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印制板組件中氯離子腐蝕失效案例分析

2022-09-01 02:58張培強甘吉松唐雁煌張瑩潔朱剛劉子蓮
關鍵詞:氯離子電控電化學

張培強, 甘吉松, 唐雁煌, 張瑩潔, 朱剛, 劉子蓮

(工業(yè)和信息化部電子第五研究所, 廣東 廣州 511370)

0 引言

印制板組件(PCBA) 被廣泛地應用于通訊電子、 航空航天、 工業(yè)制造、 智能家電和軌道交通等諸多重要領域。 隨著電子技術和裝聯(lián)技術的高速發(fā)展, 電子制造PCBA 在實現(xiàn)小型化和集成化的同時, 出現(xiàn)的失效問題也越來越多。 近年來, 由于氯離子殘留造成的電化學遷移和腐蝕失效案例屢見不鮮, 造成的行業(yè)內(nèi)重大損失也頗為常見[1-7]。 在PCBA 中, 鹵化物離子特別是氯離子的殘留對產(chǎn)品的可靠性有很大的影響[8], 如助焊劑殘留物中的氯離子和溴離子會在水汽、 偏壓的作用下引發(fā)活潑金屬發(fā)生電化學遷移, 形成金屬枝晶, 從而導致電子元器件發(fā)生短路等功能不良[9]; 并且PCBA 表面殘留的氯離子和溴離子在潮濕環(huán)境下會形成導電通路, 進而引發(fā)主板短路打火等失效現(xiàn)象。

本文選取與氯離子相關的PCBA 局部短路失效和PCBA 打火失效的兩個典型案例, 對其失效原因進行系統(tǒng)的闡述, 并給出了一些建議。

1 PCBA 局部短路失效案例分析

1.1 案例背景

某電子產(chǎn)品服役于通信行業(yè), 對其機箱進行高低溫循環(huán)試驗發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品在第二個循環(huán)的升溫過程中出現(xiàn)報故, 報故溫度點大約為70 ℃。 通過故障排查, 定位故障為產(chǎn)品芯片其中一面的兩個管腳有導電異物搭連, 造成局部短路。 產(chǎn)品在模擬進行溫度循環(huán)試驗時, 所吹的風為未經(jīng)處理的自然風。 生產(chǎn)該PCBA 的工藝過程為免清洗工藝。

1.2 分析過程

通過外觀觀察可知, 產(chǎn)品在其芯片的焊柱下方有白色異物殘留(如圖1 所示), 而產(chǎn)品的其他位置未見明顯的異物殘留, 依據(jù)產(chǎn)品在試驗狀態(tài)下的風流示意圖(如圖2 所示), 可知上述異物殘留的地方為迎風面, 屬該試驗條件下易遭自然風中水汽、 污染物等物質(zhì)堆積的地方。

圖1 芯片焊柱下方的代表性外觀照片

圖2 產(chǎn)品在試驗狀態(tài)下的風流示意圖

通過SEM&EDS 分析可知, 產(chǎn)品的芯片焊柱異物呈粉末狀及枝晶狀兩種形貌(如圖3 所示), 其中粉末狀形貌的主要組成為鉛(Pb)、 少量的錫(Sn) 和少量的氯(Cl) 元素, 而枝晶狀形貌的主要組成元素為鉛(Pb)。 焊柱異物的主要組成元素與焊柱本體相似(成分為Sn10Pb90), 故判斷異物來源于焊柱本身, 結合形貌可知粉末狀異物為焊柱的腐蝕產(chǎn)物, 枝晶狀異物為焊柱的電遷移產(chǎn)物。 上述結果表明芯片附近的異物為焊料的腐蝕產(chǎn)物, 腐蝕源可能為氯離子(Cl-)。

圖3 芯片焊柱異物的SEM&EDS 結果

為了確定氯元素的存在形式, 以及判斷氯的殘留量與風流強度的關系, 選取圖4 所示的位置1-7及剝離三防漆后的PCB 板面進行氯離子測試。 其中, 位置1-2 為腐蝕位置也為迎風位置; 位置3-4為主流道位置; 位置6-7 為弱流道位置, 位置5為與位置1 結構及工況相同的位置(如圖4 所示)。

