尤為重要。而非易失性存儲(chǔ)器（Non-Volatile Random Access Memory，NvRAM）因其斷電后數(shù)據(jù)仍然能夠保留的特性大受推崇，并且NvRAM還具有速度快、自動(dòng)保存和自動(dòng)恢復(fù)數(shù)據(jù)等功能，電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單，被廣泛使用在機(jī)載設(shè)備當(dāng)中[1-2]。隨著存儲(chǔ)器的性能逐漸在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中占據(jù)了越來(lái)越重要的位置，能否高效準(zhǔn)確運(yùn)用存儲(chǔ)器就有了更高的要求。在工程中，開(kāi)發(fā)者們逐漸發(fā)現(xiàn)對(duì)于存儲(chǔ)器的控制邏輯相對(duì)復(fù)雜，時(shí)序要求也比較嚴(yán)格，且在調(diào)試過(guò)程中，存儲(chǔ)器出

重要,其中包含易失性數(shù)據(jù)和非易失性數(shù)據(jù),如果電池沒(méi)電、硬件損壞、系統(tǒng)干擾等都會(huì)造成機(jī)床數(shù)據(jù)丟失的可能性,也是典型的機(jī)床故障,通過(guò)案例形式分析數(shù)據(jù)類型及故障處理方法,有效提升維修人員的故障處理能力。1 故障基本情況CTX310車削中心為SINUMERIK 840D系統(tǒng),系統(tǒng)硬件為PCU20,訂貨號(hào):6FC5210-0DF00-1AA1,由于機(jī)床長(zhǎng)時(shí)間處于關(guān)機(jī)狀態(tài),導(dǎo)致系統(tǒng)無(wú)法正常啟動(dòng)進(jìn)入操作頁(yè)面,只停留在840D shop stun界面。如圖1所示:圖1 顯

大數(shù)據(jù)應(yīng)用的非易失性內(nèi)存安全技術(shù)，重點(diǎn)分析了存儲(chǔ)系統(tǒng)在采用非易失性內(nèi)存后對(duì)系統(tǒng)體系結(jié)構(gòu)和安全方面的影響以及所產(chǎn)生的新問(wèn)題和新方法等；重慶大學(xué)的科研團(tuán)隊(duì)[2]綜述了將計(jì)算單元臨近存儲(chǔ)器的近數(shù)據(jù)處理技術(shù)，并全面分析和研究了相關(guān)系統(tǒng)架構(gòu)、編程框架、應(yīng)用場(chǎng)景以及軟硬件平臺(tái)等；武漢理工大學(xué)的科研團(tuán)隊(duì)[3]介紹了非易失性存儲(chǔ)器件的性能、可靠性和應(yīng)用方面的重要工作，并對(duì)相關(guān)器件和技術(shù)應(yīng)用在存儲(chǔ)系統(tǒng)中的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了分析和展望；西北工業(yè)大學(xué)的科研團(tuán)隊(duì)[4]面向傳統(tǒng)塊接口限

在此提出一種非易失性浮動(dòng)可編程門可重構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FPG-RFET）。2 器件結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)的RFET不同，F(xiàn)PG-RFET引入了非易失性電荷存儲(chǔ)層作為浮動(dòng)程序門，而不是需要獨(dú)立電源的程序門，在浮動(dòng)程序門中存儲(chǔ)的電荷可以通過(guò)控制門進(jìn)行編程，所以本質(zhì)上只需要一個(gè)獨(dú)立供電的門即可完成可重構(gòu)操作。此外，控制門可以調(diào)節(jié)浮動(dòng)編程門中的等效電壓，有效地降低靜態(tài)功耗和逆漏電流的產(chǎn)生。新設(shè)計(jì)器件結(jié)構(gòu)如圖1所示。圖1 新設(shè)計(jì)FPG-RFET結(jié)構(gòu)圖可見(jiàn)，所設(shè)計(jì)器件為平面溝道。以

。FET可以非易失性方式存儲(chǔ)1和0，這意味著它不需要一直供電;垂直設(shè)備結(jié)構(gòu)則增加了信息密度并降低了操作能源需求。氧化鉿和氧化銦層沉積在垂直溝槽結(jié)構(gòu)中，鐵電材料具有在同一方向排列時(shí)最穩(wěn)定的電偶極子，鐵電氧化鉿自發(fā)地使偶極子垂直排列。信息通過(guò)鐵電層中的極化程度存儲(chǔ)，由于電阻的變化，系統(tǒng)可以讀取。另一方面，反鐵電體通常在擦除狀態(tài)下上下交替偶極子，這使得氧化物半導(dǎo)體溝道內(nèi)的擦除操作變得有效。研究證實(shí)，該器件在至少1 000個(gè)周期內(nèi)都可保持穩(wěn)定，研究人員還使用第一原

