錢曉靜,黃國(guó)強(qiáng),雷強(qiáng)華
中國(guó)工程物理研究院,四川 綿陽(yáng) 621900
熱循環(huán)吸附法(thermal cycling absorption process,TCAP)是一種半連續(xù)的色譜分離技術(shù)。TCAP是薩凡納河試驗(yàn)場(chǎng)(Savannah river site,SRS)于1980年發(fā)明的,1994年在氚實(shí)驗(yàn)室(replacement tritium facility,RTF)投入生產(chǎn),1995年后在法國(guó)的Valduc工廠得到進(jìn)一步發(fā)展[1]。我國(guó)陸光達(dá)等[2]自1992年起開始對(duì)TCAP進(jìn)行研究,2003年以后,錢曉靜等[3-4]進(jìn)行了TCAP工程化前期技術(shù)研究。
TCAP是一種依賴于金屬氫化物來(lái)進(jìn)行氫同位素分離的方法,在TCAP的填充材料方面,就涂鈀硅藻土(Pd/K)、涂鈀氧化鋁(Pd/Al2O3)的研究開展的較多。TCAP原理上利用了鈀的氫同位素效應(yīng)及同位素效應(yīng)與溫度之間的關(guān)系。純鈀經(jīng)活化及重復(fù)吸附/解吸循環(huán)后會(huì)粉化成細(xì)小的粉末,從而引起分離柱和過濾片的堵塞[5],所以必須采用一些基質(zhì)材料來(lái)支撐鈀或鈀氫化物,使鈀彌散在較大顆粒里,避免分離材料出現(xiàn)粉化從而保持其吸氫特性不變[6-7]。為了加速TCAP中氫同位素交換過程,通常將分離材料鍍?cè)谳d體上,例如氧化鋁或硅藻土等,制成Pd/Al2O3或Pd/K。
硅藻土是一種高比表面的襯底材料,使鈀沉積在硅藻土上,其目的是為了提高反應(yīng)速率、減小反應(yīng)床壓力降、增加氣體流動(dòng)性、提高材料抗毒化性能等[7-8]。SRS一直使用Pd/K作為TCAP分離柱內(nèi)的填充材料,但對(duì)Pd/K有一定的技術(shù)要求[5,9]:Pd/K含鈀量至少為55%(質(zhì)量分?jǐn)?shù)),80%的Pd/K顆粒尺寸為0.297~0.59 mm,而且規(guī)定Pd/K中氯的質(zhì)量分?jǐn)?shù)必須低于250×10-6。為了防止重復(fù)的吸附/解吸循環(huán)后Pd/K顆粒的粉化,SRS將Pd/K在空氣中加熱至1 100 ℃,使Pd/K外部富Pd層的組織結(jié)構(gòu)發(fā)生改變,強(qiáng)化Pd/K顆粒[10]。Valduc工廠也曾用Pd/Al2O3作為TCAP分離柱的填充材料,在分離氫同位素時(shí)得到了較好的效果[1]。Strzelczyk等[11]專門對(duì)α-氧化鋁和硅藻土兩種鈀的支撐材料進(jìn)行了物化性能測(cè)試對(duì)比。結(jié)果表明:將Pd顆粒(φ=0.1~0.3 μm)分別浸漬在α-氧化鋁和硅藻土上,涂鈀量相同時(shí),Al2O3的涂覆性能更優(yōu),因?yàn)榉蛛x柱的單位體積中Pd/Al2O3的含鈀量更高。為此,本工作主要對(duì)國(guó)產(chǎn)的兩種TCAP的分離材料Pd/K、Pd/Al2O3進(jìn)行了相關(guān)的研究對(duì)比,以期從物性和H-D分離性能的角度來(lái)分析Pd/K、Pd/Al2O3用于氫同位素分離的優(yōu)劣。
Pd/K、Pd/Al2O3的制備方法主要有浸漬還原法和熱分解法兩種,實(shí)驗(yàn)中用到的兩種分離材料都是基本采用浸漬還原法制備的。Pd/K由西北大學(xué)制備,初始粒度為0.42 mm,殘留Cl、N等的質(zhì)量分?jǐn)?shù)小于0.01%,w(H2O)<0.01%;Pd/Al2O3由北京化工大學(xué)提供,初始粒度為0.42~0.84 mm。