圖4 產(chǎn)品的離子色譜測試位置圖

由表1 結果可知: 1) 腐蝕位置相對于其他位置存在較高含量的氯離子; 2) 板面上的氯離子分布與自然風流道相關, 迎風面的氯離子含量高于主流道位置, 高于弱流道位置。

為了進一步地排除氯離子主要來源于板子本身殘留的可能性, 對未經(jīng)歷環(huán)境試驗的涂覆三防漆的產(chǎn)品和未涂覆三防的產(chǎn)品進行離子色譜分析, 結果詳如表1 所示。 由分析結果可知, 涂覆三防漆產(chǎn)品及未涂覆三防的產(chǎn)品的芯片焊柱位置(位置1' 及位置1”) 的氯離子含量均較低且與板面的其他位置相近, 這說明產(chǎn)品上的氯離子主要來源于外界污染, 而非板子本身的殘留。

表1 氯離子色譜檢測結果單位: μg/cm2

1.3 失效原因

通過觀察產(chǎn)品的外觀, 可見其芯片的焊柱下方有白色異物殘留。 依據(jù)產(chǎn)品的風道圖, 可知這些有異物殘留的地方為迎風面, 即外來污染物容易堆積的地方。

通過SEM&EDS 分析結果可知, 芯片的焊柱的離子色譜結果檢出較高含量的氯離子(0.900 μg/cm2),這個含量約為未腐蝕焊柱的3 倍, 說明芯片焊柱的腐蝕位置附近有高含量的氯離子聚集, 并可推斷氯離子的殘留是引起焊柱腐蝕的主要原因。

對產(chǎn)品上的不同位置進行離子色譜分析, 通過對比不同位置上的氯離子含量可知: 產(chǎn)品板面上的氯離子分布與自然風流道相關, 即迎風面的氯離子含量高于主流道位置, 主流道位置的氯離子高于弱流道位置, 產(chǎn)品上的腐蝕位置正好位于迎風面, 受污染的可能性較大, 故初步判斷氯離子來源于外界污染。 對未經(jīng)環(huán)境試驗的涂覆三防漆產(chǎn)品及未涂覆三防漆產(chǎn)品進行離子色譜分析, 結果表明產(chǎn)品板面各個位置的氯離子含量均低于0.16 μg/cm2, 由此可排除產(chǎn)品上的氯離子為產(chǎn)品本身的殘留, 即產(chǎn)品上的氯離子來源于外界污染。

在缺乏三防漆涂層保護的情況下, 芯片的焊柱位置受外來氯離子及水汽污染, 在電場的作用下發(fā)生焊柱材料的電化學腐蝕及遷移, 從而在焊柱間形成金屬枝晶導電通路, 導致局部短路。

1.4 失效機理

芯片的焊柱下方白色異物的主要組成元素為鉛(Pb), 鉛在正常環(huán)境下具有良好的抗電化學遷移能力, 但在存在鹵化物等雜質(zhì)離子的情況下, 則容易產(chǎn)生電化學腐蝕并導致電化學遷移。 由于污染物堆積及帶電工作, 芯片的焊柱已構成電化學腐蝕微環(huán)境: 1) 潮濕環(huán)境下焊柱間產(chǎn)生液膜; 2) 焊柱間具有電壓差; 3) 存在氯離子。 電化學腐蝕反應如下所示。

a) 陽極處, 金屬鉛失去電子形成鉛離子:

b) 陰極處, 鉛離子得到電子沉淀為鉛枝晶:

在整個電化學腐蝕過程中, 氯離子起電解質(zhì)及催化反應進程的作用, 從而大大地加速電化學腐蝕的反應進程, 其中陽極發(fā)生腐蝕反應而使焊柱產(chǎn)生腐蝕產(chǎn)物, 陰極發(fā)生還原反應而使焊柱形成鉛遷移枝晶。