061 引言非易失性內(nèi)存是一種新興的存儲(chǔ)介質(zhì)，其具備字節(jié)可尋址、內(nèi)存級(jí)別讀寫時(shí)延的特性，這給當(dāng)前大量的存儲(chǔ)系統(tǒng)帶來(lái)了根本性的變革。非易失性內(nèi)存正在迅速發(fā)展，現(xiàn)有的大部分非易失性內(nèi)存（如相變內(nèi)存[1]、STT-RAM[2]等）仍處于研究階段，但由美光科技有限公司和英特爾聯(lián)合研制的傲騰持久內(nèi)存（基于3D XPoint[3]）已經(jīng)發(fā)布，并且投入市場(chǎng)。由此，在存儲(chǔ)系統(tǒng)中盡可 能發(fā)揮非易失性內(nèi)存性能優(yōu)勢(shì)的需求越發(fā)迫切。其中，面向非易失內(nèi)存研發(fā)新型持久索引數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)是解

。普冉股份在非易失性存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域深耕多年，公司的品牌以其寬電壓、超低功耗、高可靠性、高性價(jià)比等產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)獲得較高的認(rèn)可，近年來(lái)營(yíng)收和業(yè)績(jī)保持快速增長(zhǎng)趨勢(shì)。近日普冉股份首次公開(kāi)發(fā)行新股并在上交所科創(chuàng)板上市，募集資金擬用于“閃存芯片升級(jí)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”。產(chǎn)品具備較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)出貨量呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)普冉股份的主營(yíng)業(yè)務(wù)是非易失性存儲(chǔ)器芯片的設(shè)計(jì)與銷售，目前主要產(chǎn)品包括NOR Flash和EEPROM兩大類非易失性存儲(chǔ)器芯片，屬于通用型芯片，可廣泛應(yīng)用于眾多領(lǐng)域。20

保留數(shù)據(jù)，分為易失性和非易失性兩種。其中作為計(jì)算機(jī)處理器高速緩沖的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM），以及作為內(nèi)存的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）是兩種最常見(jiàn)的易失性存儲(chǔ)器；而非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)器則是指在斷電情況下，數(shù)據(jù)可穩(wěn)定保留十年以上的RAM，它兼顧了讀寫速度以及數(shù)據(jù)保持能力兩方面，因此被廣泛應(yīng)用，是當(dāng)前半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展的熱點(diǎn)。根據(jù)用途、原理，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的基本分類情況如圖1所示。二、世界非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)器發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)目前主要的非易失性存儲(chǔ)器是閃存（FLASH

具應(yīng)用前景的非易失性存儲(chǔ)器之一[4]。相對(duì)于傳統(tǒng)的Flash 存儲(chǔ)器,憶阻器還有許多優(yōu)越的綜合存儲(chǔ)性能[1],包括高擦寫速度、高儲(chǔ)存密度、高耐受性、低功耗、微縮性好和三維存儲(chǔ)潛力等眾多優(yōu)點(diǎn)。因此,近年來(lái)憶阻器作為信息存儲(chǔ)和計(jì)算受到了廣大研究者們和工業(yè)界的廣泛關(guān)注。另一方面,自2004 年石墨烯被首次實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)以來(lái),二維材料的研究得到了廣泛的關(guān)注。近幾年,越來(lái)越多的二維材料被應(yīng)用到阻變器件的研究中,包括作為電極材料的石墨烯、過(guò)渡金屬硫化物、氮化硼等。最近,本研

，采用高可靠非易失性存儲(chǔ)芯片實(shí)現(xiàn)彈道數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，芯片尺寸為5 mm×5 mm×2.5 mm。圖2 高可靠存儲(chǔ)模塊電路Fig.2 Highly reliable memory module circuit2 無(wú)信息交互下弱環(huán)境感知試驗(yàn)無(wú)信息交互即彈載計(jì)算機(jī)和引戰(zhàn)系統(tǒng)無(wú)持續(xù)相互通信(詢問(wèn)狀態(tài)和反饋狀態(tài))，僅測(cè)試感知系統(tǒng)對(duì)微弱環(huán)境力的感知精度和感知、存儲(chǔ)可靠性。2.1 離心過(guò)載試驗(yàn)地面過(guò)載測(cè)試系統(tǒng)搭建在離心環(huán)境下，以模擬單兵巡飛彈的整個(gè)彈道環(huán)境。為了完整地模擬飛控

ac.cn)非易失性內(nèi)存(non-volatile memory， NVM)是近幾年來(lái)出現(xiàn)的一類存儲(chǔ)介質(zhì)的統(tǒng)稱，例如:PCM[1]，ReRAM[2]，STT-RAM[3]等.一方面，這些存儲(chǔ)介質(zhì)同DRAM(dynamic RAM)一樣有著低訪問(wèn)延遲、可字節(jié)尋址的特性；另一方面，與DRAM不同的是，它們具有非易失性、較低的能耗和較高的存儲(chǔ)密度.這使得基于NVM技術(shù)的非易失性內(nèi)存有著更大的單片存儲(chǔ)容量，同時(shí)能夠作為存儲(chǔ)設(shè)備保存數(shù)據(jù).若利用基于非易失性內(nèi)存構(gòu)建存

