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電離層預(yù)加熱幅度調(diào)制模式的理論與模擬

2013-03-12 05:23郝書吉李清亮楊巨濤吳振森
電波科學(xué)學(xué)報(bào) 2013年2期
關(guān)鍵詞:偶極矩電子密度電離層

郝書吉 李清亮 楊巨濤 吳振森

(1.西安電子科技大學(xué)理學(xué)院,陜西 西安711071;2.中國(guó)電波傳播研究所,山東 青島266107)

引 言

自從 Willis和 Davis(1973)[1]提出人工調(diào)制高頻波加熱電離層的理論后,國(guó)內(nèi)外許多學(xué)者在過去三十多年進(jìn)行了大量的理論分析[2-4]和實(shí)驗(yàn)研究[5-7].研究表明,利用極低頻/甚低頻(ELF/VLF,30Hz~3kHz/3~30kHz)幅度調(diào)制高頻(High Frequency,HF)電波加熱電離層可以有效形成ELF/VLF電波輻射.但作為ELF/VLF電波輻射源,對(duì)于工程運(yùn)用如對(duì)潛通信而言,產(chǎn)生ELF/VLF電波信號(hào)的強(qiáng)度比較?。?-8](近場(chǎng)約為50~70dB fT,1fT=10-15T),轉(zhuǎn)化效率(η)低[7](約為0.001%),因此,如何提高轉(zhuǎn)化效率是當(dāng)前關(guān)于此課題一個(gè)重要的研究方向.

Papadopoulos[8]提出利用調(diào)幅HF天線波束快速掃過較大的面積,在少量犧牲電導(dǎo)率調(diào)制強(qiáng)度的前提下,增大激發(fā)面積,總的效果是使偶極矩增強(qiáng),并做了相應(yīng)估算,估計(jì)能將效率提高兩個(gè)量級(jí)左右.Villasenor等[10]對(duì)比分析了四種典型幅度調(diào)制波形:方波、拍波、半波整流波和三角波,在相同的加熱條件采用半波整流波調(diào)制效率最好;拍波調(diào)制高頻波后形成的有效的ELF/VLF信號(hào)質(zhì)量最好.Cohen等[11]對(duì)幅度調(diào)制、快速掃描和幾何調(diào)制三種調(diào)制模式進(jìn)行了分析,得出利用幾何調(diào)制模式輻射ELF/VLF波幅度增強(qiáng)7~11dB左右.Pashin等[12]指出隨著加熱波的有效輻射功率(Effective Radiated Power,ERP)的增大,電離層電導(dǎo)率擾動(dòng)積分增大,Papadopoulos[9]同時(shí)指出轉(zhuǎn)化效率與加熱波功率(PHF)有關(guān)(η~P2HF).

Milikh等[13]提出采用預(yù)加熱提高電離層調(diào)制加熱產(chǎn)生ELF/VLF輻射效率的方法,并主要分析了預(yù)加熱時(shí)長(zhǎng)對(duì)調(diào)制加熱結(jié)果的影響.而關(guān)于采用預(yù)加熱方法的電離層調(diào)制加熱理論分析模型,以及系統(tǒng)有效輻射功率、調(diào)制頻率等參數(shù)對(duì)預(yù)加熱方法提高ELF/VLF輻射效率的影響未做研究.

從基本的電子能量方程和連續(xù)性方程出發(fā),構(gòu)造預(yù)加熱模式下低電離層調(diào)制加熱理論模型,即預(yù)加熱幅度調(diào)制模式.詳細(xì)研究預(yù)加熱模式下加熱功率和ELF/VLF調(diào)制頻率對(duì)提高電離層調(diào)制加熱產(chǎn)生ELF/VLF波輻射效率的影響,給出正常幅度調(diào)制模式和預(yù)加熱幅度調(diào)制模式下的計(jì)算結(jié)果,為大功率高頻電離層調(diào)制加熱中采用預(yù)加熱方法提供理論參考.

