于凌宇，劉夏飛

(1.河南大學濮陽工學院,河南濮陽　457000;

2.濮陽市人民防空辦公室，河南濮陽　457000)

于凌宇(1957—)，男，河南濮陽人，工學學士，三級教授，主要研究方向為電子元件與材料；

E-mail：ylycn@126.com

劉夏飛(1985—)，男，河南焦作人，理學學士，主要研究方向為光電科技。

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綜述

納米記憶元件推動電子科技實現(xiàn)重大突破

于凌宇1，劉夏飛2

(1.河南大學濮陽工學院,河南濮陽457000;

2.濮陽市人民防空辦公室，河南濮陽457000)

摘要：該文闡述了納米記憶元件的內(nèi)涵和工作機理，探討了記憶元件的國內(nèi)外研發(fā)進展，深入分析了記憶元件對電子科技的重大突破。為我國緊密跟蹤記憶元件科技前沿，精準找好切入點，奮力搶占制高點提供一定的技術基礎。

關鍵詞：記憶元件；憶阻器；憶容器；憶感器；研發(fā)；突破

0引言

2008年電子科技界爆出了震驚全球的新聞，美國惠普公司實驗室研究人員宣稱成功設計出了世界首個能工作的憶阻器原型，并表示這是電路世界中存在的第四種基本元件。這項重大發(fā)現(xiàn)被評為當年的國際十大科技新聞。從此，在世界范圍內(nèi)，掀起了記憶元件研發(fā)應用的科技革命新浪潮。

由于記憶元件的研發(fā)戰(zhàn)略，涉及技術、經(jīng)濟、應用和市場等諸多層面，必須從全局著眼，統(tǒng)籌兼顧，深入研究，才能夠高效推進和科學發(fā)展。

1納米記憶元件的內(nèi)涵和工作機理

憶阻器是最先問世的一種納米記憶元件。納米記憶元件包括憶阻器(MR，又稱憶阻、記憶電阻器)、憶容器(MC，又稱憶容、記憶電容器)和憶感器(ML，又稱憶感、記憶電感器)。

在傳統(tǒng)電路中，電路的基本元件只有三種無源元件，即電阻器(R，簡稱電阻)、電容器(C，簡稱電容)、電感器(L，簡稱電感)。而在現(xiàn)代電路中，由于三種無源記憶元件的出現(xiàn)，電路的基本元件將擴充至六種，從而組成了完備的無源基本電路元件集。

之所以稱為納米元件，是因為這種元件的電子特性微弱，僅顯現(xiàn)于大規(guī)模系統(tǒng)中，必須做成納米尺寸，只有在納米尺度上和納米級電路中，他們的工作狀態(tài)才可以被察覺到，才變得重要，并因此而有用。因為隨著元件的減小，電場的驅(qū)動力變得越來越大，而需要用于產(chǎn)生電子特性變化的原子運動變得更小，兩種趨勢相互加強，直到它們最終支持記憶電子特性的出現(xiàn)。

簡而言之，記憶效應有賴于原子級移動，而這種移動，只有在納米尺寸的元件中，才能得以實現(xiàn)。

專家們認為，制造記憶元件的最大極限尺寸是5納米，超越極限尺寸，將會產(chǎn)生電流泄漏等諸多問題，記憶元件的弱特性也難以展示。

之所以稱為記憶元件，是因為這種元件即使在關閉電源的情況下，仍然具備記憶關閉電源前自身電參數(shù)歷史的功能。

2記憶元件[1]國內(nèi)外研發(fā)進展

記憶元件，是目前眾多發(fā)達國家、領袖企業(yè)競相研發(fā)的高新基本電路元件。

專家們認為，雖然對記憶元件的機理尚未完全明了，但國際間的技術競爭和應用競爭已達到白熱化程度，這必將引發(fā)新一輪的電子革命。

據(jù)了解，自美國惠普公司推出憶阻器原型之后，世界發(fā)達國家對記憶元件的研發(fā)浪潮日益高漲，至今已有十多個國家的上百個高校院所、企業(yè)集團參與其中。不僅英國、德國、日本、法國、俄羅斯、韓國、澳大利亞、荷蘭、比利時等國的科技界、工業(yè)界積極介入，美歐軍方也高度重視，在此研發(fā)工作中砸下重金。