分別對(duì)Pd/K和Pd/Al2O3進(jìn)行了物性分析。采用德國(guó)布魯克公司生產(chǎn)的S4-X熒光分析儀對(duì)Pd/K和Pd/Al2O3的載鈀量進(jìn)行了測(cè)試;采用美國(guó)熱電公司生產(chǎn)的system-SIX2000型場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡分析了Pd/K和Pd/Al2O3的表面顯微形貌;采用丹東公司生產(chǎn)的XY-2000型XRD衍射儀對(duì)Pd/K和Pd/Al2O3的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析。
為檢驗(yàn)Pd/K和Pd/Al2O3是否滿足TCAP的分離要求,對(duì)Pd/K和Pd/Al2O3分別進(jìn)行了飽和吸氫量、H-D分離性能測(cè)試,測(cè)試系統(tǒng)示于圖1。
圖1 貯氫性能測(cè)試系統(tǒng)示意圖
Pd/K和Pd/Al2O3的載鈀量(w)分別為(40.8±0.1)%和(45.3±0.1)%,雖然該載鈀量尚未達(dá)到SRS技術(shù)要求,但仍符合TCAP的分離要求。
Pd/K和Pd/Al2O3的SEM形貌示于圖2。由圖2可知:在放大2 000倍的情況下,可以看到未完全覆蓋的載體表面,相對(duì)于Al2O3載體而言,硅藻土載體顯得相當(dāng)沒有規(guī)則,這主要是由于硅藻土中存在大量無(wú)定形的SiO2所致;還可以看出載體表面涂覆的鈀膜都比較薄,因?yàn)楣柙逋凛d體的外形沒有規(guī)則,致使表面涂覆的鈀也很不均勻,而在Al2O3載體表面涂覆的鈀就相對(duì)比較均勻,載體表面均勻的鈀含量將有利于材料與氫同位素之間的相互作用;圖2中并未發(fā)現(xiàn)多孔氧化鋁的孔洞,表明鈀已完全填充了多孔氧化鋁的孔洞。在更高放大倍數(shù)下,可以觀察到鈀膜表面比較疏松,有較多孔隙存在,這將有利于材料與氫同位素氣體的快速反應(yīng)以及氫同位素之間的交換。
圖2 Pd/K(a)和Pd/Al2O3(b)的SEM形貌
Pd/K和Pd/Al2O3粉末的XRD衍射結(jié)果示于圖3。由圖3可知:鈀在20°~90°全部的衍射峰,沿衍射角方向依次為(111)、(200)、(220)、(311)和(222)晶面;Pd/K的XRD衍射圖中的載體材料及其它雜質(zhì)的衍射峰比較多,而Pd/Al2O3的XRD衍射圖中的雜質(zhì)峰則較少,這表明Pd/K中載體材料的成分比較復(fù)雜,Pd/Al2O3中材料的純度較高,而且在制備過程中也沒有引入其它雜質(zhì)。另外,Pd/Al2O3的XRD衍射中Pd衍射峰的相對(duì)強(qiáng)度明顯比Pd/K中的高,表明Pd/Al2O3樣品中的鈀結(jié)晶較理想,其吸/放氫性能更接近純鈀。
為滿足TCAP的分離要求,Pd/K和Pd/Al2O3在使用前進(jìn)行了活化處理,以除去材料中的雜質(zhì)。在圖1所示的貯氫性能測(cè)試系統(tǒng)上測(cè)試了Pd/K和Pd/Al2O3的飽和吸氫量。裝入反應(yīng)器中的Pd/K和Pd/Al2O3的質(zhì)量分別為901.7 g和1 558 g,故鈀的凈含量分別約為367.9 g和705.8 g;化學(xué)床的飽和吸氫量分別約為26.9 L和50.1 L(0 ℃,1個(gè)大氣壓(STP)),則每克鈀的吸氫量分別約為73.12 mL(STP)和70.98 mL(STP)。