魏高帥 張慧 吳曉君 張洪瑞 王春 王博 汪力 孫繼榮?

1)(中國科學(xué)院物理研究所,北京凝聚態(tài)物理國家研究中心,北京 100190)

2)(中國科學(xué)院大學(xué)物理科學(xué)學(xué)院,北京 100049)

3)(北京航空航天大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院,北京 100191)

4)(北京航空航天大學(xué)電子信息工程學(xué)院,北京 100191)

自鐵磁金屬在飛秒激光泵浦下的超快退磁效應(yīng)發(fā)現(xiàn)以來,電子的自旋屬性逐漸被應(yīng)用于太赫茲電磁波的產(chǎn)生.利用逆Rashba-Edelstein 效應(yīng)產(chǎn)生太赫茲輻射首先在Ag/Bi 界面得到證實,而LaAlO3/SrTiO3 界面通過該效應(yīng)產(chǎn)生直流的自旋-電荷轉(zhuǎn)換效率要高于Ag/Bi 界面約一個數(shù)量級,但利用該結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化自旋流來產(chǎn)生太赫茲的有效性尚待系統(tǒng)的研究.本文制備了NiFe/LaAlO3//SrTiO3(001)系列樣品,在飛秒激光泵浦下觀察到了太赫茲輻射的產(chǎn)生及其對磁場方向的依賴效應(yīng),并通過改變LaAlO3 層的厚度驗證了超擴散模型與光學(xué)傳輸模型的有效性,觀察到了在LaAlO3/SrTiO3 界面由于多次反射導(dǎo)致太赫茲波的減弱,為進一步優(yōu)化太赫茲波的產(chǎn)生提供了實驗和理論支持.

1 引言

20 世紀(jì)80 年代以來[1],介于遠(yuǎn)紅外與微波之間的太赫茲波段受到人們的關(guān)注,太赫茲科學(xué)與技術(shù)得到快速的發(fā)展.阻礙太赫茲科學(xué)與技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵在于缺乏高效率太赫茲輻射源、高靈敏度太赫茲探測器以及各種功能器件.其中,太赫茲源的缺乏尤為重要.隨著飛秒激光技術(shù)的快速發(fā)展,利用其泵浦低溫生長GaAs 產(chǎn)生亞皮秒量級壽命的光生載流子的光導(dǎo)天線與光整流效應(yīng)產(chǎn)生寬帶太赫茲輻射,在實驗室得到廣泛的應(yīng)用.由于半導(dǎo)體的聲子吸收,太赫茲的譜寬與強度受到一定限制.自1996 年Beaurepaire 等[2]利用飛秒激光在Ni 中觀察到超快退磁現(xiàn)象以來,通過對超快退磁機制的研究[3],與電子自旋屬性相關(guān)的超快電流被利用來產(chǎn)生太赫茲輻射.

利用超快自旋流產(chǎn)生太赫茲電磁波的一般過程為:在鐵磁金屬或半導(dǎo)體中用飛秒激光泵浦引起自旋流的產(chǎn)生,由相鄰介質(zhì)通過逆自旋霍爾效應(yīng)(inverse spin-Hall effect,ISHE)或逆 Rashba-Edelstein 效應(yīng)(IREE)實現(xiàn)自旋流到電荷電流的轉(zhuǎn)換.在超快自旋流注入方面,主要有兩類:1)通過線偏振光激發(fā),需要磁化的鐵磁材料以提供自旋極化的電子;2)通過圓偏振光激發(fā),在非磁性材料中通過躍遷選擇定則在導(dǎo)帶中產(chǎn)生自旋極化的電子[4].線偏振光直接泵浦鐵磁金屬,亞皮秒量級的自旋流可以由超擴散方程描述,Battiato 等提出了適用于鐵磁金屬/金屬異質(zhì)結(jié)[5?7]與鐵磁金屬/半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)[8]的超擴散自旋輸運理論.在Au/Fe//MgO(001)[9]結(jié)構(gòu)中通過泵浦Fe,利用二次諧波的磁光克爾效應(yīng)在Au 層觀察到了自旋極化的載流子.在Al/Ni/Ru/Fe[10]結(jié)構(gòu)中通過控制Ni,Fe 層初始磁化方向相同或相反,用飛秒激光泵浦Ni 層后,用極紫外高次諧波觀察到了Fe 層對應(yīng)的磁化強度的增強和減弱.在鐵磁絕緣體金屬異質(zhì)結(jié)YIG/Pt 中,通過產(chǎn)生的太赫茲信號來研究自旋動力學(xué)過程[11],通過擴展自旋塞貝克效應(yīng)到動態(tài)尺度并結(jié)合自旋泵浦的線性響應(yīng)方法來描述其自旋流的物理圖像.在GaAs//Pt 結(jié)構(gòu)中[12,13],當(dāng)圓偏振光斜入射到GaAs 表面時,可以激發(fā)橫向自旋的電子,進而在Pt 層測到與光的圓偏振態(tài)對應(yīng)的電壓.在超快自旋流-電荷流轉(zhuǎn)化方面,可以利用重金屬的較強的ISHE 或由空間對稱性破缺導(dǎo)致的IREE 來實現(xiàn).

