李祎康,王 萍
(西安工業(yè)大學(xué),材料與化工學(xué)院,西安710021)
鎂合金最為最輕的結(jié)構(gòu)用材料之一,有著優(yōu)異的鑄造可加工性、比強(qiáng)度以及阻尼特性,被譽(yù)為21世紀(jì)最具開發(fā)與應(yīng)用潛力的綠色工程材料[1-2]。受限于鎂的化學(xué)性質(zhì)活潑,標(biāo)準(zhǔn)氫電極(Standard Hydrogen Electrode,SHE)電位極低(-2.36 V/SHE[3]),即使在純水中也容易遭受腐蝕,直接限制了鎂合金在各個領(lǐng)域的應(yīng)用。提高鎂合金的耐蝕性常用的方法有改善合金成分、表面防護(hù)處理、添加緩蝕劑等,其中在介質(zhì)中添加緩蝕劑,可以簡單有效的減緩合金的腐蝕。根據(jù)化學(xué)成分的不同,可以將緩蝕劑分為有機(jī)緩蝕劑與無機(jī)緩蝕劑,有機(jī)緩蝕劑中使用較多的有十二烷基苯磺酸鈉、苯并三氮唑、2-巰基苯并噻唑等[4-7],無機(jī)緩蝕劑中應(yīng)用較多則主要有磷酸鹽、釩酸鹽、鈰鹽等[8-12]。相較于有機(jī)緩蝕劑,大部分無機(jī)緩蝕劑在介質(zhì)中的溶解度更高、緩蝕效果更好,通過在合金表面形成一層致密的膜層以保護(hù)合金。文獻(xiàn)[13]研究了硝酸鋅對鎂合金的緩蝕作用結(jié)果表明該種緩蝕劑對鎂合金的緩蝕效果有限,在濃度達(dá)到0.5mmol·L-1時緩蝕效率僅為69%。文獻(xiàn)[14]研究了氯化鈰(CeCl3)在NaCl溶液中對鎂合金AZ31的緩蝕效果,結(jié)果發(fā)現(xiàn),當(dāng)CeCl3濃度為100 mg·L-1時,鎂合金耐蝕性最強(qiáng)。文獻(xiàn)[15]研究了不同濃度的Na2CO3在NaCl溶液中對AZ31鎂合金板的緩蝕效果結(jié)果發(fā)現(xiàn)在的一定范圍內(nèi)隨著濃度的上升,Na2CO3對合金的緩蝕效果逐漸上升,在0.03 mol·L-1時最大緩蝕效率為88.81%。文獻(xiàn)[16]研究了硅酸鈉對鎂合金AZ91D的緩蝕效果,硅酸鈉通過在鎂合金基體表面形成硅酸鹽沉淀來抑制鎂合金腐蝕,且當(dāng)硅酸鈉濃度為10 mmol·L-1時緩蝕效率最高,目前對于各種鎂合金緩蝕劑的研究層出,但對于緩蝕劑對合金的緩蝕機(jī)理卻少有說明。
文中選用了兩種常用的無機(jī)型緩蝕劑偏釩酸鈉(NaVO3)、磷酸鈉(Na3PO4)通過掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope,SEM)、X射線衍射(X-rays Diffraction,XRD)、X射線光電子能譜(X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)結(jié)合腐蝕失重與電化學(xué)性能,對比兩種緩蝕劑的緩蝕效果并對其緩蝕機(jī)理進(jìn)行闡述。
實(shí)驗(yàn)材料為鑄態(tài)的AZ91D鎂合金,化學(xué)成分見表1,圖1 為試樣尺寸,對試樣進(jìn)行攻絲打孔,并與銅絲進(jìn)行連接,試樣孔徑?=2 mm,銅絲截面積為5 mm2,試樣表面經(jīng)砂紙打磨至2 000#,拋光后用酒精清洗表面,冷風(fēng)吹干。
