蘇哲安, 楊 鑫, 黃啟忠, 黃伯云, 李建立, 張明瑜, 謝志勇

(中南大學(xué) 粉末冶金國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，長(zhǎng)沙 410083)

SiC涂層對(duì)C/C復(fù)合材料高溫氧乙炔焰燒蝕性能影響

蘇哲安, 楊 鑫, 黃啟忠, 黃伯云, 李建立, 張明瑜, 謝志勇

(中南大學(xué) 粉末冶金國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，長(zhǎng)沙 410083)

采用化學(xué)氣相反應(yīng)法在C/C復(fù)合材料表面制備抗氧化SiC涂層，借助X射線衍射儀、掃描電鏡及能譜等分析手段，研究涂層的結(jié)構(gòu)；通過氧乙炔焰燒蝕試驗(yàn)考察SiC涂層對(duì)C/C復(fù)合材料高溫耐燒蝕性能影響。結(jié)果表明：SiC涂層可明顯提高C/C復(fù)合材料的高溫短時(shí)耐燒蝕性能，經(jīng)過20 s的高溫氧乙炔焰燒蝕后，C/C復(fù)合材料試樣的線燒蝕率和質(zhì)量燒蝕率分別為13 μm/s和6.6 mg/s，SiC涂層試樣的線燒蝕率和質(zhì)量燒蝕率分別為22 μm/s和0.5 mg/s；在燒蝕中心區(qū)，涂層試樣的燒蝕以升華分解為主，同時(shí)還伴有氧化燒蝕和微區(qū)機(jī)械剝蝕；在燒蝕過渡區(qū)，涂層的燒蝕機(jī)制以熱氧化和燃?xì)鉀_刷為主；而在燒蝕邊緣區(qū)，涂層的燒蝕則主要表現(xiàn)為弱氧化燒蝕。

C/C復(fù)合材料；抗氧化涂層；SiC；氧乙炔焰燒蝕

C/C復(fù)合材料具有良好的導(dǎo)電導(dǎo)熱性、抗腐蝕性和熱穩(wěn)定性以及一系列優(yōu)異的高溫性能。它是目前最具競(jìng)爭(zhēng)力的高溫結(jié)構(gòu)材料，具有廣闊的應(yīng)用領(lǐng)域。C/C復(fù)合材料優(yōu)異的耐熱性和耐燒蝕性，使其能在極其苛刻的高溫條件下工作，如可以承受高于3 000 ℃的高溫、耐熱沖刷，目前它已被成功用于火箭發(fā)動(dòng)機(jī)噴管、喉襯、燃燒室等構(gòu)件，并顯示出極大的優(yōu)越性[1-4]。C/C復(fù)合材料雖然具有良好的高溫耐燒蝕性能，然而極端環(huán)境中的應(yīng)用需求(如高沖質(zhì)比的固體火箭發(fā)動(dòng)機(jī)喉襯材料、導(dǎo)彈鼻錐、新一代飛行器前緣部位材料等[5-7])，對(duì)C/C復(fù)合材料的抗氧化、耐燒蝕能力提出了更高的要求[8-9]。因此，為滿足新一代高性能航空航天器的發(fā)展需要，必須進(jìn)一步提高C/C復(fù)合材料的高溫抗氧化和耐燒蝕性能?？寡趸繉蛹夹g(shù)是提高C/C復(fù)合材料高溫抗氧化、耐燒蝕性能的有效方法之一。本文作者采用化學(xué)氣相反應(yīng)法在C/C復(fù)合材料表面制備SiC抗氧化涂層，對(duì)制備的SiC涂層進(jìn)行了微觀結(jié)構(gòu)分析，并研究涂層的高溫氧乙炔焰燒蝕性能。

1 實(shí)驗(yàn)

