荊 濤,梁冬梅
(凱里學(xué)院,貴州凱里 556011)
1958 年,硝?;℉NO)分子被認(rèn)為是氧氣環(huán)境下氨氣光解的重要產(chǎn)物之一[1],而在1979 年,S.G.Cheskis 和O.M.Sarkisov 利用激光光譜技術(shù)證實(shí)了這種存在[2].自此以后,關(guān)于HNO 分子的研究受到人們的廣泛關(guān)注.這些研究主要在分子光譜特性[3?9]以及HNO 分子與一些小分子、自由基反應(yīng)的動(dòng)力學(xué)機(jī)理上,包括HNO+NH2、HNO+NO、HNO+O2、HNO+CH3和HNO+C6H5等[10?13].雖然人們已經(jīng)從理論和實(shí)驗(yàn)上對(duì)HNO 分子的電子結(jié)構(gòu)和光譜特性展開(kāi)了一系列研究,然而外場(chǎng)作用下HNO 分子結(jié)構(gòu)和光譜性質(zhì)的研究,特別是光激發(fā)性質(zhì)的研究還沒(méi)有發(fā)現(xiàn).研究HNO 分子在外電場(chǎng)作用下結(jié)構(gòu)和光譜性質(zhì)的改變,對(duì)改善其化學(xué)反應(yīng)特征以及在光譜領(lǐng)域的相關(guān)應(yīng)用提供一定的參考.
分子HNO 的結(jié)構(gòu)如圖1 所示.為了得出正確的計(jì)算結(jié)果,本文使用和文獻(xiàn)[9]相同的基組進(jìn)行基態(tài)特性的計(jì)算,即采用密度泛函理論(DFT)中的B3LYP,以6?311G**作為基函數(shù),沿y軸方向加上一系列有限的外電場(chǎng)(0.005,0.010,0.015 和0.020 a.u.),對(duì)HNO 分子進(jìn)行基態(tài)結(jié)構(gòu)優(yōu)化,然后使用同樣的基組和同一強(qiáng)度的外電場(chǎng),采用CIS?DFT 方法,沿y軸方向?qū)NO 分子的激發(fā)特性進(jìn)行研究.其中1a.u.=5.14225×1011V/m.
圖1 無(wú)外電場(chǎng)作用下HNO分子的結(jié)構(gòu)
外電場(chǎng)作用下分子體系的哈密頓量H可以寫為[14]:
式中,Hint是微擾項(xiàng),代表外電場(chǎng)F與分子相互作用的哈密頓量.
在偶極近似下,微擾項(xiàng)Hint可表示為:
式中,μ為分子的電偶極矩.
根據(jù)Grozema等[15?16]提出的模型,激發(fā)能Eexc可以寫為:
式中,Eexc(0)為無(wú)電場(chǎng)下的激發(fā)能,Δμ為電偶極矩的變化量,Δα為極化率的變化量,它們的大小由電場(chǎng)強(qiáng)度和電場(chǎng)方向決定.振子強(qiáng)度f(wàn)1u[17]為:
式中,線強(qiáng)度S為原子單位為加權(quán)因子,這里等于1,σ表示波數(shù).
采用密度泛函理論方法B3LYP/6?311G**,首先優(yōu)化得到無(wú)外電場(chǎng)時(shí)HNO 分子的穩(wěn)定構(gòu)型,如圖1 所示.進(jìn)一步對(duì)分子HNO 沿y 軸方向施加0~0.020 a.u.(0.005,0.010,0.015,0.020)的外電場(chǎng)進(jìn)行優(yōu)化,并在此基礎(chǔ)上采用CIS?B3LYP/6?311G**方法對(duì)分子的激發(fā)態(tài)物理量(包括激發(fā)能、激發(fā)波長(zhǎng)和振子強(qiáng)度等)進(jìn)行了計(jì)算.
采用密度泛函理論(Density Functional Theory,DFT)中的B3LYP/6?311G**方法,沿y 軸方向?qū)NO分子在不同強(qiáng)度的外電場(chǎng)(包括0,0.005,0.010,0.015,0.020 a.u.)下進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化,優(yōu)化的基態(tài)參數(shù)、總能量、偶極矩和電荷布局列于表1、2、3中.
表1 外電場(chǎng)作用下的基態(tài)鍵長(zhǎng)、鍵角、偶極矩和總能量
從表1 可以看出,HNO 分子結(jié)構(gòu)在電場(chǎng)的作用下發(fā)生了顯著的變化.隨著電場(chǎng)的不斷增加,基態(tài)鍵長(zhǎng)R1?2不斷增大,在無(wú)外電場(chǎng)作用時(shí),鍵長(zhǎng)R1?2數(shù)值最小,為0.106 59 nm,如圖2 所示;而鍵長(zhǎng)R1?3隨著電場(chǎng)的增大呈單調(diào)減小的變化趨勢(shì),從0.120 00 nm 減小到0.119 29 nm,其變化情況如圖2 所示.隨著電場(chǎng)的逐漸增大,鍵角A(2,1,3)呈單調(diào)增加的變化,如圖3 所示.圖4 顯示,體系的總能量隨著正向電場(chǎng)的逐漸增大而不斷增大,當(dāng)F=0.020 a.u.時(shí),總能量達(dá)到最大值?130.508 799 3a.u..從圖5 可以看出,分子偶極矩μ隨電場(chǎng)的不斷增加而不斷減小,當(dāng)外電場(chǎng)從0變化到0.020 a.u.時(shí),偶極矩μ發(fā)生了明顯的變化,其值從1.727 0減小到1.684 1Debye,減小了0.042 9Debye,這說(shuō)明外電場(chǎng)并沒(méi)有使HNO分子的極性發(fā)生顯著的變化.
