周世偉
(哈爾濱師范大學)
激光(laser)是輻射受激發(fā)射光量子放大的簡稱.愛因斯坦首先在光量子論的基礎上發(fā)展了自發(fā)輻射和受激輻射理論,并預言了原子產生受激輻射放大的可能性,奠基了激光理論基礎[1].
激光技術是以原子物理、量子理論、光學技術和電子技術為基礎的綜合技術.激光技術的發(fā)展,使光的微觀發(fā)射機制,由不可控、雜亂無序,變?yōu)榭煽赜行?
一個能量為?ν=E2-E1的光子碰到高態(tài)E2原子時的受激輻射和它碰到低態(tài)E1原子時被吸收,已由經典的吸收理論及量子化輻射過程的熱力學理論所證實.受激發(fā)射和光的吸收,描述了物質吸收能量與釋放能量兩個不同狀態(tài),而在激光技術中需要人為的造成反常態(tài)——受激發(fā)射狀態(tài),而反常態(tài)的實現(xiàn),決定于高能級與低能級粒子數(shù)量差.只有打破玻耳茲曼統(tǒng)計分布規(guī)律,使高能級粒子數(shù)高于低能級粒子數(shù),才能得到受激發(fā)射的反常態(tài).正是由于物質從一個狀態(tài)到另一個狀態(tài),才發(fā)生著意想不到的奇跡.迫使高能級粒子數(shù)多于低能級粒子數(shù),稱為粒子數(shù)反轉,而粒子數(shù)反轉的實現(xiàn),要靠外界能量的輸入來改變能級粒子數(shù)的分布.把外界提供能量的裝置稱為泵浦(激勵系統(tǒng)).
激光振蕩器由泵浦能源、激活介質和諧振腔三部分組成[2].激光的基礎是光受激放大與振蕩.光要從介質中吸取能量而放大,必須使介質中原子的光發(fā)射超過光吸收,并在粒子數(shù)反轉的狀態(tài)下實現(xiàn).
在常溫下熱平衡狀態(tài),處于上下能級的粒子數(shù)分布服從玻耳茲曼統(tǒng)計分布:
式中N1與N2分別代表E1、E2能級的粒子數(shù),K為波耳茲蔓常數(shù).該分布是常溫下粒子數(shù)的正常分布,雖然處于該狀態(tài)的粒子遲早會掉到較低的狀態(tài),并將以光的形式輻射出能量.但是此狀態(tài)只有光的自發(fā)發(fā)射和吸收,而光的發(fā)射是雜亂的、無序的,不能形成激光,借助外來力量,以激勵系統(tǒng)為動力,打破熱平衡狀態(tài)下粒子數(shù)分布使
即高能級E2的粒子數(shù)多于低能級E1的粒子數(shù).N2>N1狀態(tài),是對熱平衡狀態(tài)的一種擾亂,處于負溫度狀態(tài).理論與實踐證明激勵系統(tǒng)(泵浦)與容易實現(xiàn)粒子數(shù)反轉的工作物質(激活介質),共同實現(xiàn)了物質中粒子數(shù)的反轉.當能量為?ν=E2-E1的外來光子,作用到粒子數(shù)反轉的物質時,發(fā)生高能級粒子向低能級躍遷的受激輻射.依靠外來力量打破粒子數(shù)的正常分布,實現(xiàn)粒子數(shù)的反分布,讓光發(fā)射大于光吸收,從而形成激光.粒子數(shù)反轉是激光產生的狀態(tài).若使激活介質受激發(fā)射的光持續(xù)放大,必須在介質兩邊分別加一塊全反射鏡和一塊半反射鏡組成諧振腔.諧振腔是激光振蕩器中的核心部件.在諧振腔中,光、工作物質、反射鏡三者之間,以及光與光之間存在復雜的相互制約與影響,左右輸出激光的性能參數(shù).諧振腔是固體激光器、氣體激光器、半導體激光器等各種激光振蕩器的必備技術,均采用諧振腔進行選模和放大,從而獲得單色性好、相干性好、方向性強和高亮度的激光.諧振腔的設計與調試是關鍵技術,影響激光振蕩器激光輸出的性能.若在激光振蕩器內激活介質起振蕩作用,那么輸出能量的一部分必須用做反饋.反饋由通過放置在激活介質兩端的反射鏡來實現(xiàn).反射鏡一個完全反射,另一個部分反射,以便把激光束耦合出去.