表1 鑄態(tài)AZ91D鎂合金成分表
圖1 鎂合金AZ91D試樣規(guī)格
使用SEM觀察試樣表面成膜形貌,利用XRD結(jié)合XPS對試樣表面膜層進(jìn)行物相分析。
采用普林斯頓4000電化學(xué)工作站對在質(zhì)量分?jǐn)?shù)w(NaCl)=3.5% 溶液中添加不同無機(jī)緩蝕劑浸泡后的試樣進(jìn)行交流阻抗和極化曲線測試。實(shí)驗(yàn)采用標(biāo)準(zhǔn)三電極體系,參比電極使用飽和的甘汞電極(Saturated Calomel Electrode,SCE),輔助電極使用鉑電極,工作電極為鎂合金試樣,工作面積為1 cm2,掃描速率為0.03 V·s-1。試樣內(nèi)部腐蝕電流密度計(jì)算公式為
(1)
式中:Icorr為腐蝕電流密度,單位A·cm-2;bA、bc分別為陽極及陰極極化曲線斜率;Rp為極化電阻,單位kΩ·cm-2。
將試樣置入空白組溶液及添加不同緩蝕劑的空白組溶液中,空白組為質(zhì)量分?jǐn)?shù)w(NaCl)=3.5%的水溶液,10 d后取出,除去腐蝕產(chǎn)物并用去離子水和酒精分別清洗,記錄腐蝕前后試樣質(zhì)量。腐蝕速率的計(jì)算公式為
vcorr=(m0-m1)/S·t,
(2)
式中:S為試樣表面積,單位cm2;m0為試樣原始質(zhì)量,單位mg;m1為試樣腐蝕后質(zhì)量,單位mg;t為浸泡時間,單位h。
圖2 為鑄態(tài)AZ91D合金顯微組織。由圖2可知鑄態(tài)AZ91D合金基體中有大量的共晶組織,主要由初生的α-Mg相與析出的樹枝狀共晶相Mg17Al12組成。
2.2.1 鎂合金在氯化鈉溶液中腐蝕形貌分析
圖3 為合金AZ91D在質(zhì)量分?jǐn)?shù)w(NaCl)=3.5% 水溶液中浸泡24 h后的SEM照片。由圖3(a)可見經(jīng)浸泡24 h過后,合金AZ91D基體明顯被腐蝕,試樣表面覆蓋有大量的腐蝕產(chǎn)物,這些腐蝕產(chǎn)物較為疏松,很難對合金基體起到有效的保護(hù)作用,經(jīng)放大后的局部形貌圖3(b)可以看出這些腐蝕產(chǎn)物呈花簇狀交疊在一起,通過對點(diǎn)A處進(jìn)行EDS能譜分析,可見O元素在該處的相對含量很高,O元素與Mg元素的原子比Mg∶O約為1∶2,說明腐蝕產(chǎn)物應(yīng)主要為疏松的Mg(OH)2。
2.2.2 不同緩蝕劑對鎂合金的成膜影響
圖4為合金AZ91D在添加3 g·L1NaVO3的溶液中浸泡24 h后的成膜形貌。結(jié)果表明,在加入NaVO3浸泡24 h后,試樣表面被大量呈龜裂狀的膜層覆蓋,膜層相對平整致密,膜層出現(xiàn)兩種特征:一是點(diǎn)A處間隙較小且相對致密的區(qū)域,二是點(diǎn)B處間隙較大的亮白色塊狀區(qū)域。與在質(zhì)量分?jǐn)?shù)w(NaCl)=3.5%溶液浸泡24 h后相比,加入NaVO3后基體表面成膜明顯,表面沒有出現(xiàn)大量的腐蝕坑和明顯的腐蝕點(diǎn)位。通過對A、B兩點(diǎn)處的膜層進(jìn)行EDS分析過后發(fā)現(xiàn)兩處膜層中O元素的含量均很高,其次是來自基體的Mg元素,點(diǎn)A處的V∶O原子數(shù)比為1∶4.2,而B處原子數(shù)比為1∶3,這說明點(diǎn)A處膜層可能由少量的Mg(OH)2與MgVO3構(gòu)成,而點(diǎn)B處膜層可能主要為MgVO3。