圖2 鍵長(zhǎng)R隨電場(chǎng)的變化
圖3 鍵角A隨電場(chǎng)的變化
圖4 分子總能量隨電場(chǎng)的變化
圖5 分子偶極矩隨電場(chǎng)的變化
從表2 可以看出,HNO 分子的電荷分布與外電場(chǎng)存在著一定的依賴關(guān)系.隨著電場(chǎng)的不斷增大,氮原子(N)和氫原子(H)帶正電荷,呈電正性,而氧原子(O)帶負(fù)電荷,呈電負(fù)性.由于分子本身所帶總電荷為零,所以N 原子、H 原子和O 原子所帶電荷的總和為零.另外,隨著正向電場(chǎng)從0 增大到0.020 a.u.,H 原子周圍的正電荷密度呈不斷減小的變化趨勢(shì),從0.163 538 減小到0.158 490,而N 原子周圍的正電荷密度不斷增大,從0.001 805 增大到0.003 205.O 原子周圍的負(fù)電荷密度在外電場(chǎng)作用下也不斷減小,由開(kāi)始的?0.165 342最后變?yōu)?0.161 696.在外電場(chǎng)作用下分子的穩(wěn)定構(gòu)型由分子所受的外電場(chǎng)力和分子的內(nèi)應(yīng)力二者的合力大小所決定,電子帶負(fù)電,在外電場(chǎng)的作用下會(huì)逆著電場(chǎng)方向進(jìn)行移動(dòng).隨著正向電場(chǎng)的增大,H 原子上的電荷向N 原子轉(zhuǎn)移,使得N?O之間轉(zhuǎn)移的電荷數(shù)增多,內(nèi)應(yīng)力大于外電場(chǎng)力,分子鍵長(zhǎng)變小,總能量增大,偶極矩減少.
表2 外電場(chǎng)作用下分子的電荷布局分布
使用DFT 中的B3LYP/6?311G**方法,沿如圖1 所示的y 軸方向施加不同大小的外電場(chǎng),對(duì)HNO 分子的基態(tài)構(gòu)型進(jìn)行優(yōu)化,得到如表3 所示HNO 分子的電子最高占據(jù)軌道HOMO 能級(jí)EH、最低空軌道LUMO 能級(jí)EL和能隙Eg,如圖6、7 所示.HOMO 軌道反映了分子失去電子的能力,LUMO軌道反映了電子親和力的大小.從圖6可以看出,隨著外電場(chǎng)的不斷增加,電子的軌道能級(jí)EH不斷減小,能級(jí)EL不斷增大,由能隙Eg=EL?EH可得出,Eg在外電場(chǎng)作用下不斷增大,如圖7所示.這表明電子從HOMO軌道躍遷到LUMO軌道,在外電場(chǎng)的作用下變的更加困難.
表3 外電場(chǎng)下分子的HOMO能級(jí)EH、LUMO能級(jí)EL和能隙Eg
圖6 HOMO能級(jí)EH、LUMO能級(jí)EL隨電場(chǎng)的變化
圖7 帶隙Eg隨電場(chǎng)的變化
為了研究外電場(chǎng)對(duì)HNO 分子性質(zhì)的影響,在前面優(yōu)化得到分子基態(tài)結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,采用雜化CIS 方法在B3LYP/6?311G**基組上研究了y 方向的外電場(chǎng)(0~0.02a.u.)下HNO 分子的UV?Vis 光譜、前9 個(gè)激發(fā)態(tài)的激發(fā)能、激發(fā)波長(zhǎng)和振子強(qiáng)度隨外電場(chǎng)的變化.計(jì)算結(jié)果如圖8 和表4所示.由圖8 可以看出,無(wú)外電場(chǎng)時(shí),HNO 分子在86.4、102.4 和188.8 nm 處出現(xiàn)強(qiáng)度較小的吸收峰,吸收強(qiáng)度分別為3 822.707 6,4 332.154 8 和3 173.386 13 L·mol?1·cm?1,而在118.4 nm 處出現(xiàn)一個(gè)強(qiáng)度較大的紫外吸收峰,吸收強(qiáng)度達(dá)到了5 892.905 79 L·mol?1·cm?1.隨著外電場(chǎng)強(qiáng)度的不斷增強(qiáng),HNO分子的紫外吸收峰出現(xiàn)了不同程度的紅移,但吸收峰都處在紫外區(qū).
