劉 健,毛昕蓉
(西安科技大學(xué) 通信與信息工程學(xué)院,陜西 西安710054)
瓦斯是一種無色、無味的氣體。當(dāng)空氣中的瓦斯?jié)舛冗_到5.3%~14.3%,會引起燃燒,甚至爆炸。探索在室溫環(huán)境下檢測瓦斯氣體的途徑和方法,始終是以煤礦為代表的技術(shù)領(lǐng)域重要而迫切的課題[1]。
可是,傳統(tǒng)的瓦斯檢測技術(shù),包括催化燃燒、金屬氧化和紅外火焰電離等,無法實現(xiàn)在室溫環(huán)境下的瓦斯探測[2]。近年來,納米技術(shù)成為這一領(lǐng)域的研究熱點[3]。由于瓦斯氣體分子的弱極性,與納米分子的交互能力低,相較于其它氣體,采用納米材料的瓦斯傳感器并不多見,可循的方案包括:以非電方法將以鈀型納米粒(PdNPs)沉積到1,6—己二胺多壁碳納米管(MWCNTs)所合成的納米材料沉積于氧化銦錫上,構(gòu)成一種簡易的瓦斯傳感器[4];以10 nm 的金屬鈀噴濺并附著于單壁碳納米管(SWCNTs)粉,經(jīng)混合,形成一種鈀摻雜單壁碳納米管(Pd-doped single walled carbon nanotubes,Pd-SWCNTs)瓦斯傳感器[5]和一種基于孔隙SnO2納米棒的微瓦斯傳感器[6]。
此外,由于瓦斯的易燃性,探測宜采用無接觸方式。不同的無線協(xié)議決定不同的傳感架構(gòu)。基于UHF 頻段的射頻識別(RFID)是較為成熟的無線傳感架構(gòu)[7],但其固有的窄帶特性限制了應(yīng)用范圍;超寬帶射頻識別(ultra-wideband radio frequencyidentification,UWB-RFID)則以極短脈沖取代窄帶連續(xù)波[8],具備隱秘性好、安全性高、阻塞概率低等特點,可識別金屬表面的目標,實現(xiàn)精確、高效、無縫隙的識別與探測[9]。
本文將納米技術(shù)與UWB-RFID 相結(jié)合,提出一種瓦斯傳感器,研究其在在室溫環(huán)境下遠程探測瓦斯的可能性。
UWB-RFID 傳感系統(tǒng)由閱讀器和傳感標簽組成。閱讀器天線為超寬帶天線。當(dāng)閱讀器發(fā)射的已調(diào)高斯脈沖到達傳感標簽時,被標簽的電磁界面反射,形成背向散射電磁波。若標簽的天線為超寬帶天線,則背向散射電磁波亦具有超寬帶特性。
假定背向散射電磁波中僅有結(jié)構(gòu)模,以Ys(f)表示,閱讀器發(fā)射的信號功率Pt,經(jīng)過UWB-RFID 信道,接收到的信號功率Pr與反射功率之比為
其中,et,er與發(fā)射損耗和接收損耗相關(guān)的參數(shù);R1為閱讀器到傳感標簽之間的距離;R2為傳感標簽到閱讀器之間的距離;λ 為波長;S11(f),S22(f)為閱讀器、傳感標簽天線的反射系數(shù);Dt(θt,φt),Dr(θr,φr)為閱讀器、傳感標簽天線的方向系數(shù);σ 為傳感標簽的雷達散射截面(RCS)。
若閱讀器的收發(fā)天線一致,且與傳感標簽天線極化匹配,則R1=R2=R。結(jié)構(gòu)模Ys(f)可近似表示為
其中,X(f)為已調(diào)高斯脈沖的頻譜;c 為自由空間的波速。忽略由S11(f)和S22(f)引入的相位改變,上式可近似表示為
由于傳感標簽的結(jié)構(gòu)模Ys(f)是瓦斯體積分數(shù)d(t)的函數(shù),標簽的結(jié)構(gòu)模應(yīng)表示為Ys[f,d(t)],即
其中,S22[f,d(t)]替代S22(f),表示傳感器標簽天線的反射系數(shù)隨瓦斯體積分數(shù)而變;代替,表示傳感器標簽的雷達散射截面亦隨瓦斯?jié)舛榷?,因?/p>
其中
為與瓦斯?jié)舛葻o關(guān)項;
為與瓦斯?jié)舛认嚓P(guān)項。
設(shè)t0時刻,瓦斯?jié)舛葹閐(t0),在頻點f 處,無頻帶帶隙;在t 時刻,瓦斯?jié)舛葹閐(t),在頻點f 處,發(fā)生頻帶帶隙,形成帶隙幅度調(diào)制,其識別靈敏度Samp[d(t)]可表示為
設(shè)t0時刻,瓦斯?jié)舛葹閐(t0),在頻點f0處,發(fā)生頻帶帶隙;在t 時刻,瓦斯?jié)舛葹閐(t),帶隙頻點轉(zhuǎn)移到f 處。形成帶隙頻率調(diào)制,其識別靈敏度Sfreq[d(t)]表示為
UWB-RFID 傳感標簽一般由傳感探頭和電磁界面組成。傳感探頭承載傳感機理,將探測目標轉(zhuǎn)換為電信號;電磁界面完成對閱讀信號的反射,在背向散射電磁波中形成可辨識的幅頻特性,當(dāng)傳感探頭嵌入電磁界面,該特性由電信號控制。當(dāng)?{Yd[f,d(t)]}/?[d(t)]越大,幅度調(diào)制的識別度越大;當(dāng)?{f[Yd(d(t))min]}/?[d(t)]越大,則頻率調(diào)制的識別度越大。此外,為與附著體共型,傳感標簽應(yīng)采用平面薄型結(jié)構(gòu)。
為使背向散射電磁波中僅有結(jié)構(gòu)模,傳感標簽的電磁界面主要由金屬材質(zhì)構(gòu)成。天線為雙階梯下切角平面貼片超寬帶天線[11],饋線為微帶傳輸線[12],終端為匹配負載。