1.5 改善建議

對于PCBA 上的大尺寸分立器, 在噴涂三防漆過程中, 其焊柱或引腳等位置由于結構上的遮擋、異形和高度差等原因, 存在三防漆涂層缺涂、 偏薄和不均勻等不良現(xiàn)象; 建議對PCBA 上的三防風險位置進行識別和涂覆工藝改善, 保障三防風險位置涂覆到位, 防止外部氯離子及水汽等污染的滲透引起的電化學腐蝕及遷移現(xiàn)象。

2 PCBA 打火失效案例分析

2.1 案例背景

某家用電器在戶外服役了半年后, 其電控板出現(xiàn)功能故障, 打開其塑料殼后發(fā)現(xiàn)電控板及塑料殼上均有打火現(xiàn)象, 其中電控板的打火位置位于強電位置。

2.2 分析過程

對失效品塑料殼及電控板進行外觀觀察(如圖5-6 所示), 塑料殼及電控板上均觀察到有一處打火位置, 且打火位置重合。 其中, 塑料殼的打火位置上分布有大量的液滴, 并已發(fā)生明顯的熱變形,而電控板的打火位置位于器件的引腳之間, 板面可觀察到明顯的灼燒發(fā)黑現(xiàn)象, 器件的最左側引腳已被腐蝕斷裂, 并觀察到附近也出現(xiàn)液滴殘留現(xiàn)象。對塑料殼及電控板的未打火位置進行觀察, 發(fā)現(xiàn)塑料殼在外部位置仍有明顯的液滴殘留, 而電控板的未打火位置較為干燥, 并可觀察到殼體正對引腳位置處殘留有白色物質(zhì)。

圖5 失效品塑料殼內(nèi)部檢查圖片

由SEM&EDS 及FT-IR 的分析結果可知, 電控板打火位置處可檢出較高的氯(Cl) 及鈣(Ca),器件引腳腐蝕物的主要成分為銅的氯化物, 正對引腳的殼體上白色物質(zhì)的主要成分為錫的氯化物, 失效品塑料殼及新品塑料殼的主要成分均為ABS/PVC 合金(含有較高的氯(Cl) 及少量的鈣(Ca)元素), 電控板打火位置液滴、 塑料殼打火位置液滴和塑料殼外部液滴的主要成分均為水。

圖6 電控板打火位置檢查圖片

對打火位置附近的器件引腳焊接位置進行切片分析。 發(fā)現(xiàn): 1) 各個引腳焊接位置的焊料填充高度均不足75% (如圖7 所示), 不符合IPC-A-610G 的要求; 2) PCB 內(nèi)部的灼燒區(qū)域分布說明打火的起源位置位于器件最左側引腳(引腳1) 的焊接位置的上方, 從引腳的焊接位置形貌及能譜結果可知, 該處引腳已完全被氯腐蝕, 且腐蝕位置處未檢出錫(Sn), 表明失效前期焊料先被氯腐蝕溶解(正對最左側引腳下方的塑殼上的白色粉末檢出錫及氯); 3) 觀察打火引腳相鄰引腳“2”, 未見引腳“2” 在PCB 內(nèi)部有明顯的打火及腐蝕現(xiàn)象, 但可見其焊接位置表面有微裂紋發(fā)生。

圖7 器件引腳焊接位置的切片圖片

對器件最左側引腳(引腳“1”) 的蝕斷末端進行切片分析, 可見該引腳末端切面呈明顯的腐蝕形貌, 腐蝕物中檢出大量的銅(Cu) 及氯(Cl)元素。

進一步地進行離子色譜分析, 結果如表2 所示。 發(fā)現(xiàn)電控板的打火位置處含有大量的氯離子(Cl-) 及鈣離子(Ca2+), 而電控板正常位置的氯離子及鈣離子含量則明顯地偏少, 表明打火位置處的氯離子及鈣離子并非來源于電控板面的正常殘留;對比塑料殼的打火位置及正常位置的離子結果, 可知塑料殼打火位置表面殘留有大量的氯離子(Cl-)及鈣離子(Ca2+), 而正常位置處的氯離子(Cl-)及鈣離子(Ca2+) 含量則很少, 表明塑料殼打火位置處的氯離子(Cl-) 及鈣離子(Ca2+) 并非來源于塑料殼的正常析出。