1 理論分析

預(yù)加熱幅度調(diào)制模式,是指在正常調(diào)制加熱前,先長(zhǎng)時(shí)間用連續(xù)的大功率HF波加熱電離層,當(dāng)電離層電子密度穩(wěn)定后,再進(jìn)行調(diào)制加熱,從而增大調(diào)制加熱過程中電流密度和調(diào)制高度處背景電子密度剖面的銳化,達(dá)到增大輻射ELF/VLF電波強(qiáng)度的目的.

預(yù)加熱階段,即大功率連續(xù)HF波加熱電離層階段,會(huì)引起電離層電子密度的擾動(dòng),其中電子密度Ne的變化可由連續(xù)性方程表示為

式中:q是電子的產(chǎn)生率;Te表示電子溫度.α(Te)是復(fù)合系數(shù),在低電離層,可表示為

方括號(hào)里表示電離層中相應(yīng)正離子的濃度.

大功率連續(xù)HF波加熱電離層引起電子溫度的擾動(dòng)可由電子的能量方程表示為

式中:Q為電子單位體積吸收的能量;L為單位體積內(nèi)電子與中性粒子碰撞引起的電子能量損失;K為波爾茲曼常數(shù);Q和L計(jì)算公式見文獻(xiàn)[3].

大功率連續(xù)HF波加熱電離層引起電子密度和電子溫度的變化,從而引起背景電流密度變化,而與電流密度密切相關(guān)的是電離層電導(dǎo)率.電離層電導(dǎo)率可由下式求出:

式中:σH表示Hall電導(dǎo)率;σP表示Pedersen電導(dǎo)率;e表示電子電量;we表示電子回旋頻率;B表示地磁場(chǎng)大?。沪蚭表示電子與中性粒子的碰撞頻率.νe由經(jīng)驗(yàn)公式[12]得出

在大功率連續(xù)HF波加熱電離層達(dá)到穩(wěn)態(tài)后,進(jìn)入電離層幅度調(diào)制加熱階段.由于電子密度的加熱時(shí)間常數(shù)遠(yuǎn)大于電子溫度的加熱時(shí)間常數(shù),達(dá)到分鐘量級(jí).而ELF/VLF的周期為毫秒/微秒量級(jí),因此在電離層幅度調(diào)制加熱階段只需考慮電子溫度的變化,即公式(3).

在電離層幅度調(diào)制加熱階段,電子溫度的擾動(dòng)會(huì)引起達(dá)到穩(wěn)態(tài)電離層電導(dǎo)率的擾動(dòng),分別對(duì)式(4)、(5)兩邊電子溫度求導(dǎo)為

式(7)、(8)可以轉(zhuǎn)化為:

電離層調(diào)制加熱產(chǎn)生ELF/VLF偶極矩M為

式中:ν表示電離層擾動(dòng)區(qū)域的體積;E0為電離層自然電場(chǎng);Δσ表示電離層電導(dǎo)率擾動(dòng);ΔJ=E0·(ΔσH+ΔσP)表示電離層調(diào)制加熱產(chǎn)生的ELF/VLF電流,在海面上的產(chǎn)生的磁場(chǎng)的表達(dá)式近似為[14]

式中:Rj=[(2j+1)2d2+ρ2]1/2;d 為電離層高度;f(Rj)和g(Rj)分別表示關(guān)于Rj的函數(shù).

預(yù)加熱階段就是大功率高頻連續(xù)電波加熱電離層階段,在此階段,只要加熱時(shí)長(zhǎng)足夠長(zhǎng)(電離層達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài),即電離層加熱后,電離層電子溫度和電子密度達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,不再發(fā)生改變),背景電離層電子密度將獲得較大的增長(zhǎng)[13],而由式(9)和(10)可知,調(diào)制加熱階段,當(dāng)電子溫度一定時(shí),電子密度的增長(zhǎng)必會(huì)引起電導(dǎo)率變化量的增長(zhǎng),從而使得調(diào)制加熱產(chǎn)生的ELF/VLF偶極矩(M)增大,地面接收到的ELF/VLF強(qiáng)度也將增大.即預(yù)加熱階段增大了調(diào)制加熱階段ELF/VLF輻射效率.