具有很強(qiáng)的脆弱易失性[5]。本文在存儲(chǔ)器中易失性用戶大數(shù)據(jù)并行處理控制系統(tǒng)的硬件和軟件框架進(jìn)行設(shè)計(jì)，根據(jù)所設(shè)計(jì)框架闡述了易失性用戶大數(shù)據(jù)并行處理控制系統(tǒng)的工作流程，通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了存儲(chǔ)器中易失性用戶大數(shù)據(jù)并行處理控制系統(tǒng)的可行性。1 易失性用戶大數(shù)據(jù)并行處理控制系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)儲(chǔ)存器中數(shù)據(jù)一般有易失性數(shù)據(jù)、網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)、硬盤數(shù)據(jù)3種，如同用戶登入、網(wǎng)絡(luò)連接、運(yùn)行進(jìn)程等具有強(qiáng)時(shí)態(tài)性的數(shù)據(jù)信息，就屬于易失性數(shù)據(jù)的范疇[6]。易失性數(shù)據(jù)具有隱蔽性、客觀性、脆弱易失性的特點(diǎn)

的，它是一種非易失性的讀寫存儲(chǔ)器，其核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料有快速存儲(chǔ)和不會(huì)丟失數(shù)據(jù)兩大突出型優(yōu)點(diǎn)，所以便攜式檢測(cè)設(shè)備如新型12導(dǎo)心電圖機(jī)就采用了FRAM存儲(chǔ)器來(lái)記錄患者數(shù)據(jù)。一、傳統(tǒng)半導(dǎo)體與FRAM存儲(chǔ)器的區(qū)別傳統(tǒng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分為兩種，一種是易失性存儲(chǔ)器，一種是非易失性存儲(chǔ)器。易失性存儲(chǔ)器（RAM）又分為靜態(tài)RAM和動(dòng)態(tài)內(nèi)存兩種，它可以在隨時(shí)隨地進(jìn)行讀寫，且讀取速度快，操作方便，但關(guān)閉電源后數(shù)據(jù)不能保存，若想保存數(shù)據(jù)就必去把他們存入到硬盤中

,4]。新型非易失性存儲(chǔ)器(non-volatile memory，NVM)的出現(xiàn)，為解決上述問(wèn)題提供了方向。現(xiàn)有的NVM主要有相變存儲(chǔ)器(phase change memory，PCM)、阻變存儲(chǔ)器(resistive random access memory，RRAM)、自旋轉(zhuǎn)移力矩存儲(chǔ)器(spin-transfer torque RAM，STT-RAM)[5,6]等，它們具有非易失性、漏電功耗低、存儲(chǔ)密度高和擴(kuò)展性強(qiáng)等特性，成為存儲(chǔ)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)，有

的開(kāi)銷.由于非易失性內(nèi)存的延時(shí)接近于DRAM，這種用戶態(tài)/內(nèi)核態(tài)切換開(kāi)銷對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)的性能的影響是不能忽略的.在基于DRAM內(nèi)存存儲(chǔ)系統(tǒng)方面，鍵值存儲(chǔ)也是研究熱點(diǎn)，如在實(shí)際中被廣泛應(yīng)用的Memcached[11]、性能非常好的MICA[12]，但針對(duì)DRAM設(shè)計(jì)的系統(tǒng)無(wú)法顧及到非易失性內(nèi)存的特性，如NVM的讀寫延時(shí)的差異、DRAM與NVM訪問(wèn)速度差異等.因此，綜合DRAM和NVM各自特點(diǎn)開(kāi)發(fā)新型的系統(tǒng)需要新的設(shè)計(jì)思路和實(shí)踐.在使用NVM設(shè)計(jì)存儲(chǔ)系統(tǒng)時(shí)，傳統(tǒng)的

入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。據(jù)了解，目前半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)主要有兩類，第一類是易失性存儲(chǔ)，例如計(jì)算機(jī)中的內(nèi)存，掉電后數(shù)據(jù)會(huì)立即消失；第二類是非易失性存儲(chǔ)，例如人們常用的U盤，在寫入數(shù)據(jù)后無(wú)需額外能量可保存10年。前者可在幾納秒左右寫入數(shù)據(jù)，第二類電荷存儲(chǔ)技術(shù)需要幾微秒到幾十微秒才能把數(shù)據(jù)保存下來(lái)。此次研發(fā)的新型電荷存儲(chǔ)技術(shù)，既滿足了10納秒寫入數(shù)據(jù)速度，又實(shí)現(xiàn)了按需定制（10秒—10年）的可調(diào)控?cái)?shù)據(jù)準(zhǔn)非易失特性。這種全新特性不僅在高速內(nèi)存中可以極

