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基于Artix-7 系列的eMMC 陣列控制器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

2020-08-11 06:53:06馬士全
數(shù)據(jù)采集與處理 2020年4期
關(guān)鍵詞:塊數(shù)時(shí)序命令

孫 巍,呂 勇,馬士全

(1.中國(guó)人民解放軍海軍潛艇學(xué)院,青島,266199;2.青島海洋科學(xué)與技術(shù)試點(diǎn)國(guó)家實(shí)驗(yàn)室,青島,266237)

引 言

eMMC(embedded multimediacard)是一種嵌入式存儲(chǔ)器,其內(nèi)部包含閃存、標(biāo)準(zhǔn)接口以及控制芯片,早期主要應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)設(shè)備[1]。隨著控制協(xié)議和生產(chǎn)工藝的不斷升級(jí),2013年三星電子率先推出了基于eMMC 5.0 標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存產(chǎn)品,其速度最高可達(dá)到400 MB/s[2]。目前Samsung,Micron 以及Sandisk等國(guó)外公司在eMMC芯片供應(yīng)方面依舊占據(jù)主導(dǎo)地位,國(guó)內(nèi)經(jīng)過(guò)自主研發(fā)也實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)[3]。

隨著eMMC 技術(shù)的不斷成熟和完善,面向各類(lèi)應(yīng)用領(lǐng)域的嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)逐漸采用eMMC 作為存儲(chǔ)單元。與此同時(shí),eMMC 控制器開(kāi)發(fā)也逐漸受到業(yè)界內(nèi)的廣泛關(guān)注。Arasan 公司作為JEDEC eMMC標(biāo)準(zhǔn)制定的組織成員已提出eMMC 4.5、eMMC 5.0 以及eMMC 5.1 協(xié)議的IP 解決方案,近期還將提供基于臺(tái)積電7 nm 工藝技術(shù)的eMMC IP 解決方案。國(guó)內(nèi)在相關(guān)方面也投入了大量研究工作,不僅提出可應(yīng)用于圖像采集、視頻存儲(chǔ)的eMMC 控制器方案[4-5],還實(shí)現(xiàn)了可集成于雷達(dá)、航天、武器發(fā)射等重要控制系統(tǒng)的eMMC 存儲(chǔ)單元[6-8]。目前通用的eMMC IP 解決方案對(duì)外開(kāi)放度十分有限,自主設(shè)計(jì)一種安全可靠的eMMC 控制器依然十分重要。為此,本文參照eMMC 5.1 協(xié)議在Artix-7 系列開(kāi)發(fā)平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了一種用戶(hù)可配置的eMMC 陣列控制器,便于用戶(hù)根據(jù)實(shí)際需要選擇合適的工作頻率和陣列操控方式。

1 操作原理

eMMC 陣列控制器中包含的操作主要有開(kāi)放終點(diǎn)多塊寫(xiě)、預(yù)定塊數(shù)多塊讀以及數(shù)據(jù)擦除,下面分別介紹每種操作的基本原理和技術(shù)關(guān)鍵點(diǎn)。

1.1 開(kāi)放終點(diǎn)多塊寫(xiě)

