呂孟娜,方志剛,廖 薇
(遼寧科技大學(xué) 化學(xué)工程學(xué)院,鞍山114051)
非晶態(tài)合金是一種原子呈無(wú)規(guī)則排列的合金,其結(jié)構(gòu)具有短程有序及長(zhǎng)程無(wú)序的特點(diǎn)。因此與常規(guī)晶體相比,其具有優(yōu)越的物理[1]、化學(xué)[2-3]及力學(xué)性能[4],且被廣泛運(yùn)用于工程、精密機(jī)械、信息及航空航天等領(lǐng)域,成為提高性能的關(guān)鍵材料[5]。其中非晶態(tài)金屬Ni因具有較好的延展性、可鍛性及抗高溫氧化性能而常用于化學(xué)鍍層[6-7],所形成的保護(hù)膜具有較強(qiáng)的耐腐蝕[8]和耐磨損[9]性能。此外,高性能的Ni-P非晶態(tài)合金因具有較好的穩(wěn)定性[10]而成為近年來(lái)發(fā)展最為快速的一種新型表面保護(hù)和表面強(qiáng)化的關(guān)鍵材料,并且已經(jīng)在機(jī)械、冶金、航空、化工及石油等方面得到廣泛應(yīng)用[11]。但是目前常見(jiàn)的均是對(duì)于三元體系有關(guān)性能的研究。例如,文獻(xiàn)[12]通過(guò)添加WC納米粒子可對(duì)典型的Ni-P鍍層進(jìn)行改性,發(fā)現(xiàn)涂層的顯微硬度隨納米顆粒的存在而增加,且化學(xué)鍍Ni-P-WC鍍層由于其特殊的結(jié)構(gòu),耐蝕性也顯著提高;文獻(xiàn)[13]通過(guò)采用氧化石墨烯(GO)作為鈷的水解催化劑,發(fā)現(xiàn)在Ni2P中摻入Co可有效地優(yōu)化Ni2xCoxP催化劑的電子結(jié)構(gòu),降低了反應(yīng)勢(shì)壘,從而大大提高了催化效率;文獻(xiàn)[14]發(fā)現(xiàn)在泡沫鎳上直接生長(zhǎng)含碳的三元Ni-Fe-P多孔納米棒,表現(xiàn)出良好的催化活性,可作為一種雙功能催化劑,實(shí)現(xiàn)了水的全分解。而對(duì)于二元體系Ni-P的研究多從宏觀角度出發(fā),而微觀角度的理論研究較少。文獻(xiàn)[15]發(fā)現(xiàn)Ni-P合金的性能易受P含量的影響,隨P含量的減少,電子轉(zhuǎn)移方向發(fā)生改變;文獻(xiàn)[16]發(fā)現(xiàn)當(dāng)Ni和P的比例為4∶1時(shí),Ni-P 合金在共晶點(diǎn)具有最強(qiáng)非晶形成能力。因此,本文以團(tuán)簇Ni4P為構(gòu)型,從能量、電荷量及各原子軌道Mulliken布居數(shù)變化量角度研究其熱力學(xué)穩(wěn)定性及電子性質(zhì),以期為獲得性能更加優(yōu)異的Ni-P非晶態(tài)合金提供有價(jià)值的理論依據(jù)。
根據(jù)拓?fù)鋵W(xué)原理[17],對(duì)團(tuán)簇Ni4P進(jìn)行空間設(shè)計(jì),得到所有可能存在的10種初始構(gòu)型。利用密度泛函理論[18]的方法,在B3LYP/Lanl2dz水平下對(duì)團(tuán)簇Ni4P的初始構(gòu)型分別于二、四重態(tài)下進(jìn)行全參數(shù)優(yōu)化計(jì)算,最終得到其穩(wěn)定構(gòu)型。其中,對(duì)金屬Ni采用文獻(xiàn)[19]的含相對(duì)論校正的有效核電勢(shì)價(jià)電子從頭開(kāi)始計(jì)算基組,即18-eECP的雙ξ基組,且P加極化函數(shù)ξpd=0.55[20]。所有計(jì)算均在啟天M7150微機(jī)上采用Gaussian09程序[21]完成。