磁性行為也具有易失性,例如在PMN-PT(001)上生長(zhǎng)CoFe2O4[27]和La0.7Sr0.3MnO3[28],電場(chǎng)對(duì)磁性的調(diào)控都顯示了蝶形(butterf l y)行為,這不利于磁存儲(chǔ)等實(shí)際應(yīng)用,研究人員也在努力尋找新的電場(chǎng)非易失調(diào)控磁性行為.Zhang等[26]意識(shí)到鐵電疇在電場(chǎng)調(diào)控磁性中的重要作用,將20 nm非晶態(tài)CoFeB薄膜生長(zhǎng)在PMN-PT(001)襯底上(圖2(a)),觀察到了電場(chǎng)對(duì)磁性的顯著的非易失性調(diào)控.這一現(xiàn)象不能用界面電荷機(jī)理

)0 引 言非易失性內(nèi)存設(shè)備NVM(Non-volatile memory)是指在系統(tǒng)掉電時(shí)仍能保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)設(shè)備。從發(fā)展歷程看，主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩種。塊尋址設(shè)備性能比動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic Random Access Memory)低得多，而字節(jié)尋址設(shè)備性能接近DRAM。針對(duì)NVM建立訪問(wèn)模式的研究主要集中在兩個(gè)方面。一方面將NVM當(dāng)作存儲(chǔ)設(shè)備，在NVM上建立文件系統(tǒng)進(jìn)行持久內(nèi)存管理[1]。另一方面，對(duì)于按字節(jié)尋址的NVM，

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式（易失性和非易失性）和訪問(wèn)方式（隨機(jī)或順序）分類（見(jiàn)表1所示）。如果按功能分類，存儲(chǔ)器可分為兩大類：主存儲(chǔ)器（主存儲(chǔ)器或存儲(chǔ)器），是可作用于數(shù)據(jù)的有效類型；輔助存儲(chǔ)器（數(shù)據(jù)存儲(chǔ)），可提供長(zhǎng)期存儲(chǔ)。對(duì)于主存儲(chǔ)器，速度至關(guān)重要，因?yàn)樗?fù)責(zé)存儲(chǔ)當(dāng)前使用的和/或更改的數(shù)據(jù)。試想您在玩最喜愛(ài)的電子游戲時(shí)，每做一個(gè)動(dòng)作都要暫停一次，或者因?yàn)橹悄苁謾C(jī)的GPS應(yīng)用無(wú)法及時(shí)重新定位而錯(cuò)過(guò)一個(gè)路口時(shí)，您會(huì)有多懊惱。緩存是主存儲(chǔ)器的子集，需要存儲(chǔ)等待執(zhí)行的指令，因此

被廣泛使用的非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，產(chǎn)品被廣泛使用在智能手機(jī)、個(gè)人電腦、平板電腦、數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)中，2017年全球NAND flash產(chǎn)品銷售額高達(dá)550億美元?，F(xiàn)今，NAND flash已經(jīng)發(fā)展至1X nm工藝制程，但是由于先進(jìn)工藝制程造成了NAND氧化層越來(lái)越薄、可靠性越來(lái)越差的問(wèn)題。為提高存儲(chǔ)器的容量、性能、可靠性，各大NAND flash已經(jīng)開(kāi)始通過(guò)堆疊形式研發(fā)和生產(chǎn)3D NAND flash產(chǎn)品。Intel和美光共同開(kāi)發(fā)的最新第三代3D NAND f

非易失性鐵電疇壁存儲(chǔ)器原型開(kāi)發(fā)成功由來(lái)自澳大利亞、美國(guó)和中國(guó)的研究人員組成的國(guó)際研究團(tuán)隊(duì)成功開(kāi)發(fā)出了非易失性鐵電疇壁存儲(chǔ)器的功能性原型。鐵電疇壁是含有相同極化區(qū)隔離缺陷的一種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，具有獨(dú)特的導(dǎo)電特性，通過(guò)疇壁的引入或去除能夠生成可讀寫的二元狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)，且存儲(chǔ)的信息能夠以無(wú)損的方式被讀取。與鐵磁材料相似，鐵電材料也具有疇壁，但鐵電材料的疇壁比鐵磁材料中的疇壁小得多，這就使更小尺寸存儲(chǔ)材料的制備成為了可能。與傳統(tǒng)的硅基復(fù)合金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相

采用更高效的非易失性存儲(chǔ)單元來(lái)替代SRAM使得可重復(fù)編程系統(tǒng)的速度和功耗得到提高。介紹了基于阻變單元的可編程nvSRAM和nvLUT，對(duì)其器件結(jié)構(gòu)和工作模式進(jìn)行了概述。nvSRAM和nvLUT可以被用于替代傳統(tǒng)可編程邏輯中的SRAM和LUT，其常關(guān)和瞬時(shí)開(kāi)啟的特性使得靜態(tài)功耗極低，同時(shí)具有更好的CMOS工藝匹配性和更易實(shí)現(xiàn)的微縮化前景。阻變隨機(jī)存儲(chǔ)器；隨機(jī)存儲(chǔ)器；查找表；非易失性邏輯；可編程邏輯；可重配置1 引言如今可編程器件在微系統(tǒng)和集成電路系統(tǒng)中得到廣

