劉景鋒 ,李凌燕
(華南農(nóng)業(yè)大學(xué)理學(xué)院應(yīng)用物理系,廣東廣州510642)
操控自發(fā)輻射是量子光學(xué)領(lǐng)域非常重要的研究課題,它決定了一系列光子電子器件的性能,例如,太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率、用于光通信和量子密鑰分發(fā)的單光子源的量子效率、LED 的性能取決于自發(fā)輻射到襯底中的光子能否被有效萃取、激光器的閾值大小和模式調(diào)制的速度,等.
1946年,PURCELL 發(fā)現(xiàn)位于微腔中的輻射子自發(fā)輻射會增強(Purcell-效應(yīng)). 此后,人們發(fā)現(xiàn)自發(fā)輻射有很強的環(huán)境依賴性. 因而,控制自發(fā)輻射,需要調(diào)控輻射子所在位置電磁模式的局域態(tài)密度.YABLONOVICH[1]和JOHN[2]研究發(fā)現(xiàn),光子晶體可以有效地調(diào)制光子模式分布.此后,利用三維光子晶體控制自發(fā)輻射問題被廣泛研究.
在實驗方面實現(xiàn)大塊完整的面心立方結(jié)構(gòu)困難,而木堆積結(jié)構(gòu)容易制備[3-10]. ISHIZAKI 等[10]在實驗上實現(xiàn)并提出了木堆積結(jié)構(gòu)三維光子晶體對光子的操縱的新方法,并且開創(chuàng)了光子晶體表面科學(xué)研究的新方向. 基于有機三維光子晶體中量子點的滲透[7,11],GU 等[8]首次從實驗上在近紅外區(qū)觀測到量子點自發(fā)輻射壽命和自發(fā)輻射光譜的巨大改變. 最近,ARAKAWA[12]首次從實驗觀察到木堆積光子晶體納米微腔中的激光振蕩. 然而很少利用全矢量的方法來研究木堆積結(jié)構(gòu)中輻射子簇的非指數(shù)時間分辨衰減問題.
本文討論木堆積結(jié)構(gòu)中一簇輻射子的自發(fā)輻射衰減動力學(xué). 利用自發(fā)輻射速率分布函數(shù)[13-14]研究輻射子簇的時間分辨熒光衰減,其結(jié)果可為實驗上利用時間分辨熒光探測局域態(tài)密度[15-16]提供參考.
木堆積結(jié)構(gòu)屬于金剛石晶格. 根據(jù)固體物理學(xué)知識,由球形基元構(gòu)成的面心立方和金剛石結(jié)構(gòu),分別對應(yīng)O5h和O7h群.但是,對于木堆積結(jié)構(gòu),其基元為3 根小柱子,其對稱性比球的對稱性低. 因而,木堆積不再像面心立方和金剛石結(jié)構(gòu)一樣具有48 重對稱性,而是僅有16 重對稱性. 木堆積結(jié)構(gòu)滿足的對稱操作如下:{E|0},{c2z|0},{c2x|0},{c2y|0},{Ⅰc4z|0},{|0},{Ⅰc2xy|0},{Ⅰc2xˉy|0},{Ⅰ|τ},{c4z|τ},{|τ},{c2xy|τ},{c2xˉy|τ},{Ⅰc2z|τ},{Ⅰc2x|τ},{Ⅰc2y|τ}.
木堆積結(jié)構(gòu)光子晶體的示意圖、布里淵區(qū)圖及其能帶結(jié)構(gòu)如圖1~圖3 所示. 該結(jié)構(gòu)由低折射率(1.552)的橢圓柱子堆積而成,相鄰4 層柱子間的距離為c,每層內(nèi)相鄰2個柱子間距為d=1 000 nm,并且c/d =橢柱子橫截面橢圓的長軸h 和短軸w的長度分別為375 nm 和150 nm,參數(shù)取自文獻[7]的實驗結(jié)果.圖3 中,沿Γ-X 方向存在一個頻率從0.912(2πc/a)到0.950(2πc/a)的贗帶隙(如圖3中灰色區(qū)域),贗帶隙的中心頻率為0.931(2πc/a)(a 為光子晶體的晶格常數(shù),c 為真空中的光速).
圖1 木堆積結(jié)構(gòu)示意圖Figure 1 Schematic diagram of woodpile structure
圖2 木堆積結(jié)構(gòu)的布里淵區(qū)圖Figure 2 Brillouin zone diagram of woodpile structure
圖3 木堆積光子晶體能帶結(jié)構(gòu)計算值Figure 3 Calculated band diagram of woodpile photonic crystals
為了解釋時間分辨熒光的非單指數(shù)衰減動力學(xué),首先定義自發(fā)輻射速率分布函數(shù)[17]為:
式中ωeg為輻射子的躍遷頻率(r,ω,μd)為方向性局域態(tài)密度
式中對倒格矢k 的積分需在第一布里淵區(qū)內(nèi)完成,ωnk和En(k,r)分別為對應(yīng)帶指標(biāo)n 的本征頻率和本征矢量.