這略高于唐濤[12]的研究結(jié)果:0 ℃,1個(gè)大氣壓下,H2在Pd中的溶解度為68.54 mL/g(注:25 ℃,0.1 MPa時(shí),H2在Pd中的溶解度為75.8 mL/g)。這主要是由于在Pd/K、Pd/Al2O3中,還存在著載體材料(硅藻土和氧化鋁)對(duì)H2的物理吸附。因?yàn)檫@部分吸附量相對(duì)鈀的化學(xué)吸附而言比較??;因此,通常在計(jì)算的時(shí)候,都將物理吸附的部分忽略不計(jì),從而導(dǎo)致在計(jì)算鈀的吸氫量時(shí),Pd/K、Pd/Al2O3中鈀的飽和吸氫量有增大的現(xiàn)象。H2在Pd/K中的飽和吸氫量比其在Pd/Al2O3中的飽和吸氫量大,也是由于在鈀含量相同的情況下,Pd/K中的硅藻土含量比Pd/Al2O3中氧化鋁含量多,則載體對(duì)H2的物理吸附量就大,從而造成Pd/K中鈀的飽和吸氫量增大的現(xiàn)象。
圖3 Pd/K(a)和Pd/Al2O3(b)的XRD衍射圖譜
分別用裝填有901.7 g和1 558 g,w(Pd)分別為(40.8±0.1)%和(45.3±0.1)%的Pd/K和Pd/Al2O3的TCAP分離柱進(jìn)行了全回流模式下的H-D分離性能測(cè)試。TCAP分離氫同位素的原理裝置示于圖4,Pd/K和Pd/Al2O3分離H-D的主要工藝參數(shù)如下:進(jìn)料位置均為回流柱;初始裝料量均為90%;原料氣中φ(D)分別為49.2%和49.3%;加熱時(shí)間分別為5.5 min和7~8 min;加熱溫度分別為250 ℃和150 ℃;冷卻時(shí)間分別為16 min和23~25 min;冷卻溫度分別為50 ℃和12 ℃;回流比均為20%。分離后產(chǎn)品端和尾氣端的氣體成分和分離因子示于圖5、6。
圖4 TCAP分離柱的原理裝置
圖5 Pd/K和Pd/Al2O3分離H-D的氣體成分
圖6 Pd/K和Pd/Al2O3分離H-D的分離因子
由圖5可知:原料氣中的H-D組成基本接近,經(jīng)過多次冷熱循環(huán)后,Pd/K分離柱產(chǎn)品端的D含量和Pd/Al2O3分離柱產(chǎn)品端的D含量、尾氣端的H含量相差不大,接近98%;而Pd/K分離柱尾氣端的H含量則相對(duì)較低,上升緩慢,40次循環(huán)后才達(dá)到92.8%。由圖6可知:Pd/Al2O3中的H-D分離因子明顯高于Pd/K,例如35次循環(huán)后,Pd/Al2O3的分離因子達(dá)到了3 572,而Pd/K的才350左右;采用Pd/Al2O3作為TCAP的分離材料,其分離效果要明顯優(yōu)于Pd/K。
(1)X熒光分析儀測(cè)試出Pd/K和Pd/Al2O3的載鈀量分別為(40.8±0.1)%和(45.3±0.1)%;從SEM圖可以看出載體表面涂覆的鈀膜都比較薄,硅藻土表面涂覆的鈀很不均勻,而Al2O3表面涂覆的鈀相對(duì)比較均勻;XRD衍射結(jié)果表明,Pd/K中載體材料及其它雜質(zhì)的衍射峰比較多,而Pd/Al2O3中的雜質(zhì)峰則較少,Pd/Al2O3中Pd衍射峰的相對(duì)強(qiáng)度明顯比Pd/K中的高,表明Pd/Al2O3樣品中的鈀結(jié)晶較理想。
(2)Pd/K和Pd/Al2O3中鈀的飽和吸氫量分別約為73.12 mL/g(STP)和70.98 mL/g(STP)。從H-D的分離效果來(lái)看,采用Pd/Al2O3作為TCAP的分離材料,其分離效果要明顯優(yōu)于Pd/K。
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