李萍

【摘要】目的：通過4種不同的預備根管方法去除玷污層，比較和評價3種方法對根管治療后牙齒冠滲漏的影響。方法：選取在我院新鮮拔除的50顆單根管離體牙，隨機分為5組，每組10顆牙，采用不同的根管預備方法對玷污層進行清除。其中A組為對照組，對玷污層不做任何處理；B組采用次氯酸鈉（NaCLO）+乙二胺四乙酸（EDTA）凝膠沖洗；C組采用超聲波進行蕩洗；D組采用脈沖Nd：YAG激光照射后用生理鹽水進行沖洗；E組采用NaCLO+EDTA+ 超聲 + 激光對玷污層進行處理；每組選取2顆牙，在掃描電鏡下觀察比較冠部玷污層的去除情況和牙本質(zhì)小管的開放程度，剩余的8顆牙使用Obtura II 高溫熱注牙膠進行根管充填，進行根管微滲漏檢測。結(jié)果：對照組A組顯示出整個根管內(nèi)壁存在玷污層及大量碎屑，牙本質(zhì)小管被堵塞；B組經(jīng)次氯酸鈉+乙二胺四乙酸和C組采用超聲波蕩洗等處理后根管內(nèi)壁清潔，無玷污層且牙本質(zhì)小管口開放；D組采用脈沖Nd：YAG激光處理，其玷污層熔融消失，牙本質(zhì)小管封閉或半封閉；E組采用超聲+NaCLO+EDTA 凝膠+激光組處理，玷污層熔融，根管內(nèi)壁光滑，牙本質(zhì)小管封閉，效果明顯優(yōu)于其他各組。結(jié)論：將不同方法聯(lián)合使用去除玷污層的效果優(yōu)于采用單一方法，可以減少根管治療后牙齒的冠滲漏。

【關(guān)鍵詞】 根管治療；冠滲漏；玷污層；Nd：YAG激光

【中圖分類號】R715 【文獻標識碼】B【文章編號】1004-4949(2014)07-0455-02

微滲漏主要包括冠方滲漏和根尖滲漏，兩者都是導致根管治療失敗及影響愈后的主要原因［1］。臨床上約有60%的失敗病例是由于根管充填不嚴密導致微滲漏所致［2］。目前臨床上有多種根管預備方法和根管封閉劑，但是其封閉效果大有不同［3］。在根管治療中，根管充填材料和根管壁的密閉性受多種因素的影響，根管的清潔程度是其影響因素之一，而是否存在玷污層就直接反應了根管清潔的效果［4］。目前國內(nèi)外對玷污層的去除方法主要包括化學法、超聲法及激光法，其效果報道不一。本項研究主要通過比較各種單一方法和聯(lián)合方法對玷污層的去除能力、根管壁的清潔程度及牙本質(zhì)小管的開放程度，為臨床應用提供依據(jù)。

1 資料與方法

1.1 實驗牙的準備

選取50顆因正畸治療需要拔除的單根管牙作為研究對象（要求牙根完整無吸收、根尖孔發(fā)育完成且為單根管）。將拔除后的單根管離體牙存放于生理鹽水中，儲存在4℃冰箱。研究時自釉牙骨質(zhì)界處橫向截去牙冠，拔髓。將所有牙齒隨機分為5組，每組10顆牙。

1.2 材料與儀器

1.2.1 主要試劑：質(zhì)量分數(shù)為5.25%的次氯酸鈉溶液；乙二胺四乙酸（EDTA）凝膠（ Meta，韓國）; 2%亞甲基藍溶液（天津市化學試劑廠）; 水楊酸甲酯（天津市化學試劑廠）; 10%硝酸、80%乙醇、90%乙醇、無水乙醇。

1.2.2 主要儀器：Obtura II高溫熱注牙膠 (日本)；DL-200型脈沖式 Nd： YAG激光治療儀（北京，激光波長 1.06um，功率0.25～l0 w，頻率5～30HZ，光纖末端直徑0.6mm）；PROTAPER手用鎳鈦擴大針（ DENSPLY公司）；掃描電鏡(JSM6360LV型，日本)；電熱恒溫箱（J2714型，福建）；根管顯微鏡（MOLLER，德國）；體視顯微鏡（上海）。

1.3 研究方法

1.3.1 根管制備：對照組：根管預備采用PROTAPER手用鎳鈦擴大針。依次從

SX-S1-F1-F2-F3 逐級進行擴大根管，每級擴大針制備結(jié)束后均需用生理鹽水沖洗。B組（NaCLO+EDTA 凝膠組）其根管制備方法同對照組，在制備過程中將 EDTA

凝膠均勻涂抹于根管壁上，每級擴大針制備結(jié)束后均需用5.25%NaCLO 沖洗1分鐘；C組（超聲組）其根管制備方法同對照組，每級擴大針制備結(jié)束后用超聲波治療儀在最大工作功率下用蒸餾水沖洗3min;D組（激光組）其根管制備方法同對照組，根管制備完畢后采用 DL-200型脈沖式 Nd：YAG激光治療儀，具體操作過程如下：將光纖插入根管內(nèi)部距離根尖 2mm處，調(diào)整彎頭約35度，使其輕觸根冠壁，腳動觸發(fā)激發(fā)光，每次照射5s,間隔5s。兩側(cè)均需照射，每根管照射4次，結(jié)束后用生理鹽水沖洗。E組（聯(lián)合組）其根管制備方法同對照組，首先將EDTA凝膠均勻地涂抹于根管壁上 , 每級擴大針制備結(jié)束后在超聲中用5.25% NaCLO沖洗1分鐘 ,最后再用激光照射 , 每次照射5s，間隔5s, 每根管4次，處理結(jié)束后用生理鹽水沖洗。

