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激光定向凝固參數(shù)對(duì)熔覆層宏觀形貌以及微觀組織的影響

2018-03-29 10:31:35胡芳友崔愛(ài)永
新技術(shù)新工藝 2018年3期
關(guān)鍵詞:軸晶熔深柱狀晶

喻 輝,胡芳友,崔愛(ài)永

(海軍航空大學(xué) 青島校區(qū),山東 青島 266041)

隨著定向凝固和單晶高溫合金在航空發(fā)動(dòng)機(jī)渦輪葉片上的大量使用,葉片損壞后,采用傳統(tǒng)的焊接修補(bǔ)技術(shù),修復(fù)效果不佳,而采用激光定向凝固技術(shù)可以很好地解決這一難題。激光定向凝固技術(shù)是利用激光超高溫度梯度和凝固速度使熔池內(nèi)的組織定向生長(zhǎng),生長(zhǎng)方向與基材擇偶取向一致,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)葉片的修補(bǔ)[1]。國(guó)內(nèi)外定向凝固技術(shù)也早已取得成果,David W. Candy等[2]通過(guò)對(duì)熱輸入量的控制,實(shí)現(xiàn)了在IN-738上逐層沉積IN-939,中國(guó)科學(xué)院金屬研究所黃慶南等[3]對(duì)渦輪葉冠工作面磨損失效進(jìn)行了激光表面修復(fù);但激光參數(shù)對(duì)熔覆層宏觀形貌以及微觀組織的影響鮮有研究。本文主要研究在不同激光參數(shù)下熔覆層宏觀形貌以及微觀組織的變化。

1 試驗(yàn)方法

基體材料選用DZ22,合金粉末采用自配粉末,基材化學(xué)成分見(jiàn)表1,合金粉末化學(xué)成分見(jiàn)表2。采用預(yù)置壓片送粉方式,激光熔覆研究所使用的設(shè)備是自主研制的LER—3型Nd:YAG激光在線搶修機(jī)以及日本生產(chǎn)的ERCR—HP3—AA00型機(jī)械臂。

表1 DZ22合金化學(xué)成分(質(zhì)量分?jǐn)?shù)) (%)

表2 熔覆粉末合金化學(xué)成分(質(zhì)量分?jǐn)?shù)) (%)

激光參數(shù)主要包括電流I(A)、脈寬S(ms)、掃描速度V(mm/s)和頻率f(Hz)。初步確定試驗(yàn)參數(shù)范圍為:電流100~130 A;脈寬5~8 ms;掃描速度2~8 mm/s;頻率數(shù)值應(yīng)控制在掃描速度數(shù)值的1.5~2.5倍,然后進(jìn)行正交試驗(yàn)設(shè)計(jì)。本試驗(yàn)將頻率數(shù)值確定為掃描速度數(shù)值的2.5倍,為三因素四水平試驗(yàn),其中因素A表示電流,因素B表示脈寬,因素C表示掃描速度,具體數(shù)值見(jiàn)表3。

表3 試驗(yàn)參數(shù)與水平

根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)正交試驗(yàn)表行、列數(shù)要求,補(bǔ)充2列空列作為誤差列,可得本文的正交試驗(yàn)表[4]。正交試驗(yàn)結(jié)果見(jiàn)表4。其中,W、H、D分別表示熔池的寬度、深度以及高度,這些宏觀參數(shù)數(shù)值均在體式顯微鏡下測(cè)得;W/D、D/(H+D)[5]分別為寬深比與稀釋度,是反映熔覆層宏觀質(zhì)量的重要參數(shù)。利用線切割沿與掃描速度垂直方向切取試樣,得到熔覆層橫截面,再對(duì)試樣進(jìn)行鑲嵌、研磨和拋光后腐蝕,腐蝕液成分為5 g CuSO4+25 mL H2O+25 mL HCl,利用KH—7700三維體式顯微鏡和ULTRA 55場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)對(duì)試樣組織和成分進(jìn)行分析。

表4 正交試驗(yàn)方案及相應(yīng)結(jié)果

2 試驗(yàn)結(jié)果

2.1 激光參數(shù)對(duì)熔覆層宏觀形貌影響規(guī)律

對(duì)表4中的試驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行方差分析[6],分析結(jié)果如圖1所示。圖1a~圖1e分別表示各激光參數(shù)對(duì)熔寬、熔高、熔深、深寬比以及稀釋度的影響規(guī)律,橫坐標(biāo)表示各因素不同水平,縱坐標(biāo)表示各水平下的偏差平方。