圖8 分子的紫外?可見(jiàn)吸收光譜隨外電場(chǎng)變化
從表4 可以看出,隨著y 方向電場(chǎng)從0 增加到0.020 a.u.,HNO 分子前9 個(gè)激發(fā)態(tài)的激發(fā)能發(fā)生了明顯變化,有的不斷增大,有的不斷減小,這說(shuō)明隨著外電場(chǎng)增強(qiáng),HNO 分子各激發(fā)態(tài)激發(fā)的難易程度不同.第9 激發(fā)態(tài)在F=0 時(shí)激發(fā)能最大,為14.494 5 eV,而第1 激發(fā)態(tài)在F=0 時(shí)激發(fā)能最小,為1.571 3 eV,最大和最小的激發(fā)能數(shù)值相差12.923 2 eV,這使得HNO 分子整個(gè)光譜的波長(zhǎng)范圍為85.54~789.07 nm,涵蓋了從紫外到可見(jiàn)光譜的范圍.從激發(fā)能數(shù)值大小進(jìn)行分析,第1、2 激發(fā)態(tài)的激發(fā)能比其他激發(fā)態(tài)的能量小很多,這說(shuō)明第1、2 激發(fā)態(tài)的激發(fā)相對(duì)比較容易,但加外電場(chǎng)后這個(gè)激發(fā)態(tài)的激發(fā)特性并沒(méi)有改變,基本上仍屬于禁阻躍遷.如表4所示,隨著y方向電場(chǎng)的增強(qiáng),HNO 分子前9 個(gè)激發(fā)態(tài)中每一個(gè)激發(fā)態(tài)的激發(fā)能在電場(chǎng)的作用下都發(fā)生了一定的變化,但并沒(méi)有發(fā)生明顯的變化.例如,第1 激發(fā)態(tài)在無(wú)外電場(chǎng)作用時(shí),激發(fā)能為1.571 3 eV,在F=0.020 a.u.時(shí),激發(fā)能變?yōu)?.588 8 eV,變化量?jī)H為0.017 5 eV.另外,雖然不同強(qiáng)度的外電場(chǎng)對(duì)HNO 分子的激發(fā)能和激發(fā)波長(zhǎng)都產(chǎn)生了一定的變化,但都并未出現(xiàn)能量簡(jiǎn)并的現(xiàn)象.這可以從公式(3)進(jìn)行解釋.從公式(3)可以看出,外電場(chǎng)下的激發(fā)能不僅與電偶極矩的變化有關(guān),而且與極化率的變化有關(guān).由于H 與N、O 原子的電負(fù)性差別很大,在不同強(qiáng)度和不同方向的電場(chǎng)作用下,電偶極矩和極化率受到不同程度的影響,從而對(duì)激發(fā)能產(chǎn)生的影響不同,但都產(chǎn)生一定的影響,從而沒(méi)有出現(xiàn)能量兼并的現(xiàn)象.從表4可以看出,引入外電場(chǎng)對(duì)電子躍遷的影響并不大.原來(lái)被禁阻的躍遷在電場(chǎng)作用下并沒(méi)有變?yōu)樵试S的躍遷,仍屬于禁阻躍遷.有些激發(fā)態(tài)的振子強(qiáng)度很小,不到0.1,在實(shí)驗(yàn)上觀察不到,在加了外電場(chǎng)后,并沒(méi)有改變這種特性.總之,分子的激發(fā)態(tài)能量和激發(fā)波長(zhǎng)受外電場(chǎng)影響發(fā)生了顯著的變化,但并沒(méi)有改變分子的躍遷特性.
表4 分子在外電場(chǎng)下的激發(fā)能、激發(fā)波長(zhǎng)和振子強(qiáng)度
本文采用DFT?B3LYP/6?311G**方法優(yōu)化了HNO 分子的基態(tài)結(jié)構(gòu),計(jì)算了在y 方向上施加不同強(qiáng)度外電場(chǎng)對(duì)分子幾何結(jié)構(gòu)、能量、偶極矩、前線軌道能級(jí)的影響,在此基礎(chǔ)上,采用CIS/6?311G**方法計(jì)算了分子的UV?Vis光譜,前9個(gè)激發(fā)態(tài)的激發(fā)能、激發(fā)波長(zhǎng)和振子強(qiáng)度.HNO分子的鍵長(zhǎng)、鍵角、總能量、電荷布局和偶極矩與外電場(chǎng)的大小和方向均有一定的依賴關(guān)系.隨著y方向電場(chǎng)強(qiáng)度由0 變化至0.020 a.u.,鍵角不斷增大,總能量逐漸增大,偶極矩不斷減小,電荷分布受兩種電場(chǎng)方向的影響比較明顯.分子的激發(fā)態(tài)能量和激發(fā)波長(zhǎng)受外電場(chǎng)影響發(fā)生了顯著的變化,但并沒(méi)有改變分子的躍遷特性.