楊玉崗,王金海,張書淇,朱恩澤
(遼寧工程技術(shù)大學(xué)電氣與控制工程學(xué)院,葫蘆島125105)
現(xiàn)今社會科技的繁榮發(fā)展,雙向DC/DC變換器 BDC(bidirectional DC/DC converter)的實際應(yīng)用也隨之逐漸增多,在眾多應(yīng)用場合中特別是直流不間斷電源系統(tǒng)(DC-UPS)、航天電源系統(tǒng)(aerospace power system)、電動汽車(electric vehicle)、直流功率放大器(DC power amplifier)及蓄電池儲能 BESS(battery energy storage system)等場合的應(yīng)用較為突出,從而對BDC的工作效率、設(shè)備體積和損耗等方面的要求也逐步嚴(yán)格[1-5]。在實際應(yīng)用中隨著對BDC功率級別的要求逐步提高,為了滿足應(yīng)用需求,國內(nèi)外均有學(xué)者提出在變換器中采用交錯并聯(lián)技術(shù),也即在BDC硬件單一拓?fù)涞幕A(chǔ)上采用多個傳統(tǒng)雙向DC/DC電路進(jìn)行空間并聯(lián),以減小每通道中的電流應(yīng)力和傳輸功率;同時,在時域上使得變換器主開關(guān)管的導(dǎo)通時間相互交錯,通過變換器各相電流的相互疊加,成倍提高開關(guān)變換器的等效開關(guān)頻率,減小變換器輸入側(cè)電流紋波和輸出側(cè)的電流、電壓紋波,可有效減小輸入側(cè)、輸出側(cè)的濾波電容容量及其體積[6-8]。
在電路中采用交錯并聯(lián)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可以解決BDC中大功率的問題,然而也會相應(yīng)地導(dǎo)致變換器中磁性元件數(shù)量的驟增,增大了BDC的體積、重量及成本。為了解決這一問題,引入磁集成技術(shù)是十分必要的,即將多個磁性元件集成為1個,在減小磁性元件體積的同時,有效減小穩(wěn)態(tài)相電流紋波,提高暫態(tài)響應(yīng)速度。采用交錯并聯(lián)技術(shù)帶來的另一個問題就是變換器的開關(guān)管數(shù)量增多與開關(guān)頻率的升高,均增加了損耗。若可以使BDC的開關(guān)管實現(xiàn)零電壓開關(guān) ZVS(zero-voltage switch)控制,那么就會大大減小其開關(guān)損耗,提高工作效率。所以ZVS技術(shù)應(yīng)運而生,成為當(dāng)前電力電子技術(shù)的一個研究熱點[9-15]。
本文以4相Buck+Boost交錯并聯(lián)磁集成BDC變換器為例,研究變換器在Buck模式下ZVS的實現(xiàn)。4相Buck+Boost交錯并聯(lián)磁集成BDC變換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖1所示。
圖1 4相交錯并聯(lián)磁集成BDC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)Fig.1 Topology of 4-phase interleaving parallel magnetically integrated BDC
圖1中:VH和VL分別為變換器高、低壓側(cè)的電壓,R為負(fù)載電阻,v1~v4分別為加在4相非對稱耦合電感器繞組上的電壓;i1~i4分別為流過4相非對稱耦合電感器繞組的電流。S1H~S4H分別為每相半橋結(jié)構(gòu)的上管開關(guān)管,S1L~S4L分別為每相半橋電路結(jié)構(gòu)的下管開關(guān)管,C1H~C4H、C1L~C4L分別為對應(yīng)相開關(guān)管的輸出電容;L1、L2、L3和 L4分別為 4相非對稱耦合電感器繞組的自感,Mij(i,j=1,2,3,4)為各相電感繞組之間的互感,本文采用4相非對稱反向耦合的電感器,Mij<0。通常,4相非對稱耦合電感器的第1相和第4相、第2相和第3相電感參數(shù)分別相等,且規(guī)定第1、4相電感值小于第2、3相電感值,即(L1=L4)<(L2=L3),M12=M13=M24=M34≠M23≠M14;設(shè)k為這種4相非對稱耦合電感器的非對稱度;k1為第 1、2相之間,第 1、3相之間,第 2、4相之間及第3、4相之間的耦合系數(shù);k2為第1、4相之間的耦合系數(shù);k3為第2、3相之間的耦合系數(shù),分別滿足以下條件
