林培豪,王振中,潘順康,劉 燁
(桂林電子科技大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院,桂林 541004)
隨雷達(dá)技術(shù)的迅速發(fā)展,對隱身技術(shù)要求越來越高,而微波吸收材料是隱身技術(shù)中前沿課題之一,其作用是最大限度地減少或消除雷達(dá)電磁波對目標(biāo)物體的探測特性[1]。另外,大量的電子設(shè)備進(jìn)入日常生活,惡化的電磁環(huán)境不僅會干擾電子儀器、設(shè)備的正常工作,而且會影響人類的健康。采用傳統(tǒng)的電磁屏蔽已不足以消除電磁波的危害作用,而用微波吸收材料吸收電磁波是一種有效防護(hù)措施[2?4]。由此可見,開展微波吸收材料研究無論是在軍事還是民用方面都有著深遠(yuǎn)的意義。如何在特定頻段范圍得到質(zhì)量輕,厚度薄、耐腐蝕性好和吸收能力強(qiáng)的材料,對于微波吸收材料應(yīng)用有著重要的意義[1?6]。
MnAl合金具有密度小、耐腐蝕性好等特點(diǎn)[7]。至今MnAl合金主要用于制備永磁材料,但由于用MnAl合金制作永磁材料時(shí)加工困難,加工成本昂貴, 難以在工業(yè)中推廣[8?10]。金屬錳一般是反鐵磁性的,它與非鐵磁性Al原子組成金屬間化合物后,由于Mn-Mn原子距離增大產(chǎn)生鐵磁性耦合而使MnAl成為鐵磁性化合物[11?12]。從理論上講,在MnAl合金中隨Al含量增加,Mn-Mn原子間的距離加大,合金的電磁性能會隨之而變化,合金密度降低,耐腐蝕性提高。只要選擇合適的Al含量和制備工藝,可望得到吸波效率高、材料密度小和耐腐蝕性好的MnAl吸波材料[13]。
本研究選用密度較小的Al8Mn5合金成分,采用真空懸浮熔煉和高能球磨工藝將合金制備成細(xì)粉,研究不同回火溫度對Al8Mn5粉體微波吸收特性的影響。
將純度均≥99.50%的Mn、Al金屬塊,按Al8Mn5分子式的化學(xué)計(jì)量比配料。采用真空懸浮熔煉爐熔煉合金。將熔煉好的合金鑄錠在氬氣保護(hù)下進(jìn)行1 000 ℃×24 h均勻化處理,然后破碎成粒度小于40 μm的粗粉,用乙醇作保護(hù)劑,按氧化鋯球與粗粉質(zhì)量比15:1,轉(zhuǎn)速300 r/min的實(shí)驗(yàn)條件,用QM-lSP行星式球磨機(jī)對合金粗粉球磨24 h,然后分別在200、400和600 ℃溫度下進(jìn)行回火處理。用D8 ADVANCE型X射線衍射儀進(jìn)行相結(jié)構(gòu)分析,將處理好的Al8Mn5粉體與石臘按30:70(體積比)的比例混合,制成外徑和內(nèi)徑分別為7 mm和3 mm、厚度為3.5 mm 左右的同軸樣品,采用HP8722ES微波矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀分別測量樣品在2-18GHz頻段的復(fù)數(shù)介電常數(shù)和復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率,每隔0.08 GHz測量一次數(shù)據(jù)。
圖1為不同回火溫度Al8Mn5粉體的XRD譜圖,從圖中可見,未經(jīng)回火處理、經(jīng)200 ℃和400 ℃回火處理的粉體均主要由Al8Mn5單相組成,600 ℃回火處理的粉體主要由Al8Mn5、Al2Mn3和Mn2O3相組成。根據(jù)Scherrer公式[14]計(jì)算未回火處理的粉體晶粒尺寸約24.3 nm,200 ℃回火處理后粉體晶粒尺寸約29.0 nm,400 ℃回火處理粉體晶粒尺寸約45.1 nm,600 ℃回火處理后粉體Al8Mn5相晶粒尺寸約73.5 nm。粉體Al8Mn5相的晶粒尺寸隨回火溫度的升高而增大。
圖1 不同回火溫度Al8Mn5粉體的XRD譜圖Fig.1 XRD patterns of Al8Mn5 powders with different tempering temperatures
圖2所示為不同回火溫度下Al8Mn5樣品在2~18 GHz頻段內(nèi)的電磁參數(shù)。從圖中可知,隨回火溫度升高,粉體的復(fù)數(shù)介電常數(shù)虛部ε″共振頻率向高頻移動,這可能主要是因?yàn)殡S回火溫度升高,粉體晶粒尺寸增大,晶內(nèi)點(diǎn)缺陷和位錯(cuò)、晶界等晶體缺陷減少,使粉體的電導(dǎo)率σ得到增大,由于粉體的ε″共振頻率隨粉體電導(dǎo)率σ的增大而升高[15],所以隨回火溫度升高,粉體的ε″共振頻率向高頻方向移動。600 ℃回火的粉體由于有Al2Mn3和Mn2O3相生成,降低了粉體的電導(dǎo)率σ,使共振頻率ε″向高頻方向移動的幅度減小。粉體的ε″共振峰值隨回火溫度升高先升高后降低,400 ℃回火粉體具有最大ε″值,約為10.88。