王 波 ,胡汶金 ,趙一尚 ,李澤宏 ,任 敏

(1.川投信息產(chǎn)業(yè)集團有限公司,四川成都 610000;2.電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國家重點實驗室,四川 成都 610054)

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)器件作為中高功率開關(guān)應(yīng)用的關(guān)鍵半導(dǎo)體器件,受市場需求的影響,其一直朝著降低開關(guān)損耗、提高工作頻率和提高器件可靠性的方向發(fā)展[1-2]。在傳統(tǒng)槽柵IGBT 結(jié)構(gòu)中,減小關(guān)斷損耗會造成器件正向?qū)▔航档奶嵘?從而對器件的導(dǎo)通特性產(chǎn)生不利影響。隨著場截止技術(shù)和載流子存儲技術(shù)的發(fā)展,人們實現(xiàn)了對IGBT 正向?qū)▔航礦CE(ON)與關(guān)斷損耗EOFF兩者矛盾關(guān)系的較好的優(yōu)化[3]。而在優(yōu)化器件開啟損耗EON的方向上,較高的開關(guān)速度雖然可以減小器件的開啟損耗,但同時會帶來較大的電流電壓振蕩,造成柵極電阻Rg無法較好地調(diào)控IGBT 的集電極電壓和電流的變化率(dVCE/dt和dICE/dt);同時受到IGBT 開啟速度的影響,電路中的續(xù)流二極管(Freewheel Diode,FWD)的反向恢復(fù)速度也隨之加快,導(dǎo)致FWD 反向恢復(fù)時的陽極電壓變化率dVKA/dt過大,進(jìn)一步造成集電極電流和電壓的變化過快,最終在系統(tǒng)中引發(fā)較為嚴(yán)重的電磁干擾EMI 噪聲問題,對器件及應(yīng)用系統(tǒng)的可靠性產(chǎn)生不利影響,這種情況在小電流應(yīng)用環(huán)境中尤為明顯[4]。

EMI 噪聲的主要來源是開啟瞬態(tài)較高的dV/dt和dI/dt,而以上兩個參數(shù)主要受位移電流Idis的影響[5-7]。

式中:CGCOX1為柵極-集電極電容(密勒電容)的一部分;Vacc為槽柵周圍電勢;VGE為柵極電壓。當(dāng)柵極附近的電勢變化速率dVacc/dt大于柵極電壓變化速率dVGE/dt時,位移電流Idis將會通過部分柵氧化層電容對柵極充電,使得實際參與充電的柵電流IG_eff=IG+Idis增大,進(jìn)而導(dǎo)致dV/dt和dI/dt的不可控現(xiàn)象。

基于以上研究,業(yè)內(nèi)對優(yōu)化開啟損耗EON和電磁干擾噪聲EMI 噪聲之間的折中關(guān)系的主要方向為減小IGBT 的密勒電容CGC和槽柵附近電勢Vacc的變化率dVacc/dt。其中,減小密勒電容的主流思路是減小柵極與集電極之間的交疊面積,或直接實現(xiàn)密勒電容的減小,或是通過將柵極集電極電容轉(zhuǎn)換為柵極發(fā)射極電容以實現(xiàn)密勒電容的間接減小[8-13]。

基于此,本文在具有場截止層的傳統(tǒng)槽柵IGBT 結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,提出了一種具有多晶硅二極管柵極結(jié)構(gòu)的槽柵IGBT 結(jié)構(gòu)(Poly Silicon Diodes Gate Structure for Trench Gate IGBT,PDG-TIGBT)。該結(jié)構(gòu)通過在溝槽內(nèi)部引入多晶硅二極管結(jié)構(gòu),使多晶硅二極管中低摻雜P 型Poly 柵極區(qū)域內(nèi)形成的耗盡電容與原本的柵氧化層電容串聯(lián)實現(xiàn)更小的密勒電容,同時該耗盡電容的存在可提升開啟瞬態(tài)過程中的槽柵底部的電位,減小位移電流對柵極的影響,減小開啟過程中電壓和電流的過沖,增強柵極電阻Rg對dV/dt和dI/dt的控制能力,有效改善IGBT 開啟損耗和EMI 噪聲之間的折中關(guān)系。

