劉麗君,趙修臣,李 紅,王迎春
(北京理工大學(xué) 材料學(xué)院,北京 100081)
目前芯片和封裝基板之間的互連主要有3種方式:引線鍵合(Wire Bonding)、載帶自動(dòng)焊(TAB-Tape Automated Bonding)和倒裝芯片焊(Flip Chip Bonding)。引線鍵合以工藝實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單、成本低廉和適用多種封裝形式而在連接方式中占主導(dǎo)地位,目前90%以上的封裝管腳采用引線鍵合連接[1]。無論是封裝行業(yè)多年的事實(shí)還是權(quán)威的預(yù)測(cè)都表明,引線鍵合在可預(yù)見的未來仍將是半導(dǎo)體封裝,尤其是低端IC封裝,內(nèi)部連接的主流方式[2]。
按照能量作用方式,引線鍵合可以分為熱壓鍵合(Thermocom Pression,T/C)、超聲鍵合(Ultrasonic Bonding,U/S)和熱壓超聲鍵合(Thermosonic Bonding,T/S)[3-6]。目前,工業(yè)上最常見的鍵合方法是將熱壓和超聲波結(jié)合起來的熱壓超聲鍵合法,又稱為絲球鍵合或球鍵合(Ball Bonding)。其操作方便、靈活而且焊點(diǎn)牢固(直徑為25 μm的金絲的焊接強(qiáng)度一般為0.07~0.09 N),壓點(diǎn)面積大(為焊絲直徑的2.5~3倍),又無方向性,可實(shí)現(xiàn)微機(jī)控制下的高速自動(dòng)化焊接(焊接速度可高達(dá)14點(diǎn)/s以上)。
鍵合絲作為半導(dǎo)體器件(IC)互連材料,是大規(guī)模集成電路(LSIC)封裝產(chǎn)業(yè)中的四大重要結(jié)構(gòu)材料之一,主要有金絲、鋁絲和銅絲,可以起到連接引線框架的外部引出端子與硅片鋁膜蒸鍍電極的作用,并且可以傳遞電信號(hào)、散發(fā)芯片內(nèi)產(chǎn)生的熱量,因此尋找具有穩(wěn)定電導(dǎo)率、高可靠性的材料尤為重要[7-8]。金具有抗腐蝕性、抗氧化性和優(yōu)良的延展性、導(dǎo)電性能,用其作為引線,鍵合的自動(dòng)化程度高,工藝穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn),目前在引線鍵合工藝中應(yīng)用最廣泛。鍵合金絲,指純度為99.99%,線徑為18~50 μm的高純金合金絲,通常采用球焊方式鍵合。其按用途及性能分為普通金絲(Y)、高速金絲(GS)、高溫高速金絲(GW)和特殊用途金絲(TS)[9]。
目前,國外對(duì)引線鍵合工藝已有較為系統(tǒng)和深入的研究,而國內(nèi)對(duì)IC封裝的研究起步較晚,因此對(duì)關(guān)鍵技術(shù)掌握不足,缺乏成熟工藝的數(shù)據(jù)積累,加之國外的技術(shù)封鎖,有必要深入研究各種封裝工藝。本文主要研究超聲功率、超聲時(shí)間和焊接壓力對(duì)金絲球焊界面結(jié)合性能的影響規(guī)律,并選擇較優(yōu)參數(shù)研究不同加熱溫度和不同老化時(shí)間對(duì)引線結(jié)合性能的影響。通過對(duì)老化后球焊界面分析,探索其在老化過程中的界面反應(yīng)和影響引線結(jié)合性能的原因。
試驗(yàn)所用儀器主要有引線鍵合機(jī)(West Bond 747677E)、焊點(diǎn)強(qiáng)度測(cè)試儀(PTR—1101)、超景深三維光學(xué)顯微鏡(VHX—2000)和背散射掃描電子顯微鏡(S—4800)。焊點(diǎn)強(qiáng)度測(cè)試采用500 gf量程的剪切力測(cè)試和100 gf量程的拉力測(cè)試模式,載物臺(tái)使用普通載物臺(tái)和加熱載物臺(tái)。試驗(yàn)材料為直徑25 μm、純度99.99%的金絲(美國奧泰公司生產(chǎn))、1572—15—625GM型劈刀和鍍銀基板。
研究工藝參數(shù)的影響時(shí),選取儀器建議參數(shù)(超聲功率0.7 W、超聲時(shí)間30 ms、焊接壓力30 gf)為基準(zhǔn)參數(shù),采用單一變量法——分別增大和減小其中1個(gè)參數(shù),固定另外2個(gè)參數(shù),然后觀察每組參數(shù)下的焊點(diǎn)形貌是否符合要求,對(duì)符合要求的引線進(jìn)行剪切力測(cè)試和拉力測(cè)試,總結(jié)出各參數(shù)對(duì)引線結(jié)合性能的影響規(guī)律。各參數(shù)變化范圍見表1。
表1 各參數(shù)變化范圍
