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衰變子體對錒系核素固化體結(jié)構(gòu)和性能的影響

2014-05-25 02:51王烈林
西南科技大學(xué)學(xué)報 2014年1期
關(guān)鍵詞:長壽命晶胞核素

王烈林,謝 華

(西南科技大學(xué)核廢物與環(huán)境安全國防重點學(xué)科實驗室 四川綿陽 621010)

在核工業(yè)生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的各類放射性廢物中,高放廢物的體積僅占各類廢物總體積的3%,而高放廢物的放射性活度卻占各類總廢物活度的95%。放射性強、半衰期長、生物毒性大和釋熱率高的錒系核素(U,Np,Pu,Am,Cm)是高放廢物的主要成分[1]。部分錒系核素本身不穩(wěn)定,其衰變特點為:

錒系核素衰變釋放出高能α粒子(~5 MeV),同時生成新的次錒系核素。一方面,衰變的α粒子能量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于物質(zhì)的化學(xué)鍵合能(~keV),α粒子內(nèi)輻照將導(dǎo)致固化介質(zhì)材料的結(jié)構(gòu)發(fā)生改變;另一方面,新生成的子體將代替原來的錒系核素,新核素將導(dǎo)致固化體的化學(xué)物理穩(wěn)定性變化。因此,α廢物與其它高水平放射性固體廢物(HLW)相比,除放射性水平、釋熱率有較大差異以外,還應(yīng)重點考慮衰變子體效應(yīng)。由于α廢物化學(xué)組成復(fù)雜,其固化處理與處置的技術(shù)復(fù)雜,難度大,費用高,α廢物中錒系核素的安全處理與處置是世界各國的研究熱點、重點和難點。然而,在錒系核素的長期處理處置研究過程中,往往只注意了錒系核素的內(nèi)輻照效應(yīng),而衰變子體的性質(zhì)沒有引起足夠重視。

1 長壽命子體錒系核素的衰變行為

在核燃料循環(huán)工程中產(chǎn)生的放射性廢物中,廢物的遠(yuǎn)期風(fēng)險主要取決于其中的少數(shù)錒系核素(Minor Actinides)[2]。對于一些子體半衰期遠(yuǎn)大于母體的錒系核素(如241Am,243Cm),子體壽命遠(yuǎn)大于母體,在長期的處理處置過程中,子體效應(yīng)更應(yīng)該重視。如錒系核素241Am,其衰變子體237Np,233U,232Th核素半衰期都在1 000 y以上,遠(yuǎn)大于241Am(432 y);243Cm的半衰期只有28.2 y,而其衰變子體239Pu,235U的半衰期達(dá)到了上萬年的時間。根據(jù)高放處置的指南要求,高放或α廢物的安全處理處置至少要達(dá)到萬年以上[3]。237Np,233U,229Th(239Pu,235U)等長壽命衰變子體將決定著241Am(243Cm)核素固化體的長期安全穩(wěn)定性。

以241Am,243Cm的衰變過程為例,圖1為兩種核素的衰變過程。從這兩種錒系核素的衰變過程可以看出,隨著衰變的進(jìn)行,原子的半徑逐漸增大。另外,由于子體和母體核素相差兩個質(zhì)子和兩個中子,兩者的化學(xué)物理性質(zhì)必然會產(chǎn)生較大的變化。

隨著衰變的進(jìn)行,其中母體和子體的含量都會發(fā)生較大的變化,根據(jù)級聯(lián)衰變理論可以計算出各個核素的份額變化[4-5]。計算中只考慮α衰變過程,忽略241Am衰變中的半衰期很短的衰變子體233Pa(27 d)。計算假設(shè)241Am,243Cm為初始核素,其對應(yīng)的最終衰變子體為229Th,235U,即其半衰期為無窮大。設(shè)初始狀態(tài)的原子數(shù)為N0,母體的原子數(shù)為N1,其余子體的原子數(shù)分別為N2,N3,N4……Ni,核素原子數(shù)與時間的關(guān)系為:

圖1 錒系核素241 Am及243 Cm衰變過程及離子半徑變化Fig.1 Actinides 241 Am,243 Cm decay process and change of ionic radius

圖2和圖3分別表示241Am,243Cm在衰變過程中母體和子體核素原子數(shù)含量隨衰變時間的變化關(guān)系。對于241Am,在500年后衰變子體在總原子數(shù)中所占的比例大于母體,而對于243Cm,在兩百年左右的時間里,母體基本上衰變殆盡。因而在其錒系核素固化體的長期(>1萬年)處置過程中,衰變子體對其原有固化體結(jié)構(gòu)的影響將遠(yuǎn)大于母體。

圖2 錒系核素241 Am及子體含量隨時間變化Fig.2 Decay daughters of 241 Am and their component changewith time

圖3 錒系核素243 Cm及子體含量隨時間變化Fig.3 Decay daughters of 243 Cm and their component changewith time