1.3.2 SEM觀察：從每組中任意選取2顆牙，在不貫通髓腔的前提下用砂片將實驗牙牙頰舌側(cè)磨出一淺溝，劈為兩半，再用蒸餾水反復沖洗干凈，在2.5%的戊二醛中保存于4℃冰箱中保存?zhèn)溆谩３Ｒ?guī)梯度脫水后噴金，照像記錄。

1.4 根管充填：每組剩余的8顆牙經(jīng)過徹底干燥后使用ObturaII熱注牙膠充填。

1.5 冷熱循環(huán)和染色：標本需冷熱循環(huán)100次，溫度為4℃和60℃。循環(huán)結(jié)束后自然晾干，用指甲油涂布洞緣2 mm以外的整個牙體表面，根尖孔由蠟封閉。根尖向上置于2%亞甲基藍溶液中進行染色。染色完畢后在37℃恒溫箱中放置7天后取出，蒸餾水沖洗20min并晾干。

1.6 透明牙標本的制備：去除蠟和指甲油后將實驗牙放入10%硝酸溶液中，每天更換硝酸，待牙本質(zhì)能夠被大頭針刺入，將實驗牙取出用蒸餾水沖洗，晾干后用80%酒精、90%酒精和無水乙醇梯度脫水12、1和1h, 最后置于水楊酸甲酯中等待標本透明。

1.7 測量滲漏深度：采用體視顯微鏡觀察滲漏長度，每個牙測量 3 次,取平均值。

1.8 統(tǒng)計學處理：對結(jié)果采用SPSS13.0軟件處理，得出結(jié)論。

2 結(jié)果

2.1根管壁冠1/3的形態(tài)學觀察: 對照組A組顯示出整個根管內(nèi)壁存在玷污層及大量碎屑，牙本質(zhì)小管被堵塞；B組和C組冠1/3根管壁清潔，無玷污層且牙本質(zhì)小管口開放; D組冠1/3根管壁較為清潔, 其玷污層熔融消失,無玷污層且牙本質(zhì)小管口開放; E組冠1/3根管壁光滑, 玷污層熔融，牙本質(zhì)小管封閉。

2.2滲漏深度的測量結(jié)果：A組對照組滲漏最深，為（2.23±0.17）mm,B、C、D、E組滲漏深度均小于A組,分別為（1.72±0.22）、（1.83±0.19）、（1.93±0.24）和（1.60±0.13）mm,B、C、D組與A組相比，差異具有統(tǒng)計學意義（P<0.05）;E組與A組相比，具有極顯著差異（P<0.01）。

A組 B組 C組 D組 E組滲漏深度 2.23±0.17 1.72±0.22 1.83±0.19 1.93±0.24 1.60±0.13P 0.033 0.028 0.035 0.0093 討論

玷污層主要在根管預備過程中產(chǎn)生，具有較強的粘附性，主要由微細的無機鈣化顆粒與一些有機質(zhì)組成［5］。微滲漏能夠反映根管充填嚴密與否，根管壁玷污層的存在會導致微滲漏增加,從而影響根管治療的療效［6］。目前去除玷污層的方法有化學法、超聲法、激光法。其中最常用的為化學法。

本項研究通過對各種單一方法和聯(lián)合方法對玷污層的去除能力、根管壁的清潔程度及牙本質(zhì)小管的開放程度進行比較后發(fā)現(xiàn)，聯(lián)合方法的效果明顯優(yōu)于單一方法，因此，在臨床上值得應用推廣應用。

參考文獻

［1］李莉，劉榮森.根管治療牙冠方滲漏的研究現(xiàn)狀［J］.中華老年口腔醫(yī)學雜志,2008,6（1）：54-56.

［2］王嘉德，高學軍.牙體牙髓病學［M］ 北京:北京大學醫(yī)學出版社,2006:418.

［3］衛(wèi) 彥，嚴 紅，馬 琦.4種根管封閉劑的根尖封閉研究［J］.北京大學學報(醫(yī)學版)，2008,40（1）：71-74.

［4］高燕，楊金玲，呂陶紅等.暫時封固對根管治療牙冠方微滲漏影響的體外研究［J］.中華口腔醫(yī)學研究雜志:電子版,2010,4(3):268-274.

［5］呂海鵬，趙守亮，李玉成等.去除玷污層對根管微滲漏影響的實驗研究［J］.牙體牙髓牙周病學雜志，2004,14（5）：269-271.

［6］徐瓊，樊明文，范兵.葡萄糖定量分析根管微滲漏模型的建立［J］. 現(xiàn)代口腔醫(yī)學雜志,2001,17(3):215-217.