eMMC多塊寫(xiě)主要分為預(yù)定塊數(shù)多塊寫(xiě)、開(kāi)放終點(diǎn)多塊寫(xiě)以及可靠型多塊寫(xiě)[9],其中開(kāi)放終點(diǎn)多塊寫(xiě)的操作原理是讓eMMC對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行連續(xù)接收和編程,直至接收到停止命令才終止傳輸過(guò)程[10]。相比于其他兩種方式,不需要反復(fù)發(fā)送操作命令,數(shù)據(jù)寫(xiě)入效率較高。雖然開(kāi)放終點(diǎn)式操作具有很強(qiáng)的靈活性,但在設(shè)計(jì)方面需要特別關(guān)注停止命令的發(fā)送時(shí)機(jī)。eMMC在接收數(shù)據(jù)過(guò)程中首先會(huì)判斷數(shù)據(jù)的起始位,然后檢驗(yàn)數(shù)據(jù)尾部的CRC校驗(yàn)結(jié)果,最后再對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行編程。根據(jù)eMMC 5.1協(xié)議的多塊寫(xiě)停止時(shí)序,如圖1所示。eMMC控制器可以在發(fā)送最后一個(gè)數(shù)據(jù)的過(guò)程中發(fā)出停止命令,使得eMMC在CRC校驗(yàn)結(jié)束后快速進(jìn)入忙狀態(tài),有利于eMMC在數(shù)據(jù)寫(xiě)入完成的情況下及時(shí)結(jié)束多塊寫(xiě)過(guò)程,為響應(yīng)后續(xù)的其他操作命令節(jié)約時(shí)間。

圖1 多塊寫(xiě)停止時(shí)序圖Fig.1 Timing diagram of multi-block writing stop

1.2 預(yù)定塊數(shù)多塊讀

eMMC 讀操作可分為預(yù)定塊數(shù)多塊讀和開(kāi)放終點(diǎn)多塊讀,其中預(yù)定塊數(shù)多塊讀的操作原理是當(dāng)數(shù)據(jù)傳輸量達(dá)到預(yù)定塊數(shù)時(shí)傳輸自動(dòng)停止[11],其操作時(shí)序如圖2 所示。在eMMC 陣列多塊讀過(guò)程中更需要關(guān)注對(duì)讀出數(shù)據(jù)的處理,為了檢驗(yàn)eMMC 與FPGA 之間數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性,本文在數(shù)據(jù)接收模塊中加入了CRC16 校驗(yàn)?zāi)K,對(duì)從eMMC 讀出的數(shù)據(jù)進(jìn)行實(shí)時(shí)校驗(yàn),及時(shí)發(fā)現(xiàn)傳輸異常,當(dāng)數(shù)據(jù)發(fā)生錯(cuò)誤時(shí)其他主控模塊可以嘗試重新讀取或者數(shù)據(jù)舍棄等其他控制操作。當(dāng)并行讀取數(shù)據(jù)時(shí),不同eMMC 芯片之間由于存在性能差異,通常會(huì)導(dǎo)致讀出的數(shù)據(jù)無(wú)法直接對(duì)齊。最有效的處理方法是借助DDR3 對(duì)數(shù)據(jù)預(yù)先緩存,然后調(diào)整eMMC 讀操作長(zhǎng)度,使得eMMC 陣列讀速率與DDR3 寫(xiě)速率達(dá)到匹配。為了使得控制器可以不依賴(lài)于DDR3,本文采用逐片操控方式實(shí)現(xiàn)eMMC 陣列的預(yù)設(shè)塊數(shù)多塊讀,相比于并行操控速率較低,在DDR3 出現(xiàn)異常時(shí)可作為一種數(shù)據(jù)導(dǎo)出的備用方案。

1.3 數(shù)據(jù)擦除

數(shù)據(jù)擦除是eMMC 控制器設(shè)計(jì)中不可缺少的重要操作。eMMC 啟動(dòng)擦除需要按順序依次發(fā)送CMD35、CMD36 以及 CMD38[12],如果 eMMC 沒(méi)有按照順序正確接收 CMD35、CMD36 和 CMD38,主控制器必須從CMD35 命令重新開(kāi)始發(fā)送。如果CMD35 或者CMD36 地址參數(shù)超出eMMC 芯片的最大地址,eMMC 會(huì)反饋對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤類(lèi)型并重置發(fā)送序列。eMMC 在擦除過(guò)程中會(huì)通過(guò)拉低DAT0 線來(lái)告知主控當(dāng)前正處于忙狀態(tài),擦除完成后DAT0 會(huì)重新拉高,在eMMC 陣列擦除過(guò)程中可以根據(jù)每片eMMC 的DAT0 反饋來(lái)判斷擦除是否完全結(jié)束。