2 數(shù)值計(jì)算和模擬

背景電離層使用國(guó)際參考電離層模型IRI-2007,正離子僅保留NO+和O+2,中性大氣密度和溫度由MSIS90經(jīng)驗(yàn)?zāi)J接?jì)算.在加熱開始前,假設(shè)電子溫度(Te)與中性粒子溫度(Tn)相等(Te=Tn).由于離子的質(zhì)量遠(yuǎn)大于電子的質(zhì)量,在較短的加熱時(shí)間內(nèi)離子溫度(Ti)變化很小,因此,可設(shè)Ti在調(diào)制加熱過程中保持不變.低電離層高度為65~120 km,將電離層等間距分層,層間距為1km.背景自然電場(chǎng)E0=25mV/m;時(shí)間選取為阿拉斯加當(dāng)?shù)貢r(shí)間2007年10月25日12時(shí);采用方波幅度調(diào)制,調(diào)制比例為半波調(diào)制;加熱波以非常波(X波)入射;考慮到數(shù)值模擬中加熱波功率范圍較大,加熱地點(diǎn)選取美國(guó)的 HAARP,其經(jīng)緯度為(62.39°N,145.15°W),其ERP最高可達(dá)3.6GW;采用連續(xù)HF波加熱低電離層,加熱頻率fHF=3.25MHz.電離層狀態(tài)穩(wěn)定后(電子溫度和密度不發(fā)生變化),電子密度相對(duì)變化量((Ne-Ne0)/Ne0)和電子溫度相對(duì)變化量((Te-Te0)/Te0)的高度(H)剖面如圖1所示.

從圖1可以看出,在加熱飽和狀態(tài),電子密度和電子溫度的相對(duì)變化量隨著ERP增加相應(yīng)地增加,為了得到更高的效率,ERP越大越好;電子密度增大主要發(fā)生在較高電離層中,電子溫度增大主要發(fā)生較低電離層中.文獻(xiàn)[2]指出,σH變化量主要集中在低電離層的下部(70~85km),σP變化量主要集中在低電離層上部(85~110km),因此,可知預(yù)加熱幅度調(diào)制加熱模式對(duì)σP的影響比較大.取調(diào)制頻率fELF/VLF=100Hz,ERP=3GW,正常幅度調(diào)制模式和預(yù)加熱幅度調(diào)制模式的ELF/VLF電流如圖2示.

圖2(a)進(jìn)一步驗(yàn)證了預(yù)加熱幅度調(diào)制模式主要影響低電離層較高區(qū)域的σP.以往的研究沒有考慮ΔJp對(duì)ELF/VLF電流的貢獻(xiàn),其中一個(gè)主要原因是ΔJP在低高度處存在反向電流,在高度積分的過程中產(chǎn)生相互抵消現(xiàn)象,從而可忽略其影響.但從圖2(b)可明顯看出,采用預(yù)加熱幅度調(diào)制模式后,ΔJP在低電離層較高高度上得到很大增加,較高高度的ΔJP遠(yuǎn)大于較低高度的ΔJP,在計(jì)算總的ELF/VLF電流時(shí)必須考慮ΔJP的貢獻(xiàn).取fELF/VLF=1kHz,加熱頻率fHF=3.25MHz,ELF/VLF偶極矩M隨ERP變化剖面如圖3所示.

圖3表明:在正常幅度調(diào)制模式下,M的變化隨ERP的變化相對(duì)平緩;預(yù)加熱幅度調(diào)制模式下,M的變化隨ERP的變化比較迅速.主要原因是:正常幅度調(diào)制模式下,不需要考慮電子密度變化的影響,只需考慮電子溫度變化對(duì)M的貢獻(xiàn),即ΔJP對(duì)M的貢獻(xiàn)較小,M隨ERP變化相對(duì)平緩;在預(yù)加熱幅度調(diào)制模式下,需要考慮電子密度變化的影響,即M的計(jì)算需考慮ΔJP的貢獻(xiàn),隨ERP的增加M增加較快.同時(shí)從圖中也可是得出,當(dāng)ERP較小時(shí)(<200MW),兩種模式下M的值相差很小,即預(yù)加熱幅度調(diào)制模式作用不明顯.