1 器件結(jié)構(gòu)和工作機理

圖1(a)是場截止層槽柵IGBT(Trench Gate IGBT with Field-Stop Layer,FS-TIGBT)結(jié)構(gòu)的橫截面圖,圖1(b)是本文所提的具有多晶硅二極管柵極結(jié)構(gòu)的槽柵IGBT(PDG-TIGBT)的橫截面圖。PDG-TIGBT 與FSTIGBT 結(jié)構(gòu)除槽柵結(jié)構(gòu)外均保持一致。為實現(xiàn)PDGTIGBT 的柵極結(jié)構(gòu),在N+Poly 柵極和槽柵底部之間引入P+Poly 柵極和P-Poly 柵極,其中P+Poly 柵極主要作為N+Poly 柵極和P-Poly 柵極之間的緩沖結(jié)構(gòu),P-Poly柵極則用于實現(xiàn)多晶硅二極管結(jié)構(gòu),通過控制P-Poly柵極的摻雜濃度可以使該區(qū)域與IGBT 的漂移區(qū)區(qū)域相互耗盡形成耗盡電容,該耗盡電容一方面可以有效提升開啟瞬態(tài)過程中的槽柵底部的電位,另一方面與原本的柵氧化層電容串聯(lián)實現(xiàn)更小的密勒電容。

圖1 (a)FS-TIGBT 和(b)PDG-TIGBT 的結(jié)構(gòu)橫截面圖Fig.1 The cross section of the (a) FS-TIGBT and (b) PDG-TIGBT

圖2 則展示了PDG-TIGBT 柵極結(jié)構(gòu)的主要工藝制程的步驟。與傳統(tǒng)槽柵IGBT 柵極結(jié)構(gòu)相比,PDGTIGBT 需要經(jīng)過多次P--P+-N+多晶硅層的淀積與刻蝕以形成多晶硅二極管柵極結(jié)構(gòu)。同時,與傳統(tǒng)槽柵IGBT 工藝不同的是,為了避免IGBT 其他區(qū)域推結(jié)、退火、介質(zhì)層形成等工藝的熱過程對P-Poly 柵極摻雜造成影響,本次工藝制程將溝槽的刻蝕、柵氧化層的生長以及Poly 柵極的淀積與摻雜過程安排在場限環(huán)、P 型基區(qū)、N 型發(fā)射區(qū)以及P 型接觸區(qū)的推結(jié)過程之后。圖2(a)為PDG-TIGBT 的主要摻雜區(qū)域如N 型FS 層、N-漂移區(qū)、P 型基區(qū)、N+發(fā)射區(qū)和P+接觸區(qū)的形成結(jié)果示意圖,其中N 型FS 層作為整個結(jié)構(gòu)的襯底,而N-漂移區(qū)采用外延工藝實現(xiàn)。接下來,如圖2(b)所示,實現(xiàn)槽柵結(jié)構(gòu)中溝槽的刻蝕和柵氧化層的淀積。下一步則用于實現(xiàn)槽柵內(nèi)部的多晶硅二極管結(jié)構(gòu),如圖2(c)、(d)和(e)所示,進(jìn)行P-Poly柵極、P+Poly 柵極和N+Poly 柵極的淀積與刻蝕。最后進(jìn)行BPSG 介質(zhì)層的淀積與刻蝕工藝、器件表面的金屬化工藝,如圖2(f)所示。經(jīng)過以上幾個工藝步驟,PDG-TIGBT 中包含多晶硅二極管柵極結(jié)構(gòu)的正面結(jié)構(gòu)已完全實現(xiàn)。