2.1國外記憶元件研發(fā)動態(tài)

2.1.1國際憶阻器[2]研發(fā)格局

1971年，美國加州大學電子專家蔡少堂在IEEE電路理論學報第18冊發(fā)布了“尋獲失落的憶阻器”論文，但尚未制造出產(chǎn)品。

1976年，蔡少堂在IEEE學報第64冊發(fā)布了“憶阻器件和系統(tǒng)”論文，并做出了一個模擬器。

1980年，蔡少堂在IEEE電路學報第27冊發(fā)布了“最先進的動態(tài)非線性網(wǎng)絡”論文，對憶阻器及有關非線性電路元件提出了建模理論。

1995年，惠普實驗室在化學家Stanley Williams領導下，成立了“量子結(jié)構(gòu)研究組織”，旨在開發(fā)分子級產(chǎn)品來代替晶體管開關。

2002年，蔡少堂在IEEE學報第91冊發(fā)布了“納米器件的非線性電路基礎”論文，把憶阻器融入了他的非線性電路理論中。

2005年，IEEE為蔡少堂頒發(fā)了Gustav Robert Kirchhoff獎，稱他為非線性電路理論和細胞神經(jīng)網(wǎng)絡之父。

2006年，惠普公司在美國為全球首款實用憶阻器申請了發(fā)明專利。

2008年，惠普公司實驗組組長斯坦·威廉姆斯聲稱，他們研制出了全球第一個憶阻器?；萜諏嶒炇以凇蹲匀弧冯s志上發(fā)布論文，對基于半導體中充電摻雜物漂移的憶阻器件進行了描述，并提出了憶阻器的兩種重要應用，即在非易失性阻性隨機訪問存儲器(RRAM)和模仿大腦神經(jīng)網(wǎng)絡的電子神經(jīng)鍵中的應用。

多年來，惠普公司一直宣稱，其憶阻器能夠同傳統(tǒng)的存儲器進行PK，能與閃存競爭，其存儲密度高達每平方英寸20GB，是閃存的兩倍。

近年來，惠普公司為保持記憶元件高新科技的領先地位，已累積注冊了500多個憶阻器專利。

2009年，荷蘭澤尼克先進材料研究院采用Ag/Ge2Sb2+xTe5/Mo結(jié)構(gòu)研究了Sb過剩的Ge2Sb2+xTe5薄膜的憶阻特性。

2010年，韓國漢陽大學報道研制了一種在PET柔性襯底上的柔性透明憶阻器；韓國光州科學技術院報道研制了一種基于柔性材料PI:PCBM的IDIR結(jié)構(gòu)柔性透明憶阻器。

2010年，位于比利時的歐洲最大獨立研究中心—歐洲大學校際微電子中心(IMEC)，也開展了憶阻器技術的研究工作。

2011年，法國著名的電子與信息技術實驗室(CEA-Leti)及微米與納米技術創(chuàng)新中心(Minatec)聯(lián)合組建了科學小組,深入研究HfO2薄膜中的憶阻機制。

2011年，俄羅斯科學研究院固體物理所研究了BiOx薄膜中的憶阻現(xiàn)象。

2012年，德國比勒菲爾德應用科學大學的高級物理學講師安迪·托馬斯博士及其同事制作出了一種具有學習能力的憶阻器。

2012年，英國倫敦大學(UCL)的研究團隊研發(fā)出一種新型的內(nèi)存芯片，其存儲速度比現(xiàn)有的閃存要快一百倍左右，耗能只有現(xiàn)有標準閃存的千分之一，同時還擁有更大的存儲密度。這種新芯片是第一種純粹基于二氧化硅制造的電阻式記憶體(Resistive RAM——ReRAM)，即憶阻器芯片。