1.1 材料的制備

C/C復(fù)合材料的預(yù)制體為宜興天鳥高新技術(shù)有限公司生產(chǎn)的針刺疊層炭氈，該預(yù)制體由單層0°無(wú)緯布、網(wǎng)胎、90°無(wú)緯布、網(wǎng)胎依次循環(huán)疊加，采用帶倒鉤刺的針對(duì)無(wú)緯布和網(wǎng)胎進(jìn)行針刺，針的回位使掛住的纖維以垂直于無(wú)緯布方向留在坯體內(nèi)，使網(wǎng)胎和無(wú)緯布結(jié)合成整體，從而形成準(zhǔn)三維的預(yù)制體結(jié)構(gòu)。C/C復(fù)合材料的增密工藝主要采用化學(xué)氣相沉積和樹脂浸漬-炭化工藝。化學(xué)氣相沉積增密工藝以丙烯為碳源氣體，氮?dú)鉃檩d氣，沉積溫度為850~1 050 ℃。C/C復(fù)合材料的后期采用樹脂加壓浸漬-炭化增密工藝，樹脂浸漬以呋喃樹脂為原料，浸漬溫度為180 ℃，壓力為1.6 MPa；炭化溫度為1 000 ℃，保溫2 h。經(jīng)多次浸漬-炭化增密后，最終制得的 C/C復(fù)合材料密度為1.83 g/cm3。

將C/C復(fù)合材料加工成氧乙炔焰燒蝕試樣尺寸，表面用600號(hào)砂紙打磨，以利于涂層的生成和增加結(jié)合強(qiáng)度。超聲波清洗15 min后，放入干燥箱烘干待用。將 Si塊和 SiO2粗粉置于真空感應(yīng)石墨化爐中高溫保溫以生成Si、SiO2及SiO混合蒸氣，并將其引入反應(yīng)室與C/C復(fù)合材料試樣反應(yīng)以生成SiC涂層。具體制備工藝見文獻(xiàn)[10]。

1.2 氧乙炔燒蝕性能測(cè)試

材料的燒蝕性能測(cè)試在西安航天復(fù)合材料研究所完成。氧乙炔焰燒蝕試驗(yàn)方法依據(jù)國(guó)家軍用標(biāo)準(zhǔn)GJB323A—96進(jìn)行，其測(cè)試的基本原理是：以氧乙炔焰流為熱源(火焰溫度最高達(dá)3 500 ℃左右)，將該焰流以90o角沖刷圓形試樣表面，對(duì)材料進(jìn)行燒蝕。燒蝕前先點(diǎn)燃氧乙炔焰，并調(diào)整好燒蝕工藝參數(shù)，待氧乙炔焰穩(wěn)定后，將燒蝕試樣放入試樣臺(tái)固定夾緊。設(shè)置好燒蝕時(shí)間后，按下開始按鈕，火焰噴嘴便移動(dòng)到試樣表面中心位置對(duì)試樣進(jìn)行燒蝕，燒蝕時(shí)間由系統(tǒng)秒表自動(dòng)控制，到達(dá)設(shè)定的燒蝕時(shí)間后，火焰噴嘴便自動(dòng)彈離試樣表面。試驗(yàn)結(jié)束后，測(cè)量燒蝕前后試樣厚度和質(zhì)量的變化，并計(jì)算出試樣的線燒蝕率和質(zhì)量燒蝕率。測(cè)試試樣的尺寸為d 30 mm×10 mm。氧乙炔焰燒蝕試驗(yàn)方法嚴(yán)格按照軍用測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行，其燒蝕試驗(yàn)的詳細(xì)工藝參數(shù)見表1所列。

表1 氧乙炔焰燒蝕測(cè)試工藝參數(shù)Table1 Ablation prarameters of oxyacetylene flame test

采用X射線衍射儀分析涂層表面的相組成，利用掃描電鏡(SEM)觀察涂層的形貌及結(jié)構(gòu)，同時(shí)采用掃描電鏡配套能譜分析儀(EDS)進(jìn)行微區(qū)成分分析。

2 結(jié)果與分析

2.1 SiC涂層對(duì)C/C復(fù)合材料燒蝕性能影響

圖1所示為采用化學(xué)氣相反應(yīng)法制備的C/C復(fù)合材料表面SiC涂層的表面及截面SEM像。由圖1(a)可知，制備的涂層表面主要由顆粒較大的SiC晶粒相互緊密堆積組成，這些形狀規(guī)則的SiC晶粒相互連成整體并形成了連續(xù)的SiC涂層，涂層表面雖然出現(xiàn)少量微裂紋但未發(fā)現(xiàn)明顯的孔洞缺陷，說(shuō)明涂層表面具有較高的致密度。另外，從圖中還可以看出，采用化學(xué)氣相反應(yīng)法制備的SiC涂層表面SiC晶粒比較粗大，平均尺寸達(dá)到了100 μm以上，少數(shù)SiC晶粒甚至達(dá)到了400 μm。相關(guān)研究表明，高取向度的SiC大晶粒更有利于SiC涂層高溫抗燒蝕性能的提高[11]。圖1(b)所示為制備的SiC涂層的截面形貌圖。由圖1(b)可知，制備的涂層整體分布比較連續(xù)均勻，具有較大的厚度(＞400 μm)。

