許揚(yáng),王喜娜,劉力,張?zhí)梗瑥堒?,汪寶元,王?/p>
(湖北大學(xué)物理與電子科學(xué)學(xué)院,湖北 武漢430062)
近年來,由于半導(dǎo)體量子點(diǎn)具有吸收帶邊可調(diào)、化學(xué)穩(wěn)定性好及多激子效應(yīng)等優(yōu)點(diǎn),量子點(diǎn)敏化太陽能電池(QDSSC)成為該領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一[1-5].當(dāng)分別采用CdS、CdSe量子點(diǎn)敏化ZnO電極后,QDSSC的轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)分別達(dá)到3.53%和4.74%[6-7],在染料敏化太陽能電池(DSCC)中,Pt對電極對于含碘電解液(I-/I3-)具有低的阻抗和較高的電催化性能,優(yōu)于其他材料制備的對電極,而對于量子點(diǎn)敏化太陽能電池,量子點(diǎn)與I-/I3-氧化還原對相接觸導(dǎo)致QDs的光降解,因此常使用多硫電解液(S2-/Sx2-),使用多硫電解液時(shí),金屬的硫化物作對電極材料的電催化活性相對較高,例如Cu2S、CoS等.由Au、C和Pt制備的對電極的催化活性最低,Pt對電極會(huì)使量子點(diǎn)的電子壽命變短,主要由于硫化合物能強(qiáng)有力的吸附在Pt對電極的表面,降低電極的表面活性和導(dǎo)電性,造成Pt中毒,進(jìn)而影響電池的性能.另一方面,Pt對電極的電催化活性較低,即在Pt對電極一側(cè)載流子向氧化后的氧化還原電對的轉(zhuǎn)移效率較低,這也是制約電池性能的一個(gè)關(guān)鍵問題[8-9].為了提高對電極在多硫電解液中的電催化活性和化學(xué)穩(wěn)定性,近年來,人們逐漸采用硫系金屬化合物如PbS、Cu2S及CoS等替代Pt對電極材料,并取得了一定的效果[10].目前制備PbS、Cu2S及CoS對電極的常用方法是將Pb、Cu或Co片靜置于硫化物溶液的方法制得,此方法步驟繁瑣,前驅(qū)物有一定的毒性,且其機(jī)械性能較差,非常不利于電池的性能改善.本文中利用電化學(xué)沉積法制備PbS薄膜,此法相對于傳統(tǒng)方法而言更安全便捷,制得的PbS薄膜結(jié)晶性能和機(jī)械性能都有較大提升,將其用做QDSSC的對電極后,發(fā)現(xiàn)電池的光電化學(xué)性能有了明顯的提高.
1.1 實(shí)驗(yàn)藥品與儀器 HJ-3控溫磁力攪拌器,金壇市醫(yī)療儀器廠;BS-200S型電子分析天平,北京賽多利斯天平有限公司;KQ-250DE型臺(tái)式超聲波清洗器,昆山超聲儀器有限公司;CHI660D電化學(xué)工作站,上海辰華儀器有限公司;德國Bruker D8 ADVANCE XRD;日本電子(JEOL)SEM掃描電鏡電子顯微鏡JSM-6010LA;硫代硫酸鈉分析純,上海試一化學(xué)試劑有限公司;乙酸鉛分析純,國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司;NTA分析純,International Laboratory USA;去離子水.
1.2 PbS納米晶薄膜的制備 在蒸餾水、丙酮及乙醇溶液中,依次超聲清洗10 min,將FTO導(dǎo)電玻璃洗凈.配置0.025 mol硫代硫酸鈉溶于30 mL去離子水中,在30℃水浴條件下攪拌至全部溶解,然后邊攪拌邊加入0.05 mol的NTA與0.025 mol乙酸鉛,待藥品全部溶解,溶液變澄清后停止攪拌.電化學(xué)沉積在CHI660D型電化學(xué)工作站上采用三電極法完成,分別將洗凈的FTO玻璃和Pt片插入工作電極(FTO,陰極)和對電極(Pt片,陽極).在電化學(xué)工作站下,選擇單電位階躍,躍遷電位-1.5 V,沉積電量0.5 C.