并有 0 在Buck模式下,單通道BDC的電路拓?fù)淙鐖D2所示,說明其變換器進(jìn)行ZVS控制的工作原理。圖中,上管S1H和下管S1L分別為主開關(guān)管和副開關(guān)管。 圖2 單通道變換器的拓?fù)銯ig.2 Topology of single-channel converter 如圖3所示,為變換器ZVS的兩個開關(guān)管驅(qū)動波形及電感電流波形,其工作過程如圖4所示。圖4(a)~(d)為副開關(guān)管 S1L的控制過程,圖4(e)~(h)為主開關(guān)管 S1H的控制過程。圖4(a):在 t2~t3時間段內(nèi),上管S1H導(dǎo)通,C1H兩端電壓為0,S1L關(guān)閉,C1L兩端電壓為 VH,即 Q 點電壓為 VH;圖4(b)t3時刻S1H關(guān)閉,C1L放電,C1H充電,Q 點電壓下降;圖4(c)若死區(qū)時間td足夠,C1L兩端電壓會一直下降,在t4時刻之前S1L的體二極管開通,S1L漏源極兩端的電壓近似等于 0;圖4(d)在 t4時刻打開 S1L,實現(xiàn)S1L的零電壓開通;圖4(e)t4~t5時間段內(nèi),S1L開通,S1H關(guān)閉,C1L兩端電壓始終為0,C1H兩端電壓為VH,Q點電壓為0,電感放電,電流下降并反向;圖4(f)在t5時刻S1L關(guān)閉,電感釋放能量,使得C1L充電,C1H放電,Q點的電壓上升;圖4(g)若td足夠,反向的電流足夠大,那么Q點的電壓會持續(xù)上升,在t6時刻之前S1H的體二極管導(dǎo)通,S1H漏源極兩端的電壓近似為 0;圖4(h)在 t6時刻打開 S1H,實現(xiàn) S1H的零電壓開通,t1~ t2時刻重復(fù) t5~t6時刻的過程。 圖3 單相導(dǎo)通時電感電流的波形Fig.3 Waveform of inductor current in the case of single-phase conduction 綜上分析可知,副開關(guān)管在實現(xiàn)ZVS時不需要讓電流反向,只需要死區(qū)時間合適,副開關(guān)管的漏源極寄生電容和電路電感諧振,讓寄生的體二極管開通,ZVS就能實現(xiàn)。當(dāng)電流在連續(xù)模式CCM(continuous conduction mode)或者在斷續(xù)模式DCM(discontinuous conduction mode)時,副開關(guān)管的 ZVS都是能實現(xiàn)的,而主開關(guān)管ZVS的實現(xiàn),死區(qū)時間要足夠,反向的電流要足夠,也即必須在DCM下才能實現(xiàn)。由于電感的不對稱性,分析單相時,需對耦合電感的第1相及第2相分別進(jìn)行討論。 當(dāng)只有第1相開通工作時,電感的電流紋波為 圖4 ZVS控制下單通道BDC的等效電路Fig.4 Equivalent circuit of single-channel BDC under ZVS control 式中:fs為變換器的工作頻率;D為占空比設(shè)變換器的總輸出電流的平均值是Io,則反向峰值電流Ipk-為 在一個周期內(nèi),電感電流小于0的持續(xù)時間為 同理,當(dāng)只有第2相開通工作時,一個周期內(nèi)電感電流小于0的持續(xù)時間為 在t1~t2死區(qū)時間內(nèi)變換器第1相的工作狀態(tài)如圖4(f)所示,波形如圖3所示,i1H和i1L分別為電容C1H和C1L上的電流,在死區(qū)時間內(nèi)電感L1的電壓方程為 電容電壓方程為 整理得 設(shè)在最初時刻,電感電流的初始值為i0,聯(lián)立式(5)與式(7)得 當(dāng)v1L=VH時,電容C1L、C1H與電感L1的諧振完成,振蕩時間為tLC。只有當(dāng)td>tLC才能實現(xiàn)ZVS,又由于諧振電容很小,是皮法級別,諧振時間很短,可以認(rèn)為 i0≈-Ipk-,從而得到 依據(jù)以上推理過程,當(dāng)只有第2相工作時可得 綜上,單相工作時,ZVS的實現(xiàn),需要同時考慮反向峰值電流以及死區(qū)時間的影響,則第1相或第4相實現(xiàn)ZVS的條件為 同理,第2相或第3相實現(xiàn)ZVS的條件為 為保持電感器盡可能地對稱,兩相導(dǎo)通時使耦合電感第1、4相工作或第2、3相工作,且兩相之間的相位差為π/2。當(dāng)變換器第1、4相工作時,占空比D<1/4時的模態(tài)如圖5所示。 圖5 兩相交錯并聯(lián)磁集成BDC的工作模態(tài)Fig.5 Working modes of 2-phase interleaving parallel magnetically integrated BDC 利用模態(tài)分析方法,可以得到變換器在各個模態(tài)下的等效電感,即 式中,D'=1-D。 