圖2 鑄態(tài)鎂合金AZ91D顯微組織
圖3 鎂合金在質(zhì)量分?jǐn)?shù)w(NaCl)=3.5%水溶液中浸泡24 h后掃描照片
圖4 鎂合金在添加3 g·L-1 NaVO3溶液中浸泡24 h后掃描照片
圖5為合金AZ91D在添加3 g·L-1Na3PO4的溶液中浸泡24 h后的成膜形貌。結(jié)果表明,在加入Na3PO4浸泡24 h后鎂合金表面未出現(xiàn)明顯的腐蝕現(xiàn)象,表面均勻覆蓋著大量溝壑狀的膜層,在高倍照片下可以清楚的見到膜層之間存在縫隙和細(xì)小的腐蝕產(chǎn)物堆積。與在質(zhì)量分?jǐn)?shù)w(NaCl)=3.5% 溶液中浸泡24 h相比,在加入Na3PO4后試樣表面成膜相對均勻致密,無明顯的腐蝕溝壑和腐蝕坑,表面形成的膜層可以對基體起到一定程度上的保護(hù)作用。通過對A處膜層進(jìn)行EDS分析,可以看出膜層中O元素含量最高,其次則是來自基體中的Mg元素,Mg、P、O三種元素的原子數(shù)比約為1.7∶1.8,因此膜層應(yīng)主要由Mg3(PO4)2與少量的Mg(OH)2組成。
圖5 鎂合金在添加3 g·L-1 Na3PO4溶液中浸泡24 h后掃描照片
2.3.1 鎂合金在緩蝕劑溶液中成膜XRD分析
圖6 為合金AZ91D在不同溶液浸泡24 h后的XRD圖譜。從各圖譜中可以發(fā)現(xiàn),經(jīng)過氯化鈉浸泡后的基體表面膜層出現(xiàn)了屬于Mg(OH)2的衍射峰,這與EDS所呈現(xiàn)的數(shù)據(jù)一致,說明在質(zhì)量分?jǐn)?shù)w(NaCl)=3.5% 溶液中浸泡24 h后表面所出現(xiàn)的腐蝕產(chǎn)物膜應(yīng)由Mg(OH)2構(gòu)成;而在分別加入NaVO3與Na3PO4后,膜層中又出現(xiàn)了屬于MgVO3以及Mg3(PO4)2的衍射峰,這表明在加入緩蝕劑后,緩蝕劑與鎂合金產(chǎn)生一定的作用,基體表面出現(xiàn)的兩種不同膜層分別主要由MgVO3與Mg3(PO4)2構(gòu)成,且兩種膜層中均含有少量的Mg(OH)2。
圖6 鎂合金在添加不同緩蝕劑的NaCl溶液 浸泡24 h后XRD譜圖
2.3.2 鎂合金在緩蝕劑溶液中成膜XPS分析
圖7 為合金AZ91D在NaCl溶液中浸泡24 h后的XPS譜圖。圖7(a)表明在此溶液浸泡24 h后表面膜層中存在著O、Mg、Cl元素,Mg 1s圖譜中位于結(jié)合能為1 303.91 eV處的特征峰代表著Mg(OH)2中的Mg2+,而Cl 2p圖譜中位于結(jié)合能為198.40 eV處的特征峰則代表著吸附在基體表面Mg(OH)2膜層內(nèi)的Cl-。
結(jié)合XRD可見,合金AZ91D在質(zhì)量分?jǐn)?shù)w(NaCl)=3.5% 溶液中浸泡時,反應(yīng)如下:
陽極溶解: Mg-2e→Mg2+;
(3)
陰極析氫: 2H2O+2e→2OH-+H2↑;
(4)
總反應(yīng):Mg+2H2O=Mg(OH)2+H2↑。
(5)
