顧東華 ，曾智勇 ，余金金 ，黃徐輝 ，朱嘉駿 ，何湘君 ，陳澤發(fā)

(1.燧原科技上海有限公司，上海 200000；2.上?？请娮涌萍加邢薰?，上海 200000)

0 引言

芯片設(shè)計(jì)一直在追求最好的PPA，在28 nm 之前的技術(shù)節(jié)點(diǎn)上，很多時(shí)候更多地優(yōu)先考慮性能和面積。隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)向7 nm 進(jìn)化，標(biāo)準(zhǔn)單元的密度不斷提升，隨之而來的功耗密度也越來越大。因此作為PPA 之一的功耗在設(shè)計(jì)中變得尤為重要。設(shè)計(jì)芯片需要在流程的各個(gè)節(jié)點(diǎn)盡量對(duì)功耗進(jìn)行精確評(píng)估并進(jìn)行優(yōu)化，否則最終芯片的性能很可能由于功耗過大而無法充分發(fā)揮。

1 芯片功耗

首先來看下從原理上芯片的功耗的計(jì)算方式。集成電路的功耗一般分為靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗。如圖1 所示，靜態(tài)功耗又稱為泄露功耗(leakage power)，是指電路處于等待或不激活狀態(tài)時(shí)泄漏電流所產(chǎn)生的功耗。

圖1 中箭頭表明了在通電狀態(tài)下PMOS 內(nèi)主要的泄漏電流及其走向，意即：

圖1 靜態(tài)功耗示意圖

泄漏電流(Leakage Current)=漏極-＞N-Well+Gate-＞N-Well+源極-＞漏極

泄漏電流存在的原因在于，MOS 管中的多種摻雜區(qū)形成導(dǎo)電區(qū)域，同時(shí)這些區(qū)域會(huì)組成多個(gè)PN 節(jié)，從而在通電后形成一系列微小的電流。

盡管在現(xiàn)今芯片的工作電壓已經(jīng)很低的前提下每個(gè)MOS 管的漏電流很小，但由于每顆芯片中集成的晶體管多至幾億甚至幾百億，積少成多，導(dǎo)致芯片的整體泄露功耗變得越來越恐怖。

在后端設(shè)計(jì)中，由于每個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元(standard cell)的leakage 都集成在其liberty 庫(kù)文件(.lib)中，因此計(jì)算leakage power 只需在制定條件下將design 中所有的標(biāo)準(zhǔn)單元(包括各種Macro)的leakage 值相加即可。

目前所有的主流PR 工具對(duì)此都有支持。需要指出的是，由于一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元的leakage power 和其面積成正比，因此在實(shí)際后端設(shè)計(jì)的各個(gè)階段，尤其是low power設(shè)計(jì)中，一般會(huì)重點(diǎn)關(guān)注芯片中邏輯門的面積變化并以此快速推斷design 的leakage 功耗變化。

另一部分稱為動(dòng)態(tài)功耗，是指芯片在工作過程中晶體管狀態(tài)跳變所產(chǎn)生的功耗。當(dāng)把反相器簡(jiǎn)化成一個(gè)簡(jiǎn)單的RC 電路時(shí)，就可以清晰地看出充放電時(shí)的電流走向。當(dāng)芯片處于工作狀態(tài)時(shí)，每一個(gè)工作中的標(biāo)準(zhǔn)單元都會(huì)隨著時(shí)鐘以及數(shù)據(jù)的翻轉(zhuǎn)而不斷重復(fù)上述過程，從而產(chǎn)生大量的動(dòng)態(tài)功耗。

在實(shí)際后端設(shè)計(jì)時(shí)，動(dòng)態(tài)功耗由于和芯片的功能息息相關(guān)，因此在計(jì)算的時(shí)候會(huì)引入翻轉(zhuǎn)率(toggle rate)的概念。翻轉(zhuǎn)率是指單位時(shí)間內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)單元上信號(hào)翻轉(zhuǎn)的次數(shù)，翻轉(zhuǎn)率的高低直接影響到標(biāo)準(zhǔn)單元上的動(dòng)態(tài)功耗開銷。