表2所列為C/C復(fù)合材料及SiC涂層試樣的燒蝕性能測(cè)試結(jié)果。與C/C復(fù)合材料相比，涂層試樣的密度明顯提高，經(jīng)過20s的氧乙炔焰燒蝕后，涂層試樣的線燒蝕率稍有增大，但質(zhì)量燒蝕率顯著降低，與無(wú)涂層的C/C復(fù)合材料試樣相比，涂層試樣的質(zhì)量燒蝕率降低了一個(gè)數(shù)量級(jí)，說(shuō)明制備的SiC涂層具有較好的短時(shí)抗燒蝕性能。本實(shí)驗(yàn)制得的SiC涂層C/C復(fù)合材料氧乙炔焰燒蝕性能明顯優(yōu)于采用 CVD工藝制備的SiC涂層C/ZrB2-SiC[12]復(fù)合材料，SiC-ZrC-SiC復(fù)合涂層C/ZrB2-SiC[12]復(fù)合材料及采用化學(xué)氣相滲透法制備的三維針刺C/SiC復(fù)合材料燒蝕性能[13]。

圖1 化學(xué)氣相反應(yīng)法制備SiC涂層表面及截面形貌Fig.1 SEM images of surface (a) and cross-section (b) of SiC coating prepared with CVR

表2 C/C復(fù)合材料試樣及SiC涂層試樣的燒蝕性能Table2 Ablation properties of C/C composites and C/C composites with SiC coating

2.2 C/C復(fù)合材料燒蝕后的結(jié)構(gòu)與形貌

圖 2所示為 C/C復(fù)合材料試樣燒蝕后的宏觀形貌。由圖2可以看出，燒蝕后試樣表面較粗糙，燒蝕中心區(qū)形成了明顯的燒蝕凹坑，且凹坑周圍存在燒蝕平臺(tái)。

圖2 C/C復(fù)合材料試樣燒蝕后的宏觀形貌Fig.2 Macro-ablation morphology of C/C composites after oxyacetylene test

圖3所示為C/C復(fù)合材料試樣燒蝕中心區(qū)不同部位微觀形貌。圖 3(a)對(duì)應(yīng)為無(wú)緯布區(qū)纖維束燒蝕形貌圖，從圖 3(a)可以明顯看出，在燒蝕中心部位，無(wú)緯布中的纖維束被整齊地?zé)龜唷龜嗟睦w維端部呈現(xiàn)針尖狀的結(jié)構(gòu)形貌(見圖 3(b))。由于燒蝕過程中氧乙炔焰火焰溫度未達(dá)到碳的升華溫度(碳的升華溫度大于3 700 ℃)，因此，燒蝕過程中C/C復(fù)合材料的燒蝕表現(xiàn)為高溫氣流氧化引起的熱化學(xué)燒蝕、高速氣流沖刷引起的材料剝蝕以及熱應(yīng)力破壞。圖 3(c)所示為燒蝕中心網(wǎng)胎區(qū)的燒蝕形貌。與無(wú)緯布區(qū)相比，網(wǎng)胎區(qū)結(jié)構(gòu)顯的較疏松，纖維之間形成了較大的燒蝕坑，這是因?yàn)椋W(wǎng)胎區(qū)短纖維排列較亂，孔隙大，基體炭填充較多，但纖維與基體的結(jié)合力相對(duì)較弱，因此，該處力學(xué)性能薄弱，在氣流剪切力和渦旋力的作用下容易發(fā)生剝蝕現(xiàn)象。圖3(d)所示為纖維表面熱解炭的氧化形貌。與炭纖維燒蝕后形成的光滑形貌不同的是，熱解炭燒蝕后表面比較粗糙，存在大量的蜂窩狀孔洞及層狀縫隙，說(shuō)明熱解炭的燒蝕主要起始于熱解炭層及層間存在的雜質(zhì)、缺陷、界面等活性位。圖 3(e)所示為垂直火焰方向纖維截面的燒蝕形貌。由圖3(e)可知，纖維與基體的界面結(jié)合處往往優(yōu)先發(fā)生燒蝕，且在燒蝕過程中熱解炭在纖維周圍形成了環(huán)形的“包鞘”結(jié)構(gòu)，對(duì)纖維起到了一定的保護(hù)作用。另外，從圖 3(e)和 3(f)中還可以看出，燒蝕過程中截面處纖維頭部形成了針尖及鈍頭狀兩種形貌。