2 總體設(shè)計(jì)

本文所設(shè)計(jì)的eMMC 陣列控制器以eMMC 5.1 協(xié)議為基礎(chǔ),實(shí)現(xiàn)了多種靈活的配置方式,內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖3 所示。用戶(hù)利用軟復(fù)位使能可以實(shí)現(xiàn)eMMC 陣列的復(fù)位操作,在復(fù)位時(shí)還可以利用工作頻率設(shè)定接口和多片操作模式接口重新選擇eMMC 陣列的工作頻率和陣列操控方式。此外,用戶(hù)還可利用操作首地址、操作長(zhǎng)度以及操作類(lèi)型等3 種配置接口實(shí)現(xiàn)eMMC 陣列的單塊讀寫(xiě),預(yù)定塊數(shù)多塊讀寫(xiě)以及開(kāi)放終點(diǎn)多塊讀寫(xiě),如果需要數(shù)據(jù)擦除還需要配置操作尾地址。為了提高實(shí)際使用效率,本文將單片eMMC 的控制邏輯封裝于eMMC 控制模塊,有利于用戶(hù)根據(jù)實(shí)際eMMC 的使用數(shù)量修改eMMC控制模塊的實(shí)例化數(shù)量,圖3 展示了應(yīng)用于4 片eMMC 的配置情況。本文還將陣列控制邏輯封裝于eMMC 陣列管理模塊,一方面處理來(lái)自其他主控模塊的操作參數(shù),明確操作任務(wù)后直接控制每個(gè)eMMC 控制模塊。另一方面,其他主控模塊可通過(guò)讀取工作狀態(tài)來(lái)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)eMMC 陣列的工作狀態(tài),有利于及時(shí)處理異常情況,保證eMMC 陣列控制器在長(zhǎng)時(shí)間工作過(guò)程中始終處于可控狀態(tài)。

圖3 eMMC 陣列控制器結(jié)構(gòu)框圖Fig.3 Block diagram of eMMC array controller

3 eMMC 陣列管理模塊

eMMC 陣列管理模塊主要負(fù)責(zé)用戶(hù)與eMMC 陣列之間的信息交互,其工作流程如圖4 所示。首先在上電初始化階段,eMMC 陣列管理模塊會(huì)根據(jù)設(shè)定的工作頻率和陣列操作方式完成對(duì)eMMC 陣列的初始化操作,并等待每個(gè)eMMC 控制模塊的初始化結(jié)束。初始化全部結(jié)束后向其他主控模塊反饋初始化完成信號(hào),此時(shí)其他主控模塊可以開(kāi)始配置參數(shù)。其他主控模塊發(fā)出啟動(dòng)使能信號(hào)后,eMMC 陣列管理模塊根據(jù)陣列操作方式繼續(xù)將參數(shù)下發(fā)到各個(gè)eMMC 控制模塊,等待所有操作結(jié)束后向其他主控模塊反饋操作結(jié)束信號(hào),接下來(lái)如果需要切換工作時(shí)鐘或者陣列操作方式可通過(guò)軟復(fù)位信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)重新配置。如果繼續(xù)在當(dāng)前狀態(tài)下工作可直接重新設(shè)置操作的起始地址、終止地址、操作長(zhǎng)度以及操作類(lèi)型。接下來(lái),介紹eMMC 陣列管理模塊的工作參數(shù)配置接口和數(shù)據(jù)傳輸控制接口。

