国产日韩欧美一区二区三区三州_亚洲少妇熟女av_久久久久亚洲av国产精品_波多野结衣网站一区二区_亚洲欧美色片在线91_国产亚洲精品精品国产优播av_日本一区二区三区波多野结衣 _久久国产av不卡

?

共沉積法制備Al–Tm合金的可行性研究

2020-06-13 09:52鄭家寧
經濟技術協(xié)作信息 2020年16期
關鍵詞:虛線方波伏安

◎ 鄭家寧

一、實驗部分

1.試劑與儀器。

實驗過程中使用的藥品:

LiCl、KCl、AlCl3、Tm2O3、HCl、HNO3、CH3COCH、AgNO3、Mo、C、剛玉坩堝、剛玉套管。

實驗過程中使用的設備:

電化學工作站、X-射線衍射儀、坩堝式電阻爐、電子天平、電感耦合等離子體發(fā)光譜儀、電熱恒溫鼓風干燥箱。

2.電解質與電極體系。

本實驗所采用的電解質為等質量比的LiCl-KCl。

采用經典的三電極體系,即研究電極、參比電極和輔助電極。本論文中的工作電極為W,Ag/AgCl為參比電極,輔助電極為石墨棒。

主要的電化學測試方法包括循環(huán)伏安、方波伏安。通過循環(huán)伏安曲線可以判定各金屬離子的還原順序,以及還原電位的范圍,由方波伏安曲線可以計算出某反應的轉移電子數(shù)。

二、Al(III)和Tm(III)共沉積過程的研究

1.Tm2O3的氯化。

在LiCl–KCl熔鹽體系中Tm2O3可以被AlCl3氯化而釋放出Tm(III)離子。反應如下:

2.循環(huán)伏安曲線。

圖1為上述熔鹽體系中,在753K下W電極上得到的典型循環(huán)伏安曲線。在圖中沒有觀察到圖4.20中位于 1.0V左右對應于Al(III)/Al的信號,表明AlCl3已經被成功地從熔鹽體系中去除。

圖2為753K時,在LiCl–KCl–AlCl3(2wt.%)熔鹽體系中加入1wt.%Tm2O3前(實線)后(虛線)在 W電極(S=0.32cm2)上得到的循環(huán)伏安曲線。其中C[Al(III)]=2.14×10-4,C[Tm(III)]=7.40×10-5molcm-3。從圖中的虛線可以清晰地看到三對信號A/A′、B/B′和C/C′。信號A/A′和C/C′分別是由Al(III)/Al和 Li(I)/Li的還原 /氧化引起的。我們在-1.7V到-2.1V范圍內改變循環(huán)伏安曲線的換向電位(圖3)。當陰極換向電位比-2.00V更正的時候,除了Al(A/A′)的氧化/還原信號外,僅僅能觀察到一對氧化/還原信號IV/IV′。但當陰極換向電位變得更負,達到-2.20V時,曲線中出現(xiàn)了一個新的氧化信號V′。因此,陽極信號V′和陰極信號V是一對氧化/還原信號。陰極信號IV和V應該是對應于兩種Al-Tm合金的形成。

圖 1在含有 Tm (III)(9.30×10–5mol/cm3)的LiCl–KCl熔鹽體系中不同換向電位下得到的循環(huán)伏安曲線;工作電極為W電極(S=0.32cm2),實驗溫度為753K,掃描速度為0.2Vs-1。

圖2在LiCl-KCl-AlCl3(2wt.%)熔鹽體系中加入1wt.%Tm2O3前(虛線)后(實線),在W電極(S=0.32cm2)上得到的循環(huán)伏安曲線;掃描速度為0.2Vs-1。

圖3753K時,在LiCl-KCl-AlCl3(2wt.%)-Tm2O3(1wt.%)熔鹽體系中不同換向電位下得到的循環(huán)伏安曲線;掃描速度為0.2Vs-1。

3.方波伏安曲線。

在圖2和3中無法清晰的分辨出的陰極信號B和Ⅴ因此,采用比循環(huán)伏安更加靈敏的方波伏安法來進一步研究該熔鹽體系。圖4為在LiCl-KCl-AlCl3(2wt.%)熔鹽體系中加入1wt.%Tm2O3前(虛線)后(實線)在W電極(S=0.32cm2)上得到的方波伏安曲線。在添加Tm2O3之前,可以觀察到兩個信號A和B(曲線肩部),分別對應于Al和一種Al–Li合金的形成。在添加Tm2O3之后,除了信號A和B之外,在信號A和B之間觀察到了兩個新的信號IV和V,它們對應于兩種Al–Tm金屬間化合物的形成。

圖4在LiCl-KCl-AlCl3(2wt.%)熔鹽體系中加入1wt.%Tm2O3前(虛線)后(實線)在W電極(S=0.32cm2)上得到的方波伏安曲線;脈沖高度,25mV;電位階躍,1mV;頻率15Hz。

四、小結

本章探究了在W電極上,Li-Cl-KCl-AlCl3熔鹽中 Tm(III)的沉積過程。在-1.28V和-1.36V點位上析出兩種Al–Tm合金。證實了Tm(III)與Al(III)形成合金的可行性。

猜你喜歡
虛線方波伏安
便攜式多功能頻率計的設計與實現(xiàn)
用伏安法測電阻
測繪技術在土地資源管理中的應用
一種基于555定時器的方波產生電路設計
大牛
非線性伏安曲線問題解析
通過伏安特性理解半導體器件的開關特性
一種防垢除垢的變頻電磁場發(fā)生裝置