阿托伐他汀鈣（ATV）是臨床上治療高膽固醇血癥、混合型高脂血癥，防治冠心病和腦卒中的常用選擇競爭性3-羥基-3-甲基戊二酸單酰輔酶A（HMG-CoA）還原酶抑制劑[1]。該藥可抑制體內(nèi)膽固醇的合成，降低血清低密度脂蛋白（LDL）含量，從而達(dá)到調(diào)整體內(nèi)血脂水平的目的[2]。丹紅注射液是由丹參和紅花組方制成的中藥注射劑，其主要功能為活血化瘀、通脈舒絡(luò)，常用于治療冠心病、心絞痛、心肌梗死等[3]。臨床上常采用丹紅注射液聯(lián)合ATV治療冠心病、心絞痛等，研究顯示聯(lián)合用藥后臨床療效顯著增強[4]，但兩者聯(lián)用后的藥動學(xué)研究尚未見報道。

基于ISHE 產(chǎn)生太赫茲電磁輻射最早是由Kampfrath 等[14]實現(xiàn)的.他們利用重金屬遷移率的不同,在Fe/Au 和Fe/Ru 異質(zhì)結(jié)中實現(xiàn)了太赫茲輻射的脈寬的調(diào)控.遷移率高的金屬動力學(xué)過程越快,產(chǎn)生的太赫茲頻譜越寬.Huisman 等[15]在Co/Pt,Co/Ru 等結(jié)構(gòu)中發(fā)現(xiàn)了泵浦激光的偏振態(tài)對太赫茲波的偏振態(tài)有調(diào)制效應(yīng).Seifert 等[16]設(shè)計實現(xiàn)了W/CoFeB/Pt 三層的優(yōu)化結(jié)構(gòu),在10 fs激光脈沖的泵浦下,所得到的太赫茲輻射頻譜寬度和產(chǎn)生效率,均優(yōu)于相同實驗條件下的ZnTe 和GaP 輻射源.

利用IREE 實現(xiàn)自旋流-電荷流轉(zhuǎn)化一定程度上克服了ISHE 對材料的依賴性.Sánchez 等[17]通過輸運測量首先觀察到IREE.Jungfleisch 等[18]利用Ag-Bi 界面在放大級激光器泵浦下,率先在亞皮秒尺度內(nèi)利用IREE 產(chǎn)生了太赫茲波.Zhou等[19]利用同樣的金屬界面在振蕩級激光器作用下實現(xiàn)了寬帶太赫茲輻射的產(chǎn)生.Cheng 等[20]甚至在半導(dǎo)體二維材料MoS2中觀察到了IREE.但是,關(guān)于氧化物異質(zhì)結(jié)在太赫茲波段的IREE 的實驗相對較少.

激光脈沖入射到分束鏡后被分成泵浦光(約90%)和探測光(約10%).泵浦光通過斬波器后再經(jīng)過步進電機平移臺上的反射鏡,最后聚焦到經(jīng)過拋光的STO 襯底表面.在平行于樣品表面方向加上永磁體(磁場強度約為50 mT),磁場方向為水平方向.產(chǎn)生的太赫茲波利用電光取樣技術(shù)對其進行相干時間分辨探測.樣品產(chǎn)生的太赫茲波通過90°離軸拋物面鏡準(zhǔn)直和聚焦到ZnTe 探測晶體上.最后把探測光通過1/4 波長波片和沃拉斯頓棱鏡分成水平和豎直偏振光,再由兩個光電二極管收集后利用鎖相放大器測量兩種光的強度差.利用太赫茲電場對探測光產(chǎn)生的雙折射效應(yīng)的大小,可以測量某時刻太赫茲電場的振幅,通過平移臺控制泵浦光的光程,即可得到產(chǎn)生太赫茲的時域波形.相關(guān)實驗在室溫下進行.