圖4 eMMC 陣列管理模塊流程圖Fig.4 eMMC array control module flowchart

3.1 工作參數(shù)配置接口

為了實(shí)現(xiàn)工作參數(shù)的實(shí)時(shí)配置,本文設(shè)計(jì)了一種操作便捷的工作參數(shù)配置接口,其接口操作時(shí)序如圖5 所示。首先在復(fù)位階段其他主控模塊需要在發(fā)出軟復(fù)位信號(hào)后保持工作頻率和陣列操作方式參數(shù)有效,直到eMMC陣列初始化完成。eMMC 陣列初始化結(jié)束后,其他主控模塊可以在操作參數(shù)有效期間發(fā)出啟動(dòng)使能,eMMC 陣列管理模塊根據(jù)啟動(dòng)使能的上升沿獲取操作首地址、操作尾地址、塊的數(shù)量、操作類(lèi)型等參數(shù)。

3.2 數(shù)據(jù)傳輸控制接口

為了實(shí)現(xiàn)eMMC 陣列的開(kāi)放終點(diǎn)多塊寫(xiě),本文在FIFO 讀寫(xiě)控制信號(hào)的基礎(chǔ)上增設(shè)寫(xiě)停止、數(shù)據(jù)準(zhǔn)備以及設(shè)備狀態(tài)等信號(hào),控制接口操作時(shí)序圖如圖6 所示。eMMC 陣列管理模塊在寫(xiě)數(shù)據(jù)操作前需要等待其他主控模塊的數(shù)據(jù)準(zhǔn)備信號(hào),數(shù)據(jù)準(zhǔn)備好后立即發(fā)出FIFO 讀使能并向其他主控模塊反饋當(dāng)前設(shè)備正處于數(shù)據(jù)寫(xiě)入狀態(tài),其他主控模塊接收到設(shè)備忙信號(hào)后可釋放數(shù)據(jù)準(zhǔn)備信號(hào)。當(dāng)開(kāi)放終點(diǎn)多塊寫(xiě)結(jié)束時(shí),其他主控模塊需要在數(shù)據(jù)準(zhǔn)備信號(hào)有效前發(fā)出寫(xiě)停止信號(hào),避免向eMMC 陣列寫(xiě)入多余數(shù)據(jù)。當(dāng)其他主控模塊需要讀eMMC 陣列數(shù)據(jù)時(shí),eMMC 陣列管理模塊按照陣列操作方式將數(shù)據(jù)與寫(xiě)FIFO 使能信號(hào)同步發(fā)送,保證數(shù)據(jù)能夠準(zhǔn)確寫(xiě)入FIFO 寄存器。

圖5 參數(shù)配置接口操作時(shí)序圖Fig.5 Timing diagram of parameter configuration interface operation

圖6 數(shù)據(jù)傳輸控制接口操作時(shí)序圖Fig.6 Timing diagram of data transmission control interface operation

4 eMMC 控制模塊

eMMC 控制模塊主要實(shí)現(xiàn)單片eMMC 的初始化、數(shù)據(jù)擦除和數(shù)據(jù)讀寫(xiě)等控制操作,內(nèi)部模塊可分為3 部分,內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖7 所示。首先與eMMC 陣列管理模塊對(duì)接的是操作任務(wù)選擇模塊,操作任務(wù)選擇模塊的主要功能是根據(jù)工作參數(shù)將對(duì)應(yīng)的命令生成模塊與底層收發(fā)模塊進(jìn)行對(duì)接。命令生成模塊能夠按照協(xié)議要求的命令發(fā)送順序自動(dòng)產(chǎn)生所需要的命令參數(shù),其中包括初始化模塊、擦除模塊、單塊讀寫(xiě)模塊、預(yù)定塊數(shù)多塊讀寫(xiě)模塊以及開(kāi)放終點(diǎn)多塊讀寫(xiě)模塊,這里僅列出其中兩種讀寫(xiě)模塊。命令發(fā)送接收模塊和數(shù)據(jù)發(fā)送接收模塊分別控制eMMC 的命令線和數(shù)據(jù)線,模塊內(nèi)部附加CRC7 和CRC16校驗(yàn)檢查硬件傳輸異常。片選和同步完成信號(hào)主要用于eMMC 陣列片間切換和eMMC 控制模塊的狀態(tài)機(jī)重置。接下來(lái)主要介紹eMMC 控制器中開(kāi)放終點(diǎn)多塊寫(xiě)和預(yù)設(shè)塊數(shù)多塊讀的工作流程。