世界最先進(jìn)的非易失性存儲(chǔ)制造工廠，并成為英特爾SSD產(chǎn)品主要制造廠之一。5月10日，英特爾就在大連工廠發(fā)布了兩款采用最新的3D NAND TLC技術(shù)所制造的數(shù)據(jù)中心級(jí)SSD產(chǎn)品：DC P4500/P4600。這兩款產(chǎn)品主要為云存儲(chǔ)解決方案所設(shè)計(jì)，可應(yīng)用于軟件定義存儲(chǔ)及融合式基礎(chǔ)設(shè)施。其中，DC P4500系列專門針對(duì)數(shù)據(jù)讀取進(jìn)行優(yōu)化，能讓數(shù)據(jù)中心從服務(wù)器中獲得更多價(jià)值并存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù);而針對(duì)混合型工作負(fù)載所設(shè)計(jì)的DC P4600系列則可以加速緩存，并使每臺(tái)服

我國(guó)數(shù)據(jù)非易失性多功能和可編程自旋邏輯器件研究獲進(jìn)展中國(guó)科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國(guó)家實(shí)驗(yàn)室（籌）的研究人員通過(guò)優(yōu)化磁異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料，利用自旋軌道耦合轉(zhuǎn)矩效應(yīng)及自旋霍爾效應(yīng)，在新型自旋邏輯器件及其工作機(jī)理研究中取得重要進(jìn)展。研究人員利用微納加工方法，將Pt/Co/MgO和Ta/CoFeB/MgO兩種典型的具有垂直磁各向異性的磁性異質(zhì)結(jié)構(gòu)加工成十字狀的Hall條樣品，利用鎖相技術(shù)表征了兩種體系中電流所攜帶的自旋軌道耦合力矩成分；通過(guò)在Hall條兩路徑同時(shí)

，不僅保持了非易失性FPGA具備的所有優(yōu)點(diǎn)(如靜態(tài)功耗低、安全性好、擁有單粒子翻轉(zhuǎn)免疫性等)，而且涵蓋了100K到500K邏輯單元的密度，尤其適合于通信、國(guó)防和工業(yè)市場(chǎng)的特定區(qū)間和應(yīng)用。通過(guò)與Silicon Creations合作，Microsemi研制出了全面優(yōu)化的12.7 Gbps收發(fā)器，尺寸小并且低功耗，從而將10 Gbps的總體功耗降低至90 mW以下。PolarFire器件具有同級(jí)最低的靜態(tài)功耗，例如100K邏輯單元(LE)器件為25mW;具有零

于憶耦器實(shí)現(xiàn)非易失性多態(tài)存儲(chǔ)中國(guó)科學(xué)院物理研究所的研究人員提出了一種新的非易失性存儲(chǔ)器件——憶耦器（memtranstor），并在單個(gè)憶耦器上分別實(shí)現(xiàn)了兩態(tài)存儲(chǔ)、多態(tài)存儲(chǔ)和布爾邏輯運(yùn)算。據(jù)悉，憶耦器是一種基于非線性磁電耦合效應(yīng)的記憶元件，源于第四種基本電路元件電耦器（transtor）。該電子元件的基本特征是具有非線性電荷-磁通回滯曲線。與憶阻器采用電阻（R=dV/ dI）的狀態(tài)存儲(chǔ)信息不同，憶耦器采用電耦（T=dq/dφ，或者等效于磁電耦合系數(shù)α=dE/

性區(qū)分NVR非易失性存儲(chǔ)器和VR易失性存儲(chǔ)器2種。NVR寄存器標(biāo)識(shí)模塊屬性（只讀），在CFP光模塊內(nèi)部需要有非易失性存儲(chǔ)設(shè)備支持?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)。VR寄存器支持HOST對(duì)模塊的控制命令和模塊實(shí)時(shí)數(shù)字診斷信息更新。1.2CFP MDIO接口硬件設(shè)計(jì)CFP MDIO接口設(shè)計(jì)工程實(shí)現(xiàn)中通常有2種方案：方案一使用FPGA+MCU方式，F(xiàn)PGA編碼實(shí)現(xiàn)從MDIO協(xié)議轉(zhuǎn)換，F(xiàn)PGA和MCU之間定義私有接口，兩者配合實(shí)現(xiàn)CFP模塊標(biāo)準(zhǔn)管理接口功能；方案二使用MCU實(shí)現(xiàn)MDIO接

重頭，超過(guò)了非易失性內(nèi)存，僅次于客戶端和數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)。此外，IoT業(yè)務(wù)較上一年增長(zhǎng)了19%，未來(lái)一年有望繼續(xù)增長(zhǎng)。在Atom E3900系列之前，英特爾曾推出過(guò)微型的Curie和性能相對(duì)更強(qiáng)的Atom E系列產(chǎn)品。但在今天之前，該公司尚未專門打造過(guò)高端IoT芯片。Atom E3800系列其實(shí)基于Bay Trail，最近發(fā)布的Joule設(shè)備則使用了Broxton（曾被英特爾砍掉的移動(dòng)Atom SoC）。今天發(fā)布的Atom E3900系列，為市場(chǎng)帶來(lái)了功耗6W