圖1 各參數(shù)對(duì)熔覆層宏觀形貌的影響規(guī)律

圖1a中,熔寬先隨電流的增加而增大,達(dá)到最大后隨電流的增加熔寬開(kāi)始減小;熔寬隨脈寬的增加而增大,大約呈線性變化;熔寬隨掃描速度的增加也是不斷增大,在低速和高速下的增長(zhǎng)速率都明顯比位于中間掃描速度區(qū)間的增長(zhǎng)速率大。

圖1b中,熔高隨著電流的增加是先減小后增大,增加的幅度也呈增加趨勢(shì),所以在其他條件允許的情況下,大電流有利于增加熔高;熔高隨脈寬的加大開(kāi)始也是呈增加趨勢(shì),但隨著脈寬的進(jìn)一步增加,熔高不會(huì)再增加反而有減小的趨勢(shì),可能是因?yàn)樵诤辖鸱勰┖穸纫欢ǖ那闆r下,大脈寬使熔寬不斷增加,而使熔覆層在高度方面受到限制,不再隨脈寬的增加而增加;熔高隨掃描速度的增加呈減小趨勢(shì),所以高掃描速度不利于熔高的增加。

圖1c中,熔深隨電流的增加而增大,因?yàn)殡娏鞯脑黾邮辜す夤β始哟?,熔池的能量也就越高,?duì)基材的重熔也就越多,一般情況下,好的熔覆層熔深不宜過(guò)高,所以設(shè)計(jì)激光參數(shù)時(shí)電流不應(yīng)過(guò)大;熔深開(kāi)始隨脈寬的增加變化不大,隨著脈寬繼續(xù)增加,熔深突然增大,增大到一定程度后熔深開(kāi)始緩慢減小,所以在基本滿足好的熔覆層質(zhì)量的激光參數(shù)范圍前提下,建議使用小脈寬;熔深隨掃描速度的增加而增大,所以掃描速度也不應(yīng)選擇過(guò)高。

圖1d中,寬深比隨電流的增大呈減小趨勢(shì),主要是由熔深隨電流增加導(dǎo)致的;寬深比隨脈寬的增加是先增大后減小,說(shuō)明開(kāi)始熔寬隨脈寬增加的幅度沒(méi)有熔深隨脈寬增加的幅度大,而后熔深隨脈寬減小,寬深比開(kāi)始隨脈寬的增加而增大;寬深比隨掃描速度的增加而減小,隨著掃描速度的增加,寬深比減小的速率開(kāi)始有所降低。

圖1e中,稀釋度隨電流的增加先增大后減小,而且曲線增大的趨勢(shì)比減小的趨勢(shì)大;稀釋度隨脈寬的增加是先減小后增大,然后再減小,可能是由于脈寬影響作用不顯著,所以脈寬對(duì)稀釋度的影響趨勢(shì)不可信;稀釋度隨掃描速度的增加而增大,所以激光參數(shù)中掃描速度不應(yīng)過(guò)高。