Lesne 等[21]利用自旋泵浦在NiFe/LaAlO3(LAO)//SrTiO3(STO)氧化物異質(zhì)結(jié)體系中,觀察到了自旋流轉(zhuǎn)化的電荷流,得到的轉(zhuǎn)化效率,即逆Rashba-Edelstein 長度(λIREE)為6.4 nm,比Ag/Bi 界面的0.1—0.4 nm 和W 體材料的0.43 nm 高一個數(shù)量級,故這種體系具有較高的直流自旋流-電荷流轉(zhuǎn)化效率,但其能否用于有效產(chǎn)生太赫茲波有待研究.本文制備了不同LAO 厚度的NiFe/LAO//STO 材料,在飛秒激光振蕩器泵浦下,觀察到了太赫茲輻射的產(chǎn)生.通過分析電子的動力學(xué)過程,利用超擴散模型解釋了太赫茲信號隨LAO 層厚度的變化規(guī)律,驗證了太赫茲輻射對外加磁場方向的依賴現(xiàn)象.通過分析太赫茲波在樣品中的傳播特性,研究了太赫茲頻譜包含的STO 襯底材料信息.通過對該材料的深入研究,初步驗證了LAO/STO 界面在太赫茲波段將自旋流轉(zhuǎn)換為電荷流的有效性,對于太赫茲波在該結(jié)構(gòu)的傳播的分析有利于進一步優(yōu)化太赫茲波產(chǎn)生性能.

2 樣品制備

由于STO 聲子在太赫茲波段的吸收,在泵浦激光從LAO 薄膜面照射的情況下,未能觀察到可探測的太赫茲信號.而從STO 襯底入射泵浦光時,則觀察到了太赫茲輻射信號,如圖3 所示.對于4 unit cells (uc),6 uc 和10 uc 厚度LAO 的樣品,圖3(a)給出了對應(yīng)的太赫茲時域波形.圖3(b)為其相應(yīng)的傅里葉變換頻域譜圖.從圖3 可以看出,隨著LAO厚度的增加,輻射的太赫茲信號強度依次遞增,而中心頻率基本保持不變.

為了便于分析STO 折射率的色散對樣品輻射信號頻譜的影響,實驗測量了真空環(huán)境下的太赫茲輻射信號波形.由圖5 可見,在抽真空情況下,太赫茲信號的信噪比有了較明顯的改善,從頻譜上能夠看到1—2 THz 之間有不平坦的信號.下文將根據(jù)產(chǎn)生太赫茲波的原理來詳細(xì)分析頻譜包含的信息.

為研究鐵磁層超快退磁的貢獻,可以在對太赫茲波吸收小的襯底上外延生長STO 薄膜,進而利用樣品正反面反轉(zhuǎn)來確認(rèn)超快退磁[22],但這樣生長的晶體不如STO 襯底質(zhì)量高,界面比較復(fù)雜,容易引入氧空位.因此,本文制備了相同厚度的NiFe 在STO 襯底上,將泵浦光從襯底面入射,比較 了NiFe//STO 與NiFe/LAO(10 uc)//STO 太赫茲輻射的大小.實驗結(jié)果如圖4(b)所示,0 uc 代表NiFe//STO.從相位上分析,若相位相差180°,則可以將NiFe//STO 的太赫茲波信號產(chǎn)生機制歸于超快退磁,而具有LAO 層的樣品歸于IREE[23].因為實驗測得的兩者太赫茲波相位一致,故無法將具有LAO 層的樣品排除鐵磁層的超快退磁.從太赫茲信號輻射強度上分析,超快退磁的信號一般遠(yuǎn)小于IREE[18],實驗結(jié)果顯示兩者強度相差不大,因此信號產(chǎn)生機制應(yīng)當(dāng)相同.超快退磁實驗的泵浦激光能量密度在1 mJ/cm2量級,激光單脈沖能量0.8 mJ[24],而本文實驗中通過150 mm 焦距的透鏡將直徑約3 mm 的光斑聚焦,泵浦光的單脈沖能量約4 nJ,能量密度約0.2 mJ/cm2,故退磁信號比較小,系統(tǒng)可能探測不到.由于STO 表面的晶格中心反演對稱性破缺,且在氬離子轟擊的STO 襯底上生長NiFe 薄膜的樣品中已經(jīng)觀察到電荷流-自旋流的轉(zhuǎn)化[25],因此NiFe//STO 的信號可能來源于STO 非占據(jù)態(tài)的IREE[26],同樣NiFe/LAO//STO 的太赫茲波信號也應(yīng)當(dāng)來源于IREE.