圖2 PDG-TIGBT 柵極結(jié)構(gòu)的主要工藝設(shè)計步驟。(a)N 型FS 層、N-漂移區(qū)、P 型基區(qū)、N+發(fā)射區(qū)和P+接觸區(qū)的形成;(b)槽柵的刻蝕和柵氧化層的淀積;(c)P-Poly 柵極的淀積與刻蝕;(d)P+Poly 柵極的淀積與刻蝕;(e)N+Poly 柵極的淀積與刻蝕;(f)BPSG 介質(zhì)層與金屬的淀積與刻蝕Fig.2 The major process design of the PDG-TIGBT gate structure.(a) Formation of N FS-layer,N- drift,P-base,N+ emitter and P+ contact;(b) Trench etching and oxide deposition;(c) PPoly deposition and etching;(d) P+ Poly deposition and etching;(e) N+ Poly deposition and etching;(f) BPSG and metal deposition and etching

圖3 為簡化后的兩種結(jié)構(gòu)的電容等效電路示意圖。由圖3(a)可知,傳統(tǒng)FS-TIGBT 的密勒電容僅由柵極與N-漂移區(qū)之間的半導(dǎo)體電容CGCOX組成。而由圖3(b)可知,本文所提的PDG-TIGBT 結(jié)構(gòu)的密勒電容受到P-Poly 硅柵與N-漂移區(qū)之間的耗盡電容的影響可大幅度減小,密勒電容由耗盡電容Cd與CGCOX串聯(lián)組成。FS-TIGBT 和PDG-TIGBT 兩種結(jié)構(gòu)的密勒電容的表達(dá)式為:

圖3 (a)FS-TIGBT 和(b)PDG-TIGBT 電容等效電路Fig.3 The capacitances network of the (a) FS-TIGBT and (b) PDG-TIGBT

Cd的存在可大幅度減小PDG-TIGBT 的密勒電容,通過調(diào)節(jié)P-Poly 柵極的摻雜改變耗盡電容Cd的大小,從而進(jìn)一步實現(xiàn)對密勒電容和槽柵附近電勢的優(yōu)化。該結(jié)構(gòu)在密勒電容上的優(yōu)化一方面可以加快器件的開關(guān)速度,減小IGBT 的開關(guān)損耗;另一方面,減小密勒電容可以有效減小器件的位移電流Idis,從而減小位移電流對柵極驅(qū)動的影響。同時,本結(jié)構(gòu)中的耗盡電容Cd可有效提升槽柵附近的電勢Vacc,由于槽柵附近的電勢Vacc初始值Vfix會強烈影響開啟時的dICE/dt,Vfix越大,空穴在槽柵附近積累的數(shù)量越少,致使槽柵附近電勢Vacc增長速率變緩,即dVacc/dt減小,從而可以有效減小位移電流Idis對槽柵的影響,減小開啟過程中器件的dV/dt和dI/dt,抑制器件的EMI 噪聲,實現(xiàn)IGBT的EMI 噪聲與開啟損耗EON折中關(guān)系的進(jìn)一步優(yōu)化。

2 結(jié)構(gòu)仿真與數(shù)據(jù)分析

為驗證所提PDG-TIGBT 結(jié)構(gòu)在開啟損耗EON與EMI 噪聲兩者折中關(guān)系上的優(yōu)化,本文利用Sentaurus仿真軟件對FS-TIGBT 和PDG-TIGBT 兩種結(jié)構(gòu)進(jìn)行靜態(tài)特性和動態(tài)特性的對比仿真,重點分析兩種結(jié)構(gòu)在密勒電容及開關(guān)特性上的區(qū)別。兩種結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)參數(shù)如表1 所列。

表1 FS-TIGBT 和PDG-TIGBT 結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工藝參數(shù)Tab.1 Key process parameters of FS-TIGBT and PDG-TIGBT