團(tuán)簇Ni4P進(jìn)行優(yōu)化后,排除相同構(gòu)型及含虛頻的不穩(wěn)定構(gòu)型后,共得到6種穩(wěn)定的優(yōu)化構(gòu)型。其中二重態(tài)及四重態(tài)各為3種,如圖1所示。以能量最低的構(gòu)型1(4)為參考構(gòu)型,設(shè)其能量為0 kJ·mol-1,其余構(gòu)型按能量由低到高順序進(jìn)行排列編號(hào)。右上角括號(hào)內(nèi)的數(shù)字代表自旋多重度。
由圖1可見(jiàn),團(tuán)簇Ni4P依據(jù)空間結(jié)構(gòu)的差異可將優(yōu)化構(gòu)型分為3大類,分別為三角雙錐型、四棱錐型和單帽三角雙錐型。構(gòu)型1(4)和1(2)的空間結(jié)構(gòu)相同,均為三角雙錐,其中構(gòu)型1(4)是以平面Ni1-P-Ni4作為基準(zhǔn)面,Ni2和Ni3分別作為錐頂和錐底原子;構(gòu)型1(2)則以平面Ni4-P-Ni3作為基準(zhǔn)面,Ni2和Ni1分別作為錐頂和錐底原子;構(gòu)型2(4)是唯一的四棱錐,其Ni1-Ni2-Ni3-Ni4為基準(zhǔn)面,以P為錐頂;構(gòu)型2(2)是以Ni1-Ni2-Ni3為基準(zhǔn)面,P為錐頂原子,Ni4為帽頂原子的單帽三角雙錐;而構(gòu)型3(2)和3(4)的原子空間排位完全相同,均是以Ni3-Ni4-Ni2為基準(zhǔn)面,以P和Ni1分別作為構(gòu)型的錐頂和錐底原子。
為了探究團(tuán)簇Ni4P的穩(wěn)定性,可采用各構(gòu)型相比較的方法對(duì)其穩(wěn)定性大小進(jìn)行比較,假設(shè)團(tuán)簇Ni4P的合成路線為4Ni+P→Ni4P。表1為團(tuán)簇Ni4P各構(gòu)型的能量參數(shù),包含校正能(EZPE)、吉布斯自由能(G)、吉布斯自由能變(ΔG)及結(jié)合能(EBE)。由表1可知,構(gòu)型1(4)和1(2)的校正能數(shù)值相等(-1 795 161.996 kJ·mol-1)且小于其他構(gòu)型,說(shuō)明兩者的熱力學(xué)穩(wěn)定性較強(qiáng)。又因構(gòu)型1(4)的吉布斯自由能變比構(gòu)型1(2)的小,證明在按照給定路線合成團(tuán)簇Ni4P這種構(gòu)型時(shí)反應(yīng)自發(fā)能力較強(qiáng),又因其結(jié)合能比1(2)大,則其穩(wěn)定性較強(qiáng),證明構(gòu)型1(4)比構(gòu)型1(2)的穩(wěn)定性好,即在空間結(jié)構(gòu)相同的條件下,四重態(tài)構(gòu)型比二重態(tài)構(gòu)型穩(wěn)定性好。構(gòu)型2(4)和2(2)分別為四棱錐型和單帽三角雙錐型,其能量值介于構(gòu)型1(4)和3(2)之間,并且構(gòu)型2(4)的校正能小于構(gòu)型2(2),說(shuō)明空間結(jié)構(gòu)的不同對(duì)構(gòu)型穩(wěn)定性有影響。構(gòu)型3(4)和3(2)雖重態(tài)不同,但兩者各能量參數(shù)數(shù)值均相同,且校正能均大于其他構(gòu)型,因此穩(wěn)定性較差。綜上所述,團(tuán)簇Ni4P各優(yōu)化構(gòu)型穩(wěn)定性大小關(guān)系為:1(4)>1(2)>2(4)>2(2)>3(4)=3(2)。且整體來(lái)看,在多數(shù)情況下,四重態(tài)構(gòu)型穩(wěn)定性優(yōu)于二重態(tài)構(gòu)型。