根據(jù)上述分析結(jié)果,可以大致確定最佳激光工藝參數(shù)是110 A、6 ms、4 mm/s和10 Hz。

2.2 激光參數(shù)對(duì)微觀組織的影響

不同電流下的熔覆層SEM圖如圖2所示。從圖2中可以看到,當(dāng)電流為100 A時(shí),熔覆層中上部柱狀晶方向性不明顯,相鄰枝晶間有角度,枝晶生長(zhǎng)方向有偏移,并且枝晶生長(zhǎng)連續(xù)性不好;當(dāng)電流為110 A時(shí),枝晶生長(zhǎng)方向性開(kāi)始明顯,也有少量二次枝晶生長(zhǎng)出,一次枝晶間距比底部大,枝晶干也變粗,這與W. Kurz等[7]得出的公式相符,熔覆層中部溫度梯度比底層低,凝固速率比底層大,所以一次枝晶間距會(huì)變大;當(dāng)電流為120 A時(shí),一次枝晶干變粗,間距也持續(xù)變大,二次枝晶變多,也可以看到頂部柱狀晶逐漸變?yōu)榈容S晶;當(dāng)電流為130 A時(shí),柱狀晶生長(zhǎng)明顯,一次枝晶干開(kāi)始變細(xì),二次臂生長(zhǎng)加劇整齊排列在一次枝晶干兩側(cè);當(dāng)電流為140 A時(shí),一次枝晶間距繼續(xù)變大,二次枝晶生長(zhǎng)繼續(xù)增多,并且二次枝晶不斷長(zhǎng)大;當(dāng)電流為150 A時(shí),可以看到熔覆層上層的柱狀晶逐漸消失,轉(zhuǎn)變?yōu)榧?xì)小等軸晶,等軸晶排列整齊有序,隨著熔覆層高度繼續(xù)上升,等軸晶開(kāi)始變得雜亂無(wú)章,形成雜晶。

圖2 不同電流下的熔覆層SEM圖

不同激光脈寬下熔覆層SEM圖如圖3所示。從圖3中可以看到,在低脈寬下(見(jiàn)圖3a~圖3d),柱狀晶生長(zhǎng)明顯,隨著脈寬的增大,二次枝晶開(kāi)始增多,一次枝晶干略微變細(xì);在高脈寬下(見(jiàn)圖3e和圖3f)柱狀晶和等軸晶共存,二次枝晶生長(zhǎng)明顯增多,柱狀晶逐漸變?yōu)榈容S晶。脈寬對(duì)熔覆層組織影響規(guī)律與電流類似,都是通過(guò)控制熔池?zé)彷斎肓康姆绞絹?lái)影響熔池內(nèi)各部位的溫度梯度和凝固速度,進(jìn)而控制柱狀晶到等軸晶的轉(zhuǎn)變,所以在選取的激光參數(shù)范圍內(nèi),小電流和低脈寬有利于增多熔覆層的柱狀晶組織,并且二次枝晶的生長(zhǎng)受到抑制。

圖3 不同脈寬下的熔覆層SEM圖

不同掃描速度下的SEM圖如圖4所示。從圖4中可以看到,低掃描速度下的熔覆層柱狀晶區(qū)域比高掃描速度下的熔覆層柱狀晶區(qū)域大,當(dāng)其他參數(shù)一定時(shí),掃描速度越高,越不利于柱狀晶組織的形成。從圖4中還可以看出,隨著掃描速度的變大,枝晶生長(zhǎng)方向性越差,掃描速度方向的橫向溫度梯度作用越來(lái)越顯著,枝晶沿?fù)駜?yōu)取向生長(zhǎng)受到影響。

圖4 不同掃描速度下的熔覆層SEM圖

北京工業(yè)大學(xué)的張冬云等[8]在研究工藝參數(shù)對(duì)激光定向凝固組織的影響時(shí)發(fā)現(xiàn),激光功率和一次枝晶尺度呈正相關(guān),掃描速度和一次枝晶尺度呈負(fù)相關(guān),本試驗(yàn)結(jié)果也比較吻合。另外,隨著掃描速度的增加,轉(zhuǎn)向枝晶區(qū)的高度有所降低,在高掃描速度下很難看到貫穿熔覆層底部到頂層的柱狀晶組織。

3 結(jié)語(yǔ)

通過(guò)上述研究,可以得出如下結(jié)論。

1)根據(jù)正交試驗(yàn)結(jié)果,可以確定最佳激光參數(shù)約為110 A、6 ms、4 mm/s和10 Hz。

2)電流和脈寬與一次枝晶間距和轉(zhuǎn)向枝晶區(qū)高度成正比,掃描速度與一次枝晶間距和轉(zhuǎn)向枝晶區(qū)成反比;電流和脈寬的增加使溶池中的熱輸入量增大,熱量容易累積,溫度梯度降低,所以一次枝晶間距變大,二次枝晶增多并長(zhǎng)大,上層等軸晶區(qū)域也變多,而掃描速度變大會(huì)減少熔池的熱輸入量,與掃描方向平行的橫向溫度梯度增大,不利于柱狀晶的生長(zhǎng)。

3)結(jié)合宏觀形貌和微觀組織可以發(fā)現(xiàn),深寬比大的熔覆層柱狀晶區(qū)域占比大。

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