圖4 為兩種結(jié)構(gòu)正向阻斷特性的對比圖,其中圖4(a)為兩種結(jié)構(gòu)在相同結(jié)構(gòu)參數(shù)下的正向阻斷電壓仿真結(jié)果,圖4(b)為兩種結(jié)構(gòu)在正向阻斷狀態(tài)下沿槽柵側(cè)壁的電場分布對比示意圖。由圖可知,PDG-TIGBT 的擊穿電壓略高于FS-TIGBT,同時兩種結(jié)構(gòu)的電場峰值均位于槽柵底部拐角處,且FS-TIGBT 結(jié)構(gòu)的電場峰值略大于PDG-TIGBT 電場峰值。該現(xiàn)象的主要原因是在器件的正向阻斷過程中,由于PDG-TIGBT 中P-Poly柵極與N-漂移區(qū)之間形成耗盡區(qū)域,使漂移區(qū)內(nèi)的電場得到進(jìn)一步的優(yōu)化,但P-Poly 不同于與發(fā)射極相連的屏蔽柵極,該結(jié)構(gòu)僅能較小幅度優(yōu)化漂移區(qū)內(nèi)的電場分布,實現(xiàn)對阻斷能力的小幅度提升。

圖4 FS-TIGBT 和PDG-TIGBT 的(a)擊穿電壓曲線和(b)沿槽柵側(cè)壁的電場分布Fig.4 (a) BVs and (b) electric field along trench gate sidewall of FS-TIGBT and PDG-TIGBT

由于PDG-TIGBT 結(jié)構(gòu)中引入的P-Poly 硅柵與N-漂移區(qū)之間在高集電極電壓下形成耗盡電容Cd,該電容與原本柵極附近的半導(dǎo)體電容CGCOX串聯(lián)使結(jié)構(gòu)的密勒電容大幅度降低。圖5 為兩種結(jié)構(gòu)密勒電容隨集電極電壓VCE變化曲線的對比示意圖,從圖中可以看出,PDG-TIGBT 在0～600 V 的集電極電壓范圍內(nèi)均小于FS-TIGBT,在小集電極電壓范圍內(nèi)改善較小,在大集電極電壓范圍內(nèi)改善較為明顯。其中,在集電極電壓為600 V 時,FS-TIGBT 密勒電容為40.9 pF,PDGTIGBT 密勒電容僅為11.98 pF,本文所提結(jié)構(gòu)的密勒電容減小了70.7%。大集電極電壓下密勒電容的大幅度減小可以有效改善開關(guān)過程中位移電流對柵極驅(qū)動的影響,同時可以有效減小器件的開啟損耗,具體的量化效果將由開關(guān)特性的仿真結(jié)果展示。

圖5 (a)兩種結(jié)構(gòu)密勒電容隨集電極電壓變化曲線;(b)高集電極電壓下兩種結(jié)構(gòu)密勒電容大小對比Fig.5 (a) Miller capacitance CGC versus VCE;(b) Comparison of Miller capacitance CGC of FS-TIGBT and PDG-TIGBT at high collector voltage

接下來重點分析PDG-TIGBT 對EMI 噪聲與開啟損耗EON折中關(guān)系的改善效果。圖6 所示為IGBT 開啟特性仿真所采用的感性負(fù)載仿真電路,其中負(fù)載電流源Iload為40 A,電源電壓VCC為600 V,柵極電壓范圍是0～15 V,柵極電阻Rg為80 Ω,雜散電感LS1和LS2的值分別為50 nH 和30 nH。電路選取硅基的PIN 二極管作為續(xù)流二極管FWD,并設(shè)置IGBT 與FWD 的面積之比為2 ∶1。

圖6 IGBT 感性負(fù)載開關(guān)電路Fig.6 Circuit schematic with inductive load for IGBT transient turn on analysis