圖1團(tuán)簇Ni4P的優(yōu)化構(gòu)型
Fig.1Schematic of the optimized configurations of cluster Ni4P
表1 團(tuán)簇 Ni4P 的能量參數(shù)
為了探究團(tuán)簇Ni4P構(gòu)型的能量變化趨勢(shì),根據(jù)表1中的吉布斯自由能變和結(jié)合能數(shù)據(jù)繪制出折線圖如圖2所示。由圖2(a)可知,隨著構(gòu)型能量的升高,結(jié)合能呈遞減趨勢(shì)且均為正值,證明隨構(gòu)型能量的升高,其穩(wěn)定性逐漸減弱,其中構(gòu)型1(4)~2(2)下降趨勢(shì)較為平緩,2(2)~3(4)下降幅度較大。反之,由圖2(b)可知,各構(gòu)型吉布斯自由能變呈遞增趨勢(shì)且均為負(fù)值,證明隨構(gòu)型能量的升高,其自發(fā)反應(yīng)程度減弱,其中構(gòu)型1(4)~2(2)上升趨勢(shì)較為平緩,2(2)~3(4)上升幅度較大。由圖2可見(jiàn),EBE與ΔG的變化趨勢(shì)相反且具有對(duì)稱關(guān)系。其中構(gòu)型3(4)和3(2)的ΔG最大(-701.008 kJ·mol-1)且EBE最小(827.032 kJ·mol-1),則這兩種構(gòu)型的自發(fā)反應(yīng)程度最弱及各原子之間相互吸引的能力最弱,結(jié)合程度最弱,因此穩(wěn)定性最弱;而構(gòu)型1(4)的ΔG最小(-737.766 kJ·mol-1)且EBE最大(861.164 kJ·mol-1),說(shuō)明自發(fā)反應(yīng)程度最強(qiáng)及各原子之間相互吸引的能力最強(qiáng),結(jié)合程度最強(qiáng),因此穩(wěn)定性最強(qiáng)。綜上所述,構(gòu)型1(4)的穩(wěn)定性最好,構(gòu)型3(4)和3(2)的穩(wěn)定性最弱。
圖2 團(tuán)簇 Ni4P穩(wěn)定構(gòu)型的結(jié)合能EBE和吉布斯自由能變?chǔ)變化趨勢(shì)圖
2.3.1 各原子所帶電荷量
為探究團(tuán)簇Ni4P各原子內(nèi)部電子流向,可通過(guò)比較各原子所帶電荷量大小進(jìn)行判斷,見(jiàn)表2。其中ΣNi代表Ni原子電荷量之和,由表2可知,所有優(yōu)化構(gòu)型的ΣNi均為負(fù)值,與之相反,P原子所帶電荷量均為正值,且各個(gè)構(gòu)型內(nèi)部ΣNi和P原子所帶電荷量的數(shù)值分別為相反數(shù),表現(xiàn)出對(duì)稱性,使構(gòu)型整體呈電中性。又因電荷量正值代表有電子流出,負(fù)值代表有電子流入,說(shuō)明構(gòu)型2(4)中的電子流向是從Ni2及P原子流向其他Ni原子,且各構(gòu)型內(nèi)部電子流向均為從P原子流向∑Ni原子。此外,Ni和P原子因在不同構(gòu)型中空間位置的差異,其所帶電荷量也隨之改變,證明原子之間的電子流動(dòng)能力受構(gòu)型空間結(jié)構(gòu)的影響。構(gòu)型1(4)~2(2)的ΣNi和P所帶電荷量的絕對(duì)值較大(≥0.134 eV),證明這4種構(gòu)型的電子流動(dòng)能力相對(duì)較強(qiáng),而3(4)~3(2)所帶電荷量絕對(duì)值較小(0.023 eV),證明這2種構(gòu)型的電子流動(dòng)能力相對(duì)較弱。