圖7 eMMC 控制模塊結(jié)構(gòu)圖Fig.7 Structure diagram of eMMC control module

4.1 開(kāi)放終點(diǎn)多塊寫(xiě)工作流程

開(kāi)放終點(diǎn)多塊寫(xiě)的工作流程如圖8 所示。開(kāi)放終點(diǎn)寫(xiě)模塊首先等待操作任務(wù)選擇模塊的寫(xiě)使能信號(hào),然后通過(guò)控制命令發(fā)送接收模塊向eMMC 發(fā)送CMD16 和CMD25[13],使得eMMC 處于數(shù)據(jù)接收狀態(tài),之后判斷是否有停止信號(hào)。如果有停止信號(hào),則向eMMC 發(fā)送CMD12,然后通過(guò)檢測(cè)data0 信號(hào)線的上升沿來(lái)判斷eMMC 是否回到transfer 狀態(tài)。如果沒(méi)有停止信號(hào),則繼續(xù)等待片選使能信號(hào)。當(dāng)片選信號(hào)有效時(shí),等待其他主控模塊數(shù)據(jù)準(zhǔn)備好。當(dāng)其他主控模塊給出數(shù)據(jù)準(zhǔn)備好信號(hào)后,開(kāi)放終點(diǎn)多塊寫(xiě)模塊開(kāi)始讀取其他主控模塊中FIFO 數(shù)據(jù),再通過(guò)數(shù)據(jù)發(fā)送接收模塊發(fā)送給eMMC 芯片,在寫(xiě)入過(guò)程中使用計(jì)數(shù)器同步計(jì)數(shù),當(dāng)達(dá)到操作長(zhǎng)度時(shí)向陣列管理模塊反饋切換信號(hào),選擇其他eMMC 芯片作為操作對(duì)象繼續(xù)寫(xiě)入。

4.2 預(yù)定塊數(shù)多塊讀工作流程

預(yù)設(shè)塊數(shù)多塊讀的控制流程如圖9 所示,預(yù)設(shè)塊數(shù)多塊讀模塊首先等待操作任務(wù)選擇模塊的讀使能信號(hào),然后通過(guò)命令發(fā)送接收模塊依次向eMMC 發(fā)送CMD16、CMD23 以及CMD18[14],使得eMMC處于數(shù)據(jù)發(fā)送狀態(tài),然后通過(guò)數(shù)據(jù)發(fā)送接收模塊接收從eMMC 讀出的數(shù)據(jù)并進(jìn)行CRC16 校驗(yàn)。如果沒(méi)有達(dá)到操作長(zhǎng)度計(jì)數(shù)器繼續(xù)累加,當(dāng)計(jì)數(shù)器達(dá)到操作長(zhǎng)度后讀操作結(jié)束,預(yù)設(shè)塊數(shù)多塊讀模塊重新回到等待讀使能狀態(tài)。

圖8 eMMC 控制器開(kāi)放終點(diǎn)多塊寫(xiě)流程圖Fig.8 Flowchart of eMMC controller open-ending multi-block writing

圖9 eMMC 控制器預(yù)定塊數(shù)多塊讀流程圖Fig.9 Flowchart of eMMC controller multi-block reading

5 測(cè)試與驗(yàn)證

5.1 測(cè)試模塊設(shè)計(jì)

為了測(cè)試eMMC 陣列控制器的整體工作流程,本文獨(dú)立設(shè)計(jì)了一種循環(huán)測(cè)試模塊,該測(cè)試模塊作為其他主控模塊向eMMC 陣列控制器不斷發(fā)送配置參數(shù)和數(shù)據(jù),測(cè)試模塊的工作流程如圖10 所示。

