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應(yīng)用于頻率綜合器的多模分頻器設(shè)計

2011-09-04 06:09:28詹海挺孫玲玲高海軍
關(guān)鍵詞:存器分頻器頻數(shù)

詹海挺,孫玲玲,高海軍

(杭州電子科技大學射頻與電路系統(tǒng)教育部重點實驗室,浙江杭州310018)

0 引言

隨著當今消費電子業(yè)類技術(shù)的發(fā)展和市場的需求,采用低成本的CMOS工藝實現(xiàn)無線收發(fā)系統(tǒng)的單芯片集成已成為學術(shù)界和工業(yè)界研究的熱點。作為射頻前端部分關(guān)鍵模塊之一的頻率綜合器,其性能直接影響到接收機的靈敏度,相位噪聲等指標。分頻器是頻率綜合器的重要組成部分,基于吞脈沖計數(shù)器的結(jié)構(gòu)是目前廣泛使用的分頻器結(jié)構(gòu)[1]。分頻器的實現(xiàn)方式主要有真單相鐘控電路和源耦合結(jié)構(gòu)兩種。真單相鐘控電路技術(shù)采用動態(tài)CMOS技術(shù),具有管子少、電路結(jié)構(gòu)簡單和功耗低等優(yōu)點,但在低電源電壓下這種結(jié)構(gòu)無法操作在較高頻率[2]。源耦合技術(shù)具有低擺幅,高速度,低噪聲,抗干擾能力強等優(yōu)點,是一種基于差分結(jié)構(gòu)的邏輯電路[3]。本文采用源耦合結(jié)構(gòu)和標準數(shù)字邏輯單元等設(shè)計了一種可應(yīng)用于整數(shù)或分數(shù)頻率綜合器的多模分頻器。

1 總體結(jié)構(gòu)

該電路由輸入級、分頻級和輸出級3部分組成,其總體架構(gòu)如圖1所示:

圖1 多模分頻器總體架構(gòu)

在頻率綜合器里,壓控振蕩器的輸出差分信號經(jīng)過輸入級的隔直偏置電路,使差分信號偏置在分頻級要求的直流偏置點。分頻級實現(xiàn)分頻功能,由9個2/3單元和邏輯門組成,其分頻模數(shù)由P0、P1、…、P9控制。輸出級電路完成輸出信號的選擇。

2/3單元采用吞脈沖技術(shù),能實現(xiàn)2分頻或則3分頻功能,其分頻數(shù)由mod和P共同控制。當mod和P都為1時,2/3單元為一個3分頻器,否則為2分頻器。圖1中的分頻級,根據(jù)文獻4的算法,OUT1的分頻數(shù)為,OUT2 的分頻數(shù)為,OUT3 的分頻數(shù)為,通過輸出級的選擇,F(xiàn)out的分頻數(shù)為

2 模塊電路

2.1 隔直偏置電路

輸入級是一個隔直偏置電路,由電容和電阻組成。電容C的作用是濾除VCO輸出差分信號的直流成分,電阻R和偏置電壓Vbias的作用是給差分信號提供直流偏置,以滿足分頻級對差分輸入信號的直流要求,此處Vbias為950mV。這里電阻電容組成一個高通濾波器,頻率小于1/2 RC被濾掉而達不到分頻級。此電路由于版圖的布局考慮,選擇了電阻R為679Ω,電容C為1.066pF,可得頻率大于221M的信號都將通過,遠滿足最低頻率600M的要求。

2.2 2/3 分頻單元

2/3分頻單元由預(yù)分頻邏輯和吞控制邏輯組成,如圖2所示:

圖2 2/3單元結(jié)構(gòu)圖

預(yù)分頻邏輯實現(xiàn)電路分頻,吞脈沖控制邏輯實現(xiàn)電路控制。當modin為低時,吞脈沖控制邏輯反饋給預(yù)分頻邏輯的電平為高電平;當modin為高,若吞控制邏輯檢測到P為高,則吞控制邏輯會強制預(yù)分頻邏輯吞掉Fin的額外一個周期,即為3分頻;否則,則預(yù)分頻邏輯仍保持在2分頻狀態(tài)。

文獻5提出了一種SCL結(jié)構(gòu)鎖存器的實現(xiàn),該文進行了改進,用工作在線性區(qū)的PMOS管作為負載,一個單輸入D鎖存器和一個與門組成一個雙輸入的D鎖存器如圖3、4所示。

圖3 單輸入鎖存器

圖4 雙輸入鎖存器

2.3 輸出級電路

輸出級電路如圖5所示,當P9為高電平,F(xiàn)out選擇OUT3;當P9為低電平,P8為高電平時,F(xiàn)out選擇OUT2;其它情況選Fout選擇OUT1。從而Fout的分頻數(shù)達為。放大級電路是放大3路傳輸門線與后的信號,以滿足反相級的驅(qū)動電平要求。

圖5 輸出級電路

3 電路仿真結(jié)果及版圖

整個分頻器電路采用smic 65nm工藝實現(xiàn),除去PAD,分頻器版圖面積為160μm×73μm。加上PAD后的版圖面積為709μm×559μm,功耗5mW。在輸入差分正弦信號頻率為600MHz-4GHz、輸入峰峰值為400-500mV、工藝角為tt、ss、ff、sf、fs情況下,后仿真滿足128-1 023分頻數(shù)的要求。如圖6所示為分頻器在壓控振蕩器輸入頻率為4G,輸入電壓峰峰值為400mV,工藝角為tt情況下225分頻的后仿真波形。

4 結(jié)束語

本文采用了smic 65nm工藝實現(xiàn)了一個應(yīng)用于頻率綜合器的多模分頻器。通過模式控制,能實現(xiàn)輸入頻率范圍為600M-4G、峰峰值為400mV以上的差分信號進行128-1 023范圍內(nèi)的任何模數(shù)分頻。經(jīng)過版圖寄生參數(shù)的提取及認真地后仿真結(jié)果表明,所實現(xiàn)的電路在各種工藝角下均能達到要求。

圖6 多模分頻器仿真波形

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[5] 池保勇,余志平,石秉學.CMOS射頻集成電路分析與設(shè)計[M].北京:清華大學出版社,2007:517-518.

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