2014年，澳大利亞墨爾本皇家理工大學沙拉斯·斯利拉姆博士領導的功能材料與微系統(tǒng)研究小組，采用一種納米級的非晶鈣鈦礦氧化物薄膜材料，開發(fā)出一種納米級超快憶阻器。這種功能性氧化物材料極薄，其厚度比人類頭發(fā)的直徑還薄1000倍，在化學上顯現(xiàn)“憶阻”效應，其存儲的數(shù)據(jù)具有非易失性。專家聲稱，這種新型憶阻器是高穩(wěn)定高可靠的納米級存儲設備的核心技術，是制造人工大腦的關鍵元件。相關論文作為《先進功能材料》雜志的封面文章，于2014年11月11日發(fā)表。

2.1.2國際憶容器[3]研發(fā)動向

2009年，美國加州大學電子專家、臺灣新竹交通大學榮譽教授蔡少堂所領導的研究小組，制造出了世界第一個憶容器樣品。

蔡少棠認為，記憶電容器可能比記憶電阻器的用途更為廣泛，因為它們沒有電阻。而且從理論上講，記憶電容器在儲存信息時可以不消耗能量，使用它們做什么都非常方便。

2.1.3國際憶感器研發(fā)動向

美國加州大學的蔡少堂教授，并不止步于在憶阻器、憶容器方面已經(jīng)做出的貢獻，他還致力于擴展基本電路元件的新理論，不斷提出創(chuàng)新理念。他提出，如果把記憶電阻器和記憶電容器的特性綜合起來制造出的記憶電感器，將會怎樣呢？如果再把這些記憶元器件組合在一起，又會產(chǎn)生什么復雜效應呢？等等。

他們認為，面對如此眾多的基礎科學的重大疑問，需要進行戰(zhàn)略思考和深入研究，科學制定分步實施的計劃。但是，多方位、深層次開發(fā)憶阻器技術，從而帶動和啟迪各種記憶元件的研制，應該說是最優(yōu)先的選擇。

2.2國內(nèi)記憶元件研發(fā)動態(tài)

2.2.1國內(nèi)憶阻器研發(fā)動態(tài)

2009年，國際合作項目“憶阻器材料及其原型器件”由國家科技部立項啟動，華中科技大學微電子學系主任、國家教育部長江學者繆向水教授擔當該項目領軍人。

通過不懈努力，2012年，繆向水帶領的研發(fā)小組取得了可喜成就，在國內(nèi)率先研發(fā)出了納米憶阻器原型，趕上了國際研發(fā)進程。

繆向水通過深入研究，認為憶阻器的存儲功能具有類似人腦的特征，它像人對強刺激有特定記憶一樣，其記憶也會因電流強度的大小而出現(xiàn)明顯差異，這種效應為憶阻器的智能化應用開創(chuàng)了光明前景。

2013年3月，由華中科大領銜，協(xié)同清華、北大、國防科大、中科院微電子所等單位，又聯(lián)合申報了國家“973”計劃項目。

2009年，南京大學對Ag30Ge17Se53電介質(zhì)薄膜中的憶阻效應進行了深入研究。

2009年，北京大學率先提出，采用物理和化學性能穩(wěn)定的柔性小分子憶阻材料—鈦氧酞菁，可制備能反復擦寫的柔性小分子存儲器件。這種器件在525K的條件下，對數(shù)據(jù)的保持時間仍然超過1小時，這是單組份小分子存儲器件熱穩(wěn)定性良好的見證。