測(cè)試模塊首先等待eMMC 陣列初始化結(jié)束,陣列操作方式默認(rèn)選擇逐片順序操作,然后發(fā)送擦除命令擦除eMMC 陣列的全部?jī)?nèi)容。擦除結(jié)束后發(fā)送開(kāi)放終點(diǎn)多塊寫(xiě)命令,延遲1 s 后發(fā)送寫(xiě)停止信號(hào),等待寫(xiě)操作結(jié)束,同時(shí)利用計(jì)數(shù)模塊累計(jì)循環(huán)次數(shù)。為了比較讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的一致性,繼續(xù)發(fā)送預(yù)定塊數(shù)多塊讀命令,然后等待讀操作結(jié)束,如果數(shù)據(jù)一致則可說(shuō)明eMMC 陣列讀寫(xiě)功能正常。在下一次循環(huán)讀寫(xiě)開(kāi)始前改變操作地址和陣列操作方式,實(shí)現(xiàn)在全部?jī)?chǔ)存空間下的讀寫(xiě)性能檢驗(yàn)。

由于chipscope 抓取的時(shí)序圖長(zhǎng)度有限,為了更好地展示測(cè)試結(jié)果,本文將操作長(zhǎng)度設(shè)為3,即每次讀寫(xiě)操作的數(shù)據(jù)量為3 塊,每塊為兩組0~255 的連續(xù)遞增數(shù),具體數(shù)據(jù)結(jié)果在測(cè)試結(jié)果圖中不再展開(kāi)。為了實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間測(cè)試,在觸發(fā)條件中加入計(jì)數(shù)模塊的計(jì)數(shù)變量,將抓取時(shí)間調(diào)整在48 h 后觸發(fā),然后在200 MHz 工作頻率下測(cè)試eMMC 陣列分別在兩種陣列操控方式下的工作性能。

5.2 測(cè)試結(jié)果分析

5.2.1 逐片操控方式下的讀寫(xiě)功能測(cè)試

在數(shù)據(jù)準(zhǔn)備好的條件下,eMMC0 首先進(jìn)行開(kāi)放終點(diǎn)多塊寫(xiě),寫(xiě)完3 塊數(shù)據(jù)后,向上層反饋了片間切換信號(hào),之后eMMC1、eMMC2、eMMC3 分別依次進(jìn)行相同操作,測(cè)試結(jié)果如圖11 所示,當(dāng)eMMC3 操作結(jié)束后,數(shù)據(jù)準(zhǔn)備信號(hào)無(wú)效,此時(shí)eMMC0 處于等待狀態(tài)循環(huán)檢查數(shù)據(jù)準(zhǔn)備信號(hào)和停止信號(hào)。經(jīng)過(guò)1 s 后接收到停止信號(hào),主控向eMMC 陣列發(fā)送停止命令,每片eMMC 在結(jié)束寫(xiě)過(guò)程中,DAT0 線始終保持低電平,DAT0 線在多塊寫(xiě)結(jié)束后重新拉高,當(dāng)最后一片eMMC 寫(xiě)結(jié)束時(shí)向上層反饋操作結(jié)束信號(hào),測(cè)試結(jié)果如圖12 所示。逐片操控方式下的讀過(guò)程同樣按照寫(xiě)入順序?qū)?shù)據(jù)依次讀出,每片讀出數(shù)據(jù)逐一通過(guò)數(shù)據(jù)傳輸控制接口寫(xiě)入其他主控模塊,測(cè)試結(jié)果如圖13 所示,從測(cè)試結(jié)果可以看出逐片操控方式下數(shù)據(jù)讀寫(xiě)功能正常,每片eMMC 的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)速率可以達(dá)到200 MB/s,eMMC 陣列整體的讀寫(xiě)速率為200 MB/s。