利用儀器建議的工藝參數(shù)進(jìn)行焊線,然后將已經(jīng)焊線的基板放置于不同環(huán)境溫度下進(jìn)行焊點(diǎn)強(qiáng)度測(cè)試。溫度設(shè)置規(guī)則為從室溫(25 ℃)以25 ℃為階梯依次升溫至175 ℃。
將已經(jīng)焊線的基板置于150 ℃恒溫箱中分別保溫25、50、75、100、125和150 h后,再進(jìn)行焊點(diǎn)強(qiáng)度測(cè)試。選取樣品鑲嵌至醫(yī)用牙托粉中,首先用較細(xì)砂紙打磨到剛露出金絲;然后分別用2 000目、3 000目和5 000目砂紙水磨數(shù)次,直至看到界面;最后用0.1 μm的金剛石研磨膏研磨20 min。
工藝鍵合完成的金絲引線形狀如圖1所示。
圖1 金絲引線形狀的光學(xué)顯微鏡照片
金絲引線第一焊點(diǎn)的剪切斷裂載荷和金絲引線拉伸斷裂載荷隨超聲功率、超聲時(shí)間以及焊接壓力的變化曲線分別如圖2~圖4所示。
圖2 第一焊點(diǎn)剪切斷裂載荷和引線拉伸斷裂載荷隨超聲功率的變化規(guī)律
圖3 第一焊點(diǎn)剪切斷裂載荷和引線拉伸斷裂載荷隨超聲時(shí)間的變化規(guī)律
圖4 第一焊點(diǎn)剪切斷裂載荷和引線拉伸斷裂載荷隨焊接壓力的變化規(guī)律
由圖2可知,隨超聲功率從0.5 W增大到0.75 W,第一焊點(diǎn)的剪切斷裂載荷整體呈現(xiàn)逐步上升趨勢(shì),強(qiáng)度從31.3 gf增大到46.0 gf,相對(duì)升高46.9%;隨超聲功率從0.5 W增大到0.75 W,引線拉伸斷裂載荷呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢(shì),超聲功率為0.6 W時(shí)達(dá)到最大強(qiáng)度12.5 gf,但總體強(qiáng)度變化不明顯。
由圖3可知,隨超聲時(shí)間從10 ms延長(zhǎng)至40 ms,第一焊點(diǎn)剪切斷裂載荷整體呈現(xiàn)上升趨勢(shì),強(qiáng)度從27.4 gf增大到49.8 gf,相對(duì)升高81.7%;鍵合引線的拉伸斷裂載荷隨超聲時(shí)間的延長(zhǎng)呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢(shì),當(dāng)超聲時(shí)間為15 ms時(shí),拉伸斷裂載荷出現(xiàn)最大值12.3 gf,但整體強(qiáng)度變化不明顯。
由圖4可知,隨焊接壓力從20 gf增大到45 gf,金絲球焊第一焊點(diǎn)的剪切斷裂載荷整體呈上升趨勢(shì),最小強(qiáng)度為28.0 gf,而最大強(qiáng)度為64.8 gf,相對(duì)升高了131.4%;引線拉伸斷裂載荷整體呈上升趨勢(shì),最小強(qiáng)度為7.9 gf,而最大強(qiáng)度為12.5 gf,相對(duì)升高了58.2%。
在焊接過程中發(fā)現(xiàn),當(dāng)超聲功率達(dá)到0.75 W或超聲時(shí)間達(dá)到40 ms時(shí),開始出現(xiàn)焊球偏離現(xiàn)象(見圖5)。
圖5 焊球偏離
上述各工藝參數(shù)對(duì)金絲球焊第一焊點(diǎn)的剪切斷裂載荷以及引線拉伸斷裂載荷影響的對(duì)比結(jié)果見表2。由表2可知,焊接壓力對(duì)金絲球焊第一焊點(diǎn)的剪切斷裂載荷的影響更大,而超聲功率的影響最小,可見,焊接壓力的增加可明顯提高金絲球焊第一焊點(diǎn)的強(qiáng)度。由超聲功率、超聲時(shí)間和焊接壓力對(duì)引線拉伸斷裂載荷影響對(duì)比可知,焊接壓力對(duì)引線拉伸強(qiáng)度的提高作用更明顯。因此,焊接壓力對(duì)引線鍵合強(qiáng)度的影響最大,超聲功率與超聲時(shí)間的影響程度相當(dāng)。
表2 各工藝參數(shù)對(duì)鍵合強(qiáng)度影響的變化率
在對(duì)基板進(jìn)行不同溫度加熱條件下測(cè)得的金絲球焊第一焊點(diǎn)的剪切斷裂載荷和引線拉伸斷裂載荷隨基板加熱溫度變化曲線如圖6所示。由圖6可知,隨著溫度從25 ℃升高到175 ℃,金絲球焊第一焊點(diǎn)剪切斷裂載荷逐漸降低,強(qiáng)度從44.6 gf降低到33.5 gf,相對(duì)下降率為24.9%;鍵合金絲拉伸斷裂載荷隨溫度升高逐漸降低,強(qiáng)度從11.4 gf下降到7.2 gf,相對(duì)下降率為36.8%,其中,溫度從125 ℃升高到150 ℃時(shí),拉伸斷裂載荷從9.3 gf急劇下降到7.3 gf,相對(duì)下降率為21.5%;溫度繼續(xù)升高25 ℃,強(qiáng)度無明顯變化。
圖6 第一焊點(diǎn)剪切斷裂載荷和引線拉伸斷裂載荷隨基板加熱溫度的變化規(guī)律