2.3 SiC涂層C/C復(fù)合材料燒蝕后的結(jié)構(gòu)與形貌

圖4所示為C/C復(fù)合材料SiC涂層試樣燒蝕前后的表面宏觀形貌。由圖 4(a)可以看出，涂層處理后，試樣表面生成了一層連續(xù)的SiC晶粒覆蓋層。圖4(b)所示為燒蝕后涂層試樣的表面宏觀形貌。從圖4(b)可以看出，與C/C復(fù)合材料試樣一樣，燒蝕后，涂層試樣中心區(qū)也形成了明顯的凹坑，但凹坑的直徑明顯減小。而在凹坑周圍，試樣表面的涂層仍然完好，燒蝕過程中未發(fā)生明顯的脫落、剝離痕跡，說(shuō)明采用化學(xué)氣相反應(yīng)法制備的SiC涂層具有良好的結(jié)合性能及高溫抗熱震性能。按燒蝕后試樣表面結(jié)構(gòu)形貌特點(diǎn)，涂層表面可分為 3個(gè)區(qū)域，即燒蝕中心區(qū)(凹坑處)、燒蝕邊緣區(qū)及燒蝕中心與邊緣之間的過渡區(qū)。

圖5所示為C/C復(fù)合材料SiC涂層試樣燒蝕前后的XRD譜。由燒蝕前的譜線a可知，譜線中只出現(xiàn)了SiC的衍射峰，未發(fā)現(xiàn)其他物質(zhì)的衍射峰，說(shuō)明制備的涂層主要由SiC相組成。與燒蝕前的譜線相比，燒蝕后的譜線b中出現(xiàn)了微弱的SiO2衍射峰，試樣表面 SiO2的生成主要與燒蝕過程中 SiC涂層的氧化有關(guān)。

圖5 C/C復(fù)合材料SiC涂層試樣燒蝕前后的XRD譜Fig.5 XRD patterns of SiC coated C/C composites before and after ablation: (a) Before ablation; (b) After ablation

圖6所示為C/C復(fù)合材料SiC涂層試樣燒蝕中心區(qū)的SEM像。在燒蝕中心(對(duì)應(yīng)圖4(b)中的中心凹坑處)，可以發(fā)現(xiàn)大量的炭纖維和熱解炭裸露在材料表面，試樣表面原有的SiC涂層已被完全燒蝕沖刷掉，這是由于燒蝕中心對(duì)應(yīng)于火焰中心，材料表面溫度最高(火焰溫度＞3 000 ℃)，而SiC的熔點(diǎn)為2 380 ℃，升華溫度為2 700 ℃，因此，在燒蝕中心，SiC涂層處于完全升華分解狀態(tài)[14]；同時(shí)，在燒蝕中心，材料表面的壓力最大，受到的燃?xì)鉀_刷也最為嚴(yán)重。另外，在高溫、高速的燃?xì)饬髯饔孟?，SiC涂層還會(huì)與氣流中的氧化性氣體發(fā)生反應(yīng)(氧氣與乙炔的流量比為1.35∶1，火焰為氧化焰)生成大量的SiO氣體或SiO2，而在高速氣流的沖刷作用下，涂層表面生成的 SiO2熔體很快被沖刷掉，SiC涂層直接暴露在氧化性的燃?xì)饬髦校@就加速了SiC涂層的氧化損耗。由于以上因素的共同作用，在以升華分解為主的高溫下，SiC的線燒蝕速率遠(yuǎn)大于炭基體，因此，在燒蝕中心區(qū)，SiC涂層的燒蝕以升華分解為主，同時(shí)還伴有氧化燒蝕和微區(qū)機(jī)械剝蝕。

圖6 C/C復(fù)合材料SiC涂層試樣燒蝕中心區(qū)SEM像Fig.6 SEM images of ablation center for SiC coated C/C composites: (a) Cross-section of ablation carbon fibers; (b)Ablation carbon fibers and pyrolytic carbon