氧化物異質(zhì)結(jié)非易失性阻變器件具有多態(tài)存儲(chǔ)能力、穩(wěn)定性能較好，開(kāi)展相關(guān)研究對(duì)推進(jìn)阻變存儲(chǔ)器實(shí)用化進(jìn)程具有相當(dāng)重要的意義。2006年起，顏志波就開(kāi)始從事過(guò)渡金屬氧化物的龐磁電阻、非易失性電阻開(kāi)關(guān)及多鐵性的研究。工欲善其身，必先利其器。在材料合成與樣品制備方面，顏志波熟練地應(yīng)用固相反應(yīng)法、溶膠-凝膠法、PLD、磁控濺射等手段；在實(shí)驗(yàn)建設(shè)方面，他能夠利用PPMS系統(tǒng)和各種電壓/電流源表并應(yīng)用LabView軟件自行搭建各種實(shí)驗(yàn)測(cè)試與采集系統(tǒng)；在材料表征及樣品性能分析

性 ——史性——失性——試論《白鹿原》及其話劇和電影改編朱堯堯（杭州師范大學(xué)310036）摘要：陳忠實(shí)的《白鹿原》可謂是史詩(shī)性質(zhì)的巨作，厚重的文本承載了半個(gè)世紀(jì)的重量，展現(xiàn)了立體而渾厚的民族秘史。經(jīng)孟冰改編的話劇《白鹿原》雖少了幾分詩(shī)性，也能彰顯出幾分史學(xué)價(jià)值。王全安打著“史上最難拍電影的旗號(hào)”將《白鹿原》搬上銀屏，為我們展現(xiàn)的卻是“一個(gè)女人的傳奇”，完全失去了詩(shī)性和史性，無(wú)厚重感可言。本文試從百靈、田小娥、白嘉軒、朱先生等人物入手去比較原著、話劇和電影的

Point的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，該技術(shù)有潛力對(duì)那些得益于快速訪問(wèn)大量數(shù)據(jù)的任何設(shè)備、應(yīng)用或服務(wù)實(shí)現(xiàn)革新。現(xiàn)已投入生產(chǎn)的3D XPoint技術(shù)是存儲(chǔ)器制程技術(shù)的一項(xiàng)重大突破，也是自1989 年NAND閃存推出至今的首款基于全新技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器?；ヂ?lián)設(shè)備和數(shù)字服務(wù)的爆炸式增長(zhǎng)產(chǎn)生了大量的新數(shù)據(jù)。為了讓這些數(shù)據(jù)變得更有價(jià)值，必須對(duì)這些數(shù)據(jù)進(jìn)行非?？焖俚卮鎯?chǔ)和分析，而這也為設(shè)計(jì)內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案時(shí)必須權(quán)衡成本、功耗和性能的服務(wù)提供商和系統(tǒng)制造商帶來(lái)了挑戰(zhàn)。3D

場(chǎng)需求嵌入式非易失性存儲(chǔ)器（eNVM）工藝已廣泛應(yīng)用于智能卡芯片、微控制器（MCU）等領(lǐng)域，隨著4G通訊、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、金融IC卡、移動(dòng)支付和物聯(lián)網(wǎng)的蓬勃發(fā)展，嵌入式非易失性存儲(chǔ)器工藝將擁有越來(lái)越大的市場(chǎng)需求空間。憑借在嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的領(lǐng)先地位，華虹宏力在全球贏得了龐大的智能卡IC市場(chǎng)份額，目前是世界第一大的智能卡IC代工廠商。2014年，公司智能卡芯片出貨量達(dá)31.4億顆；其中，SIM卡芯片出貨26.6億顆，約占全球50%市場(chǎng)份額。重視技術(shù)積累，

工廠升級(jí)為“非易失性存儲(chǔ)技術(shù)”制造基地并將其最新技術(shù)的生產(chǎn)引入中國(guó)北京2015年10月21日電/美通社/--英特爾公司今天宣布將計(jì)劃升級(jí)其大連工廠，將轉(zhuǎn)產(chǎn)為“非易失性存儲(chǔ)器”制造。英特爾會(huì)將其與美光合資開(kāi)發(fā)的最新非易失性存儲(chǔ)技術(shù)引入中國(guó)，落地在英特爾大連制造。英特爾計(jì)劃升級(jí)改造其大連工廠現(xiàn)有設(shè)施、并依托于多年來(lái)在大連所建立起的世界級(jí)的工廠運(yùn)營(yíng)能力和精尖制造專長(zhǎng)。未來(lái)，英特爾預(yù)計(jì)對(duì)此項(xiàng)目投資高達(dá)55億美元。該戰(zhàn)略性計(jì)劃是英特爾深化其非易失性存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)發(fā)展戰(zhàn)略