如果大量輻射子分布在光子晶體的原胞內(nèi),并且偶極矩隨機分布,相應(yīng)的局域態(tài)密度[18-20]為
因而對應(yīng)的方向平均速率分布函數(shù)[13,21]為
根據(jù)速率分布函數(shù)(5),定義輻射子簇的時間分辨衰減函數(shù)為
式(2)表明輻射子的自發(fā)輻射速率依賴局域態(tài)密度. 如果已知局域態(tài)密度,則可以解決微納結(jié)構(gòu)環(huán)境中的光與物質(zhì)相互作用問題,從而分析輻射子的自發(fā)輻射特性. 但在實驗上無法直接探測局域態(tài)密度,然而,可以探測處于激發(fā)態(tài)的輻射子自發(fā)輻射壽命,通過自發(fā)輻射壽命和自發(fā)輻射速率的關(guān)系,求得自發(fā)輻射速率,進而得到方向性局域態(tài)密度. 在理論上,如果討論自發(fā)輻射問題,則必須討論方向性態(tài)密度或局域態(tài)密度. 通過解電磁場的本征值方程,可得到本征值和本征矢量,從而得到方向性局域態(tài)密度和自發(fā)輻射速率分布.
木堆積結(jié)構(gòu)中輻射子簇的自發(fā)輻射速率分布和時間分辨自發(fā)衰減動力學(xué)函數(shù)的計算過程及參數(shù)如下:采用MONKHORST 和PACK 的方法[23]把第一布里淵區(qū)分成16 384個粗格點和1 048 576個精細格點. 然后選擇965個平面波解出磁場的本征方程[20],求得粗格點上的本征矢量Hn(k,r)和本征值ωnk,然后根據(jù)本征電場和本征磁場的關(guān)系,得到本征電場En(k,r)[24],最后利用插值法[23]來獲得精細格點上的本征矢量En(k,r)和本征值ωnk.
計算的激發(fā)態(tài)輻射子簇的自發(fā)輻射速率分布及時間衰減動力學(xué)曲線如圖4、圖5 所示. 利用式(1)分別研究了贗帶隙的下帶邊、中心和上帶邊3個不同躍遷頻率的自發(fā)輻射速率分布,以真空中的自發(fā)輻射速率為參考速率(圖4). 選擇位于原胞內(nèi)距離橢圓柱表面為3 nm、6 nm 這2 層上39 668個輻射子為研究對象. 結(jié)果表明,當(dāng)輻射子位于空氣中,且躍遷頻率位于下帶邊或者贗帶隙中心時,幾乎所有輻射子的自發(fā)輻射過程都加速.然而,躍遷頻率位于上帶邊時,幾乎所有輻射子的自發(fā)輻射都減速,但總體上,上帶邊的輻射子自發(fā)輻射比贗帶隙中心的更慢. 因此,在這種低折射率的木堆積結(jié)構(gòu)光子晶體中,贗帶隙效應(yīng)不太明顯. 在圖5 中,黑實線對應(yīng)于真空時輻射子的自發(fā)衰減動力學(xué)曲線,衰減曲線呈單指數(shù)下降. 躍遷頻率位于贗帶隙的下帶邊或者中心時,其衰減速率比真空中的衰減快,而位于贗帶隙上帶邊時,其衰減速率比真空中的衰減慢.
圖4 輻射子簇自發(fā)輻射速率分布Figure 4 The curve of decay rate distribution of emitters ensembles
圖5 輻射子簇的歸一化衰減動力學(xué)曲線Figure 5 The curve of normalized decay dynamics of emitters ensembles
一般認為,贗帶隙會對自發(fā)輻射有抑制作用,即當(dāng)輻射子躍遷頻率位于贗帶隙中心時,其自發(fā)輻射比位于上、下帶邊時的慢. 但圖4、圖5 的結(jié)果表明,輻射子躍遷頻率位于上帶邊時,其輻射壽命反而比位于贗帶隙中心時的壽命長. 此結(jié)論與傳統(tǒng)理論不符,可解釋為,決定自發(fā)輻射壽命的因素是所有方向電磁模式數(shù)的總和,而非僅沿贗帶隙方向的電磁模式數(shù).
根據(jù)平均壽命的定義式(7),可求出輻射子簇的平均壽命,其計算結(jié)果和實驗結(jié)果[25]一致. 因此,本文定義自發(fā)輻射速率分布和衰減動力學(xué)函數(shù),可有效地處理光子晶體中的自發(fā)輻射問題.
本文針對木堆積結(jié)構(gòu)光子晶體中不同位置的輻射子簇,計算了不同躍遷頻率的自發(fā)輻射速率分布和衰減動力學(xué).發(fā)現(xiàn)在木堆積結(jié)構(gòu)中,即使折射率較低,也具有較寬的自發(fā)輻射速率分布,這說明木堆積結(jié)構(gòu)有較強的光子晶體效應(yīng). 輻射子簇的衰減不再滿足單指數(shù)衰減,本文定義了輻射子簇的衰減動力學(xué)函數(shù),并計算了平均衰減壽命,其計算結(jié)果與文獻的實驗結(jié)果相吻合. 這些結(jié)果為實驗探測輻射子簇的時間分辨衰減動力學(xué)和局域態(tài)密度提供了理論依據(jù).