為進一步驗證太赫茲輻射的產(chǎn)生和電子自旋的相關(guān)性,在實驗上測量了LAO 厚度為10 uc 的樣品,通過將外加磁場方向在垂直激光傳播方向的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)180°,觀察到了太赫茲電場相位呈現(xiàn)180°改變,實驗結(jié)果如圖4(a)所示.紅色和黑色曲線分別對應(yīng)兩種相反的外加磁場下測得的太赫茲時域譜.由圖4(a)可知,太赫茲電場反轉(zhuǎn)后的幅值基本相等,因此雖然樣品界面或表面中心反演對稱性破缺不能排除光整流效應(yīng),但該效應(yīng)對太赫茲輻射的貢獻較小.圖4(a)中太赫茲電場反轉(zhuǎn)后的對稱位置偏上,應(yīng)當(dāng)是實驗中泵浦光在經(jīng)過斬波器后在光路中有散射,該散射光的斬波頻率與太赫茲電場對探測光的調(diào)制頻率一致,但其p 波和s 波強度不同,入射到兩個光電二極管被差分后形成了太赫茲的直流信號.

圖1 (a) STO(001)襯底生長LAO 薄膜 的RHEED 振 蕩譜圖和衍射圖;(b) LAO//STO(001)薄膜形貌圖;(c) 太赫茲發(fā)射示意圖Fig.1.(a) The RHEED spectrum for the growth process of LAO on STO substrate (001),and the RHEED patterns before and after the growth of the LAO films;(b) the surface morphology of LAO//STO films;(c) the schematic diagram of the terahertz emission.

3 實驗裝置

在太赫茲輻射的產(chǎn)生實驗中,鈦寶石飛秒激光源的中心波長為800 nm,脈寬為70 fs,重復(fù)頻率為80 MHz,作用到樣品上的最大功率為360 mW,實驗裝置如圖2 所示.

高文鵬怎么知道的呢？我幽了一默，小布什給你來電話了？高文鵬說，我現(xiàn)在打工的這間廠，老板的哥哥在鐘表行業(yè)協(xié)會掛職，他要他弟弟及時轉(zhuǎn)行，尋求突破。老板很信任我，找我商量，他準(zhǔn)備開一家傳媒公司，專營網(wǎng)站營銷，像百度、淘寶、分紅那些網(wǎng)站，這些行業(yè)受金融危機的沖擊力不大。我是學(xué)計算機的，以前和別人搞過出行網(wǎng)，后因為資金不足，倒閉了。

圖2 太赫茲輻射實驗裝置.放大的虛線框表示樣品與永磁體的關(guān)系Fig.2.Schematic diagram of terahertz radiation experimental configuration.The zoomed area shows the relations between the sample and magnetic field.

4.4 社區(qū)上門輸液安全管理模式可有效的控制社區(qū)感染 通過對上門輸液操作護士醫(yī)德和慎獨精神的教育和對護士輸液操作的規(guī)范，同時加強輸液家庭環(huán)境處置的要求，對家庭輸液產(chǎn)生的醫(yī)療廢棄物進行規(guī)范的處置，使用改良的上門輸液包規(guī)范攜帶藥品和一次性無菌物品降低了社區(qū)感染發(fā)生。

4 實驗結(jié)果

采用脈沖激光沉積技術(shù)(PLD)在以TiO2為終止層(001)取向的STO 單晶襯底(5 mm×5 mm×0.5 mm)上外延生長LAO 薄膜,所用襯底為雙面拋光.濺射過程中,激光的能量為2 J/cm2,頻率為1 Hz,襯底溫度保持在700 ℃,氧壓為1×10–5mbar (1 mbar=100 Pa),靶材與襯底之間的距離為5 cm.在制備薄膜的過程中,利用反射高能電子衍射(RHEED)進行實時監(jiān)測,生長過程中RHEED 強度隨時間變化曲線如圖1(a)所示,該振蕩曲線表明LAO 為層狀生長,每一個振蕩周期代表一個單胞層的生長,通過RHEED振蕩可精確控制薄膜的厚度.圖1(a)中的插圖為STO 襯底生長LAO 薄膜前后的[100]方向的RHEED 衍射斑點圖.可以看到在薄膜生長前后,衍射斑點均清晰明亮,表明生長的LAO 薄膜表面平滑,接近理想晶體.