在天線上,刻蝕一個U 型槽。U 型槽在背向散射電磁波的結(jié)構(gòu)模的頻譜中形成帶隙,U 型槽的長度和寬度決定帶隙頻點和帶隙深度[12]。如圖1 所示,給定的結(jié)構(gòu)尺寸(單位:mm)在3.1~10.6 GHz 通頻帶中的5 GHz 頻點形成電磁帶隙。
基于孔隙SnO2的MWCNRs 傳感器[6],極間電流幅度很小,研究表明,這一電流無法對頻帶帶隙進行有效的調(diào)制?;赑d-SWCNTs 的傳感器[5],如圖2(a)所示,Pd-SWCNTs 為IDE 電極間的負載,其SEM 如圖2(b)所示。當(dāng)瓦斯?jié)舛葟?×10-6增加到100×10-6時,IDE 兩端的電流強度從1.84 mA 增加到1.91 mA,IDE 的等效電阻從543 Ω減小到523 Ω,可有效調(diào)制頻帶帶隙的幅度和頻率。
圖1 傳感器標簽的結(jié)構(gòu)尺寸Fig 1 Dimension of the proposed sensor tag
圖2 基于Pd-SWCNTs 的傳感器及其SEM 圖Fig 2 Pd-SWCNTs-based sensor and its SEM
將Pd-SWCNTs 傳感探頭嵌入在電磁界面U 型槽的中間,如圖3 所示。IDE 的一極連接槽的上邊沿、另一極連接槽的下邊沿,IDE 電流等效為流過U 型槽的電流,導(dǎo)致帶隙深度隨電流的變化而變化,形成帶隙幅度調(diào)制。
將Pd-SWCNTs 傳感探頭嵌入在電磁界面U 型槽的縱向縫隙處,如圖4 所示。IDE 電流等效流過縱向縫隙的電流,U 型槽的電長度隨電流的變化而變化,導(dǎo)致帶隙頻點的改變,形成帶隙頻率調(diào)制。
圖3 基于帶隙幅度調(diào)制的傳感器標簽的結(jié)構(gòu)Fig 3 Structure of sensor tag based on amplitude modulation of band-gap
根據(jù)UWB-RFID 探測瓦斯原理,在分析傳感標簽的性能時,以解析法構(gòu)建傳感過程模式,給出背向散射電磁波結(jié)構(gòu)模的數(shù)學(xué)表達式;以數(shù)值法計算標簽天線的端口反射系數(shù)S22和RCS 值,給出識別靈敏度參數(shù),分析過程是解析法和數(shù)值法的結(jié)合,其中,已調(diào)高斯脈沖20 dB 頻帶帶寬為3.1~10.6 GHz,數(shù)值過程采用微波工作室CST 的時域求解器。
圖4 基于帶隙頻率調(diào)制的傳感器標簽的結(jié)構(gòu)Fig 4 Structure of sensor tag based on frequency modulation of band-gap
針對圖3 所示的傳感標簽,其端口反射系數(shù)S22如圖5所示,除5 GHz 帶隙頻點,通頻帶具有超寬帶特性(S22<-10 dB)。當(dāng)瓦斯?jié)舛葟?×10-6經(jīng)過6×10-6增長到100×10-6,帶隙頻點的S22值從-7.73 dB 經(jīng)過-9.87 dB減小到 -9.98 dB; 同 時,RCS 從 -32.59 dBsm 經(jīng) 過-31.71 dBsm增加到-31.61 dBsm,如圖6 所示。圖7 為識別靈敏度曲線,在5 GHz 帶隙頻點,當(dāng)瓦斯?jié)舛葹?×10-6,Samp= -9.13 dB; 當(dāng) 瓦 斯 濃 度 為100 ×10-6,Samp=-9.32 dB。
圖5 基于帶隙幅度調(diào)制的傳感器標簽端口的反射系數(shù)Fig 5 Reflection coefficient of sensor tag terminal based on amplitude modulation of band-gap
圖6 基于帶隙幅度調(diào)制的傳感器標簽的RCS 值Fig 6 RCS of sensor tag based on amplitude modulation of band-gap
圖7 基于帶隙幅度調(diào)制的傳感器標簽識別靈敏度Fig 7 Identifiable sensitivity of sensor tag based on amplitude modulation of band-gap
針對圖4 所示的傳感標簽,其端口的反射系數(shù)S22如圖8所示。當(dāng)瓦斯?jié)舛葹?×10-6,6×10-6,100×10-6時,對應(yīng)的帶隙頻點為5,5.25,5.25 GHz;圖9 為RCS 值。根據(jù)上述數(shù)值結(jié)果,解析分析得Yd[f,d(t)]隨頻率的變化曲線,如圖10 所示。當(dāng)瓦斯?jié)舛葹?×10-6,6×10-6,100×10-6時,對應(yīng)Yd(d(t))min的頻點為6.25,6.75,6.75 GHz??梢?,對應(yīng)瓦斯?jié)舛葹?00×10-6,Sfreq=-11.3 dB。