2010年，清華大學對鎳、鈦、鋯等過渡金屬的氧化物憶阻器材料及元件工藝集成技術和相關機理模型進行了探索。

2010年，北京大學對基于聚對二甲苯材料的聚合物憶阻器機理進行了探討。

2011年，北京大學對Ag/Ag2S/Ag結(jié)構(gòu)下的憶阻效應進行了研究。

2013年，中科院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家實驗室(籌)納米物理與器件實驗室張廣宇研究組取得了一項重大發(fā)現(xiàn)，即雖然憶阻器和電致發(fā)光器件具有截然不同的結(jié)構(gòu)和原理，但在憶阻器中可以同時實現(xiàn)存儲和電致發(fā)光功能。

業(yè)界專家指出，在美國，僅僅一個惠普實驗室，就組織了1000多名科學家群體研發(fā)憶阻器，世界各國介入此項研究的專家數(shù)量更是可想而知了。反觀我國，對憶阻器的研發(fā)工作，人員分散，力量不強，相比之下顯得勢單力孤，難以與國外抗衡。因此，國內(nèi)知名高校聯(lián)合進行研發(fā)已是勢在必行。

放眼全球，美國、德國、英國等發(fā)達國家的旗艦企業(yè)每年都會投入數(shù)以千萬計的巨資進行研發(fā)，而我國的大型電子企業(yè)卻缺少這種戰(zhàn)略遠見，很多企業(yè)往往是等著研發(fā)單位開發(fā)出成品后，才拿去試產(chǎn)，只有感到“對路”時才掏錢。這已成為制約研發(fā)的重要原因。

專家們估算，憶阻器的基礎研發(fā)工作大約需要4000萬元，推進到市場開發(fā)階段，至少還需要投入10億元以上，這不是一般企業(yè)所能承受的，必須得到企業(yè)巨頭或者國家的大力支持才能高效地推進研發(fā)工作。

2.2.2國內(nèi)憶感器[4]研發(fā)動態(tài)

2014年10月1日，清華大學本科生憨家豪和宋成副研究員，在國際著名期刊ACS Nano(美國化學會納米)上發(fā)表了Realization of the meminductor(實現(xiàn)憶感器)的論文，該論文宣稱，清華大學材料學院薄膜材料團隊在記憶電子器件領域取得了重要進展，他們通過利用一種新發(fā)現(xiàn)的磁電阻機制——自旋霍爾磁電阻，采用鉑/釔石榴石(Pt/YIG，Pt是一種順磁性金屬，YIG是一種鐵磁絕緣體)系統(tǒng)，首次研制出了憶感器物理模型。

具有記憶功能的憶感器，在電子電路中具有重要意義，但由于人們對其物理機制缺乏深入研究，多年來僅停留在理論層面，其物理模型難以實現(xiàn)，成為制約電路小型化、集成化的一大難題。

在憶阻器、憶容器被發(fā)現(xiàn)后，作為記憶元件家族的另一成員，憶感器的研究開始得到重視。然而，憶感器的實現(xiàn)過程遠比憶阻器復雜，因為憶阻器只需要電信號的參與，而憶感器則有電磁轉(zhuǎn)換的本質(zhì)要求。

2013年，由于一種新的磁電阻機制——自旋霍爾磁電阻的發(fā)現(xiàn)，為憶感器的研制提供了理論基礎，使憶感器的問世成為可能。自旋霍爾磁電阻效應在Pt/YIG雙層膜體系中被發(fā)現(xiàn)，當電流通過Pt時，由于自旋霍爾效應，不同自旋取向的電子將向相反方向偏移。當外加磁場使YIG的磁化方向與到達Pt/YIG界面處的電子自旋方向共線時，電子將最大程度地反射回Pt中，在反自旋霍爾效應的作用下形成附加電流，使Pt電阻降低。

利用自旋霍爾磁電阻實現(xiàn)憶感器的關鍵，是使通過Pt的外加電流自身產(chǎn)生的磁場磁化YIG，從而調(diào)控附加電流。實驗數(shù)據(jù)和計算模擬發(fā)現(xiàn)，Pt/YIG體系具有類似于憶阻器的滯回現(xiàn)象，并能夠記憶其斷電前瞬間的電感值，從而確認了該體系記憶電感的特性。

