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英特爾Fab 68產(chǎn)出3D NAND TLC數(shù)據(jù)中心級SSD

2017-06-19 23:50:05
CHIP新電腦 2017年6期
關(guān)鍵詞:失性負(fù)載量英特爾

追加投資55億美元的英特爾大連工廠(Fab 68)已升級為世界最先進(jìn)的非易失性存儲制造工廠,并成為英特爾SSD產(chǎn)品主要制造廠之一。5月10日,英特爾就在大連工廠發(fā)布了兩款采用最新的3D NAND TLC技術(shù)所制造的數(shù)據(jù)中心級SSD產(chǎn)品:DC P4500/P4600。這兩款產(chǎn)品主要為云存儲解決方案所設(shè)計,可應(yīng)用于軟件定義存儲及融合式基礎(chǔ)設(shè)施。其中,DC P4500系列專門針對數(shù)據(jù)讀取進(jìn)行優(yōu)化,能讓數(shù)據(jù)中心從服務(wù)器中獲得更多價值并存儲更多數(shù)據(jù);而針對混合型工作負(fù)載所設(shè)計的DC P4600系列則可以加速緩存,并使每臺服務(wù)器可運(yùn)行的工作負(fù)載量實(shí)現(xiàn)提升。

DC P4500系列與DC P4600系列容量分別為1TB、2TB、4TB,封裝形式為半高半長的插卡式及U.2接口2.5英寸形態(tài)。隨后發(fā)布的DC P4501則將采用M.2 22110及7mm厚2.5英寸U.2封裝,主要面向?qū)Υ鎯γ芏群凸母袃A向性的云存儲應(yīng)用。

英特爾大連工廠于2007年奠基,2010年正式投產(chǎn)。2015年10月,英特爾宣布投資55億美元,升級大連工廠為非易失性存儲技術(shù)制造基地。

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