近期，西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊張進(jìn)成教授、周弘教授等在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵功率器件研究方面取得重要進(jìn)展，研制出一種新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)二極管。該結(jié)構(gòu)通過異質(zhì)結(jié)空穴超注入效應(yīng)，實現(xiàn)了兼具超高耐壓和極低導(dǎo)通電阻的氧化鎵功率二極管，功率優(yōu)值高達(dá)13.2GW/cm2，是當(dāng)前氧化鎵半導(dǎo)體器件的最高值。與當(dāng)前產(chǎn)業(yè)界火熱的第三代半導(dǎo)體GaN和SiC相比，該功率器件在相同耐壓情況下具有更低的導(dǎo)通電阻，應(yīng)用于電能轉(zhuǎn)換領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更低的功耗和更高的轉(zhuǎn)換效率。相關(guān)成果以《Ultra-wide bandgap semiconductor Ga2O3power diodes》為題發(fā)表于國際期刊《自然·通訊》（Nature Communications）。