圖3 (a)不同厚度的LAO 樣品輻射的太赫茲時域波形;(b)對應(yīng)的頻譜圖Fig.3.(a) Typical terahertz temporal waveforms for LAO samples with different thicknesses,and (b) the corresponding spectra.

（2）定量分析結(jié)合定性分析：對定性化文獻資料歸整，以制度工作任務(wù)轉(zhuǎn)換為調(diào)研體系維度，通過層次分析法等確定維度權(quán)重，設(shè)置公眾角度評價問卷以量化考量看法，探究各變量間內(nèi)在關(guān)系與變化規(guī)律，尋找制度實施各項具體工作的滿意測度，提出優(yōu)化建議。

圖4 (a)太赫茲輻射極性隨外加磁場方向的改變而反轉(zhuǎn);(b) NiFe//STO 與NiFe/LAO (10 uc)//STO 輻射太赫茲波的大小比較Fig.4.(a) Radiated terahertz polarity reversal when varying the applied magnetic field direction;(b) comparison of the terahertz radiation between NiFe//STO and NiFe/LAO (10 uc)//STO.

式中：為0-1變量，k=1時，一定需要對刀，則時，若k子批量與k-1子批量在機床Mm加工的工序Ojils、所選刀具集相同時，機床Mm加工第k子批量前不需要對刀，即否則

圖1(b)為5 μm×5 μm 的LAO 薄膜形貌圖.薄膜呈臺階狀,階高約3.9 ?,進一步表明薄膜為層狀生長,且表面有單胞級平整度.在得到高質(zhì)量外延LAO 薄膜后,利用磁控濺射技術(shù)在室溫下沉積厚度為6 nm 的NiFe 鐵磁層.濺射時本底真空優(yōu)于5×10–7mbar,濺射的工作氣體為5N 的高純氬氣,工作氣壓為0.35 Pa.在金屬薄膜制備完成后,為防止薄膜被氧化,在薄膜表面濺射一層厚度為3 nm 的SiO2,起到保護作用.制備完樣品后即可通過飛秒激光入射到樣品表面,探測另一面出射的太赫茲信號,如圖1(c)所示.

圖5 真空環(huán)境下,10 uc 的LAO 太赫茲輻射時域波形(a)和對應(yīng)的頻譜(b)Fig.5.(a) Emitted terahertz temporal waveform from the LAO (10 uc)//STO,and (b) its corresponding spectrum under vacuum environment.

5 機理討論

為進一步增強該體系輻射的太赫茲波,討論LAO 厚度對太赫茲輻射的影響,首先需要研究太赫茲輻射的影響因素.在文獻[21]中,注入到LAO/STO 界面的自旋流的大小由自旋泵浦中的材料特性和所激發(fā)的有效磁場有關(guān),而在飛秒激光泵浦的條件下,采用平面波近似,忽略較薄層LAO 對太赫茲傳播的影響,頻域下太赫茲電場由波動方程來描述[16]:

其中Z0為真空阻抗,k(z,ω)為太赫茲波矢,E(z,ω)為太赫茲電場強度,c為真空中光速.超快電流jc(z,ω)與自旋流js的關(guān)系在IREE 效應(yīng)中的關(guān)系為[19]