暴雨的夜晚他癲瘋失性瓦雷里舍棄文學(xué)，投身于哲學(xué)以求抵御一場(chǎng)深刻的精神危機(jī)我常常陷入沉思竭力想象他和類似的人掉進(jìn)思慮的許多細(xì)節(jié)那些躲避不開(kāi)危險(xiǎn)事物的人被那白亮鋒利的危機(jī)割破之時(shí)他流什么血，他說(shuō)什么話在無(wú)限大的黑暗中人的一生永遠(yuǎn)提著燈籠行走在無(wú)限大的黑暗里手持火焰會(huì)帶來(lái)無(wú)限大的信心俯瞰者會(huì)看到那是螢火蟲似的一團(tuán)光明在飄蕩那團(tuán)光亮不能照耀得更遠(yuǎn)了它不能顧及未來(lái)的前面也不能葆有已過(guò)去的后面曾經(jīng)被璀璨豁亮的地方都會(huì)重新淪陷在黑暗中人的一生永遠(yuǎn)提著燈籠行走在漆黑之夜里

幸的是，新型非易失性存儲(chǔ)（Non－Volatile Memory，NVM）技術(shù)的興起與發(fā)展為打破傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存這一系統(tǒng)性能與能耗瓶頸提供了契機(jī).以相變存儲(chǔ)器（Phase Change Memory，PCM）為代表的非易失性存儲(chǔ)器件有著良好地可擴(kuò)展性，比閃存（Flash Memory），更加接近DRAM的時(shí)延與帶寬特性，非易失性，以及極低的靜態(tài)功耗等一系列優(yōu)良的特性.遺憾的是，它們同樣也有著使用壽命短、寫時(shí)延與功耗過(guò)高等一些尚未克服的缺陷.因此，尚不具備利

為兩類:一類是易失性的，斷電后就會(huì)消失。另一類是非易失性的，斷電后不會(huì)消失。按照以上的分類方法，設(shè)備的RAM中存儲(chǔ)的是易失性數(shù)據(jù)，在這些數(shù)據(jù)中通常都包含一些非常重要的信息，如應(yīng)用程序的密碼和用戶名，認(rèn)證證書，等等。Android是一種在移動(dòng)設(shè)備上常見(jiàn)的操作系統(tǒng)，如何獲取Android設(shè)備RAM中的數(shù)據(jù)并分析其中的重要信息對(duì)調(diào)查取證工作具有重要意義。1 國(guó)內(nèi)外研究進(jìn)展目前國(guó)內(nèi)外的專家在如何獲取非易失性數(shù)據(jù)方面做了大量的工作，也開(kāi)發(fā)了很多比較好的取證軟件，而在

耗微控制器和非易失性鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）面向工業(yè)、醫(yī)療、可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應(yīng)用北京2014年12月17日電/--日前，德州儀器（TI）宣布推出業(yè)界首款靈活型高頻13.56 MHz傳感器應(yīng)答器系列。高度集成的超低功耗RF430FRL15xH片上系統(tǒng)（SoC）產(chǎn)品系列把符合ISO 15693標(biāo)準(zhǔn)的近場(chǎng)通信（NFC）接口與可編程微控制器MCU）、非易失性FRAM、模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC）、SPI或I2C接口進(jìn)行了完美的結(jié)合。雙接口RF430FRL15xH

)浮柵型有機(jī)非易失性存儲(chǔ)器的研究陸旭兵1*， 邵亞云1， 劉俊明2(1.華南師范大學(xué)華南先進(jìn)光電子研究院，廣東廣州 510006;2.南京大學(xué)固體微結(jié)構(gòu)物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,江蘇南京 210093)有機(jī)柔性電子器件具有低制造成本、大面積、可柔性折疊等優(yōu)點(diǎn)，是近年來(lái)國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的研究熱點(diǎn).有機(jī)非易失存儲(chǔ)器是一種重要的有機(jī)柔性電子器件.介紹了浮柵型有機(jī)非易失性存儲(chǔ)器件的工作原理；綜述了國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)界對(duì)浮柵型有機(jī)非易失性存儲(chǔ)器的研究進(jìn)展、存在的問(wèn)題及解決對(duì)策

，同時(shí)內(nèi)部有非易失性（Non-volatile）存儲(chǔ)器EEPROM，用戶可對(duì)其進(jìn)行讀寫操作，并通過(guò)軟件控制接口對(duì)其阻值進(jìn)行編程；4）利用數(shù)字電位器可實(shí)現(xiàn)模擬電路中對(duì)電阻、電壓或電流的數(shù)字控制及調(diào)整；5）允許將幾個(gè)數(shù)字電位器進(jìn)行串、并聯(lián)或混聯(lián)；6）受制作工藝影響，總電阻一致性較差，一般有15%～30%偏差；7）低電壓、低功耗、超小型化、工作溫度范圍寬。1.2 主要參數(shù)1）電源電壓范圍 最高、最低工作電壓之差。該范圍一般為 2.5～5.5 V。2）端電壓 加在