表2 離子色譜檢測結果單位: μg/cm2

排除塑料殼的正常析出, 結合塑料殼在打火位置處的灼燒形貌, 判斷打火位置處殘留的大量氯離子(Cl-) 及鈣離子(Ca2+) 來源于塑料殼在高溫下的降解釋放。

2.3 失效原因

由切片分析結果可見, 所有未打火引腳的焊接位置的焊料填充高度均明顯不足75%, 且通過觀察, 可發(fā)現(xiàn)與打火引腳相鄰的正常引腳在焊點的應力集中位置已發(fā)生微裂紋開裂, 這說明左側引腳曾受應力作用; 而焊料填充高度不足, 將促使焊點應力開裂的發(fā)生。 器件引腳焊點開裂后, 因為接觸不良, 引腳在焊點開裂位置產(chǎn)熱。

塑料殼體的主要成分為ABS/PVC 合金, 并含有大量的氯及鈣元素, 其中的氯主要以共價態(tài)的形式存在, 鈣則存在于殼體中添加的無機填料中,當殼體受高溫作用時, 殼體中的PVC 成分會發(fā)生降解而產(chǎn)生氯化氫, 在潮濕的條件下, 氯化氫氣體可以與殼體中的無機填料反應, 從而生成可溶性氯化鈣。

隨著熱量的積累, 位于引腳下方的塑料殼體因為受熱而發(fā)生降解, 并在水汽的作用下釋放大量的氯離子(Cl-) 及鈣離子(Ca2+), 氯離子(Cl-) 先從電控板下方腐蝕焊料, 加劇接觸不良, 導致產(chǎn)熱量的增加, 進而使塑料殼釋放更多的氯離子, 后進一步地加速引腳的產(chǎn)熱, 導致打火。

2.4 失效機理

器件引腳在焊接位置的焊料填充高度不足, 導致引腳的焊接位置在應力作用下發(fā)生焊點開裂, 進而使引腳發(fā)生接觸不良而產(chǎn)熱。 熱量的積累, 使得主要成分為ABS/PVC 的塑殼降解并產(chǎn)生大量的氯離子。 PVC 的降解反應如下:

在水汽的作用下, 氯離子腐蝕焊點并加劇引腳的接觸不良, 最終促使電控板在引腳位置大量產(chǎn)熱而打火, 并使塑殼產(chǎn)生打火痕跡。

2.5 改善建議

針對以上問題, 提出了以下兩點改進建議:

1) 對于器件引腳的焊接位置, 焊料的填充高度應符合IPC-A-610G 的要求, 防止引腳的焊接位置在應力作用下發(fā)生焊點開裂;

2) PBCA 板附近應盡量地避免采用易降解的含鹵高分子材料, 防止其降解產(chǎn)物遷移到PCBA 表面并造成腐蝕、 打火等失效。

3 結束語

氯離子腐蝕失效是一種常見的失效模式, 在業(yè)內(nèi)一直受到高度關注。 本文從兩個氯離子引起的腐蝕失效案例出發(fā), 對電路板腐蝕的失效原因及機理進行了詳細的闡述, 并提出了實際可行的解決方法與改善建議。

筆者發(fā)現(xiàn), 氯離子的來源主要包括電子產(chǎn)品本身和外界環(huán)境, 從電子產(chǎn)品制造工藝過程來看, 含氯的電子工藝材料或高分子材料及制品是引入氯離子的主要因素。 市面上所使用的材料產(chǎn)品質(zhì)量良莠不齊, 因材料問題導致的產(chǎn)品失效也屢見不鮮。 故應當根據(jù)產(chǎn)品的可靠性情況, 對產(chǎn)品所涉及的各類材料進行優(yōu)選選型和驗證, 并加強材料的質(zhì)量管控。

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