圖7 為柵極電阻Rg為80 Ω、負(fù)載電流為0.1 倍率的額定電流即Iload為4 A 時,采用如圖6 所示的開關(guān)電路對FS-TIGBT 和PDG-TIGBT 兩種結(jié)構(gòu)進(jìn)行開啟特性及EMI 噪聲相關(guān)特性的仿真分析。圖7(a)顯示了兩種結(jié)構(gòu)在開啟過程中槽柵底部電勢Vacc的變化,如圖所示,PDG-TIGBT 結(jié)構(gòu)受耗盡電容Cd的影響有效抬升了槽柵底部電勢Vacc。圖7(b)和(c)則展示了槽柵底部空穴濃度和電勢變化率dVacc/dt的波形對比曲線,PDG-TIGBT 結(jié)構(gòu)中Vacc電位的提升使更少的空穴聚集在槽柵附近,從而可以有效減小Vacc的增長速率dVacc/dt。圖7(d)通過對比兩種結(jié)構(gòu)集電極電流及其變化率的變化曲線進(jìn)一步展示了PDG-TIGBT 結(jié)構(gòu)在EMI 噪聲特性上的優(yōu)化,如圖所示,PDG-TIGBT 結(jié)構(gòu)有效抑制了集電極電流ICE的過沖,并實現(xiàn)了更小的集電極電流變化率dICE/dt。通過對圖7 分析可得,由于密勒電容在集電極電壓VCE為600 V 時減小70.7%,dVacc/dt最大值從63.4 V/μs 下降到48.5 V/μs,即dVacc/dt(max)減小了23.5%,從而實現(xiàn)了最大dICE/dt從914.4 A/μs 下降到495.9 A/μs,使dICE/dt(max)減小45.8%,同時將ICE過沖由44.1 A 抑制到36.3 A。

圖7 小電流下兩種結(jié)構(gòu)開啟特性對比。(a) Vacc開啟波形對比;(b) Vacc和槽柵底部空穴濃度開啟波形對比;(c) Vacc和dVacc/dt 開啟波形對比;(d)ICE和dICE/dt 開啟波形對比Fig.7 Comparison of turn on characteristics of two structures at small current.(a) Comparison of Vacc during turn on period;(b) Comparison of Vacc and hole density at the bottom of trench gate;(c) Comparison of Vacc and dVacc/dt;(d) Comparison of ICE and dICE/dt

圖8 對比了負(fù)載電流為0.1 倍率的額定電流即Iload為4 A 時,不同柵極電阻Rg下的FS-TIGBT 和PDGTIGBT 兩種結(jié)構(gòu)集電極電壓VCE和集電極電流ICE的變化曲線,其中Rg取值范圍為20～600 Ω。從圖中可以看出,不同Rg下的PDG-TIGBT 的集電極電流ICE峰值均低于FS-TIGBT,且隨著Rg的增大,PDG-TIGBT 結(jié)構(gòu)下的VCE和ICE的相應(yīng)變換趨勢比FS-TIGBT 的更為明顯,即PDG-TIGBT 結(jié)構(gòu)下的VCE和ICE對Rg的變換更為敏感,具有更高的dICE/dt和dVCE/dt的可控性。

圖8 1/10 額定電流下不同Rg(20～600 Ω)下(a)FS-TIGBT 和(b)PDG-TIGT 的開啟特性曲線對比Fig.8 Simulated turn-on characteristics of (a) FS-TIGBT and the (b) PDG-TIGBT with various Rg(20-600 Ω) at 1/10 rated current

圖9 則進(jìn)一步詳細(xì)地展示了小電流下兩種結(jié)構(gòu)的集電極電流峰值ICE(max)及集電極電流變化率最大值dICE/dt(max)隨柵極電阻Rg的變化關(guān)系。在20～300 Ω 的典型柵極電阻仿真范圍內(nèi),相同Rg下PDG-TIGBT 的集電極最大電流ICE(max)平均下降22.1%,集電極電流變化率最大值dICE/dt(max)平均下降71.7%,展現(xiàn)出更強的電流可控性。

圖9 (a)Rg-ICE(max)和(b)Rg-dICE/dt(max)的開啟特性折中曲線對比Fig.9 Turn-on trade-off relationships between (a) Rg and ICE(max),(b) Rg and dICE/dt(max) at 1/10 rated current