第一焊點(diǎn)剪切斷裂載荷和引線拉伸斷裂載荷隨老化時(shí)間的變化曲線如圖7所示。由圖7可知,隨著老化時(shí)間從0延長(zhǎng)至150 h,金絲球焊第一焊點(diǎn)的剪切斷裂載荷先增大后減小,在老化100 h時(shí)出現(xiàn)最大值(69.7 gf),老化時(shí)間超過100 h后,剪切斷裂載荷迅速下降;隨老化時(shí)間延長(zhǎng),鍵合引線的拉伸斷裂載荷先增大后減小,在老化時(shí)間為50 h時(shí)出現(xiàn)最大值(14.4 gf)。
圖7 第一焊點(diǎn)剪切斷裂載荷和引線拉伸斷裂載荷隨老化時(shí)間的變化規(guī)律
金絲球與鍍銀基板鍵合后,結(jié)合界面背散射電子顯微(BSEM)照片如圖8所示,老化50和100 h后,金絲球與鍍銀界面背散射電子顯微(BSEM)照片如圖9所示。相較于未老化界面,老化50和100 h后Au/Ag和Ag/Cu這2種界面金屬間互相擴(kuò)散作用明顯,使界面原子接觸面積更大,結(jié)合力更強(qiáng),導(dǎo)致老化后,金絲球焊第一焊點(diǎn)的剪切斷裂載荷增大,而老化時(shí)間過長(zhǎng)后,由于不同金屬的擴(kuò)散速率不同,擴(kuò)散一定時(shí)間后,擴(kuò)散速率較快的一方將出現(xiàn)空洞,從而降低了界面結(jié)合力,致使金絲球焊第一焊點(diǎn)的剪切斷裂載荷在超過一定老化時(shí)間后開始下降。
圖8 金絲球與鍍銀基板結(jié)合界面BSEM照片
圖9 老化后金絲球與鍍銀基板結(jié)合界面BSEM照片
通過上述研究,可以得出如下結(jié)論。
1)隨著超聲功率增大,金絲球焊第一焊點(diǎn)剪切斷裂載荷呈上升趨勢(shì),引線拉伸斷裂載荷整體呈現(xiàn)出先增大后減小的趨勢(shì);隨著超聲時(shí)間延長(zhǎng),第一焊點(diǎn)剪切斷裂載荷整體呈現(xiàn)逐步上升趨勢(shì),鍵合引線拉伸斷裂載荷整體呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢(shì),但變化不明顯;隨著焊接壓力增大,第一焊點(diǎn)的剪切斷裂載荷和鍵合引線拉伸斷裂載荷均整體呈上升趨勢(shì),即焊接壓力對(duì)引線結(jié)合性能的影響較顯著。
2)隨著引線強(qiáng)度測(cè)試過程中基板加熱溫度的升高,金絲球焊第一焊點(diǎn)的剪切斷裂載荷和引線拉伸斷裂載荷均呈現(xiàn)隨溫度升高逐漸降低。
3)老化時(shí)間從0延長(zhǎng)至150 h,金絲球焊第一焊點(diǎn)的剪切斷裂載荷和引線的拉伸斷裂載荷均呈先增大后減小的趨勢(shì),載荷下降可能是由于不同金屬在高溫下的擴(kuò)散速率不同導(dǎo)致擴(kuò)散速率快的金屬內(nèi)產(chǎn)生空洞,從而降低了界面結(jié)合力。
[1] 何田.引線鍵合技術(shù)的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)[J].電子工業(yè)專用設(shè)備,2004,33(10):12-14.
[2] 晁宇晴,楊兆建,喬海靈.引線鍵合技術(shù)進(jìn)展[J]. 電子工藝技術(shù), 2007,28(4):205-210.
[3] 徐慧.銅及金絲與鋁合金焊盤鍵合的金屬間化合物生長(zhǎng)和可靠性[D]. 哈爾濱:哈爾濱工業(yè)大學(xué),2006.
[4] 吳德馨,等. 現(xiàn)代微電子技術(shù)[M]. 北京:化學(xué)工業(yè)出版社,2002.
[5] 袁氏開. 微互連技術(shù)[EB/OL]. [2011-03-02] https://wenku.baidu.com/view/0411255d3b3567ec102d8a58.html.
[6] Kim S, Hemati N. EEP-structural analysis[J]. Microelectronics and Fiber Optics, 1994(8):31-40.
[7] 荒井英輔. 集成電路B[M]. 北京:科學(xué)出版社,2000.
[8] Son S B, Lee Y K, Kang S H, et al. A numerical approach on the inclusion effects in ultrafine gold wire drawing process[J]. Engineering Failure Analysis, 2011, 18:1272-1278.
[9] 田春霞. 電子封裝用導(dǎo)電絲材料及發(fā)展[J]. 稀有金屬, 2003, 27(6):782-787.