(yè)技術(shù)學院機電工程系工程師。