同理當(dāng)?shù)?、3相工作時,模態(tài)分布與圖5類似。利用模態(tài)分析方法,可以得到變換器在各模態(tài)下的等效電感為 當(dāng)只有兩相工作時,由于1、4相對稱,2、3相對稱,所以只分析第1、2相即可。第1相的反向電流峰值為 在一個周期內(nèi),電感電流小于零的持續(xù)時間為 同理,當(dāng)?shù)?、3相開通工作時,一個周期內(nèi)第2相電感的電流小于0的持續(xù)時間為 在死區(qū)時間內(nèi),電感電流的波形如圖6所示。 兩相工作時ZVS的實現(xiàn)過程與單相工作時ZVS實現(xiàn)過程完全相同,則L1和L4電感上的電壓方程為 在死區(qū)時間 t1~t2內(nèi) 聯(lián)立式(18)和式(19)可以得到 電容電壓方程為 圖6 死區(qū)時間對兩相交錯并聯(lián)磁集成BDC的影響Fig.6 Effect of dead time on 2-phase interleaving parallel magnetically integrated BDC 整理式(21),可以得到 設(shè)在最開始的時刻,電感電流的開始值為i0,聯(lián)立式(20)與式(22)解得 同樣地,當(dāng) v1L=VH時,電容 C1L、C1H與電感 L1的諧振完成,振蕩時間為tLC,只有當(dāng)td>tLC時才能實現(xiàn)ZVS,又由于諧振電容很小,是皮法級別,諧振時間很短,可以認(rèn)為 i0≈-Ipk-,從而得到 根據(jù)以上推理過程,當(dāng)?shù)?、3相工作時得到 綜上,ZVS的實現(xiàn),需要同時考慮反向峰值電流以及死區(qū)時間的影響,則第1、4工作時相實現(xiàn)ZVS的條件為 同理第2、3相工作時,實現(xiàn)ZVS的條件為 由于電感器第1、4相對稱,第2、3相對稱所以只分析第1、2相即可,4相全工作時電路拓?fù)湟妶D1,第1相模態(tài)如圖7所示。由圖7可見,4相變換器全處于工作狀態(tài)時各相電感電壓在一個周期內(nèi)的變化情況。 變換器在占空比小于1/4時,一共有8個工作模態(tài),va=VH-VL,vb=-VL,ΔI1為第 1 相電流紋波,利用模態(tài)分析方法,可得各模態(tài)下的等效電感為 圖7 4相交錯并聯(lián)磁集成BDC的工作模態(tài)Fig.7 Working modes of 4-phase interleaving parallelmagnetically integrated BDC 由圖7可知,第1相電感電流紋波為 第1相電感的等效穩(wěn)態(tài)電感Leq11可表示為 同理,第2相電感電流紋波為 第2相電感的等效穩(wěn)態(tài)電感Leq23可表示為 設(shè)變換器的輸出電流的平均值為Io,則第1相電感的反向電流的峰值為 依據(jù)式(28)得電感電流小于0的時間為 同理,第2的相電感電流反向峰值為 電感電流小于0時間為 在死區(qū)時間內(nèi),電流波形如圖8所示。 ZVS實現(xiàn)過程與單相相同,這里不再贅述。以第1相為例,在死區(qū)時間t1~t2內(nèi)電感電壓的方程為 在死區(qū)時間 t1~t2內(nèi) 聯(lián)立式(37)和式(38),得 圖8 死區(qū)時間對四相交錯并聯(lián)磁集成BDC的影響Fig.8 Effect of dead time on 4-phase interleaving parallel magnetically integrated BDC 電容電壓方程為 整理式(40)得 設(shè)在最開始的時刻,電感電流的初始值為i0,聯(lián)立式(39)與式(41),得 當(dāng)v1L=VH時,電容C1L、C1H與電感L1的諧振完成,振蕩時間為tLC,只有當(dāng)td>tLC時才能實現(xiàn)ZVS,又由于諧振電容很小,是皮法級別,諧振時間很短,可以認(rèn)為i0≈-Ipk-,從而得到 同樣,依據(jù)以上推理過程,當(dāng)v2L=VH時,電容C2L、C2H與電感L2的諧振完成,振蕩時間為tLC,只有當(dāng)td>tLC時第2相才能實現(xiàn)ZVS 綜上,ZVS的實現(xiàn),需要同時考慮反向峰值電流以及死區(qū)時間的影響,則第1、4相導(dǎo)通條件為 第2、3相導(dǎo)通條件為 4相全工作時需同時滿足式(45)和式(46)。 本文設(shè)計的變換器采用K60單片機+FPGA作為控制芯片,對變換器的輸出電壓進(jìn)行采樣用于閉環(huán)控制,對于輸出電流進(jìn)行采樣。