電沉積結(jié)束后,將沉積有PbS晶體的FTO玻璃取出,立即用去離子水沖洗,并吹干,然后在300℃、Ar氣氛圍下對樣品進(jìn)行1 h的退火處理.為了對比,制備Pt薄膜電極,使用磁控濺射儀在Ar氣氣氛下將純度為99.99%的Pt靶材濺射FTO玻璃5 min,得到Pt薄膜電極.
1.3 電池電解液的制備 多硫電解液的制備:將1 mol硫化鈉溶于體積比為3∶7的甲醇和去離子水20 m L的混合溶液中,再加入0.1 mol硫單質(zhì)和0.1 mol氯化鉀,在50℃的條件下均勻攪拌4 h,直至溶液為澄清的黃色溶液.多碘電解液的制備:配置0.03 mol碘單質(zhì)、0.1 mol GSCN、0.6 mol BMii及0.5 mol TBP溶于20 m L體積比為17∶3的乙腈和戊腈溶液中,攪拌24 h.
1.4 實(shí)驗(yàn)機(jī)理 本實(shí)驗(yàn)中采用電化學(xué)沉積的方式制備PbS納米晶薄膜,其反應(yīng)方程式如下:
2.1 PbS對電極的表面形貌 為研究PbS電極的形貌,對未退火和退火的樣品分別進(jìn)行掃描電子顯微鏡(SEM)測試,結(jié)果如圖1所示.從圖1可以看出,在0.5 C電量沉積下,未退火樣品由粒徑大小不一的納米顆粒堆積而成,由標(biāo)尺可以看到這些顆粒的粒徑在幾十納米到幾百納米之間,表面顆粒較為稀疏,形成了較為疏松的薄膜結(jié)構(gòu).退火后樣品的表面顆粒變得致密,這種致密的顆粒結(jié)構(gòu)形貌既有效增加了PbS的比表面積,又有利于電解液滲入到電極內(nèi)部,以提高其電催化活性.
圖1 PbS的未退火樣品(a)、已退火樣品(b)的表面形貌SEM圖
2.2 PbS對電極的XRD分析 為研究樣品的結(jié)晶性能,對樣品進(jìn)行X線衍射(XRD)表征,結(jié)果如圖2所示.與PDF卡片對照,除了FTO的衍射峰外,在31.44°和36.36°處還出現(xiàn)了2個(gè)較強(qiáng)的衍射峰,分別與立方相PbS晶體的(420)和(511)晶面相對應(yīng),說明所制備的薄膜為立方相結(jié)構(gòu),且為多晶.利用德拜-謝樂公式(D=0.89λ/Bcosθ)[11](其中,λ為 X線波長(0.154 nm),B為半高峰寬度(FWHM)),根據(jù)半高峰寬度值估算出PbS晶粒的平均尺寸為34 nm.
2.3 光電性能測試 為研究PbS對電極對QDSSC的光電性能的影響,采用CdSe量子點(diǎn)敏化TiO2納米晶薄膜
圖2 PbS納米薄膜的XRD圖譜
為光陽極
[12]
,將 上 述 方 法制備的PbS和Pt納米晶薄膜作為電極,S
2-
/S
n-
,0.03 mol/L I
-
/I
3-
為 電解液,組裝了電化學(xué)電池,在 AM1.5G、100 m W/cm
2
模擬日光照射下,測試其光電性能.所測的I-V曲線如圖3所示,電池性能參數(shù)如表1所示.從這些結(jié)果可以看出,對于Pt薄膜對電極,采用多硫離子為電解液時(shí),其光電流明顯低于采用多碘電解液時(shí)的光電流,二者的開路電壓相差不大,進(jìn)一步證實(shí)多硫離子對Pt電極的強(qiáng)吸附,不利于載流子向氧化后的多硫電對的輸運(yùn),進(jìn)而造成光電流下降.當(dāng)采用PbS納米晶薄膜作為對電極時(shí),雖然開路電壓和填充因子有一定程度的降低,但短路電流從0.26 m A/cm
2
提高到1.58 m A/cm
2
,電池的光電轉(zhuǎn)換效率由原來Pt電極的0.045%增大到0.098%,光電轉(zhuǎn)換效率是Pt電極的2倍.實(shí)驗(yàn)結(jié)果充分說明在使用多硫電解液的情況下,PbS作為對電極與TiO
2
/CdSe量子點(diǎn)敏化納晶薄膜組裝的太陽能電池,其效率高于Pt對電極.