圖8 基于帶隙頻率調(diào)制的傳感器標簽端口的反射系數(shù)Fig 8 Reflection coefficient of sensor tag terminal based on frequency modulation of band-gap
圖9 基于帶隙頻率調(diào)制的傳感器標簽的RCS 值Fig 9 RCS value of sensor tag based on frequency modulation of band-gap
圖10 基于帶隙頻率調(diào)制的傳感器標簽的Yd[f,d(t)]參數(shù)Fig 10 Yd[f,d(t)]parameters of sensor tag based on frequency modulation of band-gap
本文提出的基于UWB-RFID 的瓦斯傳感標簽,將以Pd-SWCNTs 為負載的IDE 傳感探頭,嵌入在電磁界面上,以IDE 電流調(diào)制背向散射電磁波的結(jié)構(gòu)模,形成帶隙幅度調(diào)制和帶隙頻率調(diào)制兩種識別模式。研究表明:在室溫環(huán)境下,對應(yīng)濃度為100×10-6的瓦斯,帶隙幅度調(diào)制的識別靈敏度為-9.32 dB;而帶隙頻率調(diào)制的識別靈敏度為-11.3 dB??梢姡琔WB-RFID 傳感標簽在背向散射電磁波的結(jié)構(gòu)模中形成可控的幅頻特性;而借助于納米傳感技術(shù),這些特性可被充分用于傳遞所檢測到的目標信息。
[1] Kohl D.Function and application of gas sensors[J].J Phys D:Appl Phys,2001,34:125-149.
[2] Iijima S.Helical microtubules of graphitic carbon[J].Nature,1991,354:56-58.
[3] Robert B.Nanomaterials for gas sensing: A review of recent research[J].Sensor Review,2014,1/34:1-8.
[4] Li Zhongping,Li Junfen,Wu Xu,et al.Methane sensor based on nanocomposite of palladium/multi-walled carbon nanotubes grafted with 1,6-hexanediamine[J].Sensors and Actuators B,2009,139:453-459.
[5] Lu Y,Li J,Han J,et al.Room temperature methane detection using palladium loaded single-walled carbon nanotube sensors[J].Chem Phys Lett,2004,391:344-348.
[6] Biaggi-Labiosa A,Sola F,Lebron-Colon M,et al.A novel methane sensor based on porous SnO2nanorods:Room temperature to high temperature detection[J].Nanotechnol,2012,23:455-501.
[7] Liu J,Li Guomin.A remote sensor for detecting methane based on palladium-decorated single walled carbon nanotubes[J].Sensors,2013,13:8814-8826.
[8] Faranak Nekoogar,F(xiàn)arid Dowla.Ultra-wideband radio frequency identification systems[M].[S.l.]:Springer,2011:51-64.
[9] Chen Z,Wu X,Li H,et al.Considerations for source pulses and antennas in UWB radio systems[J].IEEE Trans on Antennas Propag,2004,52(7):1739-1748.
[10]Balanis C A.Antenna theory analysis and design[M].3rd ed.Hoboken,NJ:Wiley,2005.
[11]Grzegorz Adamiuk,Thomas Zwick,Werner Wiesbeck.UWB antennas for communication systems[J].Proceeding of the IEEE,2012,100(7):2308-2312.
[12]Pozar David M.Microwave engineering[M].4th ed.Hoboken,NJ:Wiley,2012.