粉體的復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率虛部μ″的共振頻率隨回火溫度的升高向高頻方向移動。因?yàn)殡S回火溫度升高,粉體晶粒尺寸增大,晶內(nèi)點(diǎn)缺陷和位錯(cuò)、晶界等晶體缺陷減少,晶體內(nèi)原子之間的距離隨之減小,而鄰近原子之間的距離減小會使原子間的電子云重迭增多,電子間交互作用增強(qiáng),使電子間的交換積分常數(shù)A增大。從圖2的(c)、(d)磁譜線的形狀特征可以看出,此磁譜線為疇壁共振的共振型曲線,由于疇壁運(yùn)動引起的共振型疇壁共振頻率與A成正比關(guān)系,使粉體μ″的共振頻率隨回火溫度的升高向高頻方向移動[15]。400 ℃回火粉體具有最大的μ″值,約為0.88。
圖3所示為不同回火溫度Al8Mn5樣品的損耗因子tgδ(tgδ=tgδE+tgδM,tgδE為介電損耗角正切、tgδM為磁損耗角正切)。從圖中可見,粉體tgδ的峰值頻率隨回火溫度的變化規(guī)律與其ε″和μ″的共振頻率隨回火溫度的變化規(guī)律基本相同,隨回火溫度升高峰值頻率向高頻移動。400 ℃回火粉體具有最大tgδ值,約為2.73。從以上對不同回火溫度粉體的電磁參數(shù)和損耗因子的分析可知,400 ℃回火粉體的ε″、μ″和tgδ值最大,其粉體內(nèi)對電磁波損耗最大。
圖2 不同回火溫度下Al8Mn5樣品的電磁參數(shù)Fig.2 Electromagnetic parameters of Al8Mn5 sample with different tempering temperatures
圖3 不同回火溫度下Al8Mn5樣品的損耗因子Fig.3 Loss factors of Al8Mn5 sample under different tempering temperatures
根據(jù)等效傳輸線理論推導(dǎo)出單層吸波材料(含金屬襯底)反射率R的計(jì)算公式為[16]:
式中:εr、μr和d分別為吸波材料的相對介電常數(shù)、相對磁導(dǎo)率和厚度參數(shù)的單位;f為電磁波的頻率;c為電磁波在自由空間的傳播速度(即光速)3×108m/s;j為虛數(shù)單位。通過圖2中的電磁參數(shù)可以得到μr和εr值,利用式(1)分別計(jì)算出涂層厚度d為2.0 mm時(shí)不同回火溫度Al8Mn5樣品在6~18 GHz頻段內(nèi)的反射率,結(jié)果如圖4所示。從圖中可以看出,未回火粉體開始出現(xiàn)吸收峰的頻率約為 8.8 GHz,在約10.4 GHz頻率處有最大吸收峰,其反射率最小值約為?15 dB(吸收率為96.84%),在8.8~10.7 GHz頻段內(nèi)有2個(gè)吸收率大于90%的吸收峰;200 ℃回火粉體開始出現(xiàn)吸收峰的頻率約為9.6 GHz,并在9.6 GHz頻率處有最大吸收峰,其反射率最小值約為?28.3 dB(吸收率為99.85%),在9.2~10.8 GHz頻段內(nèi)有2個(gè)吸收率大于90%的吸收峰;400 ℃回火粉體開始出現(xiàn)吸收峰的頻率約為10.6 GHz,并在10.6 GHz頻率處有最大吸收峰,其反射率最小值約為?37 dB(吸收率為99.98%),在9.8~11.4 GHz頻段內(nèi)有2個(gè)吸收率大于90%的吸收峰;600 ℃回火粉體開始出現(xiàn)吸收峰的頻率約為11.0 GHz,在11.9 GHz頻率處有最大吸收峰,其反射率最小值約為?18 dB(吸收率為98.42%),在10.9~12.6 GHz頻段內(nèi)有2個(gè)吸收率大于90%的吸收峰。由此可見,隨回火溫度升高,粉體開始出現(xiàn)吸收峰的頻率向高頻移動,吸收率為90%的頻寬變化不大。400 ℃回火粉體對電磁波的吸收率最大。
圖4 不同回火溫度Al8Mn5樣品的反射率Fig.4 Reflectivities of Al8Mn5 sample with different tempering temperatures
1) 球磨24 h后的Al8Mn5粉體經(jīng)200 ℃和400 ℃回火處理后由Al8Mn5單相組成,600 ℃回火處理后Al8Mn5粉體由Al8Mn5、Al2Mn3和Mn2O3相組成。粉體Al8Mn5相的晶粒尺寸隨回火溫度的升高而增大。
2) Al8Mn5粉體的電磁參數(shù)虛部ε″和μ″的共振頻率、損耗因子tgδ的峰值頻率和粉體開始出現(xiàn)吸收峰的頻率均隨回火溫度的升高向高頻方向移動。經(jīng)400 ℃回火處理的粉體對電磁波的電磁損耗最大。
3) 吸波材料涂層厚度為2.0 mm時(shí),400 ℃回火粉體在10.6 GHz頻率處具有最大吸收峰,其反射率最小值達(dá)到約?37 dB(對電磁波的吸收率為99.98%)。
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粉末冶金材料科學(xué)與工程2015年5期