圖3 不同對電極與TiO2/CdSe量子點(diǎn)敏化納晶薄膜的太陽能電池的I-V表征
表1 對電極和電解液對QDSSC性能的影響
這一結(jié)果說明PbS納米晶薄膜對電極對多硫電解液具有很好的電催化活性,能顯著提高電子在對電極和電解液界面的轉(zhuǎn)移速率,減少了電池內(nèi)部電阻、光速生電子復(fù)合率和電解液在電極間的濃度梯度.對于多碘氧化還原電解液具有良好催化性能的Pt對電極,由于它和電解液的界面電子轉(zhuǎn)移阻抗較低,被廣泛應(yīng)用于含碘電解液的染料敏化太陽能電池中.但是對于多硫電解液,Pt的催化活性不好,對電解液的再生產(chǎn)生了較大的超電勢,降低電池的光電轉(zhuǎn)化效率[13].因此,PbS對電極取代Pt對電極能提高QDSSCs的光電轉(zhuǎn)換效率.
用電化學(xué)沉積法在FTO上制備PbS納米顆粒,獲得PbS對電極,并將此電極應(yīng)用在TiO2/CdSe量子點(diǎn)敏化太陽能電池中.對PbS對電極和Pt對電極組裝的TiO2/CdSe量子點(diǎn)敏化薄膜電池的光電性能進(jìn)行測試,結(jié)果表明,PbS對電極能顯著提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率.
對于TiO2/CdSe量子點(diǎn)敏化薄膜太陽能電池,當(dāng)使用多硫電解液時(shí),PbS對電極對其有較高的催化活性,與Pt對電極相比,太陽能電池的光電性能得到了較大的提高.同時(shí)它的高催化性、高導(dǎo)電性和低成本等特點(diǎn)有望成為新一代量子點(diǎn)敏化太陽能電池的理想對電極.
[1]Oregan B,Gra¨tzel M A.Low-cost,high-efficiency solar-cell based on dye-sensitized colloidal TiO2films[J].Nature,1991,353:737-740.
[2]Alivisatos A P.Semiconductor clusters,nanocrystals,and quantum dots[J].Science,1996,271:933-937.
[3]Robel I,Kuno M,Kamat P V.Size-dependent electron injection from excited CdSe quantum dots into TiO2nanoparticles[J].J Am Chem Soc,2007,129:4136-4137.
[4]Lo′pez-Luke T,Wolcott A,Xu L P,et al.Nitrogen-doped and CdSe quantum-dot-sensitized nanocrystalline TiO2films for solar energy conversion applications[J].J Phys Chem C,2008,112:1282-1292.
[5]Beard M C.Multiple exciton generation in semiconductor quantum dots[J].J Phys Chem Lett,2011,2:1282-1288.
[6]Tak Y,Hong S J,Lee J S,et al.Fabrication of ZnO/CdS core/shell nanowire arrays for efficient solar energy conversion[J].J Mater Chem,2009,19:5945e51.
[7]Xu J,Yang X,Wang H,et al.Arrays of ZnO/ZnxCd1-xSe nanocables:band gap engineering and photovoltaic applications[J].Nano Lett,2011,11:4138e43.
[8]Chakrapani V,Baker D,Kamat P V.Understanding the role of the sulfide redox couple(S2-/Sn2-)in quantum dot sensitized solar cells[J].J Am Chem Soc,2011,133:9607-9615.
[9]Loucka T.Adsorption and oxidation of organic compounds on a platinum-electrode partly covered by adsorbed sulfur[J].J Electroanal Chem,1972,36:355-367.
[10]Hodes G,Manassen J,Cahen D.Electrocatalytic electrodes for the polysulfide redox system[J].J Electrochem Soc,1980,127:544-549.
[11]Wang X N,Liu R,Wang T,et al.Duel roles of ZnS thin layers in significant photocurrent enhancement of ZnO/Cd Te nanocable array photoanode[J].ACS Applied M Interfaces,2013(5):3312-3316.
[12]Wang B,Zhang J,Hu Y,et al.Role of Co2Incorporation in significant photocurrent enhancement of electrochemical deposited CdSe quantum dots sensitized TiO2nanorod arrays solar cells[J].Int J Electrochem Sci,2013(8):7175-7186.
[13]Radich J G,Dwyer R,Kamat P V.Cu2S reduced graphene oxide composite for high-efficiency quantum dot solar cells[J].The Journal of Physical Chemistry Letters,2011(2):2453-2460.