新的一類，即非易失性存儲(chǔ)器（Non-volatile Memory），其特點(diǎn)是既能像ROM那樣，在斷電后依然保存數(shù)據(jù)不丟失，又能像RAM那樣及時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)的擦寫?；谶@些優(yōu)點(diǎn)，目前非易失性存儲(chǔ)器已經(jīng)占據(jù)存儲(chǔ)器市場(chǎng)大部分份額，大有取代其他存儲(chǔ)器之勢(shì)。與易失性存儲(chǔ)器相比，非易失性存儲(chǔ)器具有高速、高密度、可微縮、低功耗、抗輻射、斷電后仍然能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)等諸多優(yōu)點(diǎn)。隨著技術(shù)發(fā)展，非易失性存儲(chǔ)器分為相變存儲(chǔ)器、磁性存儲(chǔ)器、電阻式存儲(chǔ)器、鐵電存儲(chǔ)器等諸多類型。“非易失性存

節(jié)，為此基于非易失性數(shù)字電位器MAX5497結(jié)合微處理器C8051F340控制，設(shè)計(jì)了相應(yīng)的增益放大電路。1 MAX5497芯片加速度存儲(chǔ)測(cè)試系統(tǒng)要求每通道量程可分檔位設(shè)置，即試驗(yàn)前根據(jù)預(yù)估的試驗(yàn)結(jié)果，對(duì)各測(cè)量通道的增益放大系數(shù)進(jìn)行參數(shù)設(shè)置[5-6]。系統(tǒng)的增益放大部分電路見(jiàn)圖1，在圖1所示的反饋放大電路中，放大器電阻R1固定為5 kΩ，而反饋電阻由數(shù)字電位器來(lái)?yè)?dān)任，通過(guò)控制數(shù)字電位器抽頭W的位置，改變W與L之間的電阻值RWL，使得放大器增益A=-RWL/

SPI接口、非易失性存儲(chǔ)器和比競(jìng)爭(zhēng)器件性價(jià)比更高的有效功能組合。這些新器件可減少元件數(shù)量及成本，適用于智能能源（如恒溫器、電表和商用制冷）、家電（如咖啡機(jī)、燃?xì)庠詈臀⒉t）、汽車（如儀表板控制、汽車收音機(jī)和GPS）、消費(fèi)類電子（如辦公設(shè)備和視頻系統(tǒng)），以及通信市場(chǎng)（如收音機(jī)、無(wú)繩電話和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)）等應(yīng)用。MCP795WXX/BXX RTCC器件具有毫秒報(bào)警功能，以及支持極快速數(shù)據(jù)存取的10 MHz SPI接口，從而能夠?qū)崿F(xiàn)較長(zhǎng)的MCU休眠和省電模式，電池耗電

e AEON非易失性存儲(chǔ)器（NVM）知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）。這些產(chǎn)品包括數(shù)次可編程（FTP）IP、射頻識(shí)別(RFID)IP多次可編程（MTP）IP和可擦可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）多次可編程（MTP）IP等多種IP解決方案。Synopsys提供的DesignWare AEON NVM IP可面向多種領(lǐng)先工藝技術(shù)并具有100多種不同的存儲(chǔ)配置，并且這些IP都符合相應(yīng)的業(yè)界規(guī)范。DesignWare AEON NVM IP在標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝技術(shù)上進(jìn)行實(shí)施時(shí)，無(wú)需

司全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商RamtronInternational Corporation的兩款具有高速讀／寫性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產(chǎn)品，分別是帶有兩線制接口(I2C)的FM24V02和帶有串行外設(shè)接口(SPI)的FM2SV02。兩款256kb器件是Ramtron公司v系列F-RAM產(chǎn)品的最新型號(hào)，工作電壓范圍為2.0v至3.6V，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)8腳SOIC封裝，具

步確定阻變型非易失性存儲(chǔ)器的擦寫速度、器件功耗和集成度等實(shí)用化的性能指標(biāo)，設(shè)計(jì)RRAM存儲(chǔ)器單元電路結(jié)構(gòu)，并使用HSpice軟件分別對(duì)RRAM存儲(chǔ)器單元結(jié)構(gòu)電路的延時(shí)和功耗性能進(jìn)行仿真。同時(shí)，通過(guò)仿真對(duì)雙極型和單極型兩種電阻轉(zhuǎn)變類型及器件工藝進(jìn)行比較和分析，確定1T1R結(jié)構(gòu)電路單元適用于雙極型阻變型非易失性存儲(chǔ)器件，并且電路仿真的結(jié)果為阻變型非易失性存儲(chǔ)器的進(jìn)一步實(shí)用化提供了參考。關(guān)鍵詞：非易失性存儲(chǔ)器；電阻轉(zhuǎn)變特性；存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)；1T1R中圖分類號(hào)：TN