2 衰變子體對錒系核素固化體結(jié)構(gòu)的影響

對于錒系核素的固化體,固化體內(nèi)的錒系核素不斷發(fā)生α衰變,產(chǎn)生新的衰變子體。新的錒系核素與母體的化學(xué)物理行為有較大差異,必然導(dǎo)致固化體的結(jié)構(gòu)和性能變化。Keller,Ewing 等[2,6]對鋯石結(jié)構(gòu)AnSiO4的研究發(fā)現(xiàn),固化體晶胞體積與錒系核素離子半徑呈線性變化,其線性關(guān)系為:

VCell=0.0188+2.89277 ×RIonic

VCell為晶胞體積,RIonic為包容的錒系核素離子半徑。在錒系核素的α衰變過程中,子體的離子半徑將不斷增大,假設(shè)衰變過程中固化體的結(jié)構(gòu)仍然保持不變,那么晶胞體積將逐漸增大。其研究結(jié)果發(fā)現(xiàn),對于鋯石結(jié)構(gòu)的AmSiO4完全衰變到ThSiO4結(jié)構(gòu),由于An的離子半徑增大,晶胞的體積將增大近10%。對于241Am,243Cm,由于子體壽命較長,在較長時間內(nèi)子體的含量將逐漸增加,導(dǎo)致固化體體積增大。圖4為241Am,243Cm鋯石結(jié)構(gòu)AnSiO4固化體的晶胞體積隨衰變時間的變化。計算的結(jié)果可以看出,在近萬年的處置時間內(nèi),241Am,243Cm的衰變子體效應(yīng)導(dǎo)致241Am,243Cm鋯石結(jié)構(gòu)AnSiO4固化體晶胞體積增大分別達(dá)到4%和5%。在衰變子體對241Am燒綠石固體結(jié)構(gòu)影響的模擬研究中,模擬替代子體將使固化體的結(jié)構(gòu)增大近4%[7]。核素大量的輻照研究表明:部分錒系核素固化體在長時間內(nèi)輻照引起晶體氣體腫脹和結(jié)構(gòu)變化導(dǎo)致的體積變化約6%[8]。因此,在長壽命子體(如241Am,243Cm)的錒系核素固化體中,自輻照和子體效應(yīng)引起的固化體體積變化影響接近。另外,固化體的體積變化和子體核素的替代都必然導(dǎo)致固化體的元素浸出率以及固化體的穩(wěn)定性變化。因此,在長壽命子體錒系核素的固化體中,子體效應(yīng)更應(yīng)該重點考慮。

圖4 241 Am,243 Cm鋯石結(jié)構(gòu)(AnSiO4)的晶胞體積隨衰變時間的變化Fig.4 Cell volume changes of 241 Am,243 Cm zircon structure(AnSiO4)with decay time

3 衰變子體對固化體抗輻照能力的影響

高放錒系核素固化體在長期地質(zhì)儲存過程中,固化體必須能承受高強度的α輻照。固化體結(jié)構(gòu)的變化一方面來自重離子輻照,一方面來自衰變子體核素??怪仉x子輻照是錒系核素固化體的重要的衡量指標(biāo)。由于衰變子體核素和母體核素的離子半徑以及元素間的結(jié)合力不同,必然會導(dǎo)致固化體抗輻照性能的變化??怪仉x子輻照能力較強的燒綠石(Gd2Zr2O7)其非晶質(zhì)化劑量達(dá)到15 dpa,相當(dāng)于包容10%239Pu 3 000萬年的累積劑量[9],被認(rèn)為是理想的錒系核素固化材料之一。然而在對 Ln(La,Nd,Sm,Gd)2Zr2O7(鑭系核素常常作為錒系核素的模擬核素)的輻照實驗中發(fā)現(xiàn)[10],模擬固化體的輻照能力決定于A位陽離子半徑。隨著A位陽離子半徑增大,其非晶質(zhì)化劑量明顯降低。在錒系核素衰變過程中,子體核素的離子半徑大于母體核素,意味著即使抗輻照能力強的固化體,在衰變過程中其抗輻照能力將逐步下降,這勢必影響固化體的安全性。

4 結(jié)語

長壽命衰變子體將很大程度決定錒系核素固化體的物理化學(xué)穩(wěn)定性。對于具有長壽命子體的241Am,243Cm錒系核素,采用級聯(lián)衰變理論計算了在長期地質(zhì)處置時間內(nèi)母體核素以及衰變子體在固化體中的含量變化。 在長期處置過程中,長壽命衰變子體將占據(jù)主要地位,因此子體核素在固化體中的穩(wěn)定性對處置安全將至關(guān)重要。對AnSiO4鋯石結(jié)構(gòu)固化體的研究發(fā)現(xiàn),晶胞體積隨著衰變子體An離子半徑的增大而增大;對于241Am,243Cm的鋯石結(jié)構(gòu)固化體來說,在近萬年的處置時間內(nèi),由于子體效應(yīng)導(dǎo)致的體積變化分別將達(dá)到4%,5%。而子體對固化體的化學(xué)物理穩(wěn)定性(如浸出率、耐久性、抗輻照能力)還需要進(jìn)一步研究。

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