憶感器和憶阻器、憶容器一起，為實現(xiàn)更高效率的邏輯電路、信息存儲和人工智能提供了豐富的前景。

2.2.3國內(nèi)憶容器研發(fā)動態(tài)

2014年，安徽銅陵市新泰電容電器有限責任公司電子專家孔祥新，發(fā)明了一種具有記憶功能的電容器用金屬化薄膜[5]，并申請了國家發(fā)明專利，為憶容器的研發(fā)提供了材料來源。

3記憶元件對電子科技的重大突破

從某種意義上說,記憶元件正在引發(fā)電子科學技術產(chǎn)生一次重要變革。它將會導致電子領域的新功能取代數(shù)字時代走進模擬處理新時代,推動低功耗計算機、存儲設備及新一類能夠模擬學習、自適應和自發(fā)行為的神經(jīng)形態(tài)器件和裝置的產(chǎn)生及應用。

3.1延續(xù)摩爾定律

科學家們認為，最晩到2020年左右，對于有效描述半導體技術發(fā)展規(guī)則長達半個多世紀的“摩爾定律”將迎來技術極限的大考。目前，替代硅最有前途的材料是石墨烯，但究竟何種元器件能夠繼續(xù)推進芯片的小型化和高性能化，科學家們已經(jīng)艱辛探索很長時間。

20世紀60年代，美國英特爾公司創(chuàng)始者戈登·摩爾提出了著名的摩爾定律：在集成電路芯片上容納的晶體管數(shù)目，大約每隔18個月時間就會增加一倍，技術性能就會提升一倍。但是，近幾年，芯片的進一步小型化所遇到的技術局限越來越多。由于受到物理法則和資金的限制，在傳統(tǒng)硅芯片技術上所能取得的進步越來越小，有人認為已經(jīng)看到了芯片技術發(fā)展之路的盡頭，芯片小型化即將止步，摩爾定律的有效期即將結(jié)束。

然而，記憶元件的出現(xiàn)，尤其是在憶阻器研制上取得的新進展，使憶阻器成為了集成電路的增壓器，使用憶阻器部分取代晶體管的混合電路，可以大大縮小芯片的工藝尺寸，從而清除了阻止計算機存儲器微型化道路上的主要障礙，使得計算機存儲器可以繼續(xù)推進微型化，摩爾定律也將會繼續(xù)有效。

3.2結(jié)束閃存

專家們認為，當前最流行的存儲技術將在10年內(nèi)達到體積縮小的極限。為此，世界各國競相研發(fā)新一代存儲技術，爭奪“終結(jié)閃存”技術的制高點。

權威人士認為：下一代存儲技術必須滿足非易失性(即斷電后保存數(shù)據(jù))、隨機存取、低功耗、高速、高可靠性、高容量和高集成度等特征。

由于相變、鐵電和磁隨機等新型存儲技術均各有優(yōu)劣，難以同時滿足上述所有要求。

而憶阻器作為新型電子存儲器，不但同時滿足上述條件，而且還與當前CMOS制造工藝兼容，這意味著它具有更低的改造成本，充分展示出其作為下一代存儲器的強力競爭性。

美國惠普公司的科學家業(yè)已證明：憶阻器具有布爾邏輯運算功能。僅此就足以讓“憶阻器速度”成為奇跡。

惠普公司專家預計，可以同時具有運行和存儲功能的憶阻器芯片可能在2015年后問世，該芯片與閃存芯片相比，容量增大、能耗降低、速度提高，其存儲容量是閃存芯片的2倍多，速度快10倍，而體積與閃存芯片相比縮小7到9倍。從而使設備可以在大大縮小的空間中提供倍增的存儲容量，從而使設備更小，功能更強，成本更低，市場更大。