與此同時(shí)，涂層試樣的中心燒蝕區(qū)還存在大量的顆粒狀附著物，這些附著物應(yīng)該是燒蝕過程中，SiC涂層燒蝕后所形成的殘留物。圖7所示為SiC涂層試樣燒蝕中心區(qū)形成的顆粒狀附著物形貌及能譜分析結(jié)果。從圖 7(a)中可以看出，這些顆粒狀附著物呈規(guī)則的圓球狀粘附在材料表面，且直徑分布范圍較廣，絕大部分球體的直徑在幾個(gè)微米左右。由圖7(b)能譜分析結(jié)果可知，白色球體主要含有Si、O兩種元素，說(shuō)明在燒蝕過程中，SiC發(fā)生了一定程度的氧化燒蝕，白色圓球狀附著物應(yīng)該為SiC氧化后形成的SiO2。燒蝕過程中，SiO2球狀顆粒的形成過程大致為：在較高的燒蝕溫度下，部分SiC涂層氧化生成的熔融態(tài)SiO2在氣流沖刷作用下脫離涂層并粘附在試樣表面，由于液態(tài)SiO2與炭纖維及基體的潤(rùn)濕性較差，因此在燒蝕后的冷卻降溫過程中，液態(tài)SiO2在表面張力及熱應(yīng)力的作用下便收縮為球狀顆粒[15]。

圖8所示為C/C復(fù)合材料SiC涂層試樣燒蝕中心區(qū)不同部位粘附的 SiO2球形貌。由圖 8可知，SiO2球除了大量粘附于熱解炭表面外(見圖7(a))，還粘附在纖維表面(見圖8(a))，并填充在裂紋及燒蝕形成的孔洞處(見圖8(b))。由于SiO2的熔化及蒸發(fā)能吸收大量的熱量，因此，粘附、填充在基體和孔洞處的SiO2球在燒蝕過程中對(duì)纖維及基體能起到一定的熱燒蝕阻擋保護(hù)作用[16]。

圖9所示為SiC涂層試樣燒蝕過渡區(qū)的SEM像。圖 9(a)所示為燒蝕中心區(qū)附近 SiC涂層的高溫?zé)gSEM像。由圖9(a)可見，在靠近燒蝕中心的過渡區(qū)內(nèi)，SiC涂層表面存在大量燒蝕形成的孔洞。圖 9(b)所示為遠(yuǎn)離燒蝕中心的過渡區(qū)涂層燒蝕SEM像。從圖9(b)可以看出，在遠(yuǎn)離燒蝕中心的過渡區(qū)域內(nèi)，涂層表面的SiC晶粒發(fā)生了明顯的氧化現(xiàn)象，且在燃?xì)饬鞯臎_刷作用下，SiC晶粒之間填充了大量的SiO2玻璃。與燒蝕中心區(qū)相比，由于到達(dá)燒蝕過渡區(qū)的火焰溫度和壓強(qiáng)都有所降低，因此涂層的燒蝕程度相對(duì)減輕。在此區(qū)域內(nèi)，涂層的燒蝕機(jī)制也由燒蝕中心區(qū)的升華分解燒蝕轉(zhuǎn)變?yōu)橐詿嵫趸腿細(xì)鉀_刷為主。

圖10所示為SiC涂層試樣燒蝕邊緣區(qū)涂層的表面形貌及能譜分析結(jié)果。從圖10(a)可以看出，在遠(yuǎn)離燒蝕中心的燒蝕邊緣部位，由于火焰溫度進(jìn)一步降低，此區(qū)域內(nèi)幾乎未發(fā)生燒蝕現(xiàn)象，而且沖刷痕跡也不明顯，雖然涂層表面形狀規(guī)則的SiC晶粒尖銳的棱角部位發(fā)生了一定程度的鈍化現(xiàn)象，但燒蝕后涂層整體形貌變化不大。能譜分析結(jié)果顯示(見圖10(b))，燒蝕后涂層表面的SiC晶粒含有微量的O元素，說(shuō)明燒蝕過程中，燒蝕邊緣區(qū)的涂層只發(fā)生了輕微的氧化現(xiàn)象，因此，在燒蝕邊緣區(qū)域，涂層主要表現(xiàn)為弱氧化燒蝕。

