閆鳳巧,馮獻(xiàn)起,于 翠
(燕京理工學(xué)院,河北 廊坊 065201)
白光LED[1-5]與白熾燈等傳統(tǒng)光源相比,具有節(jié)能、能耗低等優(yōu)點(diǎn),引起人們極大的重視?;跓晒夥鄣墓廪D(zhuǎn)化法是實(shí)現(xiàn)LED白光照明很重要的方法。由于稀土發(fā)光材料的發(fā)光是由激活離子的能及躍遷引起的,受外界晶場的影響較大,因此其發(fā)光性能不僅與化學(xué)組成有關(guān),制備條件對發(fā)光材料的發(fā)光性能也有很大的影響。為了獲得發(fā)光性能優(yōu)異的發(fā)光材料,Eu2+離子摻雜的熒光粉應(yīng)用非常廣泛[6-9]。本章采用溶膠-凝膠法制備了Eu2+摻雜Sr2MgSiO5熒光粉,考察不同晶化溫度、晶化時間對發(fā)光性能的影響。
采用sol-gel法制備樣品。稱取適量檸檬酸(用量為金屬陽離子的2倍)溶解后備用。稱取適量Sr(NO3)2,Eu2O3,堿式碳酸鎂,將Sr(NO3)2,堿式碳酸鎂加入到檸檬酸溶液使之充分溶解,Eu2O3,用熱的濃硝酸溶解,待全部溶解后將上述溶液混合,加入適量正硅酸乙酯和乙醇,加入氨水調(diào)節(jié)pH值。將配制好的溶液混合后置于恒溫水浴箱中,于80 ℃下恒溫加熱至凝膠。將凝膠放入干燥箱直至得到干凝膠。將干凝膠研磨后放入800 ℃馬弗爐預(yù)燒,還原氣氛下在管式爐中于中一定溫度下燒制成所需樣品。
XRD表征用德國Bruker-D8 X射線衍射儀測定,采用Cukα(λ=1.54056 ?),電壓為40 kV,電流是40 mA,步長設(shè)置為0.02°。采用日立F-4600熒光分光光度計(jì)測定發(fā)光粉的激發(fā)和發(fā)射光譜,電壓700 V,狹縫帶通2.5 nm,掃描速度1200 nm/min。
圖1 不同溫度下Sr1.97MgSiO5:Eu0.03樣品的XRD譜圖Fig.1 XRD patterns of different Sr1.97MgSiO5:Eu0.03 synthesized at different temperature
圖2 溫度對Sr2MgSiO5:Eu2+激發(fā)光譜Fig.2 Excitation spectura influenced by temperature in Sr2MgSiO5:Eu2+
圖3 溫度對Sr2MgSiO5:Eu2+發(fā)射光譜的影響Fig.3 Emission spectura influenced by temperature in Sr2MgSiO5:Eu2+
由圖2和圖3可以看出,提高晶化溫度,激發(fā)峰和發(fā)射峰強(qiáng)度增加的非常明顯。當(dāng)晶化溫度為1150 ℃,發(fā)射峰強(qiáng)度最大,增加晶化溫度到1200 ℃,激發(fā)峰和發(fā)射峰強(qiáng)度都降低了。晶化溫度較低時,產(chǎn)物結(jié)晶不完全,Eu2+沒有進(jìn)入相應(yīng)格位,材料發(fā)光強(qiáng)度比較低。此時增加晶化溫度,有利于產(chǎn)物結(jié)晶程度提高,發(fā)光強(qiáng)度進(jìn)一步增加。當(dāng)晶化溫度為1150 ℃時,合成樣品晶相最好,光譜強(qiáng)度最大;晶化溫度過高,出現(xiàn)猝滅,從而降低光譜強(qiáng)度。
圖4 不同晶化時間Sr2MgSiO5:Eu2+激發(fā)光譜的影響Fig.4 Excitation spectra of Sr2MgSiO5:Eu2+ crystallized at different time
圖5 不同晶化時間Sr2MgSiO5:Eu2+發(fā)射光譜的影響Fig.5 Emission spectra of Sr2MgSiO5:Eu2+ crystallized at different time
晶化時間從0.5 h增加到2 h,激發(fā)峰發(fā)射峰強(qiáng)度的增加非常明顯。當(dāng)晶化時間為2 h,發(fā)射峰強(qiáng)度最大,增加晶化溫度到3 h,激發(fā)峰和發(fā)射峰強(qiáng)度都降低了。這與晶化溫度對發(fā)光強(qiáng)度的影響類似,晶化時間較短時,產(chǎn)物結(jié)晶不完全,Eu2+沒有進(jìn)入相應(yīng)格位,材料發(fā)光強(qiáng)度比較低。此時增加晶化時間,有利于產(chǎn)物結(jié)晶程度提高,發(fā)光強(qiáng)度進(jìn)一步增加。當(dāng)時間為2 h時,合成樣品晶相最好,光譜強(qiáng)度最大;時間過長,出現(xiàn)猝滅,從而降低光譜強(qiáng)度。