在實(shí)際計(jì)算動(dòng)態(tài)功耗的時(shí)候，又會(huì)分成兩個(gè)部分。一部分為標(biāo)準(zhǔn)單元內(nèi)部的動(dòng)態(tài)功耗，一般叫做短路功耗，又可以稱為內(nèi)部功耗(Internal Power)，如圖2 所示，這部分的計(jì)算是嵌入liberty 庫(kù)文件內(nèi)部，通過標(biāo)準(zhǔn)單元的input transition 和output load 來查表得到的。

圖2 內(nèi)部功耗示意圖

另一部分為互連線(net)上的動(dòng)態(tài)功耗，也稱為翻轉(zhuǎn)功耗(Switching Power)，這部分的計(jì)算通過將所有net上每個(gè)翻轉(zhuǎn)周期的功耗乘以其翻轉(zhuǎn)率并相加得到。

翻轉(zhuǎn)率通過某種固定格式的文件傳入EDA 工具，比較常用的格式有SAIF (Switching Activity Interchange Format)、VCD(Value Change Dump)以及FSDB(Fast Signal Database)文件。

目前主流的PR 工具均支持此類用法，但是簽核signoff 時(shí)仍然需要比較專業(yè)的power 計(jì)算工具如Synopsys PrimeTime PX 或Cadence Palladium 等。

至此，我們基本了解了一顆芯片整體功耗的計(jì)算方法。而在現(xiàn)今十分重要的低功耗設(shè)計(jì)中，所有的手法都是從降低以上兩個(gè)方面(Static，Dynamic)的功耗著手的：比如應(yīng)用多個(gè)power domain 以便在芯片的某一部分功能不用的時(shí)候?qū)⑵鋽嚯婈P(guān)閉；或者通過升級(jí)更先進(jìn)的工藝來降低每個(gè)晶體管的尺寸從而降低整體面積；抑或通過改善時(shí)鐘樹綜合手段來降低芯片中占比很大的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)功耗。

傳統(tǒng)的功耗優(yōu)化方案一般會(huì)采用減少ULVT cell 的使用率來優(yōu)化靜態(tài)功耗，另外引入無向量模式(vector-less)設(shè)置一個(gè)大概的switching activity 如15%，然后進(jìn)行動(dòng)態(tài)功耗優(yōu)化。但是這樣的優(yōu)化就要一定的隨機(jī)性因此目標(biāo)不明確，效果不明顯。

在7 nm 的AI 類芯片中，動(dòng)態(tài)功耗占據(jù)了主體，僅靠對(duì)于靜態(tài)功耗的優(yōu)化，無法滿足功耗優(yōu)化的目的。因此帶入能表征芯片實(shí)際工作的工況波形，再進(jìn)行精確的動(dòng)態(tài)功耗優(yōu)化更具有決定作用。

2 工況波形

一般模塊設(shè)計(jì)者會(huì)對(duì)模塊進(jìn)行功能驗(yàn)證，某些工況下該模塊的功耗會(huì)達(dá)到峰值。此時(shí)通過驗(yàn)證工具可以給出峰值功耗波形。該波形會(huì)記錄該模塊所有信號(hào)的翻轉(zhuǎn)信息。這里的驗(yàn)證工具可以是Cadence 的Palladium(如圖3 所示)。當(dāng)然有些模塊的峰值功耗可能有多個(gè)情況，并且會(huì)涉及不一樣的邏輯空間，那么就需要一組波形來表征該模塊的功耗行為。但是一般驗(yàn)證工具是基于RTL設(shè)計(jì)給出來的RTL 波形，它雖然可以直接用于網(wǎng)表的優(yōu)化，但由于它只能一定程度地映射網(wǎng)表中的寄存器，而無法精確匹配寄存器中間的大量組合邏輯。因此僅僅依賴RTL 波型進(jìn)行優(yōu)化不能達(dá)到最優(yōu)效果。

圖3 Palladium 示意圖

Cadence 在其功耗計(jì)算工具Joules 中集成了Joulesreplay，該功能可以將RTL 波形轉(zhuǎn)換到與之相對(duì)應(yīng)的門級(jí)網(wǎng)表(Gate Level Netlist)并且進(jìn)行仿真，產(chǎn)生所有組合邏輯的詳細(xì)波形。有了這一功能就可以在優(yōu)化過程中使用更為精確的網(wǎng)表波形。