圖10 為開啟損耗EON與續(xù)流二極管反向恢復(fù)時的陽極電壓變化率最大值dVKA/dt(max)、開啟過程中dICE/dt發(fā)生震蕩時的最大值dICE/dt(max)之間的折中曲線示意圖,兩種折中曲線示意圖可以較為量化地展示電磁干擾噪聲EMI 與開啟特性之間的折中關(guān)系。其中dICE/dt(max)、dVKA/dt(max)等EMI 噪聲相關(guān)參數(shù)均在0.1倍率的負(fù)載電流4 A 下進(jìn)行仿真,EON則是在額定負(fù)載電流40 A 下進(jìn)行仿真。圖10(a)為兩種結(jié)構(gòu)的開啟損耗EON與集電極電流變化率最大值dICE/dt(max)的折中曲線對比,從圖中可以看出,在相同的EON條件下,PDG-TIGBT 對應(yīng)的dICE/dt(max)相比傳統(tǒng)的FS-TIGBT結(jié)構(gòu)減小了84.2%。同時,從圖10(b)所示的開啟損耗EON與續(xù)流二極管FWD 反向恢復(fù)電壓最大值dVKA/dt(max)的折中曲線對比圖中可以看到,在EON保持一致的前提下,PDG-TIGBT 的dVKA/dt(max)下降了44.4%。由上面描述可知,與傳統(tǒng)的FS-TIGBT 結(jié)構(gòu)相比,所提PDG-TIGBT 結(jié)構(gòu)在一定程度上優(yōu)化了dICE/dt、dVKA/dt與EON之間的折中關(guān)系,有效地改善了器件開啟特性與EMI 噪聲特性之間的矛盾關(guān)系。

圖10 (a)EON-dICE/dt(max)和(b)EON-dVKA/dt(max)的折中曲線對比Fig.10 Trade-off relationships between (a) EON and dICE/dt(max),(b) EON and dVKA/dt(max)

3 結(jié)論

本文提出了一種可有效改善IGBT 的開啟損耗EON和EMI 噪聲折中關(guān)系的具有多晶硅二極管柵極結(jié)構(gòu)的槽柵IGBT(PDG-TIGBT)結(jié)構(gòu),并基于傳統(tǒng)槽柵IGBT工藝提出了適用于所提結(jié)構(gòu)的工藝制程。對比于傳統(tǒng)FS-TIGBT 結(jié)構(gòu),在柵極電阻Rg為80 Ω、集電極電壓VCE為600 V 的仿真條件下,所提PDG-TIGBT 結(jié)構(gòu)的密勒電容CGC比FS-TIGBT 降低了70.7%,槽柵底部電位Vacc則抬升了約146%。

基于耗盡電容Cd導(dǎo)致的密勒電容CGC的減小及槽柵底部電位Vacc的抬升,PDG-TIGBT 可以有效抑制位移電流的產(chǎn)生。仿真結(jié)果顯示,在開啟瞬態(tài)槽柵底部電位增長速度dVacc/dt減小23.5%,集電極電流變化速率dICE/dt(max)減小45.8%,ICE過沖由44.1 A 抑制到36.3 A。同時,通過仿真不同柵極電阻Rg下的兩種結(jié)構(gòu)的開啟特性曲線發(fā)現(xiàn),PDG-TIGBT 結(jié)構(gòu)的集電極電壓VCE和集電極電流ICE對柵極電阻Rg的變化更為敏感,即具有更高的dICE/dt和dVCE/dt可控性。更重要的是,PDG-TIGBT 結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了開啟損耗EON與EMI噪聲折中關(guān)系的進(jìn)一步優(yōu)化,仿真結(jié)果顯示,在EON保持一致的前提下,PDG-TIGBT 的dICE/dt(max)減小了84.2%,dVKA/dt(max)下降了44.4%。