圖3 ELF/VLF偶極矩M隨EPR變化剖面

圖4 ELF/VLF偶極矩M 隨fELF/VLF變化剖面

圖4給出了加熱頻率fHF=3.7MHz,ERP=3 GW,ELF/VLF偶極矩M 隨fELF/VLF變化的剖面.很明顯,M隨著fELF/VLF的增加而減小;預(yù)加熱幅度調(diào)制模式下M比正常幅度調(diào)制模式下M 隨fELF/VLF的變化更快.這主要是由于fELF/VLF增大,調(diào)制周期減小,則單個(gè)周期內(nèi)加熱時(shí)間減少,引起電子溫度的擾動(dòng)變化量減小,M(加熱效果)減弱;而隨著加熱高度增加,電離層電子溫度的加熱時(shí)間常數(shù)快速增加,當(dāng)單個(gè)周期內(nèi)加熱時(shí)間減少時(shí),對(duì)于需計(jì)算較高高度ΔJP參數(shù)的預(yù)加熱幅度調(diào)制模式,其M(加熱效果)快速減弱.

由圖4可知,fELF/VLF=100Hz時(shí),預(yù)加熱幅度調(diào)制模式產(chǎn)生的M相對(duì)正常幅度調(diào)制模式提高了5.3dB.由式(12)可知,偶極子輻射場(chǎng)的強(qiáng)度與偶極子的偶極矩成正比,預(yù)加熱幅度調(diào)制模式相對(duì)正常幅度調(diào)制模式輻射波的強(qiáng)度最大增幅為5.3dB左右.

3 結(jié) 論

本文從基本的電離層電子連續(xù)性方程和能量方程出發(fā),構(gòu)造了預(yù)加熱模式下低電離層幅度調(diào)制加熱理論模型,并對(duì)預(yù)加熱幅度調(diào)制模式進(jìn)行理論推算和數(shù)值模擬.研究結(jié)果表明:

1)增大加熱系統(tǒng)有效輻射功率,可有效增大低電離層電子密度和電子溫度.電子密度變化主要發(fā)生在低電離層較高區(qū)域,電子溫度變化主要發(fā)生在低電離層較低區(qū)域;

2)正常幅度調(diào)制模式下,ELF/VLF偶極矩的變化隨加熱系統(tǒng)有效輻射功率的變化相對(duì)平緩,預(yù)加熱幅度調(diào)制模式下,ELF/VLF偶極矩的變化隨ERP的變化比較劇烈;

3)當(dāng)加熱系統(tǒng)的有效輻射功率較?。ǎ?00 MW)時(shí),預(yù)加熱幅度調(diào)制模式作用并不明顯,但隨著加熱系統(tǒng)輻射功率的增大,預(yù)加熱幅度調(diào)制模式作用將快速顯現(xiàn).ELF/VLF調(diào)制頻率較高時(shí),預(yù)加熱幅度調(diào)制模式作用不明顯,但隨著ELF/VLF調(diào)制頻率的減小,預(yù)加熱幅度調(diào)制模式作用將快速顯現(xiàn);

4)在一定的加熱條件下,如ERP=3GW,fELF/VLF=100Hz時(shí),相對(duì)正常幅度調(diào)制模式,預(yù)加熱輻射調(diào)制模式輻射ELF/VLF強(qiáng)度可提高約5.3 dB.可以預(yù)見,當(dāng)加熱系統(tǒng)有效功率較大(如高頻主動(dòng)極光研究項(xiàng)目(High Frequency Active Auroral Research Program,HAARP加熱裝置),且采用的調(diào)制頻率較低時(shí),預(yù)加熱方法在電離層調(diào)制加熱中的應(yīng)用將進(jìn)一步得到體現(xiàn).

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