表2 團(tuán)簇Ni4P中各個(gè)原子的電荷量
為更加直觀地分析團(tuán)簇Ni4P的電子性質(zhì),將表2中各構(gòu)型ΣNi和P原子的電荷量數(shù)據(jù)繪制成折線圖如圖3所示。由圖3可見(jiàn),構(gòu)型所帶電荷量絕對(duì)值在1(4)~1(2)及2(2)~3(4)中呈遞減趨勢(shì),其中構(gòu)型1(4)及1(2)為不同重態(tài)下的三角雙錐構(gòu)型,證明自旋多重度對(duì)電子流動(dòng)性有影響;而2(2)和3(4)分別為單帽三角雙錐和三角雙錐型,則空間結(jié)構(gòu)的差異對(duì)構(gòu)型內(nèi)部原子間電子流動(dòng)性質(zhì)也有一定的影響。而構(gòu)型1(2)~2(2)中ΣNi和P原子所帶電荷量的絕對(duì)值呈現(xiàn)遞增趨勢(shì),則電子流動(dòng)能力逐漸增強(qiáng)。整體來(lái)看,構(gòu)型2(2)的Ni和P原子所帶電荷量絕對(duì)值最大,可見(jiàn)該構(gòu)型中Ni原子接受電子能力最強(qiáng),P原子提供電子能力最強(qiáng),綜合說(shuō)明單帽三角雙錐構(gòu)型電子流動(dòng)能力最強(qiáng)。而構(gòu)型3(4)和3(2)的Ni和P原子所帶電荷量絕對(duì)值最小,可見(jiàn)該構(gòu)型中Ni原子接受電子的能力最弱,P原子提供電子的能力最弱,證明三角雙錐構(gòu)型電子流動(dòng)能力較弱。
圖3 團(tuán)簇Ni4P的原子所帶電荷量
2.3.2 各原子軌道的MulliKen布居數(shù)
團(tuán)簇Ni4P內(nèi)部不同原子的電子性質(zhì)還可從各原子軌道的MulliKen布居數(shù)進(jìn)行分析,不同軌道布居數(shù)的變化幅度大小即代表該軌道電子流動(dòng)能力的強(qiáng)弱,團(tuán)簇Ni4P各原子軌道所帶布居數(shù)數(shù)值見(jiàn)表3。由表3可知,除構(gòu)型3(4)和3(2)各軌道布居數(shù)變化量完全相同外,其余各構(gòu)型原子軌道布居數(shù)變化量的數(shù)值均不相同且不為零,則原子中各個(gè)軌道均參與電子流動(dòng)且流動(dòng)能力大小均不同。與電荷量相反,若軌道布居數(shù)的變化量為正值,則代表有電子流入該軌道,若軌道布居數(shù)為負(fù)值,則代表有電子流出。
表3 團(tuán)簇Ni4P各原子軌道Mulliken布居數(shù)變化量
根據(jù)表3中團(tuán)簇Ni4P的各原子軌道數(shù)據(jù),將Ni和P原子不同軌道的布居數(shù)平均變化量列于表4,以便更全面地分析Ni和P原子間的電子流動(dòng)情況。由表4可知,Ni-4s軌道布居數(shù)平均變化量均為負(fù)值,3p和3d軌道均為正值,表明Ni原子內(nèi)部的電子流動(dòng)方向是由4s軌道流向3p和3d軌道,并且Ni原子整體的電子流入量大于流出量,證明Ni原子主要得電子。