劉亞彬,許士魯(通信作者),王亞品,樊 迪,張希堂
(中國樂凱集團有限公司研究院 河北 保定 071054)
有機電致發(fā)光器件(OLED)具有發(fā)光亮度強、發(fā)光效率高、發(fā)光顏色多、響應速度快、驅(qū)動電壓低、制造成本低、全固態(tài)質(zhì)量輕等優(yōu)點,其優(yōu)異的發(fā)光性能和發(fā)展?jié)摿涫苁澜绺鲊P注。OLED 器件主要由陰極、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、陽極和基板等六部分組成[1]。
咔唑具有化學穩(wěn)定性高、氧化還原電位低和光學性質(zhì)好等特點,因而咔唑類材料已被廣泛應用于有機電致發(fā)光領域[2]。其中4,4'-二(9-咔唑基)聯(lián)苯是一種OLED 器件的關鍵材料,4,4'-二(9-咔唑基)聯(lián)苯簡稱CBP,分子式C36H24N2,分子量484.59,熔點281 ~285 ℃。該化合物的熱穩(wěn)定性好,合成方法簡單,其作為空穴傳輸材料采用蒸鍍工藝制備電致發(fā)光器件,具有效率高、成本低的電致發(fā)光性能。發(fā)光材料是組成OLED器件的關鍵材料之一,其純度作為化合物的重要評價指標,不僅能直接影響空穴的電子傳輸效率,而且會嚴重影響OLED 器件的整體性能[3]。采用重結晶、打漿等傳統(tǒng)純化手段制備的CBP 仍可能含有微量無機鹽等雜質(zhì),蒸鍍制件后會嚴重降低OLED 器件發(fā)光性能。
升華提純是利用物質(zhì)的升華特性分離精制出高純產(chǎn)物,整個過程不使用溶劑,無三廢產(chǎn)生,十分符合綠色化學的要求[4-6]。升華提純技術理論上非常簡單,主要包括固體的汽化,氣體的凝華以及升華后固體的分離等操作,設計適宜的梯度升溫程序是確定升華工藝的重難點。本文對CBP 升華純化進行了初步研究,優(yōu)選出CBP 升華升溫程序,并在相同條件下,對升華CBP 和重結晶CBP 材料進行了光電性能測試。
實驗中用到的主要儀器和設備見下表1。
表1 主要實驗儀器Table 1 The main experimental instruments
樣品制備:升華儀開機自檢正常,將待升華CBP 樣品加入升華管內(nèi),擰緊所有卡箍,油泵抽真空,達到預定壓力后,開啟分子泵繼續(xù)抽真空至額定壓力,運行升華升溫程序,待升溫程序運行完畢后,開啟散熱扇降溫,關閉分子泵,關閉油泵,降至室溫后收料,得到升華產(chǎn)物。產(chǎn)物送樣進行HPLC 分析,得到升華產(chǎn)物液相含量。
采用多功能真空鍍膜機制備OLED 器件:G/ITO/PEDOT:PSS/TCTA + CBP + Ir(mppy)3/TPBi/LiF/Al/Ag。器件采用透明ITO 導電玻璃作正極,旋涂PEDOT:PSS 和發(fā)光層,依次真空蒸鍍TPBi、LiF、Al 和Ag。器件有效發(fā)光面積為1 cm2。
實驗室制備待升華CBP 粗品,HPLC 含量97%~98%,準確稱量1.00 gCBP 粗品,加入升華管內(nèi)進行升華試驗。實驗現(xiàn)象如下表2。
表2 不同升溫程序下實驗現(xiàn)象Table 2 The experimental phenomenon under different heating procedures
從表2 中實驗結果可以看出,溫區(qū)1 溫度為200 ~265 ℃時,CBP 材料基本沒有升華;溫區(qū)1 溫度為270 ℃時,CBP 材料開始升華;溫區(qū)1 溫度為270 ~290 ℃時,CBP 材料升華明顯,可以得到較多升華產(chǎn)物;溫區(qū)1 溫度為300 ℃時,CBP材料已明顯融化為液態(tài),不符合升華原理,實驗失敗。因此,CBP 升華溫度不宜設置過低或過高,溫度過低,CBP 升華困難,溫度過高,CBP 會明顯融化為液態(tài),造成升華失敗。
篩除升華效果明顯很差的升溫程序,對部分升溫程序制備的升華產(chǎn)物進行收集、液相色譜分析,所得升華產(chǎn)物收率及含量結果見下表3。
表3 不同升溫程序下收率及含量Table 3 The yield and content under different heating procedures
從表3 中實驗數(shù)據(jù)可以看出,CBP 升華產(chǎn)物含量整體呈先上升后趨于平緩的趨勢,升華收率呈先上升后下降的趨勢。升溫程序9 至升溫程序12,CBP 粗品升華進程不斷增加,升華產(chǎn)物收率呈不斷上升趨勢,且在升溫程序為12 時,升華提純達到峰值,最大收率為81.18%,含量99.7%。升溫程序為13 時,雖然產(chǎn)物含量高達99.8%,但是產(chǎn)物收率開始大幅下降。因此,綜合考慮分析,CBP 升華工藝優(yōu)選升溫程序12。
為評價CBP 升華材料的電致發(fā)光性能,使用升華CBP和重結晶CBP 材料制作結構為G/ITO/PEDOT:PSS/TCTA +CBP + Ir(mppy)3/TPBi/LiF/Al/Ag 的電致發(fā)光器件,其他條件保持一致。在啟動電壓為4 V 時,器件亮度使用BM型亮度計進行測試。發(fā)光性能數(shù)據(jù)如下表4。
表4 OLED 器件發(fā)光性能數(shù)據(jù)Table 4 The luminous performance data of OLED devices
從表4 中實驗數(shù)據(jù)可以看出,啟動電壓為4 V 時,重結晶CBP 器件最大亮度平均值為8 751 cd/m2,最大效率平均值為18.40l m/W;升華CBP 器件最大亮度平均值為12 227 cd/m2,最大效率平均值為34.93l m/W。相同條件下,升華CBP 器件最大亮度平均值和最大效率平均值分別是重結晶CBP 器件的1.4 倍和1.9 倍,CBP 升華后制備器件的電致發(fā)光性能顯著提升。分析原因,可能是重結晶CBP 中含有的微量無機鹽等雜質(zhì)可以形成短路點或斷路點,降低材料的空穴傳輸性能,而經(jīng)過升華提純后,上述雜質(zhì)被很好的去除,因此,升華CBP 材料性能顯著高于重結晶材料。
升華儀提純OLED 用光電材料CBP,經(jīng)分析不同升溫程序下的升華結果,優(yōu)選出CBP 最佳升華條件,升華收率81.18%,產(chǎn)物含量99.3%~99.9%。制備結構為G/ITO/PEDOT:PSS/TCTA + CBP + Ir(mppy)3/TPBi/LiF/Al/Ag 的電致發(fā)光器件,相同條件下測試分析,升華CBP 材料組裝器件的最大亮度值和最大效率值分別達到重結晶CBP 材料的1.4倍和1.9倍,升華級CBP材料其電致發(fā)光性能顯著提升。