合金中的Mg作為陽極溶解產(chǎn)生Mg2+與陰極反應(yīng)產(chǎn)生的OH-結(jié)合形成產(chǎn)物膜Mg(OH)2,從圖(3)可以看出受到溶液中Cl-的影響Mg(OH)2膜層疏松不致密,溶液中的Cl-可以直接穿過膜層與基體反應(yīng),加速腐蝕,甚至可以直接與膜層反應(yīng)生成水溶性的5Mg(OH)2MgCl2,以及MgCl2等,使膜層對基體的保護(hù)能力下降,引起局部腐蝕。
圖7 鎂合金在氯化鈉溶液中浸泡24 h后XPS譜圖
圖8 為合金AZ91D在添加3 g·L-1NaVO3的溶液中浸泡24 h后的XPS譜圖。圖8(a)表明了在加入緩蝕劑NaVO3后鎂合金表面膜層中含有O、V、Mg等元素。Mg 1s譜圖中結(jié)合能位于1 304.10 eV處的特征峰代表著Mg2+,在V 2p圖譜中處于516.79 eV與523.99 eV處的特征峰則代表著V4+。
結(jié)合XRD可見,合金AZ91D在含有NaVO3的質(zhì)量分?jǐn)?shù)w(NaCl)=3.5% 溶液中浸泡后,在基體表面有MgVO3存在,反應(yīng)如下:
反應(yīng)一: 2Mg+VO3-+2H2O→MgVO3+
2OH-+H2↑;
(6)
反應(yīng)二: Mg+2H2O=Mg(OH)2+H2↑。
(7)
圖8 鎂合金在添加3 g·L-1 NaVO3溶液中浸泡24 h后XPS譜圖
合金在含有NaVO3的溶液中浸泡時,合金中的Mg一部分與溶液中的VO3-離子發(fā)生氧化還原反應(yīng)VO3-被還原為VO32-,Mg被氧化為Mg2+,二者結(jié)合產(chǎn)生圖(4)中A處的MgVO3膜層;另一部分受到溶液中Cl-影響溶解產(chǎn)生少量的Mg(OH)2與MgVO3一起附著在基體表面出現(xiàn)圖(4)中B處的膜層。
圖9 為合金AZ91D在添加3 g·L-1Na3PO4的溶液中浸泡24 h后的XPS譜圖。圖9(a)表明在該溶液中浸泡24 h后基體表面膜層中主要含有Mg、O、P等元素,Mg 1s圖譜中處于1結(jié)合能為303.59 eV處的特征峰代表著Mg2+,P 2p圖譜中位于結(jié)合能為132.95 eV處的特征峰則代表著PO43-中的P5+。
結(jié)合XRD可見,合金AZ91D在含有3 g·L-1Na3PO4的氯化鈉溶液浸泡24 h后,表面膜層有Mg2(PO4)3存在,反應(yīng)如下:
反應(yīng)一:Mg+2H2O=Mg(OH)2+H2↑;
(8)
反應(yīng)二:Mg2++PO43-→Mg3(PO4)2。
(9)
圖5 (a)、(b)膜層中的主要物質(zhì)為在浸泡過程中的PO43-與溶解的Mg2+結(jié)合形成的Mg3(PO4)2。相較于NaVO3來說,Na3PO4中的PO43+并未直接與合金中的Mg反應(yīng),而是通過與溶解的Mg2+結(jié)合形成沉淀吸附在基體表面成膜。
圖9 鎂合金在添加3 g·L-1 Na3PO4溶液中浸泡24 h后XPS譜圖
圖10為合金AZ91D在不同緩蝕劑的NaCl溶液中浸泡10 d后計(jì)算所得的平均腐蝕速率。結(jié)果表明試樣在NaCl溶液中浸泡10 d后的平均腐蝕速率為0.607 8 mg·cm-2·h-1,在加入NaVO3與Na3PO4后,腐蝕速率分別為0.122 8 mg·cm-2·h-1與0.244 3 mg·cm-2·h-1。