P-3s軌道布居數(shù)平均變化量均為負(fù)值,表明在所有優(yōu)化構(gòu)型中該軌道均表現(xiàn)為流出電子的性質(zhì);而3p軌道數(shù)值有正有負(fù),則該軌道既有電子流入又有電子流出;3d軌道則均為正值,說(shuō)明其所呈現(xiàn)的電子流動(dòng)情況與3s軌道相反,即表現(xiàn)為流入電子的性質(zhì),說(shuō)明P原子的電子整體流動(dòng)流出量大于流入量,證明P原子主要失電子。因此,團(tuán)簇Ni4P內(nèi)部電子主要從P原子流向Ni原子。但是整體來(lái)看,不同構(gòu)型的Ni和P原子各軌道布居數(shù)相差不大,則不同構(gòu)型之間的電子流動(dòng)能力相當(dāng)。
根據(jù)表4中Ni和P原子各軌道布居數(shù)平均變化量作折線圖如圖4所示。
表4 團(tuán)簇Ni4P中Ni和P原子軌道Mulliken布居數(shù)平均變化量
圖4 團(tuán)簇Ni4P各原子軌道Mulliken布居數(shù)變化量
由圖4可見(jiàn),Ni原子的3個(gè)軌道布居數(shù)平均變化量的變化趨勢(shì)各不相同,則該原子中各軌道之間電子流動(dòng)的相互作用較弱。隨著各軌道的布居數(shù)平均變化量變化得平緩,該原子的電子流動(dòng)能力也呈現(xiàn)相似情況,若各軌道的布居數(shù)平均變化量變化得急促,該原子的電子流動(dòng)能力也呈現(xiàn)相差較大的情況;且P-3p和P-3d軌道之間布居數(shù)平均變化量變化趨勢(shì)相反,證明該原子的3p和3d兩軌道之間的電子流動(dòng)具有相互抑制作用。其中Ni-4s軌道的布居數(shù)平均變化量的絕對(duì)值大于3p和3d軌道,則4s軌道在該原子中電子流動(dòng)能力最強(qiáng)。同樣地,P-3s軌道的布居數(shù)平均變化量的絕對(duì)值遠(yuǎn)大于3p和3d軌道,則3s軌道在該原子中電子流動(dòng)能力最強(qiáng)。從整體流動(dòng)來(lái)看,Ni原子的電子主要由Ni-4s流向Ni-3p和Ni-3d,而P原子的電子則主要由P-3s流向P-3d。
本文通過(guò)對(duì)團(tuán)簇Ni4P的熱力學(xué)穩(wěn)定性和電子性質(zhì)進(jìn)行探究,從能量、電荷量及各原子軌道Mulliken布居數(shù)變化量角度對(duì)各構(gòu)型進(jìn)行分析,得出結(jié)論為
1) 構(gòu)型1(4)的熱力學(xué)穩(wěn)定性最好,構(gòu)型3(2)和3(4)的熱力學(xué)穩(wěn)定性最差;構(gòu)型所處重態(tài)及各原子的空間位置均將對(duì)其熱力學(xué)穩(wěn)定性產(chǎn)生影響,且四重態(tài)構(gòu)型穩(wěn)定性優(yōu)于二重態(tài)。
2) 因所有優(yōu)化構(gòu)型中Ni和P原子所帶電荷量數(shù)值互為相反數(shù),則構(gòu)型整體均呈現(xiàn)電中性,且由于Ni均為負(fù),P均為正,說(shuō)明電子是由P原子流向Ni原子;構(gòu)型2(2)的Ni和P原子所帶電荷數(shù)量值最大,則構(gòu)型2(2)的電子流動(dòng)能力最強(qiáng),反之,構(gòu)型3(4)和3(2)的電子流動(dòng)能力最差。
3) 電子流動(dòng)能力受空間結(jié)構(gòu)與自旋多重度的影響。其中Ni和P原子的s軌道在電子流動(dòng)中起主要作用,整體來(lái)看,Ni原子的電子主要由Ni-4s流向Ni-3p和Ni-3d,而P原子的電子主要由P-3s流向P-3d。