惠普公司高層曾宣稱，他們將加快憶阻器芯片產(chǎn)品商業(yè)化的步伐。

3.3替代晶體管

對憶阻器而言，不僅勢在成為“閃存終結(jié)者”，一個更大膽的設想是：接替晶體管。

對此，科學界保持了固有的謹慎，因為二者的功能不同、尺度不同、特性不同等等。但是，所有這些因素并不妨礙憶阻器取代晶體管。

其實，尋找晶體管的換代新產(chǎn)品，早已引起半導體工業(yè)界的高度重視。

自晶體管1947年問世以來，工業(yè)級晶體管已從厘米級、毫米級做到了現(xiàn)在的亞微米級，60年間身形縮小了成千上萬倍。一塊集成電路上的晶體管數(shù)量也從1971年英特爾首款CPU的2300顆暴漲到了如今的超過10億顆。

遺憾的是，晶體管很可能已沒法變得更小。理論物理學家指出，晶體管一旦小到5個硅原子的寬度(約1納米)，電子的運行將不受控制。

然而，由惠普公司研制的用晶體管和憶阻器混合組成的3D芯片證明，以前要多個晶體管方能完成的任務，現(xiàn)在只需一個憶阻器就可勝任。

惠普公司的專家們認為，未來憶阻器很有可能全部代替晶體管，具有動搖整個電子工業(yè)硬件行業(yè)的潛力。

3.4開創(chuàng)模擬存儲新紀元

業(yè)界權威認為，憶阻器更具“殺手級應用”的潛質(zhì)體現(xiàn)在模擬存儲領域。鑒于憶阻器能夠連續(xù)記憶很多阻值，所以在理論上可以達到任意精度，能夠直接實現(xiàn)模擬存儲。

特別是數(shù)字時代來臨，憶阻器的出現(xiàn)，為這種更接近人類信息存儲方式的“新生”帶來了希望。

專家聲稱：那種認為數(shù)字一定擊敗模擬的看法，已經(jīng)過時了。有時候數(shù)字要講精確，但很多時候我們并不需要那么精確。過去模擬信號處理存儲難度很大，但憶阻器為突破這一困難提供了條件。

可以推測，未來很可能產(chǎn)生多個版本的憶阻器：惠普憶阻器、英特爾憶阻器、IBM憶阻器、蘋果憶阻器等，而模擬存儲器將是各種憶阻器大顯神威的領域。

3.5助推三維芯片技術取得重大突破

為了提高存儲密度，多年來，專家們致力于三維芯片的研發(fā)，盡管取得了一定成效，但由于受制于晶體管體積極限的制約，難以有大的突破。

而憶阻器對于晶體管而言，在相同功率下，體積可以縮小一個數(shù)量級，為推進芯片堆疊技術創(chuàng)造了極為有利的條件。

2008年，美國惠普公司推出了世界第一個三維多層憶阻器混合芯片。該芯片使用壓印光刻技術，把一個憶阻器交叉開關矩陣，疊加到一塊CMOS邏輯電路上，由此來實現(xiàn)FPGA中的配置，從而組成了一個晶體管與憶阻器的集成混合電路。

惠普實驗室研發(fā)出的應用憶阻器的FPGA，為CMOS晶圓廠研制憶阻器和晶體管的三維混合集成電路芯片指明了方向。

3.6突破摩爾定律

從全球芯片技術的發(fā)展來看，現(xiàn)在處于主流的生產(chǎn)技術達到20 nm工藝水平，雖然在2015年初臺灣臺積電公司已經(jīng)開始量產(chǎn)16 nm工藝芯片，但是等到大批量被應用到產(chǎn)品中，還需要等到2016年。據(jù)悉：美國英特爾公司和韓國三星公司已具備了14 nm工藝芯片的生產(chǎn)能力；英國ARM公司已經(jīng)開始和臺灣臺積電公司合作，計劃在2016年開始生產(chǎn)10 nm工藝新品。