圖9給出了基于單片機和FPGA的四相交錯并聯(lián)磁集成BDC的系統(tǒng)控制結(jié)構(gòu)。 圖9 系統(tǒng)控制結(jié)構(gòu)Fig.9 Structure of system control 實驗條件為:VH=48 V,VL=7 V,占空比 D=0.146,4 相耦合電感 L1=L4=4.28 μH、L2=L3=6.3 μH,k=0.68,k1=-0.367,k2=-0.024,k3=-0.33,開關(guān)管上管為AON6246,其漏源極間輸出電容C1H=258 pF,下管為AON6242,其漏源極間輸出電容典型值為540 pF,死區(qū)時間td=200 ns。將以上參數(shù)代入式(45)和式(46),分別可以得到 4相全工作時需同時滿足式(47)和式(48),反向峰值電流與諧振時間,反向電流的時間以及死區(qū)時間的關(guān)系如圖10所示。圖中,-Ipk-=f14(tLC)、-Ipk-=f14(tneg)為第 1、4 相反向峰值電流與諧振時間,電流反向時間的關(guān)系,-Ipk-=f23(tLC)、-Ipk-=f23(tneg)為第2、3相反向峰值電流與諧振時間,電流反向時間的關(guān)系,td表示死區(qū)時間。公式取交集即為4相全工作時ZVS實現(xiàn)條件,由圖10可見,滿足公式約束條件的最小反向峰值電流為-0.57 A,此時諧振時間同樣滿足約束條件。 確定Ipk-后,可以根據(jù)式(33)得到輸出電流Io與工作頻率fs之間的關(guān)系。則第1相或第4相工作時以及第2相或第3相工作時,Io與fs之間的關(guān)系分別為 圖10 四相交錯并聯(lián)磁集成BDC的ZVS實現(xiàn)條件Fig.10 ZVS conditions for 4-phase interleaving parallel magnetically integrated BDC 4相工作時Io與fs之間的關(guān)系如圖11所示。 采用4相非對稱耦合電感的交錯并聯(lián)磁集成BDC的實驗電路如圖12所示。電流波形測試采用閉環(huán)霍爾電流傳感器CHB-25NP,其匝比為n=1/1 000,測試電阻R=1 kΩ,通過示波器測試的電流i=u/(nR),其中u為示波器顯示電壓值,實驗波形如圖13所示。 要想實現(xiàn)ZVS,關(guān)鍵在于相電流峰值的選取,經(jīng)試驗測得第1相和第2相的Ipk-分別為-2.6 A和-1 A,理論推導(dǎo)出的第1相和第2相的Ipk-分別為-2.622 A和-1.016 A,其誤差分別為0.84%和1.6%。通過對比實驗值和理論值可知公式推導(dǎo)的正確性。實現(xiàn)ZVS控制時BDC的效率曲線如圖14所示。從圖14可以看出,采用ZVS控制可以明顯地提高變換器的效率,從而證明了提出控制方案的有效性。 圖11 4相工作時Io與fs關(guān)系Fig.11 Relationship between output current and switching frequency in the 4-phase operation 圖12 實驗電路系統(tǒng)Fig.12 Experimental circuit system 圖13 實驗波形Fig.13 Experimental waveforms 圖14 實現(xiàn)ZVS控制時BDC的效率曲線Fig.14 Efficiency curves of BDC under ZVS control 本文分析了交錯并聯(lián)磁集成技術(shù)在DC/DC變換器中的應(yīng)用及ZVS的實現(xiàn)方法。推導(dǎo)了單相、兩相、4相交錯并聯(lián)磁集成雙向 DC/DC變換器 ZVS的實現(xiàn)條件,分析了實現(xiàn)條件下需要考慮的問題,通過實驗的方法驗證了理論推導(dǎo)的正確性。2 單相導(dǎo)通時ZVS實現(xiàn)條件
2.1 單相BDC的電感電流反向持續(xù)時間
2.2 死區(qū)時間對單相BDC的影響
2.3 單相導(dǎo)通時ZVS的實現(xiàn)條件
3 兩相導(dǎo)通時ZVS實現(xiàn)條件
3.1 兩相BDC的電感電流反向持續(xù)時間
3.2 死區(qū)時間對兩相BDC的影響
3.3 兩相導(dǎo)通時ZVS的實現(xiàn)條件
4 四相導(dǎo)通時ZVS的實現(xiàn)條件
4.1 4相BDC的電感電流反向持續(xù)時間
4.2 死區(qū)時間對4相BDC的影響
4.3 4相導(dǎo)通時ZVS的實現(xiàn)條件
5 4相交錯并聯(lián)磁集成BDC的系統(tǒng)控制結(jié)構(gòu)
6 實驗驗證
7 結(jié)語