5.2.2 并行操控方式下的讀寫(xiě)功能測(cè)試

在數(shù)據(jù)準(zhǔn)備好的條件下,eMMC 陣列控制器首先控制四片eMMC進(jìn)行開(kāi)放終點(diǎn)多塊寫(xiě),從圖14 中可以看出四片eMMC 能夠同步寫(xiě)入數(shù)據(jù),并且整體數(shù)據(jù)寫(xiě)入速率可穩(wěn)定在800 MB/s。在傳輸最后一塊數(shù)據(jù)的過(guò)程中接收到停止信號(hào),之后立即停止數(shù)據(jù)傳輸,等待4 片eMMC 結(jié)束寫(xiě)操作,測(cè)試結(jié)果如圖15 所示。啟動(dòng)多塊讀后,每片eMMC 能夠讀出3 塊數(shù)據(jù),并且讀數(shù)據(jù)速率穩(wěn)定在200 MB/s,由于每片eMMC 的響應(yīng)速度不同,各片eMMC 之間啟動(dòng)讀數(shù)據(jù)的時(shí)間會(huì)存在延遲,從整體上看數(shù)據(jù)讀速率可達(dá)到800 MB/s,測(cè)試結(jié)果如圖16 所示。從測(cè)試結(jié)果可以看出并行操控方式下數(shù)據(jù)讀寫(xiě)功能正常,每片eMMC 的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)速率可以達(dá)到200 MB/s,eMMC 陣列整體的讀寫(xiě)速率可以達(dá)到800 MB/s。

圖10 測(cè)試模塊工作流程圖Fig.10 Flow chart of test module working

圖11 逐片操控方式下的開(kāi)放終點(diǎn)多塊寫(xiě)時(shí)序圖Fig.11 Timing diagram of open-ending multi-block writing in chip-by-chip operation mode

圖12 逐片操控方式下的開(kāi)放終點(diǎn)多塊寫(xiě)結(jié)束時(shí)序圖Fig.12 Timing diagram of multi-block write-ending in chip-by-chip operation mode

圖13 逐片操控方式下的預(yù)定塊數(shù)多塊讀時(shí)序圖Fig.13 Timing diagram of multi-block reading with predetermined number of blocks in chip-by-chip operation mode

圖14 并行操控方式下的開(kāi)放終點(diǎn)多塊寫(xiě)時(shí)序圖Fig.14 Timing diagram of open-ending multi-block writing in parallel operation mode

圖15 并行操控方式下的開(kāi)放終點(diǎn)多塊寫(xiě)結(jié)束時(shí)序圖Fig.15 Timing diagram of open-ending multi-block write-ending in parallel operation mode

圖16 并行操控方式下的預(yù)定塊數(shù)多塊讀時(shí)序圖Fig.16 Timing diagram of multi-block reading with predetermined number of blocks in parallel operation mode

6 結(jié)束語(yǔ)

文章的創(chuàng)新點(diǎn)主要有3 個(gè)方面,首先是設(shè)計(jì)了一種可兼容開(kāi)放終點(diǎn)讀寫(xiě)和預(yù)設(shè)塊數(shù)讀寫(xiě)的操作接口,減少了eMMC 陣列控制的邏輯設(shè)計(jì)復(fù)雜度;然后是利用軟復(fù)位來(lái)實(shí)現(xiàn)工作頻率和陣列操控方式的重新選擇,提高了eMMC 陣列的應(yīng)用靈活度;最后是在控制器內(nèi)部多處加入了故障信息反饋,有利于用戶(hù)及時(shí)處理存儲(chǔ)異常情況。本文提出的eMMC 陣列控制器可以實(shí)現(xiàn)多種配置方式,能夠滿(mǎn)足同一平臺(tái)的多種存儲(chǔ)速率需求。為了測(cè)試長(zhǎng)時(shí)間工作的穩(wěn)定性,獨(dú)立設(shè)計(jì)了一種循環(huán)測(cè)試模塊,測(cè)試了多種操控方式之間的切換功能,驗(yàn)證了方案設(shè)計(jì)的可行性和可靠性,在eMMC 控制器性能驗(yàn)證方面具有一定的參考意義。

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