考慮LAO 厚度對太赫茲信號的影響,需研究厚度對超快電流大小與太赫茲傳播的影響.由于NiFe 費米面與STO 導(dǎo)帶間存在LAO 層的勢壘,包括隧穿效應(yīng)的超擴散模型還沒有完全建立,因此無法直接研究厚度對超快電流大小的影響.但從載流子擴散的角度,自旋流應(yīng)當(dāng)隨LAO 厚度增加而指數(shù)衰減[16,27],因此與實驗中太赫茲信號的增強不符.而逆Rashba-Edelstein 長度與泵浦后電子所處的激發(fā)態(tài)有關(guān)[26],涉及到厚度對能帶結(jié)構(gòu)與電子態(tài)的影響,有待進一步研究.太赫茲波在多層異質(zhì)結(jié)中的傳播效應(yīng)可能是引起信號增強的主要原因,對方程(1)的求解可得到太赫茲強度與樣品厚度的關(guān)系.由文獻[16]的(1)式和(5)式可知太赫茲強度正比于薄膜厚度,與實驗結(jié)果相符,但因為采用了薄膜極限近似,太赫茲強度并不是隨樣品厚度單調(diào)遞增.太赫茲頻譜與載流子電導(dǎo)率有關(guān),實驗中只改變了LAO 層厚度,因此對發(fā)射太赫茲的頻譜特性沒有太大影響.由于LAO 厚度增加時,LAO/STO 界面二維電子氣厚度不超過10 nm[28],只有在此厚度內(nèi)能有效地將自旋流轉(zhuǎn)化為電荷流,而界面厚度遠(yuǎn)小于太赫茲波長0.3 mm,故不需要考慮相位匹配問題.綜上,當(dāng)LAO 厚度增加時,考慮LAO 聲子吸收太赫茲輻射最終呈下降趨勢,若自旋流轉(zhuǎn)換為電荷流的效率隨厚度增加占主導(dǎo)則可能使太赫茲輻射隨厚度的變化出現(xiàn)第二個極大值.

圖5 中由于電荷電流存在于LAO/STO 界面,太赫茲波在NiFe/LAO 薄膜中經(jīng)歷了多次反射,因此必然包含STO 折射率信息.而由(1)式計算的結(jié)果表明電場強度的大小也隨襯底折射率的增加而減小.其物理機制可理解為界面處的電荷電流直接向NiFe 面方向的輻射和經(jīng)STO 襯底反射后的輻射疊加形成總的輻射,故所得太赫茲電場頻譜與襯底折射率色散有關(guān).在實驗過程中,磁場沿水平方向,可知輻射太赫茲波方向為豎直方向,故為s 波,因此反射波以任意方向入射均有180°相位差,會造成輻射太赫茲波的減弱.而以p 波入射的情況下,在經(jīng)過布儒斯特角后則同相,因此可以通過調(diào)整p 波的入射角來優(yōu)化太赫茲源的輻射.為了驗證反相的s 波對發(fā)射太赫茲信號的減弱,實驗測量了STO 樣品對太赫茲波反射的頻譜,在40°入射的情況下以鋁鏡為參考,計算STO 的反射率,如圖6 所示.圖6 中太赫茲波的反射率的極大值間隔頻率約為0.5 THz,若將STO 襯底等效為法布里-珀羅干涉儀,折射率取19.2[29],可得干涉極大的頻率間隔為0.016 THz,因此反射率的波動不是來源于多光束干涉效應(yīng),應(yīng)當(dāng)來源于STO 襯底本身.可以發(fā)現(xiàn),圖6 在1—1.5 THz 和1.5—2.2 THz 的波谷與圖5 相應(yīng)頻段的波峰一致,即在該異質(zhì)結(jié)中,反射部分的太赫茲波越弱,NiFe 面出射的太赫茲波越強.

圖6 STO 以鋁鏡為參考的反射率Fig.6.Reflectivity of STO referenced an aluminum mirror.

6 總結(jié)展望

本文制備了NiFe/LAO//STO(001)氧化物異質(zhì)結(jié),在飛秒激光振蕩器泵浦下觀察到了太赫茲輻射的產(chǎn)生,驗證了氧化物異質(zhì)結(jié)IREE 效應(yīng)在產(chǎn)生太赫茲輻射上的主導(dǎo)作用.初步觀察到了輻射太赫茲信號隨LAO 厚度的增加而增大.STO 對太赫茲輻射的反射實驗與樣品發(fā)射的太赫茲信號具有相關(guān)性,為進一步優(yōu)化高折射率襯底的太赫茲源提供了實驗和理論支持.關(guān)于隧穿效應(yīng)的超擴散理論與在NiFe/LAO//STO 中的光學(xué)傳輸模型需要進一步優(yōu)化來指導(dǎo)提高太赫茲輻射效率.