3 功耗優(yōu)化全流程

3.1 綜合流程

當(dāng)拿到RTL 設(shè)計(jì)，并利用Genus 進(jìn)行綜合時(shí)，可以利用對(duì)應(yīng)的RTL 波形開始進(jìn)行功耗優(yōu)化。Genus 綜合可以分為3 個(gè)步驟：syn_gen、syn_map 和syn_opt。因此，可以形成如圖4 所示Genus 結(jié)合FSDB 的綜合流程圖。

圖4 Genus 結(jié)合FSDB 綜合流程

3.2 PR 流程以及signoff 階段

如圖5 所示，在Innovus 中實(shí)現(xiàn)Place 和Routing 也分為3 個(gè)階段：place_opt、cts_opt 和route_opt。同樣每一步都加入Joules-replay 來實(shí)現(xiàn)優(yōu)化所需的網(wǎng)表波形。同時(shí)可以通過設(shè)定weight 值來實(shí)現(xiàn)引入多個(gè)波形同時(shí)優(yōu)化。

圖5 PR 各階段結(jié)合FSDB 功耗優(yōu)化流程

·Innovus：

3.3 Signoff 流程

如圖6 所示，在Signoff 階段，通過IPA 工具進(jìn)行power的signoff，可以了解到最終power 的靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗的大小。引入IPA 產(chǎn)生的FSDB 至IR 仿真中，得到vector 的IR 結(jié)果。

圖6 sigoff 流程圖

4 功耗優(yōu)化實(shí)驗(yàn)和結(jié)果

選取了三個(gè)case 作為比較對(duì)象，如表1 所示，case 0為不引入FSDB 的base 情況，case 1 為由Genus 綜合開始至Innovus PR 各階段均引入FSDB 的全流程功耗優(yōu)化，case 2 為在case 1 的基礎(chǔ)上同時(shí)使用MBB cell。

表1 實(shí)驗(yàn)設(shè)定

4.1 Signoff QOR 結(jié)果分析

如表2 所示，對(duì)比case0、case1 和case2 的QOR 結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)：(1)三個(gè)case 時(shí)序結(jié)果都比較一致，且在安全范圍；(2)case1 和case 2 的DRC 數(shù)量有增多，但增加的DRC 主要集中在IO ports 附近，核心區(qū)域的DRC 沒有明顯變化；(3)case 1 和case 2 的IR 結(jié)果變好，這是引入FSDB 的case,平均功耗更優(yōu)化?？偟膩砜?，引入FSDB 全流程功耗優(yōu)化對(duì)PR 的QOR 影響不是很大,而且對(duì)IR還有提升。

表2 實(shí)驗(yàn)QOR 結(jié)果對(duì)比

4.2 各階段功耗優(yōu)化效果

Joules-replay 可以具體表征每個(gè)階段功耗的數(shù)值，為此總結(jié)了引入FSDB 后各階段功耗優(yōu)化的比例，如圖7所示，在綜合階段有7%的優(yōu)化效果，當(dāng)?shù)竭_(dá)signoff 時(shí)有10.5%的優(yōu)化，此外，當(dāng)FSDB 結(jié)合MBFF cell 使用時(shí)，功耗優(yōu)化效果會(huì)進(jìn)一步提升，在簽核階段達(dá)到19.8%的比例。

圖7 各階段功耗優(yōu)化的比例

表3 列舉了簽核signoff 階段，這三個(gè)case 的具體功耗組成，結(jié)果顯示，case1 和case 2 的功耗優(yōu)化主要是由于內(nèi)部功耗和開關(guān)功耗大幅度降低。

表3 各case 功耗組成占比

4.3 簽核流程中功耗優(yōu)化

為進(jìn)一步優(yōu)化功耗，在Tempus timing signoff 的流程中進(jìn)行PowerECO，如圖8 所示，PowerECO 能夠進(jìn)一步優(yōu)化1.8%的功耗，最終全流程功耗優(yōu)化能夠達(dá)到21%的優(yōu)化效果。

圖8 Joules-replay+MBB 各階段功耗優(yōu)化的比例

5 結(jié)論

綜上所述，本文使用了帶FSDB Genus 綜合流程，帶FSDB Innovus PR 實(shí)現(xiàn)流程，以及Tempus Power ECO 簽核優(yōu)化流程，并在整個(gè)實(shí)現(xiàn)與優(yōu)化流程中結(jié)合MBFF 技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)從RTL 到GDS 的21%的功耗優(yōu)化，這為大芯片的功耗優(yōu)化帶來全新的選擇，為芯片的PPA 的提升提供了一種全新的方法。