諧振腔實際上是頻率選擇器,它從所發(fā)射的頻率很寬的光波中,選出滿足諧振條件的頻率形成激光.諧振腔第二個功能是進行光放大,諧振腔尺寸大小決定選擇振蕩頻率的多少.設諧振腔反射鏡尺寸很大,那么在半周期(單程)中總相移為:
又因一次往返的總相移必須為π的偶數(shù)倍,所以又
式中q表示縱模數(shù),由K=ω/c,ω為波的角頻率又得
式中m與n確定各個模的橫場分布,q確定諧振腔兩反射鏡之間波長的數(shù)目.方程ωmnq=π(2q+m+n+1)c/2R為確定振蕩頻率的方程.方程指出:相同頻率的模有多個,所有具有(2q+m+n)的模都有相同的振蕩頻率,因為這些模是簡并的.
由此可見,諧振腔尺寸決定諧振腔振蕩頻率的多少,諧振腔對頻率的選擇,使得只有某些特定的光波在腔內來回一周后,位相改變2π的整數(shù)倍,才滿足諧振條件.滿足方程ωmnq=π(2q+m+n+1)c/2R的這些頻率在腔內發(fā)生振蕩,要形成激光還要滿足閾值條件.為此在諧振頻率中,只有在原子譜線寬度內,并同時滿足閾值條件的頻率可以形成激光.正是由于諧振腔對頻率的選擇功能,才使激光振蕩器具備了良好的單色性.若要激光振蕩器發(fā)出來的激光只有一個頻率,只能縮短諧振腔的長度,但影響激光的輸出功率.上述方程建立于共焦式諧振腔近軸區(qū)域,式中R為兩凹面鏡的曲率半徑,并R?λ,σ的大小確定著受到的損耗,是個復常數(shù).在激光振蕩器工作物質內部,由于泵浦的激勵,在N2>N1非熱平衡狀態(tài),當外來光子的頻率滿足?ν=E2-E1兩能級能量差時,引起受激輻射發(fā)光.輻射過程中產生的光子與外來光子具有完全相同的特征,如相同的頻率、相同的相位等.由一個光子的作用,得到兩特征完全相同的光子,兩個相同的光子再引起其它粒子產生受激輻射,就能得到更多特征完全相同的光子.在一個入射光子作用下的連鎖反應,產生大量的具有相同特征的光子,該現(xiàn)象被定義為光放大.
激活介質在泵浦激勵下實現(xiàn)了粒子數(shù)反轉,當受激發(fā)射大于吸收過程時便具備了放大光的能力,而受激輻射只有沿著軸線方向的光子,才能在諧振腔兩反射鏡之間來回反射,每次路徑激活介質,并在諧振腔振蕩中光變得越來越強.與諧振腔軸線不平行的光子很快飛出腔外或被阻擋層吸收.當激活介質對光的放大作用足以抵消激光輸出和其它損耗時,諧振腔內保持了一定光強,同時不斷輸出激光,從而建立了激光振蕩.
可見在諧振腔內某一方向的受激輻射不斷得到放大和加強,產生的光振蕩實現(xiàn)了受激輻射在諧振腔內占有絕對優(yōu)勢,在軸向行進的光子不斷得到放大和振蕩,使諧振腔內沿軸向的光驟然增加,形成激光.