圖7 C/C復(fù)合材料SiC涂層試樣燒蝕中心區(qū)形成的SiO2球形貌及能譜分析結(jié)果Fig.7 SEM image (a) and EDS analyses (b) of SiO2 spheres formed at ablation center for SiC coated C/C composites

圖8 C/C復(fù)合材料SiC涂層試樣燒蝕中心區(qū)不同部位粘附的SiO2球SEM像Fig.8 SEM images of SiO2 spheres adhered on different regions at ablation center for SiC coated C/C composites: (a) SiO2 spheres adhered on ablated carbon fibers; (b) Ablation holes filled with SiO2 spheres

圖9 C/C復(fù)合材料SiC涂層試樣燒蝕過渡區(qū)SEM像Fig.9 SEM images of ablation transitional field for SiC coated C/C composites: (a) Transitional field near ablation center; (b)Transitional field far away from ablation center

圖10 SiC涂層試樣燒蝕邊緣區(qū)涂層的表面形貌及能譜分析結(jié)果Fig.10 SEM image (a) and EDS analysis (b) of ablation rim for SiC coated C/C composites

3 結(jié)論

1) 采用化學(xué)氣相反應(yīng)法在 C/C復(fù)合材料表面制得了SiC涂層，涂層后C/C復(fù)合材料的高溫短時(shí)耐燒蝕性能得到明顯提高。經(jīng)過20 s的高溫氧乙炔焰燒蝕后，C/C復(fù)合材料試樣的線燒蝕率和質(zhì)量燒蝕率分別為13 μm/s和6.6 mg/s，SiC涂層試樣的線燒蝕率和質(zhì)量燒蝕率分別為22 μm/s和0.5 mg/s。

2) 受氧乙炔焰溫度場(chǎng)及氣體流場(chǎng)分布影響，燒蝕后，涂層試樣表面按結(jié)構(gòu)形貌特點(diǎn)可分為3個(gè)區(qū)域，即燒蝕中心區(qū)、燒蝕過渡區(qū)及燒蝕邊緣區(qū)。對(duì)于燒蝕中心區(qū)，由于此區(qū)域的火焰溫度最高(＞3 000 ℃)，因此，燒蝕過程中，涂層試樣的燒蝕以升華分解燒蝕為主，同時(shí)還伴有氧化燒蝕和微區(qū)機(jī)械剝蝕；在燒蝕過渡區(qū)，隨著火焰溫度和壓強(qiáng)的降低，涂層的燒蝕機(jī)制也由燒蝕中心區(qū)的升華分解燒蝕轉(zhuǎn)變?yōu)橐詿嵫趸腿細(xì)鉀_刷為主；在燒蝕邊緣區(qū)，涂層的燒蝕則主要表現(xiàn)為弱氧化燒蝕。

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Effect of SiC coating on ablation resistance of C/C composites under oxyacetylene torch flame

SU Zhe-an, YANG Xin, HUANG Qi-zhong, HUANG Bai-Yun, LI Jian-li, ZHANG Ming-yu, XIE Zhi-yong
(State Key Laboratory of Powder Metallurgy, Central South University, Changsha 410083, China)

The anti-oxidation SiC coatings were prepared on C/C composites by the chemical vapor reaction (CVR)method. The structure of the coatings was studied by XRD, SEM and EDS analysis, and the effect of SiC coatings on ablation resistance of C/C composites was investigated by oxyacetylene torch flame test. The results show that the prepared SiC coatings can effectively improve the ablation resistance of C/C composites in short time ablation. After 20s ablation by oxyacetylene flame, the linear ablation rate and mass ablation rate of C/C composites are 13 μm/s and 6.6 mg/s, respectively while those of SiC coated C/C composites are 22 μm/s and 0.5 mg/s, respectively. In the ablation center, the ablation mechanism of the coated sample is sublimation and decomposition, combined with thermo-oxidation and mechanical denudation. In the transitional field, the ablation mechanism of the coating is controlled by thermo-oxidation and scouring. And in the ablation rim, the coating exhibits slight oxidation behavior.

C/C composites; anti-oxidation coating; SiC; oxyacetylene torch flame ablation

TB332

A

1004-0609(2011)11-2838-08

國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃資助項(xiàng)目(2011CB605801)；國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(50802115)

2011-01-04；

2011-03-10

楊 鑫，博士；電話：0731-88877671；E-mail: popxin@yahoo.cn

(編輯 何學(xué)鋒)