[1]YABLONOVITCH E. Inhibited spontaneous emission in solid-state physics and electronics[J]. Phys Rev Lett,1987,58(20):2059 -2062.
[2]JOHN S. Strong localization of photons in certain disordered dielectric superlattices[J]. Phys Rev Lett,1987,58(23):2486 -2489.
[3]HO K M,CHAN C T,SOUKOULIS C M,et al. Photonic band gaps in three dimensions:New layer-by-layer periodic structures[J]. Solid State Commun,1994,89(5):413 -416.
[4]LIN S Y,F(xiàn)LEMING J G,HETHERINGTON D L,et al.A three-dimensional photonic crystal operating at infrared wavelengths[J]. Nature,1998,394(6690):251 -253.
[5]NODA S,TOMODA K,YAMAMOTO N,et al. Full three-dimensional photonic bandgap crystals at near-infrared wavelengths[J]. Science,2000,289(5479):604 -606.
[6]AOKI K,MIYAZAKI H T,HIRAYAMA H,et al. Microassembly of semiconductor three-dimensional photonic crystals[J]. Nat Mater,2003,2(2):117 -121.
[7]LI J,JIA B,ZHOU G,et al. Spectral redistribution in spontaneous emission from Quantum-Dot-Infiltrated 3D woodpile photonic crystals for telecommunications[J].Adv Mater,2007,19(20):3276 -3280.
[8]GU M,JIA B,LI J,et al. Fabrication of three-dimensional photonic crystals in Quantum-Dot-based materials[J]. Laser Photonics Rev,2010,4(3):414 -431.
[9]TAKAHASHI S,SUZUKI K,OKANO M,et al. Direct creation of three-dimensional photonic crystals by a topdown approach[J]. Nat Mater,2009,8(9):721 -725.
[10]ISHIZAKI K,NODA S. Manipulation of photons at the surface of three-dimensional photonic crystals[J]. Nature,2009,460(7253):367 -370.
[11]VENTURA M J,GU M. Engineering spontaneous emission in a Quantum-Dot-doped polymer nanocomposite with three-dimensional photonic crystals[J]. Adv Mater,2008,20(7):1329 -1332.
[12]TANDAECHANURAT A,ISHIDA S,GUIMARD D,et al. Lasing oscillation in a three-dimensional photonic crystal nanocavity with a complete bandgap[J]. Nat Photon,2011,5(2):91 -94.
[13]WANG X H,WANG R,GU B Y,et al. Decay distribution of spontaneous emission from an assembly of atoms in photonic crystals with pseudogaps[J]. Phys Rev Lett,2002,88 (9):093902.
[14]ZHOU Y S,WANG X H,GU B Y,et al. Switching control of spontaneous emission by polarized atoms in two-dimensional photonic crystals[J]. Phys Rev Lett,2006,96(10):103601.
[15]BIROWOSUTO M D,SKIPETROV S E,VOS W L,et al. Observation of spatial fluctuations of the local density of states in random photonic media[J]. Phys Rev Lett,2010,105(1):013904.
[16]KRACHMALNICOFF V,CASTANIé E,WILDE Y D,et al. Fluctuations of the local density of states probe localized surface plasmons on disordered metal films[J]. Phys Rev Lett,2010,105(18):183901.
[17]LIU J F,JIANG H X,GAN Z S,et al. Lifetime distribution of spontaneous emission from emitter(s)in three-dimensional woodpile photonic crystals[J]. Opt Express,2011,19(12):11623 -11630.
[18]BUSCH K,JOHN S. Photonic band gap formation in certain self-organizing systems[J]. Phys Rev E,1998,58(3):3896.
[19]WANG R,WANG X H,GU B Y,et al. Local density of states in three-dimensional photonic crystals:Calculation and enhancement effects[J]. Phys Rev B,2003,67(15):155114.
[20]NIKOLAEV I S,VOS W L,KOENDERINK A F. Accurate calculation of the local density of optical states in inverse-opal photonic crystals[J].J Opt Soc Am B,2009,26(5):987 -997.
[21]LIU J F,WANG X H. Spontaneous emission in microand nano-structures[J].Front Phys China,2010,5(3):245 -259.
[22]VAN DRIEL A F,NIKOLAEV I S,VERGEER P,et al.Statistical analysis of time-resolved emission from ensembles of semiconductor quantum dots:Interpretation of exponential decay models[J]. Phys Rev B,2007,75(3):035329.
[23]MONKHORST H J,PACK J D. Special points for Brillouin-zone integrations[J]. Phys Rev B,1976,13(12):5188.
[24]LIU J F,JIANG H X,JIN C J,et al. Orientation-dependent local density of states in three-dimensional photonic crystals[J]. Phys Rev A,2012,85(1):015802.
[25]GAN Z,JIA B,LIU J F,et al. Enhancement of spontaneous emission in three-dimensional low refractive-index photonic crystals with designed defects[J]. Appl Phys Lett,2012,101(7):071109.