但是，限于目前的光刻掃描儀是10 nm的水平，業(yè)界普遍認為，半導體技術已逼近極限，10納米也自然成為摩爾定律的極限。

然而，憶阻器的發(fā)展，大大突破了摩爾定律的限制，由于單個憶阻器的尺寸只有3納米左右，狀態(tài)轉(zhuǎn)換時間短至0.1納秒，基本與DRAM相當。而且由于憶阻器可構(gòu)成陣列和進行多層堆疊，把它作為存儲器，其容量每平方厘米可達100 GB，每立方厘米可達1000 TB。其存儲密度、功耗、讀寫時間大大優(yōu)于閃存。尤其是存儲密度竟然能與磁性存儲器相媲美。

由于憶阻器只有3納米的尺寸，不僅可以突破芯片10納米的極限，而且因為它具有完全不同于晶體管的電學特性，一個憶阻器具有10個晶體管的功率，且體積更小，故可使集成電路芯片上能夠容納的憶阻器個數(shù)及其電性能指標，全面突破約每隔一年半時間提升一倍速度的限制。

同時，由于憶阻器不但能夠用于存儲，還能作二進制布爾運算，并有希望開發(fā)出融存儲與處理于一體的新型器件，所以從理論上來講，憶阻器完全可以替代現(xiàn)在所有的數(shù)字邏輯電路。再者，由于憶阻器是無源元件，還具有節(jié)能功能。

所有這些，都充分表明，憶阻器不僅可延續(xù)摩爾定律，而且可大大突破摩爾定律。

4結(jié)語

當今世界，信息化水平日益提高，而集成電路芯片技術對一個國家的電子科技水平和社會信息化程度無疑具有決定性作用，它已成為各行各業(yè)實現(xiàn)自動化和智能化的基礎，不管是在國防軍工[6]還是在工業(yè)民用領域，其作用都是難以取代的。

然而，從1960年世界第一塊集成電路誕生至今，經(jīng)歷半個多世紀的高速推進，人們忽然發(fā)現(xiàn)，芯片技術似乎已經(jīng)走到了盡頭，難以繼續(xù)進展。正在人們?yōu)槿绾纬掷m(xù)發(fā)展無奈彷徨之際，記憶元件的問世，為人們帶來了突破芯片技術極限，引領電子科技發(fā)展，推動電子信息產(chǎn)業(yè)重崛起再輝煌的無限希望。

目前，世界各國爭相研發(fā)這類高新產(chǎn)品，我國也應緊緊抓住這一千載難逢的歷史機遇，緊密跟蹤記憶元件科技前沿，精準找好切入點，奮力搶占制高

點，為建設信息化強國、科技強國、軍事強國和經(jīng)濟強國奠定雄基，創(chuàng)造條件。

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于凌宇(1957—)，男，河南濮陽人，工學學士，三級教授，主要研究方向為電子元件與材料；

E-mail：ylycn@126.com

劉夏飛(1985—)，男，河南焦作人，理學學士，主要研究方向為光電科技。

Nano Memory Element to Promote The Electronic Science and Technology to Achieve a Major Breakthrough

YU Ling-yu1,LIU Xia-fei2

(1.Puyang College of engineering, Henan University;,Puyang Henan 457000,China;2.Puyang Municipal People's Air Defense Office,Puyang Henan 457000,China)

Abstract:In this paper, the connotation and working mechanism of nano memory element are described, research and development progress of memory element at home and abroad is discussed, this paper also makes in-depth analysis major breakthrough on electronic science and technology of memory element. It is instructive and helpful technologically for our country to keep up with the science and technology development of memory elements, to find the breakthrough points and to seize the leading position internationally.

Key words:Memory element;Memory resistor;Memory capacitor;Memory inductor; Research and development; breakthrough

作者簡介

中圖分類號：TN60

文獻標識碼：A

文章編號：1673-5692(2016)01-015-06

收稿日期：2015-11-15

修訂日期：2016-02-02

doi:10.3969/j.issn.1673-5692.2016.01.003