圖10 鎂合金AZ91D在不同溶液中腐蝕速率
綜上可見,兩種緩蝕劑對合金基體的腐蝕速率均有所減弱,NaVO3體現(xiàn)出相對更好的緩蝕效果,腐蝕速率下降79.79%。加入NaVO3浸泡后的試樣呈現(xiàn)出最低腐蝕速率的現(xiàn)象可能是由于在鎂合金表面形成了較為平整致密的MgVO3膜層所致。
2.5.1 極化曲線分析
圖11 為合金AZ91D在不同溶液浸泡24 h后的極化曲線。對比表2中極化曲線的擬合結(jié)果可見在浸泡24 h后引入緩蝕劑后的試樣自身Ecorr均正移約0.1 V,Icorr下降約90%,通過計(jì)算所得的極化電阻約增大20~25倍,兩種緩蝕劑在浸泡24 h后表現(xiàn)出近似的緩蝕效果。
2.5.5 交流阻抗分析
圖12為合金AZ91D在不同溶液中浸泡24 h后的交流阻抗譜。圖13為交流阻抗等效電路圖,表3為EIS擬合數(shù)據(jù),其中Rs為溶液電阻,Q為電極表面的雙電子層,n為彌散因數(shù)(0≤n≤1),Rt為電極表面的電荷轉(zhuǎn)移電阻,Rf為腐蝕產(chǎn)物膜層電阻,L為等效電感,代表低頻區(qū)出現(xiàn)的感抗回路。
圖11 鎂合金AZ91D在不同溶液浸泡24 h后極化曲線
表2 鎂合金在不同溶液浸泡下極化曲線擬合數(shù)據(jù)
從圖12(a)可以看出,兩種緩蝕劑對合金的腐蝕都起到了很好的抑制作用。在浸泡24 h后,偏釩酸鈉的高頻容抗弧半徑略大于磷酸鈉,高頻容抗弧半徑即基體表面電荷轉(zhuǎn)移的阻力,半徑越大則阻抗越大。擬合得到的Rf表明在浸泡24 h后由MgVO3構(gòu)成的膜層較之Mg3(PO4)2膜層具有更好的屏蔽效果,同時Bode圖中的NaVO3表現(xiàn)出的最大的低頻區(qū)阻抗模值。
圖12 鎂合金AZ91D在不同溶液浸泡24 h后交流阻抗譜
圖13 交流阻抗等效電路圖
綜上可見,緩蝕劑在基體表面的產(chǎn)生的膜層可以有效的保護(hù)鎂合金,兩種緩蝕劑的引入使基體表面阻抗增大約1.5倍,由交流阻抗譜及擬合數(shù)據(jù)可見較為平整致密的MgVO3膜層對腐蝕介質(zhì)的隔絕效果要明顯優(yōu)于溝壑狀的Mg3(PO4)2膜層。這與腐蝕失重所測定的腐蝕速率與極化曲線所擬合的結(jié)果基本相符。
表3 鎂合金在不同溶液浸泡24 h后EIS擬合數(shù)據(jù)
文中研究了鎂合金AZ91D在添加不同緩蝕劑的氯化鈉溶液中腐蝕行為,研究結(jié)果表明:
1) 合金AZ91D在加入NaVO3、Na3PO4的氯化鈉溶液中浸泡24 h后,表面分別有龜裂狀的MgVO3與層帶狀膜層Mg3(PO4)2出現(xiàn)。
2) 合金AZ91D在不同緩蝕劑溶液中浸泡10 d后,計(jì)算所得的腐蝕速率分別為0.122 8 mg·cm-2·h-1與0.244 3 mg·cm-2·h-1,加入NaVO3后平均腐蝕速率對比空白組下降約80%。
3) 合金AZ91D在不同緩蝕劑溶液中浸泡24 h后自腐蝕電位Ecorr均正移,Icorr下降,在加入緩蝕劑后擬合所得到的Rt與Rf較之未添加緩蝕劑的試樣均有所提高,經(jīng)緩蝕劑NaVO3浸泡的試樣阻抗約為Na3PO4的1.5倍,NaVO3對鎂合金有更好的保護(hù)效果。