綜上所述,激光振蕩器是發(fā)射激光的裝置.激光發(fā)射必須滿足三個條件:
(1)形成粒子數(shù)反轉,使受激輻射占優(yōu)勢.
(2)具有核心部件諧振腔,用以實現(xiàn)諧振頻率的選擇,并實現(xiàn)光量子放大.
(3)降低閾值,其方法為減小各種損耗.
由國內外激光技術領域[3]的科技動態(tài)來看,激光振蕩器的研究和發(fā)展主要有:
(1)提高激光振蕩器的物理參數(shù),研究大功率、大能量的激光儀器.
(2)積極尋找新的工作物質,以滿足對激光振蕩器的不同需求.
(3)開展X射線激光振蕩器的研究,尋找在X射線激光振蕩器中,在激活物質(等離子體)中實現(xiàn)粒子數(shù)反轉的技術手段.如:離子的光激發(fā);離子的電子碰撞激發(fā);離子的碰撞復合;多電荷原子(離子內殼層的光電離和碰撞電離);原子——離子的電荷交換等.
固體激光振蕩器靠光抽運來實現(xiàn)粒子數(shù)反轉;氣體激光振蕩器粒子數(shù)反轉是由電子碰撞激發(fā)的;在半導體激光振蕩器中,粒子數(shù)反轉的實現(xiàn)是靠注入不同物質的少數(shù)載流子形成激活區(qū)(p-n結),在(p-n結)中實現(xiàn)的.半導體激光振蕩器[4]最大的優(yōu)點在于它容易實現(xiàn)粒子數(shù)反轉(如只需很小的脈沖電壓),高效率體積小,因而半導體激光振蕩器成為激光發(fā)展的主流.最近日本東京都市大學成功的由硅基板發(fā)出波長約1.5 μm近紅外線的激光,首先在硅中制造出微小構造,再埋入直徑約70 nm的鍺微小?!傲孔狱c”,規(guī)則排列制造出直徑200 nm的孔穴,通電產生光子,光子在各孔穴間來回則形成接近近紅外線波長的光.東京大學則成功由硅基板發(fā)出波長1.3 μm的激光.硅基材料本身就含有微量不純物,再加入比一般防腐劑高百倍的硼,通電后產生的光子在兩端反射鏡之間(諧振腔)來回產生激光.東京農工大學則以低成本的技術制造硅基板激光器,在溶液中通電,基板表面會形成硅量子點,雖然成功發(fā)出激光,但仍需解決光電變換效率等諸多問題[5].總之由于半導體材料優(yōu)良的特性,是激光發(fā)展的重要方向.通過擴散在材料中摻入不同的雜質,形成p-n結,利用光刻工藝形成微小孔穴的半導體材料,更容易實現(xiàn)粒子數(shù)反轉.尋找新的半導體材料仍然是半導體激光的新突破.
目前科研人員努力的方向是X射線激光、紅外線激光、attosecondlaser(阿秒激光)、free electronlaser(自由電子激光)等[6].我們已經十分清楚,科研人員總是想各種辦法,尋找最容易形成粒子數(shù)反轉的工作物質,讓其發(fā)出光來,然后通過一系列的方法,將光加以放大,增加激光的能量.從這一思路出發(fā),演繹了激光技術的發(fā)展和未來.
[1] 加塔克 M K,塞格雷鍵 K.現(xiàn)代光學:第2版.內蒙古:內蒙古人民出版社,1986.
[2] 伽本尼M.北京大學激光教研室,譯.光學物理:第1版.北京:科學出版社,1976.
[3] 彭慧民,王世績.X射線激光,第1版.北京:國防工業(yè)出版社,1997.
[4] 劉恩科,朱秉生,羅晉生,等.半導體物理學:第4版.北京:國防工業(yè)出版社,2007.
[5] 中國電子科技集團公司第二十七研究所.電光系統(tǒng),2012(2).
[6] 姚啟鈞.光學教程.北京:人民教育出版社,1981.